写入类型指示命令的制作方法

1.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说涉及写入类型指示命令。


背景技术：

2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可例如为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。


技术实现要素：

3.根据本公开的实施例，提供一种用于指示与媒体管理相关联的一或多个写入类型的方法，其包括以下步骤：经由命令向存储器子系统提供启用媒体管理操作的请求；和经由命令向存储器子系统提供对媒体管理操作的多个写入类型中的一个的指示；其中响应于接收命令而使用所指示写入类型进行媒体管理操作。
4.根据本公开的实施例，提供一种用于指示与媒体管理相关联的一或多个写入类型的系统，其包括存储器装置和以通信方式耦合到存储器装置的处理装置，其中处理装置配置成进行包括以下步骤的操作：接收请求多个写入类型中的一个与媒体管理操作相关联的命令；与媒体管理操作的进行相关联地进行具有相关联写入类型的数个写入操作。
5.根据本公开的实施例，提供一种用于指示与媒体管理相关联的一或多个写入类型的系统，其包括存储器装置；和以通信方式耦合到存储器装置的处理装置，其中处理装置配置成进行包括以下各项的操作：响应于接收到请求将多个写入类型中的第一写入类型与数据擦除操作和多个写入类型中的第二写入类型与损耗平衡操作相关联的命令，将第一写入类型于数据擦除操作相关联；和将第二写入类型与损耗平衡操作相关联，其中使用第一写入类型、第二写入类型或两者中的相应一个进行数据擦除操作、损耗平衡操作或两者。
附图说明
6.根据下文给出的具体实施方式并且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于特定实施例，而是仅用于解释和理解。
7.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
8.图2a至2d说明根据本公开的一些实施例的用于存取存储器装置的存储器单元的存储器操作的实例。
9.图3说明根据本公开的一些实施例的用于设置和/或更改关于待对存储器装置进行的写入操作的写入类型的配置的实例命令。
10.图4为根据本公开的一些实施例的与用于经由命令提供写入类型的指示的方法相对应的流程图。
11.图5为其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
12.本公开的各方面是针对一种写入类型指示命令，特定来说针对提供一种指示与使用存储器子系统的特定操作的进行相关联地使用的数个写入类型中的一个的命令。存储器子系统可为存储系统、存储装置、存储器模块或这些的组合。存储器子系统的实例为例如固态驱动器(ssd)的存储系统。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据且可请求待从存储器子系统检索的数据。
13.存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个实例为包含非易失性存储器单元的交叉点阵列的三维交叉点存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。可发起存储器操作(例如，读取、写入或其它存储器操作)以从存储器装置内的存储位置(例如，存储器单元)读取数据和/或将数据写入到所述存储位置。在例如三维交叉点存储器装置的一些存储器装置中，不同写入类型可用于将数据写入到存储器装置中的存储器单元阵列和/或群组。
14.在存储器子系统可供客户使用之前，制造商(例如，供应商)可需要操作存储器子系统以测试和/或诊断存储器子系统。为了这样做，制造商可将存储器子系统耦合到制造商准备的主机系统，所述主机系统可根据例如数据擦除操作、损耗平衡操作等各种媒体管理操作的进行指导存储器子系统进行数个写入操作。
15.可存在具有不同编程特性的数个不同写入类型，且可有益于通过选择性地指示和/或调整例如数据擦除操作和/或损耗平衡操作的特定媒体管理操作的写入类型来充分利用那些不同编程特性。然而，每次将使用不同写入类型进行操作时，可要求将与每一写入类型相关联的特定图像和/或硬件电路系统实施到存储器子系统，这可使得初始化或预初始化阶段耗时和/或成本高。
16.本公开的各方面通过向存储器子系统提供制造商发起的命令来解决上述和其它缺陷，所述命令指示哪些写入类型将与可在存储器子系统上进行的各种操作相关联地使用。举例来说，制造商发起的命令可更改与每一操作相关联的配置，以使得可使用由所述配置指示的写入类型来进行每一操作。因为可在不实施与每一写入类型相关联的额外图像和/或硬件电路系统的情况下进行指示特定写入类型和/或在数个写入类型当中切换，所以本文描述的实施例可提供例如使得初始化或预初始化阶段耗时较少和/或成本较低的益处。
17.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或这些的组合。
18.存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器、安全数字(sd)卡和硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
19.计算系统100可为计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、服务器、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网
(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，交通工具、工业设备或联网商业装置中包含的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的这类计算装置。
20.计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文中所使用，“耦合到”或“与
…
耦合”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，不具有介入组件)，无论有线或无线，包含例如电连接、光学连接、磁性连接等连接。
21.主机系统120可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一个或多个高速缓存器、存储器控制器(例如，ssd控制器)和存储协议控制器(例如，pcie控制器、sata控制器)。主机系统120使用存储器子系统110例如将数据写入到存储器子系统110和从存储器子系统110读取数据。在一些实施例中，主机系统120可为制造商准备的主机系统，其可在存储器子系统110的制造的初始化或预初始化阶段期间耦合到存储器子系统110。制造商准备的主机系统可指导存储器子系统110测试、诊断和/或提供在存储器子系统110可供客户使用之前需要实施的固件。此外，如本文中进一步描述，制造商准备的主机系统可提供可预定和/或更改配置112和116的各种参数的命令。
22.主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接scsi(sas)、小型计算机系统接口(scsi)、双数据速率(ddr)存储器总线、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双数据速率(ddr)的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)、双数据速率(ddr)、低功率双数据速率(lpddr)，或任何其它接口。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm高速(nvme)接口来存取存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据和其它信号的接口。图1说明存储器子系统110作为实例。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。
23.存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为但不限于随机存取存储器(ram)，如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。
24.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(nand)型快闪存储器和就地写入存储器，如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的改变进行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可进行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。nand型快闪存储器包含例如二维nand(2d nand)和三维nand(3d nand)。
25.存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如单层单元(slc)每单元可存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层单元(mlc)、三层单元(tlc)、四层单元(qlc)和五层单元(plc)每单元可存储多个位。在一些实施
例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，如slc、mlc、tlc、qlc或这些的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分，和mlc部分、tlc部分、qlc部分或plc部分。存储器装置130的存储器单元可分组为可指代用于存储数据的存储器装置的逻辑单元的页。对于一些类型的存储器(例如，nand)，页可被分组以形成块。
26.尽管描述了例如非易失性存储器单元和nand型存储器(例如，2d nand、3dnand)的三维交叉点阵列的非易失性存储器组件，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器或存储装置，例如，只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻式随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、或非(nor)快闪存储器和电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。
27.存储器子系统控制器115(或简称为控制器115)可与存储器装置130通信以进行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它这类操作。存储器子系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统以进行本文中所描述的操作。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或其它合适的处理器。
28.存储器子系统控制器115可为处理装置，其包含配置成执行存储在本地存储器119中的指令的一或多个处理器(例如，处理装置117)。在所说明的实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于进行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程和例程。
29.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，且可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。
30.一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器装置130和/或存储器装置140的所要存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如损耗平衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作和与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、名称空间)和物理地址(例如，物理块地址、物理媒体位置等)之间的地址转译。存储器子系统控制器115进一步可包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收到的命令转换为命令指令，以存取存储器装置130和/或存储器装置140，以及将与存储器装置130和/或存储器装置140相关联的响应转换为用于主机系统120的信息。
31.存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存器或缓冲器(例如，dram)和地址电路系统(例如，行解码器和
列解码器)，所述地址电路系统可从存储器子系统控制器115接收地址且解码所述地址以存取存储器装置130和/或存储器装置140。
32.在一些实施例中，存储器装置130包含与存储器子系统控制器115一起操作以在存储器装置130的一或多个存储器单元上执行操作的本地媒体控制器135。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130进行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130为受管理存储器装置，其为与在同一存储器装置封装内进行媒体管理的本地控制器(例如，本地控制器135)组合原始存储器装置。受管理存储器装置的实例为受管理nand(mnand)装置。
33.存储器子系统110可包含数据擦除组件111和损耗平衡组件114。尽管图1中未展示，但为了不混淆图式，数据擦除组件111和/或损耗平衡组件114可包含各种电路系统以促进使用数个写入操作的数据擦除操作和/或损耗平衡操作的性能，所述写入操作的写入类型在相应配置112和116中指示。举例来说，数据擦除组件111和/或损耗平衡组件114可包含呈asic、fpga、状态机和/或其它逻辑电路系统形式的专用电路系统，所述专用电路系统可允许数据擦除组件111和/或损耗平衡组件114协调和/或进行本文中所描述的操作。尽管在图1中说明配置112和116将分别存储在数据擦除组件111和/或损耗平衡组件114中，但实施例不限于可存储配置112和116的特定位置。举例来说，配置112和116还可位于和/或存储在存储器装置130内，例如本地媒体控制器135内。
34.数据擦除组件111可根据数据擦除组件111的配置112对存储器装置130和/或140进行数据擦除操作。如本文中所使用，术语“数据擦除操作”是指经进行以校正(如果存在)存储在存储器单元群组中的数据值内的错误且将错误经校正的数据模式重写到存储器单元群组的操作。损耗平衡组件114可根据损耗平衡组件114的配置116对存储器装置130和/或140进行损耗平衡操作。如本文中所使用，术语“损耗平衡操作”是指与存储器单元阵列(例如，存储器装置130和/或140)当中的移动数据和/或存储单元阵列的有效和/或无效位置相关联的操作，以便防止阵列的特定物理位置比其它物理位置更频繁地被存取(例如，读取、写入和/或擦除)。数据擦除操作和/或损耗平衡操作可进行为后台操作。
35.配置112和116可包含各种参数和/或指示，其可根据所述参数和/或指示进行数据擦除操作和损耗平衡操作。在一些实施例中，配置112和116可分别包含待与数据擦除操作和/或损耗平衡操作的进行相关联使用的写入类型的指示。举例来说，配置112可将写入类型指示为使用数据擦除组件111进行的数据擦除操作。举例来说，配置116可将写入类型指示为使用损耗平衡组件114进行的损耗平衡操作。
36.如图1中所说明，主机系统120包含(例如，存储)可发布到存储器子系统110的命令105，例如存储器子系统110的存储器子系统控制器115。在一些实施例中，命令105可为可从制造商准备的主机系统(例如，主机系统120)提供的供应商专有命令。
37.由主机系统120提供的命令105可预定和/或更改配置112和/或116的各种参数。在一个实例中，命令105可启用/停用数据擦除操作和/或损耗平衡操作以启用所启用操作(例如，在由存储器子系统控制器115确定时)的进行和/或停用所停用操作的进行。在另一实例中，命令105可指示对数据擦除操作、损耗平衡操作或两者的写入类型。响应于命令，存储器子系统控制器115可通过将与所指示写入类型相关联的信息写入到配置112和/或116而将所指示写入类型与相应操作相关联。因此，可随后使用相关联写入类型进行相应操作。结合
图2a至2d描述向数据擦除操作和/或损耗平衡操作提供命令和/或指示特定写入类型的其它细节。
38.图2a至2d说明根据本公开的一些实施例的用于存取存储器子系统的存储器单元235-1至235-n(统称为存储器单元235)的存储器单元在进行相应存储器操作230、231、232和233之前和之后的状态的实例。存储器单元235可位于存储器子系统(在图1中说明为110)内且可存储数据(例如，具有特定数据模式的码字)。图2a至2d中所展示的存储器单元235可编程成各种状态，例如与逻辑0的数据值相对应的复位状态和与逻辑1的数据值相对应的设置状态。尽管实施例不限于此，但例如，存储器单元可在复位状态中具有比在设置状态中更大的电阻。此外，分别在图2a至2d中说明的数据模式234、238、243和247各自表示在进行相应存储器操作230、231、232和233之前存储在存储器单元235中的数据模式，而分别在图2a至2d中说明的数据模式237、242、245(例如，和/或数据模式246)和249(例如，和/或数据模式250)各自表示由于进行相应存储器操作230、231、232和233而存储在存储器单元236中的数据模式。
39.如图2a和图2b中所说明的数据模式229和239各自可表示从主机(例如，图1中所说明的主机系统120存储器子系统控制器(例如，图1中所说明的存储器子系统控制器115)和/或例如图1中所说明的本地媒体控制器135的本地控制器接收到的数据模式以及请求将数据模式写入到存储器单元235的命令。图2a中所展示的写入操作与具有正常写入类型的写入操作相对应，所述写入类型可通过仅改变待编程到不同状态的那些存储器单元(例如，存储器单元235当中)的状态而将数据模式244写入到存储器单元235。举例来说，如图2a中所说明，存储在存储器单元235-1、235-3、235-5、235-7和235-9中的数据模式234的相应数据值与数据模式229的数据值236-1、236-3、236-5、236-7和236-9不同。因此，对存储器单元235进行的正常写入类型的写入操作可仅改变存储器单元235-1、235-3、235-5、235-7和235-9的状态。举例来说，可向存储器单元235-1和235-7施加设置信号，且可向存储器单元235-3、235-5和235-9施加复位信号，而不向存储器单元235-1、235-3、235-5、235-7和235-9施加设置/复位信号。由于对存储器单元235进行的写入操作，因此存储器单元235存储与数据模式229相对应的“1 1 0 0 0 0 1 1 0 1”的数据模式237。
40.图2b中所展示的写入操作与具有强制写入类型的写入操作相对应，所述写入类型可通过重写存储器单元235的所有单元而不考虑数据模式238与数据模式239之间的相似度和/或匹配将数据模式239写入到存储器单元235。如图2b中所说明，例如，尽管数据模式239的数据值与数据模式239的数据值236-2、236-4、236-6、236-8和236-n相对应，但对存储器单元235进行的具有强制写入类型的写入操作向存储器单元235的所有单元施加设置/复位信号。举例来说，可向存储器单元235-1、235-2、235-7、235-8和235-n施加设置信号，而向存储器单元235-3、235-4、235-5、235-6和235-9施加复位信号。由于对存储器单元235进行的写入操作，因此存储器单元235存储与数据模式239相对应的“1 1 0 0 0 0 1 1 0 1”的数据模式242。
41.如图2c和图2d中所说明的数据模式244和248各自可表示最初和/或假定将存储在存储器单元235中的数据模式。举例来说，数据模式244和248可为数据模式243和247的经错误校正的数据模式和/或数据模式243和247的冗余地存储在存储器子系统的另一位置中的数据模式。如本文进一步描述，切换正常写入类型和切换强制写入类型与将最初和/或假定
将存储在存储器单元的群组中的数据模式重写到存储器单元群组(例如，存储器单元235)相关联。在将数据模式重写到群组时，切换正常写入类型和切换强制写入类型可涉及将存储在群组中的数据模式反转(以产生反转的数据模式)，且将反转的数据模式重新反转回到与最初和/或假定将存储在群组中的数据模式相对应的重新反转的数据模式。
42.在一些实施例中，可与切换正常写入类型和/或切换强制写入类型相关联地进行错误校正操作。在一个实例中，可对从存储器单元群组读取的数据模式进行错误校正操作，但在反转数据模式(且将反转的数据模式写回到群组)之前进行。在另一实例中，可对反转的数据模式进行错误校正操作，但在重新反转所述反转的数据模式(且将重新反转的数据模式写回到群组)之前进行。可与切换正常写入类型和/或切换强制写入类型相关联地进行一次(对数据模式或反转的数据模式)或两次(对数据模式或反转的数据模式两者)错误校正操作。然而，实施例不限于此。举例来说，可在无错误校正操作的情况下进行具有切换正常写入类型和/或切换强制写入类型的写入操作。
43.图2c中所展示的写入操作与具有切换正常写入类型的写入操作相对应，所述切换正常写入类型可重写如由初始数据模式244所指示的最初和/或假定将存储在存储器单元235中的数据模式。图2c说明其中存储器单元235-7存储已错误地从逻辑1改变到逻辑0的错误位的实例情境。
44.具有切换正常写入类型的写入操作可首先从存储器单元读取数据模式以反转数据模式且将反转的数据模式写回到存储器单元。因此，可通过向除了存储器单元235-7以外的存储器单元235施加设置/复位信号而首先将具有对存储器单元235-7进行校正的误差的“1 0 0 1 0 1 0 0 0 0”的反转的数据模式245写入到存储器单元235，如图2c中所说明。在一些实施例中，可在不对数据模式进行错误校正操作的情况下反转从存储器单元读取的数据模式。
45.随后，可重新反转所述反转的数据模式，且可将重新反转的数据模式写回到存储器单元作为进行具有切换正常写入的写入操作的部分。如图2c中所说明，例如可从存储器单元235读取“1 0 0 1 0 1 0 0 0 0”的反转的数据模式245且其可重新反转为“0 1 1 0 1 0 1 1 1 1”的数据模式246，接着可将其写回到存储器单元235。如图2c中所说明，可通过向存储器单元235的所有单元施加相应设置/复位信号而将重新反转的数据模式246写入到存储器单元235。
46.图2d中所展示的写入操作与具有切换正常写入类型的写入操作相对应，所述切换正常写入类型可重写如由初始数据模式248所指示的最初和/或假定将存储在存储器单元235中的数据模式。图2d说明其中存储器单元235-7存储已错误地从逻辑1改变到逻辑0的错误位的实例情境。
47.具有切换强制写入类型的写入操作可首先从存储器单元读取数据模式以反转数据模式且将反转的数据模式写回到存储器单元。因此，可通过向存储器单元235的所有单元施加设置/复位信号首先将具有对存储器单元235-7进行校正的误差的“1 0 0 1 0 1 0 0 0 0”的反转的数据模式249写入到存储器单元235，如图2d中所说明。在一些实施例中，可在不对数据模式进行错误校正操作的情况下反转从存储器单元读取的数据模式。
48.随后，可重新反转所述反转的数据模式，且可将重新反转的数据模式写回到存储器单元作为进行具有切换写入的写入操作的部分。如图2d中所说明，例如可从存储器单元
235读取“1 0 0 1 0 1 0 0 0 0”的反转的数据模式249且将其重新反转为“0 1 1 0 1 0 1 1 1 1”的数据模式250，接着可将其写回到存储器单元235。如图2d中所说明，可通过向存储器单元235的所有单元施加相应设置/复位信号而将重新反转的数据模式249写入到存储器单元235。
49.与强制写入(和/或切换强制写入)相比，正常写入(和/或切换正常写入)可提供例如更少的存储器单元磨损和/或增大的吞吐量的益处，这是因为正常写入涉及仅向其数据值将被编程为不同数据值的那些存储器单元施加信号，这通常导致向存储器单元施加较少数目的信号。相比而言，强制写入(和/或切换强制写入)可提供例如更高可靠性的益处，这是因为)与正常写入(和/或切换正常写入)相比，强制写入重新编程所有存储器单元，其中已经经历阈值电压分布中的漂移的一些存储器单元不经重新编程以校正漂移的阈值电压分布。
50.尽管实施例不限于此，但数据擦除操作的写入类型可选自不同于可选用于损耗平衡操作的写入类型的群组的群组。举例来说，可使用正常或强制写入类型进行数据擦除操作，而可使用切换正常或切换强制写入类型进行损耗平衡操作。
51.图3说明根据本公开的一些实施例的用于设置和/或更改关于待对存储器装置(例如，图1中所说明的存储器装置130和/或140)进行的写入操作的写入类型的配置的实例命令351。如本文中所描述，命令可由主机系统(例如图1中所说明的主机系统120)提供。尽管实施例不限于此，但可分别针对媒体管理操作(例如数据擦除操作和/或损耗平衡操作)提供单独命令(例如，命令351)。举例来说，可向数据擦除组件(例如，图1中所说明的数据擦除组件111)提供具有如图3中所说明的格式的一个命令以用于预先确定和/或变更与数据擦除操作相关联的相应配置(例如，图1中所说明的配置112)，而可向损耗平衡组件(例如，图1中所说明的损耗平衡组件114)提供具有同一格式的不同命令以用于预先确定和/或变更与损耗平衡操作相关联的相应配置(例如，图1中所说明的配置116)。
52.命令351可包含各种部分，例如如图3中所说明的部分353、355和357。命令351的部分353可包含其数据值指示是否启用/停用特定媒体管理操作(例如，数据擦除操作和/或损耗平衡操作)的一或多个位。举例来说，当向存储器子系统(例如，图1中所说明的存储器子系统110)提供的命令351指示停用数据擦除操作和/或损耗平衡操作时，存储器子系统控制器(例如，图1中所说明的存储器子系统控制器115)可阻止进行相应操作。替代地，当向存储器子系统(例如，图1中所说明的存储器子系统110)提供的命令351指示启用数据擦除操作和/或损耗平衡操作时，存储器子系统控制器115可在其判断下进行相应操作。在一些实施例中，命令351可经由设置部分353的一或多个位来强制指导存储器子系统进行曾接收到的命令所指定的操作，而不给存储器子系统控制器何时进行所述操作的判断。
53.命令351的部分355可包含其数据值进一步指示子类型的一或多个位，例如由命令351指示的写入类型是正常的还是强制的。举例来说，部分355的一个数据值(例如，一个二进制值)可指示写入类型为正常的，例如如分别在图2a和图2c中所说明的正常写入类型或切换正常写入类型。替代地，部分355的另一数据值(例如，一个二进制值)可指示写入类型为强制的，例如如分别在图2b和图2d中所说明的强制写入类型或切换强制写入类型。
54.命令351的部分357可包含其数据值进一步指示子类型的一或多个位，例如由命令351指示的写入类型是否为切换的。举例来说，部分357的一个数据值(例如，一个二进制值)
可指示写入类型为切换的，例如如分别在图2b和图2d中所说明的切换正常写入类型或切换强制写入类型。替代地，部分357的另一数据值(例如，一个二进制值)可指示写入类型不为切换的(例如，非切换的)，例如如分别在图2a和图2c中所说明的正常写入类型或强制写入类型。
55.尽管在图3中未说明，但除部分353、355和357以外，命令351还可包含其它部分和/或位。举例来说，命令351可包含与错误校正码相对应的一或多个全局位，例如低密度奇偶校验(ldpc)码、博斯-乔赫里-霍克文黑姆(bose-chaudhuri-hocquenghen；bch)码、里德-所罗门(reed-solomon；rs)码等。
56.图4为根据本公开的一些实施例的与用于经由命令提供写入类型的指示的方法460相对应的流程图。方法460可由处理逻辑进行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法460由图1的数据擦除组件111和/或损耗平衡组件114进行。尽管以特定序列或次序展示，但除非另外指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明的实施例应仅作为实例理解，且所说明的过程可以不同次序进行，并且一些过程可并行进行。另外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每一实施例中都需要全部过程。其它过程流程是可能的。
57.在框462处，可向存储器子系统(例如，图1中所说明的存储器子系统110)提供请求启用媒体管理操作的命令。同时，在框464处，命令可进一步包含对媒体管理操作的写入类型(例如，如结合图2a至2d所说明的正常写入类型、强制写入类型、切换正常写入类型和/或切换强制写入类型)中的一个的指示。如本文中所描述，可根据本公开的实施例进行的媒体管理操作可包含数据擦除操作、损耗平衡操作或两者。响应于接收命令(例如，在存储器子系统处)，可使用所指示写入类型来进行媒体管理操作。在一些实施例中，向存储器子系统提供的命令可请求停用媒体管理操作，使得阻止存储器子系统进行停用操作。
58.在一些实施例中，命令可为一个多个命令。在本实例中，命令中的一个可请求启用数据擦除操作，且指示对数据擦除操作的特定写入类型。此外，命令中的另一个可请求启用损耗平衡操作，且指示对损耗平衡操作的特定写入类型。针对数据擦除操作指示的写入类型可不同于针对损耗平衡操作指示的写入类型。
59.在一些实施例中，可向存储器子系统提供指示一种写入类型的命令，以使用所指示写入类型启用进行数据擦除操作、损耗平衡操作或两者。此外，可随后向存储器子系统提供具有另一写入类型的指示的命令(例如，不同命令)，以将写入类型从一个写入类型更改为另一写入类型，从而使用更改的写入类型启用数据擦除操作、损耗平衡操作或两者的另一进行。
60.图5为其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统500的框图。举例来说，图5说明计算机系统500的实例机器，在其内可执行用于使所述机器进行本文中所论述的方法中的任何一或多个的指令集。在一些实施例中，计算机系统500可与包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)的主机系统(例如，图1的主机系统120)相对应或可用于进行控制器的操作(例如，执行操作系统以进行与图1的写入确定组件113相对应的操作)。在替代实施例中，所述机器可连接(例如，联网)到lan、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分散式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施
或环境中的服务器或客户端机器而在客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量中操作。
61.机器可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂巢式电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够(依序或以其它方式)执行指定将由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一个(或多个)指令集以进行本文中所论述的方法中的任何一或多个。
62.实例计算机系统500包含处理装置502、主存储器504例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等动态随机存取存储器(dram))、静态存储器506(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)，和数据存储装置518，其经由总线530彼此通信。
63.处理装置502表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更具体地说，处理装置可为复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器，或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置502也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器等。处理装置502配置成执行指令526，以用于进行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统500可进一步包含网络接口装置508以通过网络520通信。
64.数据存储系统518可包含机器可读存储媒体524(也称为计算机可读媒体)，在所述机器可读存储媒体上存储有一或多个指令集526或体现本文中所描述的方法或功能中的任何一或多个的软件。指令526还可在由计算机系统500执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器504内和/或处理装置502内，主存储器504和处理装置502也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体524、数据存储系统518和/或主存储器504可与图1的存储器子系统110相对应。
65.在一个实施例中，指令526包含用以实施与数据擦除组件和/或损耗平衡组件(例如，图1的数据擦除组件111和/或损耗平衡组件114)相对应的功能的指令。尽管在实例实施例中将机器可读存储媒体524展示为单个媒体，但应认为术语“机器可读存储媒体”包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。还应认为术语“机器可读存储媒体”包含能够存储或编码供机器执行的指令集且使得机器进行本公开的方法中的任何一或多个的任何媒体。因此，应认为术语“机器可读存储媒体”包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
66.已依据计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示呈现了前述详细描述的一些部分。这些算法描述和表示为数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给本领域的其它技术人员的方式。算法在这里且通常被认为是引起所要结果的操作的自洽序列。操作为要求对物理量进行物理操控的操作。这些量通常但未必呈能够被存储、组合、比较和以其它方式操控的电或磁信号的形式。有时，主要出于通用的原因，已经证明将这些信号称为位、值、元件、符号、字符、术语、数目等是方便的。
67.然而，应牢记，所有这些和类似术语应与适当物理量相关联，且仅是应用于这些量的方便标记。本公开可指操控计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)量的数
据且将所述数据变换成计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
68.本公开还涉及用于进行本文中的操作的设备。这一设备可以出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。这种计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、cd-rom和磁性光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自连接到计算机系统总线。
69.本文中所呈现的算法和显示本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或其可证明构造用以进行所述方法的更专用设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现多种这些系统的结构。另外，不参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用多种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示。
70.本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以进行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器装置等。
71.在前述说明书中，已参考其特定实例实施例描述本公开的实施例。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书和图式。