射频切换电路和多级缓冲器的制作方法

技术特征：
1.一种射频切换电路，其特征在于，该射频切换电路包括：包括栅极的场效应晶体管fet的开关；阻抗；和多级缓冲器，具有通过所述阻抗连接到fet的栅极的输出端子，其中所述多级缓冲器包括：第一反相器，被配置为接收第一时钟信号相位，并由第一电源电压和小于所述第一电源电压的第二电源电压供电；第二反相器，被配置为接收第二时钟信号相位，并由所述第二电源电压和小于所述第二电源电压的第三电源电压供电；第三反相器，被配置为接收第三时钟信号相位，并由所述第一反相器的输出和所述第二反相器的输出供电；和第一输出开关，连接在所述输出端子和所述第三反相器的输出之间。2.根据权利要求1所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器被配置为响应于控制信号从截止状态到导通状态的转变而产生开关控制电压的导通脉冲。3.根据权利要求2所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器被配置为通过在所述导通脉冲的持续时间内用所述第一电源电压控制所述开关控制电压来产生所述导通脉冲，然后通过用所述第二电源电压控制所述开关控制电压来达到稳定状态导通电压。4.根据权利要求1所述的射频切换电路，其特征在于，所述第一输出开关是具有由所述第二反相器的输出控制的栅极的p型fet。5.根据权利要求1所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器还包括：第四反相器，被配置为接收第四时钟信号相位，并由所述第二电源电压和所述第三电源电压供电；以及第二输出开关，连接到所述输出端子，并由所述第四反相器的输出控制。6.根据权利要求5所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器还包括：第五反相器，被配置为接收第五时钟信号相位，并由所述第三电源电压和小于所述第三电源电压的第四电源电压供电；以及第六反相器，被配置为接收第六时钟信号相位，并由所述第四反相器的输出和所述第五反相器的输出供电，其中所述第六反相器的输出通过所述第二输出开关连接到所述输出端子。7.根据权利要求6所述的射频切换电路，其特征在于，所述第二输出开关是具有由所述第四反相器的输出控制的栅极的n型fet。8.根据权利要求2所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器被配置为响应于所述控制信号从导通状态到截止状态的转变而产生开关控制电压的截止脉冲。9.根据权利要求8所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器被配置为通过在所述截止脉冲的持续时间内用第四电源电压控制所述开关控制电压来产生所述截止脉冲，然后通过用所述第三电源电压控制所述开关控制电压来达到稳定状态截止电压，其中所述第四电源电压小于所述第三电源电压。10.根据权利要求6所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器还包括：第一电平移位器，被配置为驱动所述第一反相器的输入；以及第二电平移位器，被配置为驱动所述第五反相器的输入。11.根据权利要求1所述的射频切换电路，其特征在于，使用多个fet来实现所述第一反相器、所述第二反相器、所述第三反相器和所述第一输出开关。12.根据权利要求11所述的射频切换电路，其特征在于，所述第一电源电压和所述第三电源电压之间的电压差超过所述多个fet的额定电压。
13.根据权利要求1所述的射频切换电路，其特征在于，所述fet的开关是n型金属氧化物半导体nmos开关或p型金属氧化物半导体pmos开关。14.根据权利要求1所述的射频切换电路，其特征在于，所述阻抗包括栅极电阻器。15.根据权利要求1所述的射频切换电路，其特征在于，所述多级缓冲器还包括定时电路，所述定时电路被配置为接收控制信号，并产生包括所述第一时钟信号相位、所述第二时钟信号相位和所述第三时钟信号相位的多个时钟信号相位。16.一种多级缓冲器，其特征在于，该多级缓冲器用于驱动晶体管栅极，该多级缓冲器包括：输出端子；第一反相器，被配置为接收第一时钟信号相位，并由第一电源电压和小于所述第一电源电压的第二电源电压供电；第二反相器，被配置为接收第二时钟信号相位，并由所述第二电源电压和小于所述第二电源电压的第三电源电压供电；第三反相器，被配置为接收第三时钟信号相位，并由所述第一反相器的输出和所述第二反相器的输出供电；和第一输出开关，连接在所述输出端子和所述第三反相器的输出之间。17.根据权利要求16所述的多级缓冲器，其特征在于，所述第一输出开关是具有由所述第二反相器的输出控制的栅极的p型fet。18.根据权利要求16所述的多级缓冲器，其特征在于，所述多级缓冲器还包括：第四反相器，被配置为接收第四时钟信号相位，并由所述第二电源电压和所述第三电源电压供电；以及第二输出开关，连接到所述输出端子，并由所述第四反相器的输出控制。19.根据权利要求18所述的多级缓冲器，其特征在于，所述多级缓冲器还包括：第五反相器，被配置为接收第五时钟信号相位，并由所述第三电源电压和小于所述第三电源电压的第四电源电压供电；以及第六反相器，被配置为接收第六时钟信号相位，并由所述第四反相器的输出和所述第五反相器的输出供电，其中所述第六反相器的输出通过所述第二输出开关连接到所述输出端子。

技术总结
本公开涉及射频切换电路和多级缓冲器。该射频切换电路包括：包括栅极的场效应晶体管FET的开关；阻抗；和多级缓冲器，具有通过所述阻抗连接到FET的栅极的输出端子，其中所述多级缓冲器包括：第一反相器，被配置为接收第一时钟信号相位，并由第一电源电压和小于所述第一电源电压的第二电源电压供电；第二反相器，被配置为接收第二时钟信号相位，并由所述第二电源电压和小于所述第二电源电压的第三电源电压供电；第三反相器，被配置为接收第三时钟信号相位，并由所述第一反相器的输出和所述第二反相器的输出供电；和第一输出开关，连接在所述输出端子和所述第三反相器的输出之间。所述输出端子和所述第三反相器的输出之间。所述输出端子和所述第三反相器的输出之间。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：亚德诺半导体国际无限责任公司
技术研发日：2021.05.28
技术公布日：2022/2/22