半导体器件和制造其的方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括彼此分开的第一区域和第二区域；层叠结构，包括交替地堆叠在所述衬底上的至少一个牺牲层和至少一个有源层；第一隔离绝缘层，在所述第一区域上的所述层叠结构上；第二隔离绝缘层，在所述第二区域上的所述层叠结构上，所述第二隔离绝缘层具有与所述第一隔离绝缘层相同的厚度；第一上有源图案，与所述第一隔离绝缘层间隔开；第一栅电极，围绕所述第一上有源图案的至少一部分；第二上有源图案，与所述第二隔离绝缘层间隔开；以及第二栅电极，围绕所述第二上有源图案的至少一部分，其中所述第一隔离绝缘层的顶表面和所述第二隔离绝缘层的顶表面处于不同的高度。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个有源层在所述层叠结构的最上部，所述第一隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层在所述至少一个第一有源层上。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一上有源图案包括彼此间隔开的第一子有源图案，所述第二上有源图案包括彼此间隔开的第二子有源图案，以及所述第一子有源图案的数量不同于所述第二子有源图案的数量。4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一下有源图案，在所述第一隔离绝缘层上，所述第一下有源图案在所述第一隔离绝缘层和所述第一上有源图案之间；以及第二下有源图案，在所述第二隔离绝缘层上，所述第二下有源图案在所述第二隔离绝缘层和所述第二上有源图案之间，其中所述至少一个牺牲层包括硅锗，并且所述至少一个有源层包括硅。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个牺牲层包括硅，并且所述至少一个有源层包括硅锗。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一上有源图案和所述第二上有源图案在第一方向上延伸，以及所述至少一个牺牲层包括与所述至少一个有源层交替地堆叠的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一隔离绝缘层在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一牺牲层重叠，所述第二隔离绝缘层在所述第二方向上与所述第二牺牲层重叠。7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一隔离绝缘层的厚度等于所述第一牺牲层的厚度，所述第二隔离绝缘层的厚度等于所述第二牺牲层的厚度。8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一隔离绝缘层在所述第二方向上不与所述第二隔离绝缘层重叠。9.如权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一上有源图案和所述第二上有源图案在第一方向上延伸，所述至少一个牺牲层包括与所述至少一个有源层交替地堆叠的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一隔离绝缘层在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一牺牲层重叠，所述第二隔离绝缘层在所述第二方向上与所述第二牺牲层重叠，
所述第一隔离绝缘层的厚度大于所述第一牺牲层的厚度，以及所述第二隔离绝缘层的厚度大于所述第二牺牲层的厚度。10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一隔离绝缘层在所述第二方向上至少部分地与所述第二隔离绝缘层重叠。11.一种半导体器件，包括：衬底，包括彼此不同的第一区域和第二区域；第一隔离绝缘层，在所述第一区域上；第一有源图案，在所述第一隔离绝缘层上；第一栅电极，围绕所述第一有源图案的至少一部分；第二隔离绝缘层，在所述第二区域上；第二有源图案，在所述第二隔离绝缘层上；以及第二栅电极，围绕所述第二有源图案的至少一部分，其中所述第一隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层包括不同的材料。12.如权利要求11所述的半导体器件，其中由所述第一隔离绝缘层施加到所述第一有源图案的应力的方向不同于由所述第二隔离绝缘层施加到所述第二有源图案的应力的方向。13.如权利要求12所述的半导体器件，其中：所述第一区域是nmos区域，所述第二区域是pmos区域，所述第一隔离绝缘层从所述第一隔离绝缘层向所述第一有源图案施加应力，以及所述第二隔离绝缘层从所述第二有源图案向所述第二隔离绝缘层施加应力。14.如权利要求11所述的半导体器件，其中：所述第一有源图案包括在所述第一隔离绝缘层上的第一下有源图案以及与所述第一下有源图案间隔开的第一上有源图案，以及所述第二有源图案包括在所述第二隔离绝缘层上的第二下有源图案以及与所述第二下有源图案间隔开的第二上有源图案。15.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层具有相同的厚度。16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括交替地堆叠在衬底上的牺牲层和有源层的层叠结构，所述衬底包括彼此分开的第一区域和第二区域；蚀刻所述第一区域上的所述层叠结构以形成从所述牺牲层中的第一牺牲层突出的第一堆叠结构；去除所述第一牺牲层，并在已从其去除了所述第一牺牲层的空间中形成第一隔离绝缘层；蚀刻所述第二区域上的所述层叠结构以形成从所述牺牲层中的第二牺牲层突出的第二堆叠结构；去除所述第二牺牲层，并在已从其去除了所述第二牺牲层的空间中形成第二隔离绝缘层；去除所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构中包括的所述牺牲层中的剩余牺牲层；以
及在已从其去除了所述牺牲层中的所述剩余牺牲层的空间中形成栅电极，以形成栅极结构，其中所述第一隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层形成在不同的高度。17.如权利要求16所述的方法，该所述方法还包括：蚀刻所述衬底的第三区域上的所述层叠结构以形成从所述牺牲层当中的第三牺牲层突出的第三堆叠结构，所述第三区域与所述第一区域和所述第二区域分开；以及去除所述第三牺牲层并在已从其去除了所述第三牺牲层的空间中形成第三隔离绝缘层，其中所述第三隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层设置在不同的高度。18.如权利要求16所述的方法，其中所述第二隔离绝缘层设置在与所述第一隔离绝缘层下方的所述牺牲层的最上部处的牺牲层相同的高度。19.如权利要求16所述的方法，还包括：在去除所述第一牺牲层之后，去除所述第一区域上的所述层叠结构的所述有源层中的与所述第一牺牲层相邻的第一有源层和第二有源层；在已从其去除了所述第一有源层和所述第二有源层的空间中形成所述第一隔离绝缘层；在去除所述第二牺牲层之后，去除所述第二区域上的所述层叠结构的所述有源层当中的与所述第二牺牲层相邻的第三有源层和第四有源层；以及在已从其去除了所述第三有源层和所述第四有源层的空间中形成所述第二隔离绝缘层。20.如权利要求16所述的方法，其中：所述牺牲层中的n个牺牲层(n为自然数)和所述有源层中的n个有源层形成在所述第一隔离绝缘层下方，所述牺牲层中的m个牺牲层(m为自然数)和所述有源层中的m个有源层设置在所述第二隔离绝缘层下方，以及n和m彼此不同。

技术总结
一种半导体器件包括：衬底，具有彼此分开的第一区域和第二区域；层叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个有源层；第一隔离绝缘层，在第一区域上的层叠结构上；第二隔离绝缘层，在第二区域上的层叠结构上，第二隔离绝缘层具有与第一隔离绝缘层相同的厚度；第一上有源图案，与第一隔离绝缘层间隔开；第一栅电极，围绕第一上有源图案的至少一部分；第二上有源图案，与第二隔离绝缘层间隔开；以及第二栅电极，围绕第二上有源图案的至少一部分，其中第一隔离绝缘层和第二隔离绝缘层的顶表面处于不同的高度。绝缘层的顶表面处于不同的高度。绝缘层的顶表面处于不同的高度。


技术研发人员：金成玟 金文铉 河大元
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2022/2/18