封装结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一芯片，包括第一有源面以及相对于所述第一有源面的第一背面，其中所述第一有源面具有感测区；第二芯片，包括第二有源面以及相对于所述第二有源面的第二背面，且所述第二芯片以其所述第二背面面向所述第一芯片的所述第一背面的方式配置；模封体，覆盖所述第二芯片且具有第一模封面及相对于所述第一模封面的第二模封面；阻挡结构，位于所述第一模封面上且暴露出所述第一芯片的所述感测区；透光片，位于所述阻挡结构上；导电连接件，贯穿所述模封体；第一线路层，位于所述第二模封面上，且所述第一芯片经由所述导电连接件及所述第一线路层电连接所述第二芯片；以及导电端子，配置于所述第一线路层上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，其中所述第二芯片的所述第二有源面上还具有芯片连接件，且所述芯片连接件的表面与所述第二模封面共面。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二线路层，位于所述第一模封面上，且所述第一芯片经由所述第二线路层、所述导电连接件及所述第一线路层电连接所述第二芯片。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，其中所述第一芯片还包括穿硅导通孔，且所述第一芯片的所述穿硅导通孔电连接于所述第二线路层。5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，其中所述第二线路层还位于所述第一芯片及所述第二芯片之间。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，其中所述第一芯片更包括穿硅导通孔，且所述封装结构还包括：介电层，位于所述线路层上且覆盖所述穿硅导通孔，以使至少一气隙嵌于所述穿硅导通孔内，其中所述第一芯片、所述阻挡结构及所述透光片构成封闭空间，且所述气隙内的气压大于或等于所述封闭空间内的气压。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，其中所述第一芯片、所述阻挡结构及所述透光片构成封闭空间，且所述封闭空间的气压小于一大气压。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，其中所述模封体还覆盖所述第一芯片，且所述封装结构还包括：第二线路层，位于所述第一模封面上，且所述第一芯片经由所述第二线路层、所述导电连接件及所述第一线路层电连接所述第二芯片，其中所述第一芯片、所述第二线路层、所述阻挡结构及所述透光片构成所述封闭空间。9.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆，其包括有源面，其中所述有源面具有感测区；形成阻挡结构于所述晶圆的所述有源面上；配置透光片于所述阻挡结构上；对所述晶圆形成穿硅导通孔，且于所述晶圆相对于所述有源面的背面上形成电连接所
述穿硅导通孔的线路层；形成覆盖所述穿硅导通孔的介电层；于所述介电层上形成导电连接件；于所述介电层上配置第二芯片；于所述介电层上形成覆盖所述第二芯片的模封体；于所述模封体上形成第一线路层，且所述晶圆经由所述导电连接件及所述第一线路层电连接所述第二芯片；以及形成导电端子于所述第一线路层上。10.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：于载板上形成导电连接件；于所述载板上配置第一芯片，其包括第一有源面以及相对于所述第一有源面的第一背面，其中所述第一有源面具有感测区，且所述第一芯片以其所述第一有源面面向所述载板的方式配置；于所述第一芯片上配置第二芯片，其包括第二有源面以及相对于所述第二有源面的第二背面，且所述第二芯片以其所述第二背面面向所述第一芯片的所述第一背面的方式配置；于所述载板上形成模封体，其覆盖所述第一芯片及所述第二芯片；于所述模封体上形成线路层；于形成所述模封体之后，使所述载板与所述第一芯片分离，以暴露出所述第一有源面；于所述模封体上形成阻挡结构，且所述阻挡结构暴露出所述感测区；以及配置透光片于所述阻挡结构上。

技术总结
本发明提供一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括第一芯片、第二芯片、模封体、阻挡结构、透光片、导电连接件、线路层以及导电端子。第一芯片包括第一有源面。第一有源面具有感测区。第二芯片以其第二背面面向第一芯片的方式配置。模封体覆盖第二芯片。模封体具有第一模封面及第二模封面。阻挡结构位于第一模封面上且暴露出感测区。透光片位于阻挡结构上。导电连接件贯穿模封体。线路层位于第二模封面上。第一芯片经由导电连接件及线路层电连接第二芯片。导电端子配置于线路层上。导电端子配置于线路层上。导电端子配置于线路层上。


技术研发人员：张简上煜 徐宏欣
受保护的技术使用者：力成科技股份有限公司
技术研发日：2021.07.28
技术公布日：2022/2/18