数据处理方法及电子装置与流程

技术特征：
1.一种基于忆阻器阵列的数据处理方法，其中，所述忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元，所述方法包括：获取待处理对象，其中，所述待处理对象包括阵列排布为m行n列的多个像素点，m和n分别为正整数；设置所述忆阻器阵列，将所述待处理对象中的每个像素点的值映射至所述忆阻器阵列中对应的忆阻器单元；通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标，其中，所述忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算，所述中心坐标包括第一坐标和第二坐标，其中，通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标，包括：将所述多个像素点中的每个像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在行的行编号，以得到所述像素点对应的第一乘积，由此得到m*n个第一乘积，将所述m*n个第一乘积求和以得到第一分子值，将所述像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在列的列编号，以得到所述像素点对应的第二乘积，由此得到m*n个第二乘积，将所述m*n个第二乘积求和以得到第二分子值；根据所述待处理对象中的每个像素点的值，执行基准值获取操作以得到基准值；对所述第一分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第一坐标；对所述第二分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第二坐标。2.根据权利要求1所述的数据处理方法，其中，对所述第一分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第一坐标，包括：将所述第一分子值与所述基准值进行比较，响应于所述第一分子值大于所述基准值，以所述基准值为基础加数执行累加操作得到累加结果，重复所述累加操作直到所述累加结果首次大于所述第一分子值，将所述累加操作的重复次数加一作为所述第一坐标；响应于所述第一分子值小于或等于所述基准值，确定所述第一坐标为1。3.根据权利要求1所述的数据处理方法，其中，对所述第二分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第二坐标，包括：将所述第二分子值与所述基准值进行比较，响应于所述第二分子值大于所述基准值，以所述基准值为基础加数执行累加操作得到累加结果，重复所述累加操作直到所述累加结果首次大于所述第二分子值，将所述累加操作的重复次数加一作为所述第二坐标；响应于所述第二分子值小于或等于所述基准值，确定所述第二坐标为1。4.根据权利要求2或3所述的数据处理方法，其中，所述忆阻器阵列包括m行n列，所述忆阻器阵列还包括m条字线、m条源线和n条位线，所述m条字线以及所述m条源线分别与所述m行对应，所述n条位线分别与所述n列对应，m和n为正整数且分别大于或等于m和n，所述多个忆阻器单元中的每个在接收对应的字线所施加的开启信号被打开且在对应的位线上被施加读取电压而被读取，并且根据所述忆阻器单元中的忆阻器的阻值产生对应
的读取电流，其中，根据所述待处理对象中的每个像素点的值，执行基准值获取操作以得到基准值，包括：将所述开启信号施加至所述m行像素点对应的m行忆阻器单元的字线，在1个周期内，在所述n列像素点对应的n列忆阻器单元的位线施加所述读取电压，获取所述多个像素点中的每个像素点分别对应的忆阻器单元产生的1次读取电流，以得到多个读取电流，对所述多个读取电流进行加和处理以得到基准电流，将所述基准电流作为所述基准值。5.根据权利要求4所述的数据处理方法，其中，将所述多个像素点中的每个像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在行的行编号，以得到所述像素点对应的第一乘积，由此得到m*n个第一乘积，将所述m*n个第一乘积求和以得到第一分子值，包括：对于所述m行中的第i行，在连续m个周期内，在第i行对应的忆阻器单元的字线施加i个周期的所述开启信号，在所述连续m个周期内，在所述所有像素点对应的忆阻器单元的位线施加所述读取电压，对所述第i行中所有像素点对应的所有忆阻器单元产生的i次读取电流进行加和处理，以得到所述第i行对应的输出电流，其中，i为正整数，并且，将所述m行分别对应的m个输出电流相加以得到第一电流信号，将所述第一电流信号作为所述第一分子值。6.根据权利要求5所述的数据处理方法，其中，将所述第一分子值与所述基准值进行比较，响应于所述第一分子值大于所述基准值，以所述基准值为基础加数执行累加操作得到累加结果，重复所述累加操作直到所述累加结果首次大于所述第一分子值，将所述累加操作的重复次数加一作为所述第一坐标值，包括：将所述第一电流信号与所述基准电流进行比较，响应于所述第一电流信号大于所述基准电流，执行所述累加操作得到累加电流，响应于所述第一电流信号大于所述累加电流，继续执行所述累加操作以得到更新的累加电流，重复执行所述累加操作直到所述更新的累加电流首次大于所述第一电流信号，将所述累加操作的重复次数加一作为所述第一坐标。7.根据权利要求6所述的数据处理方法，其中，所述累加操作包括：执行所述基准值获取操作，并将所述基准值获取操作得到的基准电流与所述累加电流的当前值相加，以得到更新的累加电流。8.根据权利要求4所述的数据处理方法，其中，在执行所述基准值获取操作时，将所述开启信号的脉冲宽度设置为第一宽度，在计算所述第一分子值时，将所述开启信号的脉冲宽度设置为第二宽度，所述第二宽度是所述第一宽度的a倍，对所述第一分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第一坐标，包括：将所述第一分子值和所述基准值的比值进行向上取整处理，将所述向上取整处理的结果除以a作为所述第一坐标，其中，a为正整数。
9.根据权利要求1所述的数据处理方法，其中，获取待处理对象，包括：获取待处理图像，其中，所述待处理图像包括至少一个连通域；将每个连通域作为所述待处理对象。10.根据权利要求9所述的数据处理方法，其中，设置所述忆阻器阵列，将所述待处理对象中的每个像素点的值映射至所述忆阻器阵列中对应的忆阻器单元，包括：将所述至少一个连通域中的每个像素点的值映射至所述忆阻器阵列中对应的忆阻器单元，且使得任意两个连通域对应的各个忆阻器单元在行方向和列方向上均不存在交叠。11.根据权利要求10所述的数据处理方法，还包括：将所述第一坐标与所述待处理对象的第一行在所述待处理图像中所在行的行编号相加再减一，以得到第一更新值，将所述第一坐标更新为所述第一更新值，将所述第二坐标与所述待处理对象的第一列在所述待处理图像中所在列的列编号相加再减一，以得到第二更新值，将所述第二坐标更新为所述第二更新值。12.一种电子装置，包括：忆阻器阵列；控制器，其中，所述控制器配置为：获取待处理对象，其中，所述待处理对象包括阵列排布的多个像素点；设置所述忆阻器阵列，将所述待处理对象中的每个像素点的值映射至所述忆阻器阵列中对应的忆阻器单元；通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标，其中，所述忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算，所述中心坐标包括第一坐标和第二坐标，其中，通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标，包括：将所述多个像素点中的每个像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在行的行编号，以得到所述像素点对应的第一乘积，由此得到m*n个第一乘积，将所述m*n个第一乘积求和以得到第一分子值，将所述像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在列的列编号，以得到所述像素点对应的第二乘积，由此得到m*n个第二乘积，将所述m*n个第二乘积求和以得到第二分子值；根据所述待处理对象中的每个像素点的值，执行基准值获取操作以得到基准值；对所述第一分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第一坐标；对所述第二分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第二坐标。13.根据权利要求12所述的电子装置，还包括处理模块，其中，所述处理模块包括累加单元和比较单元，所述比较单元配置为对所述第一分子值和所述基准值进行比较以及对所述第二分子值和所述基准值进行比较，所述累加单元配置为响应于所述第一分子值大于所述基准值，以所述基准值为基础加数执行累加操作得到累加结果，以及响应于所述第二分子值大于所述基准值，以所述基准值为基础加数执行累加操作得到累加结果，所述控制器执行对所述第一分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第一坐标时，包括执行以下操作：
重复所述累加操作直到所述累加结果首次大于所述第一分子值，将所述累加操作的重复次数加一作为所述第一坐标，所述控制器执行对所述第二分子值和所述基准值的比值进行取整处理，以得到所述第二坐标时，包括执行以下操作：重复所述累加操作直到所述累加结果首次大于所述第二分子值，将所述累加操作的重复次数加一作为所述第二坐标。

技术总结
一种基于忆阻器阵列的数据处理方法及电子装置。数据处理方法包括获取待处理对象，其中，待处理对象包括阵列排布的多个像素点；设置忆阻器阵列，将待处理对象中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列中对应的忆阻器单元；通过忆阻器阵列计算待处理对象对应的中心坐标，其中，忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算。该基于忆阻器阵列的数据处理方法减少了很多不必要的数据搬运过程，减小了硬件实现的能耗和延迟开销。迟开销。迟开销。


技术研发人员：吴华强 周颖 高滨 唐建石 钱鹤
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2021.11.02
技术公布日：2022/2/8