一种IGBT驱动电路的制作方法

一种igbt驱动电路
技术领域
1.本发明涉及电路设计技术领域，尤其涉及一种igbt驱动电路。


背景技术：

2.在电动汽车用电机控制器的开发中，功率密度是衡量控制器性能的关键指标。然而，目前汽车级大功率igbt器件还存在耐压和电流能力的限制，因此，亟需采取一些有效措施来改变此缺陷，实现电机控制器功率密度的提升。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种igbt驱动电路，通过使用一个驱动芯片来同时控制多个并联igbt功率放大电路回路的开关，从而实现igbt并联驱动，且对于每个并联组中的参与并联的igbt，均有其独立的驱动功率放大电路，提高了控制器功率密度。
4.第一方面，本发明通过本发明的一实施例提供如下技术方案：
5.一种igbt驱动电路，应用于绝缘栅双极型晶体管igbt，包括：驱动芯片、两个以上并联的igbt以及与每个igbt对应设置的驱动功率放大电路，其中：所述驱动芯片的输出端，分别与每个驱动功率放大电路连接，用于向每个所述驱动功率放大电路提供电平驱动信号；所述每个驱动功率放大电路与相应igbt的门极连接，所述驱动功率放大电路用于将所述电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压，以驱动相应igbt工作。
6.优选地，所述驱动功率放大电路包括：功率放大子电路、第一供电储能子电路以及第二供电储能子电路；所述功率放大子电路的信号输入端与所述驱动芯片的输出端连接，所述功率放大子电路的输出端与相应igbt的门极连接，用于将所述电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压；所述第一供电储能子电路以及第二供电储能子电路的电源端均与所述igbt驱动电路中的电源电路连接，所述第一供电储能子电路的供电端与所述功率放大子电路的高电平输入端连接，所述第二供电储能子电路的供电端与所述功率放大子电路的低电平输入端连接，用于为所述功率放大子电路提供工作电压。
7.优选地，所述第一供电储能子电路以及第二供电储能子电路均由第一电容与第二电容并联组成，其中，所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值。
8.优选地，所述驱动功率放大电路，还包括：门极驱动电阻、门极电容、门极下拉电阻以及门极钳位二极管；所述门极驱动电阻的一端与所述功率放大子电路的输出端连接，所述门极驱动电阻的另一端、所述门极下拉电阻的一端、所述门极钳位二极管正极、所述门极电容的一端以及所述igbt的门极相互连接；所述门极下拉电阻的另一端、所述门极电容的另一端以及所述igbt的发射极均接地，所述门极钳位二极管负极与所述功率放大子电路的高电平输入端连接。
9.优选地，所述驱动电路还包括：与所述每个所述驱动功率放大电路中每个供电储能子电路一一对应设置的隔离电阻，每个隔离电阻的一端与所述电源电路连接，另一端与相应供电储能子电路的电源端连接。
10.优选地，所述驱动电路还包括：温度检测电路，分别与每个igbt的结温测试端连接，用于检测所述每个igbt的结温信号，并输出检测到的结温最高的结温信号。
11.优选地，所述温度检测电路，包括：温度选通子电路、最高温度选择子电路以及与所述每个igbt一一对应设置的恒流源子电路；每个所述恒流源子电路的电源端与所述igbt驱动电路中的电源电路的驱动正电压连接，每个所述恒流源子电路的输出端与对应的igbt的结温测试端连接，用于向所述igbt内的热敏二极管提供恒流源电流以产生管压降，并将所述管压降送入所述温度选通子电路与所述最高温度选择子电路的输入端；所述最高温度选择子电路的输出端与所述温度选通子电路的选择端口连接，所述最高温度选择子电路用于对接收到的管压降进行比较，并输出所述比较得到的电平信号到所述温度选通子电路的选择端口，所述温度选通子电路用于基于所述电平信号对接收到的管压降进行选通，输出结温最高的结温信号。
12.优选地，还包括：与所述每个igbt一一对应设置的电流检测电路，所述电流检测电路与相应igbt的电流检测端连接，用于对该igbt的导通电流进行检测。
13.优选地，所述电流检测电路，包括：采样电阻、rc滤波子电路、钳位二极管以及过流比较子电路；所述采样电阻的一端分别与所述igbt的电流检测端以及所述rc滤波子电路的输入端连接，所述采样电阻的另一端接地，所述rc滤波子电路的输出端与所述钳位二极管负极以及所述过流比较子电路的输入端连接，所述钳位二极管正极接地，所述过流比较子电路的输出端用于输出检测到的导通电流。
14.优选地，所述过流比较子电路包括过流比较器，所述过流比较器的输入端与所述钳位二极管负极连接，所述过流比较器的输出端用于输出检测到的导通电流。
15.本技术实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
16.本发明实施例提供的一种igbt驱动电路，包括：驱动芯片、两个以上并联的igbt以及与每个igbt对应设置的驱动功率放大电路，其中：驱动芯片的输出端，分别与每个驱动功率放大电路连接，用于向每个驱动功率放大电路提供电平驱动信号；每个驱动功率放大电路与相应igbt的门极连接，驱动功率放大电路用于将电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压，以驱动相应igbt工作。通过将多个igbt并联，且并联的每个igbt均有自己独立的驱动功率放大电路，使得每个igbt的驱动能力由其自身的驱动功率放大电路的电流能力决定，将驱动芯片的输出端分别与每个驱动功率放大电路连接，使得每个并联igbt的驱动信号源统一，驱动功率放大电路可将驱动芯片的电平驱动信号转换为对应的igbt的驱动电压。本技术通过使用一个驱动芯片来同时控制多个并联igbt功率放大电路回路的开关，从而实现igbt并联驱动，且对于每个并联组中的参与并联的igbt，均有其独立的驱动功率放大电路，提高了控制器功率密度。
附图说明
17.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1为本发明实施例提供的一种igbt驱动电路示意图；
19.图2为本发明实施例提供的igbt温度检测电路示意图；
20.图3为本发明实施例提供的igbt热敏二极管恒流源子电路示意图；
21.图4为本发明实施例提供的igbt电流检测电路示意图。
具体实施方式
22.发明人经过长期研究发现，目前汽车级大功率igbt器件存在耐压和电流能力的限制，只能通过igbt器件的串联或并联来实现电机控制器功率密度的提升，采用这两种方法设计的大功率逆变器，具有结构简单、控制策略兼容、扩容简单等优势，因此成本较低，便于模块化设计和生产等优点。
23.通过igbt器件的串联可以提高逆变器的电压等级，而采用igbt器件并联则可以提高逆变器的电流等级，从而提高逆变器的功率等级。考虑到串联方式的性价比较低，igbt并联是实现逆变器扩容的更好选择。
24.有鉴于此，本技术实施例通过提供了一种igbt驱动电路，通过使用一个驱动芯片来同时控制多个并联igbt功率放大电路回路的开关，从而实现igbt并联驱动，且对于每个并联组中的参与并联的igbt，均有其独立的驱动功率放大电路，提高了控制器功率密度。
25.本技术实施例的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
26.一种igbt驱动电路，应用于绝缘栅双极型晶体管igbt，包括：驱动芯片、两个以上并联的igbt以及与每个igbt对应设置的驱动功率放大电路，其中：驱动芯片的输出端，分别与每个驱动功率放大电路连接，用于向每个驱动功率放大电路提供电平驱动信号；每个驱动功率放大电路与相应igbt的门极连接，驱动功率放大电路用于将电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压，以驱动相应igbt工作。
27.为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
28.第一方面，本发明实施例提供的一种igbt驱动电路，具体来讲，如图1所示，该驱动电路包括：驱动芯片10、两个以上并联的igbt以及与每个igbt对应设置的驱动功率放大电路20，其中：驱动芯片10的输出端，分别与每个驱动功率放大电路20连接，用于向每个驱动功率放大电路提供电平驱动信号；每个驱动功率放大电路20与相应igbt的门极连接，驱动功率放大电路用于将电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压，以驱动相应igbt工作。
29.其中，驱动芯片10可以是任意能够驱动igbt的芯片，该芯片带有保护和隔离作用，例如：ir2110、exb841以及m57962等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点。
30.该驱动电路中每个并联igbt的驱动信号源是统一的，都是来自同一个驱动芯片驱动信号输出。由于每个igbt均有自己独立的驱动电路，igbt的驱动能力由其自身的驱动功率放大电路的电流能力决定，驱动芯片的驱动能力则决定了igbt的最大并联路数。
31.具体地，如图1所示，驱动功率放大电路20可以包括：功率放大子电路201、第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203。功率放大子电路201的信号输入端与驱动芯片10的输出端连接，功率放大子电路201的输出端与相应igbt的门极连接，用于将电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压。
32.第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203的电源端均与igbt驱动电
路中的电源电路40连接，第一供电储能子电路202的供电端与功率放大子电路201的高电平输入端vhx连接，第二供电储能子电路203的供电端与功率放大子电路201的低电平输入端vlx连接，用于为功率放大子电路提供工作电压。
33.需要说明的是，igbt驱动电路中的电源电路40的驱动正电压vh将作为功率放大子电路201的高电平输入端vhx，igbt驱动电路中的电源电路40的驱动负电压vl将作为功率放大子电路201的低电平输入端vlx。
34.其中，功率放大电路20可以是互补的npn三极管与pnp三极管组成推挽电路，即两个不同极性晶体管间连接的输出电路，该功率放大电路能够实现对输入信号的电参数(即其电压及电流)进一步放大。
35.举例来说，如图1所示，功率放大电路20可以包括：npn三极管与pnp三极管，npn三极管的基极与pnp三极管的基极连接，并作为功率放大电路20的信号输入端，npn三极管的集电极与高电平输入端vhx连接，npn三极管的发射极与pnp三极管的发射极连接，并作为功率放大电路20的输出端，pnp三极管的集电极与高电平输入端vl x连接。
36.需要说明的是，若驱动芯片10有独立的驱动开通和关断输出功能，功率放大电路20也可是p-mos和n-mos组成推挽电路。当然，任何可将驱动芯片的cmos电平驱动信号转换为igbt驱动电压，并能提供足够驱动电流的电路都能作为功率放大电路。
37.具体而言，第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203能够为功率放大电路201提供对相应的igbt开通和关断需要的驱动能量。由于igbt的驱动功率主要是消耗在igbt开通和关断的这段时间内，而当igbt导通或截止后，igbt驱动电路中的电源电路40几乎不向igbt提供能量。因此，第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203能就近为功率放大电路201提供驱动能量，而不必从远端的电源电路40取电。
38.第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203靠近功率放大电路20布置，对电源电路40的驱动正电压vhx加第一供电储能子电路202，对电源电路40的驱动负电压vlx加第二供电储能子电路203。
39.作为一种可选地实施例，所述第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203可以均由第一电容与第二电容并联组成，其中，第一电容的电容值大于第二电容的电容值。使得第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203由一个大容值的电容和一个小容值的电容组成。
40.具体地，为了使得第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203可以等效为独立的电压源，第一电容与第二电容的类型可以选用片式多层陶瓷(multi-layer ceramic capacitors，mlcc)电容，该mlcc电容具有低等效电感esl和低等效电阻esr特性。这样，并联组的每个功率放大电路20均拥有独立的驱动电源，而不是共用驱动电源电路40。从而可以有效避免在供电回路上引起的驱动换流，保证了各个并联igbt驱动环流路径的独立性。
41.举例来说，本技术选用的mlcc电容可以为：npo、cog、y5v、z5u、x7r或x5r等。
42.当然，作为另一种可选地实施例，所述第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203也可以为其他结构，举例来说，第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203均由一个较大电容值的电容构成。
43.具体地，如图1所示，所述驱动功率放大电路20，还包括：门极驱动电阻r1、门极电
容、门极下拉电阻r2以及门极钳位二极管204。门极驱动电阻r1的一端与功率放大子电路201的输出端连接，门极驱动电阻r1的另一端、门极下拉电阻的r2一端、门极钳位二极管204的正极、门极电容c1的一端以及igbt的门极g相互连接。门极下拉电阻r2的另一端、门极电容c1的另一端以及igbt的发射极e均接地ve，门极钳位二极管204的负极与功率放大子电路201的高电平输入端vhx连接。
44.其中，门极驱动电阻r1能够放大来自功率放大电路201的逻辑(开/关)信号，以向相应的igbt提供足够的驱动电流，提供从逻辑到门极，特别是高边晶体管的电平转换等。门极下拉电阻r2能够将不确定信号通过一个电阻钳位在低电平，实现滤波的效果。门极电容c1能够起到抗干扰提高电路稳定性的作用。门极钳位二极管204能够当二极管负极接地时，则正极端电路的电位比地高时，二极管会导通将其电位拉下来，即正极端电路被钳位零电位或零电位以下(忽略管压降)；当二极管正极接地时，则负极端电路的电位比地高时，二极管会截止，其电位将不会受二极管的任何作用。
45.具体而言，采用本技术实施例提供的驱动功率放大电路20，igbt的开通换流路径为：电流从第一供电储能子电路202连接的ve依次流入第一供电储能子电路202与门极驱动电阻r1，经过门极电容c1、门极下拉电阻r2以及门极钳位二极管204的正极到达igbt的门极，流向igbt的发射极到ve。
46.相应地，驱动功率放大电路20对igbt的关断换流路径为：电流从igbt的发射极连接的ve流入igbt的发射极，再从igbt的门极流出，经过门极电容c1、门极下拉电阻r2以及门极钳位二极管204的正极，再依次流入门极驱动电阻r1、第二供电储能子电路203到ve。
47.进一步地，为了增强第一供电储能子电路202以及第二供电储能子电路203的独立性，抑制驱动换流，如图1所示，本技术提供的igbt驱动电路，还包括：与每个驱动功率放大电路中每个供电储能子电路一一对应设置的隔离电阻r3，每个隔离电阻r3的一端与电源电路40连接，隔离电阻r3的另一端与相应供电储能子电路的电源端连接。从而能够增加并联组的每个驱动供电储能电路之间阻抗，增强供电储能子电路的独立性，这样当多个igbt并联时，能为每个igbt提供独立驱动回路，减小并联igbt驱动间的相互影响。
48.举例来说，隔离电阻r3可以为磁珠或大阻值电阻，其中，磁珠还能够抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。
49.进一步地，为了实现对每一个并联igbt进行独立温度检测，如图2所示，本技术实施例提供的igbt驱动电路，还可以包括：温度检测电路50，分别与每个igbt的结温测试端tj连接，用于检测每个igbt的结温信号，并输出检测到的结温最高的结温信号。
50.具体地，温度检测电路50包括：温度选通子电路503、最高温度选择子电路502以及与每个igbt一一对应设置的恒流源子电路501。每个恒流源子电路501的电源端与igbt驱动电路中的电源电路40的驱动正电压vhx连接，每个恒流源子电路501的输出端与对应的igbt的结温测试端tj连接，用于向igbt内的热敏二极管提供恒流源电流以产生管压降，并将管压降送入温度选通子电路503与最高温度选择子电路502的输入端。
51.最高温度选择子电路502的输出端与温度选通子电路503的选择端口连接，最高温度选择子电路502用于对接收到的管压降进行比较，并输出比较得到的电平信号到温度选通子电路503的选择端口，温度选通子电路503用于基于电平信号对接收到的管压降进行选通，输出结温最高的结温信号。
52.具体而言，本技术针对的igbt具备提供igbt结温的功能，该结温由其集成在igbt晶圆上的热敏二极管提供。热敏二极管的测温原理是当流过热敏二极管的电流恒定时，热敏二极管的管压降vf和结温呈反向线性变化关系。因此，为了保证热敏二极管的测温精度，增设了恒流源子电路501为热敏二极管提供独立恒流源电路。
53.作为一种可选地实施例，恒流源子电路501可以是一种镜像电流源，通过设计了镜像电流源电流为热敏二极管提供独立恒流源电路。具体而言，恒流源电路21从驱动正电压vhx取电，采用三极管搭建镜像电流源，通过电阻调节恒流源电流值，恒流源电流流过igbt内部的热敏二极管，形成管压降vf，将vf滤波后送入温度选通子电路503和最高温度选择子电路502。
54.举例来说，如图3所示，igbt热敏二极管恒流源子电路501可以包括：第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻。第一三极管5010的集电极与第一电阻的一端均与电源电路40的驱动正电压 16v-ut连接，第一三极管的基极分别与第一电阻的另一端以及第二三极管的集电极连接，第一三极管的发射极分别与第二电阻的一端以及第二三极管的基极连接，第二三极管的发射极与igbt内的热敏二极管正极连接，热敏二极管负极以及第二电阻的另一端均接地e-ut。
55.由此，对于每个并联的igbt均有其独立的热敏二极管恒流源子电路501，可以有效避免并联驱动环流通过温度检测电路50进行流动，影响驱动的一致性。进一步地，不同igbt的温度检测信号会送入温度选通子电路503，将并联igbt中结温度高的一路信号送出。
56.作为一种可选地实施例，温度选通子电路503可以是一个多通道模拟开关，如图2所示，以2个igbt模块并联为例，温度选通子电路503的输入是2个并联igbt的结温tj1和tj2，输出vo为tj1和tj2中温度高的一个。
57.最高温度选择子电路502可以由温度比较器电路组成，温度比较器的同相端( )和反相端(-)分别接收到结温tj1和tj2。由于热敏二极管压降vf与igbt结温tj是负温度特性关系，当tj1》tj2，温度比较器输出低电平到温度选通子电路503的选择端口，温度选通子电路503输出tj1的值；当tj1《tj2，温度比较器输出高电平到温度选通子电路503的选择端口，温度选通子电路503输出tj2的值。
58.简单来说，当位于同相端的结温温度大于位于反相端的结温温度时，温度选通子电路503输出同相端的值，当位于同相端的结温温度小于位于反相端的结温温度时，温度选通子电路503输出反相端的值。
59.需要说明的是，igbt内的热敏二极管的压降vf值是个很敏感的量，一般地，10mv的电压值相当于1℃。当采用一般的二极管时，最高温度选择子电路502会由于二极管的管压降波动对igbt温度检测产生巨大影响，例如：普通信号二极管随温度的变化，其管压降存在0.1v的变化，折算到igbt的结温就是10℃。而这里采用模拟开关的优点是：信号通路的导通电阻值极小，不会对信号产生压降，使输出信号值降低，因此能准确的检测结温tj。
60.进一步地，温度选通子电路503输出的温度信号电压值vo由于是负温度系数，即igbt结温越高，vo的值越小，这样当高温时，vo幅值会过小，不利于检测。因此，为了便于对温度选通子电路503输出信号的检测，保证温度采样的精度，如图3所示，上述温度检测电路50还可以包括：温度调制子电路504、隔离子电路505以及低通滤波506。
61.其中，温度选通子电路503的输出端与温度调制子电路504的输入端连接，温度调
制子电路504的输出端与隔离子电路505的输入端连接，隔离子电路505的输出端与低通滤波506的输入端连接，低通滤波506的输出端作为温度检测电路50的输出端。
62.温度调制子电路504用于对温度选通子电路503输出的信号进行调制，隔离电路505用于对调制后的信号进行隔离，低通滤波506用于将信号还原为模拟量电压值，以输入微处理器的模拟数字a/d端口，该微处理器用于对接收到的最高温度进行检测判定。
63.具体而言，这里的温度调制子电路504可以采用pwm调制电路，通过将温度信号电压值vo与pwm调制电路中的三角载波vtri相比较后，得到pwm信号。调制后的igbt结温tj与pwm的占空比是正比例关系，即tj越高，pwm占空比越大，从而更有利于检测。接着，对得到的pwm信号将通过隔离电路505进行隔离，然后传递到低压侧。举例来说，隔离电路505可以为变压器或光耦等，本技术不作限定。
64.在低压侧，pwm电压信号经过低通滤波506，又还原为模拟量电压值vpri，此时的vpri也是和tj呈正比例关系。将vpri输入处理器的a/d端口中，能保证温度采样的精度。
65.当然，作为另一种可选的实施例，也可以直接将低压侧的pwm信号直接送入处理器的a/d端口。
66.进一步地，igbt驱动电路，还可以包括：与每个igbt一一对应设置的电流检测电路60，电流检测电路60与相应igbt的电流检测端is连接，用于对该igbt的导通电流进行检测。
67.其中，如图4所示，所述电流检测电路60可以包括：采样电阻r4、rc滤波子电路601、钳位二极管602以及过流比较子电路603。
68.采样电阻r4的一端分别与igbt的电流检测端is以及rc滤波子电路601的输入端连接，采样电阻r4的另一端接地，rc滤波子电路601的输出端与钳位二极管602的负极以及过流比较子电路603的输入端连接，钳位二极管602的正极接地，过流比较子电路603的输出端用于输出检测到的导通电流。
69.需要说明的是，本技术针对的igbt在igbt晶圆上集成了镜像电流源，能提供igbt导通电流的电流检测功能。由于镜像电流源输出电流和igbt导通电流之间存在一定的比例关系，通过检测镜像电流源输出电流就能得到每个igbt导通电流，从而对每个igbt进行过流或短路保护。
70.具体而言，首先，通过采样电阻r4将镜像电流源的电流型信号转换为电压型信号vis。当然，这里除了采样电阻r4之外，只要是能将镜像电流源的电流信号转换成电压信号的电路，都可行，例如：采用霍尔传感器等。
71.进一步地，由于在igbt的开关动作的暂态过程中，电流源输出电流值会剧烈波动，因此，将采样电阻r4流出的电压值vis经过rc滤波子电路601，去掉脉动电压中的交流成分，使之成为平滑的直流电压。再流入钳位二极管602，经钳位二极管602钳位后，将得到的电压值vso送入到过流比较子电路603。
72.其中，所述过流比较子电路603可以包括过流比较器，过流比较器的输入端与钳位二极管602的负极连接，过流比较器的输出端用于输出igbt导通电流。
73.具体地，并联组中的每个igbt均有独立的过流比较子电路603。过流比较电路603由过流比较器构成，过流比较器的比较阈值vthoc可以通过电源电压40的分压驱动电压得到，当vso》vthoc时，过流比较器输出高电平，报过流故障；当vso《vthoc时，过流比较器输出低电平，无过流故障。
74.如图4所示，以2个并联igbt为例，igbt1的电流检测值vso1送入第一过流比较子电路，igbt2的电流检测值vso2送入第二过流比较子电路。当第一过流比较子电路报过流故障时，输出高电平；而第二过流比较子电路还是输出低电平。
75.另外，过流比较子电路603还可以包括隔断二极管，隔断二极管将过流比较器输出的低电平隔断，从而只输出过流比较子电路603的高电平到驱动芯片40的故障保护引脚，当驱动芯片40的故障保护引脚接收到高电平信号时，将报过流故障，从而实现了对每一个并联igbt进行独立的过流与短路检测。
76.本技术实施例提供的方案至少具有以下优势：
77.1、每个并联组中的参与并联的igbt模块，均有其独立的驱动功率放大电路，提高了控制器功率密度；2、采用了镜像电流源电流为热敏二极管提供独立恒流源电路，既保证热敏二极管的测温精度，又避免并联驱动环流通过测温电路进行流动，保证了驱动的一致性；3、每个并联的igbt模块设计了独立的温度检测电路、电流检测电路、短路保护电路，实现了对每一个并联igbt进行独立检测和保护。
78.由此，本技术提供的igbt驱动电路通过一个驱动芯片控制并联的igbt，该驱动电路具有独立推挽放大电路回路、温度检测电路、电流检测电路、短路保护和过温保护。其中，温度检测电路，可以理解成，采样比较两者温度高低，触发模拟开关，打开通道，将温度高的信号送给处理器进行处理；电流检测电路，可以理解成，是通过设定过流保护阀值电压与电流信号比较大小后，判定是否过流来进行保护，任何一路igbt发生过流都会触发保护。本技术能够实现控制器功率密度提升的同时，为控制器提供igbt并联驱动及多重保护功能，并能检测和保护每一路并联的igbt。在实现igbt并联的静态和动态均流的前提下，简化并联的驱动方案及外围电路，有利于实现大功率电机控制器的研发设计。
79.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
80.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
81.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。