一种IGBT驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种igbt驱动电路，其特征在于，应用于绝缘栅双极型晶体管igbt，包括：驱动芯片、两个以上并联的igbt以及与每个igbt对应设置的驱动功率放大电路，其中：所述驱动芯片的输出端，分别与每个驱动功率放大电路连接，用于向每个所述驱动功率放大电路提供电平驱动信号；所述每个驱动功率放大电路与相应igbt的门极连接，所述驱动功率放大电路用于将所述电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压，以驱动相应igbt工作。2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动功率放大电路包括：功率放大子电路、第一供电储能子电路以及第二供电储能子电路；所述功率放大子电路的信号输入端与所述驱动芯片的输出端连接，所述功率放大子电路的输出端与相应igbt的门极连接，用于将所述电平驱动信号转换为相应igbt的驱动电压；所述第一供电储能子电路以及第二供电储能子电路的电源端均与所述igbt驱动电路中的电源电路连接，所述第一供电储能子电路的供电端与所述功率放大子电路的高电平输入端连接，所述第二供电储能子电路的供电端与所述功率放大子电路的低电平输入端连接，用于为所述功率放大子电路提供工作电压。3.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第一供电储能子电路以及第二供电储能子电路均由第一电容与第二电容并联组成，其中，所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值。4.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动功率放大电路，还包括：门极驱动电阻、门极电容、门极下拉电阻以及门极钳位二极管；所述门极驱动电阻的一端与所述功率放大子电路的输出端连接，所述门极驱动电阻的另一端、所述门极下拉电阻的一端、所述门极钳位二极管正极、所述门极电容的一端以及所述igbt的门极相互连接；所述门极下拉电阻的另一端、所述门极电容的另一端以及所述igbt的发射极均接地，所述门极钳位二极管负极与所述功率放大子电路的高电平输入端连接。5.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，还包括：与所述每个所述驱动功率放大电路中每个供电储能子电路一一对应设置的隔离电阻，每个隔离电阻的一端与所述电源电路连接，另一端与相应供电储能子电路的电源端连接。6.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，还包括：温度检测电路，分别与每个igbt的结温测试端连接，用于检测所述每个igbt的结温信号，并输出检测到的结温最高的结温信号。7.如权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述温度检测电路，包括：温度选通子电路、最高温度选择子电路以及与所述每个igbt一一对应设置的恒流源子电路；每个所述恒流源子电路的电源端与所述igbt驱动电路中的电源电路的驱动正电压连接，每个所述恒流源子电路的输出端与对应的igbt的结温测试端连接，用于向所述igbt内的热敏二极管提供恒流源电流以产生管压降，并将所述管压降送入所述温度选通子电路与所述最高温度选择子电路的输入端；所述最高温度选择子电路的输出端与所述温度选通子电路的选择端口连接，所述最高温度选择子电路用于对接收到的管压降进行比较，并输出所述比较得到的电平信号到所述
温度选通子电路的选择端口，所述温度选通子电路用于基于所述电平信号对接收到的管压降进行选通，输出结温最高的结温信号。8.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，还包括：与所述每个igbt一一对应设置的电流检测电路，所述电流检测电路与相应igbt的电流检测端连接，用于对该igbt的导通电流进行检测。9.如权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述电流检测电路，包括：采样电阻、rc滤波子电路、钳位二极管以及过流比较子电路；所述采样电阻的一端分别与所述igbt的电流检测端以及所述rc滤波子电路的输入端连接，所述采样电阻的另一端接地，所述rc滤波子电路的输出端与所述钳位二极管负极以及所述过流比较子电路的输入端连接，所述钳位二极管正极接地，所述过流比较子电路的输出端用于输出检测到的导通电流。10.如权利要求9所述的驱动电路，其特征在于，所述过流比较子电路包括过流比较器，所述过流比较器的输入端与所述钳位二极管负极连接，所述过流比较器的输出端用于输出检测到的导通电流。

技术总结
本发明公开了一种IGBT驱动电路，应用于绝缘栅双极型晶体管IGBT，包括：驱动芯片、两个以上并联的IGBT以及与每个IGBT对应设置的驱动功率放大电路，其中：驱动芯片的输出端，分别与每个驱动功率放大电路连接，用于向每个驱动功率放大电路提供电平驱动信号；每个驱动功率放大电路与相应IGBT的基极连接，驱动功率放大电路用于将电平驱动信号转换为相应IGBT的驱动电压，以驱动相应IGBT工作。本申请对于每个并联组中的参与并联的IGBT，均有其独立的驱动功率放大电路，提高了控制器功率密度。提高了控制器功率密度。提高了控制器功率密度。


技术研发人员：张进 双婧雯 黄进 赵海睿 程诚
受保护的技术使用者：东风汽车集团股份有限公司
技术研发日：2021.09.26
技术公布日：2022/2/7