荧光体、荧光体的制造方法、发光元件、发光装置和图像显示装置与流程

技术特征：
1.一种荧光体，由m
α
(l,a)
β
x
γ
表示的荧光体母晶的元素m的至少一部分被作为活化物质的eu取代，具有由通式：m
α
(l,a)
β
x
γ
：eu
δ
表示的组成，所述m为选自mg、ca、sr、ba和zn中的一种或两种以上的元素，其中至少包含sr，所述l为选自li、na和k中的一种或两种以上的元素，所述a为选自al、ga、b、in、sc、y、la和si中的一种或两种以上的元素，所述x为选自o、n、f和cl中的一种或两种以上的元素，其中不包括x仅为n的情况，所述α、β、γ和δ满足：8.70≤α β γ δ≤9.30，0.00＜α≤1.30，3.70≤β≤4.30，3.70≤γ≤4.30，和0.00＜δ≤1.30；在照射波长260nm的光时的荧光光谱中，将波长569nm处的荧光强度设为i0，将波长617nm处的荧光强度设为i1时，荧光强度比i1/i0为0.01～0.4。2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，在所述荧光光谱中，将波长628nm处的发光强度设为i2时，荧光强度比i2/i0为0.01～0.3。3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，该荧光体由组成式sr
e
li
f
al
g
o
h1
n
h2
eu
i
表示，组成比e、f、g、h1、h2和i为：e f g h1 h2 i＝9，0.00＜e＜1.30，0.70≤f≤3.30，0.70≤g≤3.30，3.70≤h1 h2≤4.30，其中h1＞0，0.00＜i＜1.30，和0.70≤e i≤1.30。4.根据权利要求3所述的荧光体，其中，所述组成比f和g为：7/40≤g/(f g)＜30/40。5.根据权利要求3或4所述的荧光体，其中，所述组成比h1和h2为：0＜h1/(h1 h2)≤1。6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧光体，其中，照射在波长250nm～500nm的波长范围包含光强度峰的光时，发出在430nm～670nm的波长范围包含光强度峰的荧光。7.根据权利要求6所述的荧光体，其中，照射所述在波长250nm～500nm的波长范围包含光强度峰的光时，发出在560nm～580nm的波长范围包含光强度峰的荧光。8.根据权利要求1～7中任一项所述的荧光体，其为粉末状，在用激光衍射散射法测定的体积频度粒度分布中，在将累积值成为50％的平均粒径设为d50时，d50为0.1μm～50μm。9.一种荧光体的制造方法，所述荧光体具有包含m、l、a、x元素和eu的组成，所述m为选自mg、ca、sr、ba和zn中的至少一种以上的元素，所述l为选自li、na和k中的至少一种以上的元素，所述a为选自al、ga、b、in、sc、y、la和si中的至少一种以上的元素，所述x为选自o、n、f和cl中的至少一种以上的元素，其中，不包括x仅为n的情况；
所述制造方法包括：混合工序，得到包含构成所述组成的各元素的原料混合物；煅烧工序，通过煅烧所述原料混合物，将所述原料混合物中包含的至少一部分的eu
3
还原成eu
2
；在照射波长260nm的光时的荧光光谱中，将波长569nm处的荧光强度设为i0，将波长617nm处的荧光强度设为i1时，得到荧光强度比i1/i0为0.01～0.4的荧光体。10.根据权利要求9所述的荧光体的制造方法，其中，所述煅烧工序在包含nh3的煅烧气氛下实施。11.一种发光元件，包含权利要求1～8中任一项所述的荧光体。12.一种发光装置，具备权利要求11所述的发光元件。13.一种图像显示装置，具备权利要求11所述的发光元件。

技术总结
本发明的荧光体的由M


技术研发人员：豊岛广朗 川越美满
受保护的技术使用者：电化株式会社
技术研发日：2020.06.18
技术公布日：2022/2/7