一种紫外-可见双色探测器的制作方法

技术特征：
1.一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，包括：探测器本体；所述探测器本体包括：自下至上依次堆叠设置的p型gan材料层、bn二维材料层和p型拓扑绝缘体薄膜材料层；所述p型拓扑绝缘体薄膜材料层具备上金属电极(10)；所述p型gan材料层具备下金属电极(3)；分别调节所述上金属电极(10)及所述下金属电极(3)所施加的偏压，以使所述p型gan材料层可探测紫外波段，所述p型拓扑绝缘体薄膜材料层可探测可见光波段。2.根据权利要求1所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述p型gan材料层包括：p型gan衬底层(1)，p型gan接触层(2)，设置在所述p型gan衬底层(1)的上表面；p型algan匹配层(4)，设置在所述p型gan接触层(2)的上表面；所述下金属电极(3)位于所述p型gan接触层(2)的上表面，且其环设在所述p型algan匹配层(4)的周围；algan紫外吸收层(5)，设置在所述p型algan匹配层(4)的上表面。3.根据权利要求2所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述p型gan衬底层(1)的厚度为0.3-0.5毫米；所述p型gan接触层(2)的掺杂浓度≥10
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cm3，且其厚度为400nm
±
20nm；所述p型algan匹配层(4)的掺杂浓度范围为10
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cm3～10
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cm3，且其厚度为200nm
±
30nm；所述algan紫外吸收层(5)的掺杂浓度≤10
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cm3，且其厚度为150nm
±
10nm。4.根据权利要求2所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述bn二维材料层为二维氮化硼薄膜势垒层(6)，且其位于所述algan紫外吸收层(5)的上表面。5.根据权利要求4所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述二维氮化硼薄膜势垒层(6)为非掺杂或弱p-型掺杂结构，其掺杂浓度≤10
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cm3，且其厚度为30-50nm。6.根据权利要求4所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述p型拓扑绝缘体薄膜材料层包括：p型拓扑绝缘体可见光吸收层(7)，设置在所述二维氮化硼薄膜势垒层(6)的上表面；p型扑绝缘体薄膜接触层(8)，设置在所述p型拓扑绝缘体可见光吸收层(7)的上表面；所述上金属电极(10)位于所述p型扑绝缘体薄膜接触层(8)的上表面。7.根据权利要求6所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述p型拓扑绝缘体可见光吸收层(7)的掺杂浓度≤10
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cm3；所述p型扑绝缘体薄膜接触层(8)的掺杂浓度≥10
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cm3，且其厚度范围为10nm-30nm。8.根据权利要求1所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述上金属电极(10)及所述下金属电极(3)均为环状电极，且均具有p型焊盘(11)。9.根据权利要求1所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述探测器本体与所述上金属电极(10)以及所述下金属电极(3)未接触的区域为外露区域；所述外露区域铺设有钝化层(9)。10.根据权利要求9所述的一种紫外-可见双色探测器，其特征在于，所述钝化层(9)的材料为氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺或bcb。

技术总结
本申请公开了一种紫外-可见双色探测器。包括：探测器本体；所述探测器本体包括：自下至上依次堆叠设置的p型GaN材料层、BN二维材料层和p型拓扑绝缘体薄膜材料层；本申请具体地利用自下至上依次堆叠设置的p型GaN材料层、BN二维材料层和p型拓扑绝缘体薄膜材料层形成探测器本体，且p型拓扑绝缘体薄膜材料层具备上金属电极，p型GaN材料层具备下金属电极，通过分别调节上金属电极及下金属电极所施加的偏压，以使p型GaN材料层可探测紫外波段，p型拓扑绝缘体薄膜材料层可探测可见光波段，实现紫外与可见波段探测，有效提高器件响应度。有效提高器件响应度。有效提高器件响应度。


技术研发人员：张云霄 李爱民 孙文宝
受保护的技术使用者：天津津航技术物理研究所
技术研发日：2021.10.29
技术公布日：2022/2/6