高分子材料核辐射损伤判断方法、装置、设备及介质与流程

技术特征：
1.一种高分子材料核辐射损伤判断方法，其特征在于，包括：获取高分子材料的组分、密度和厚度，并根据所述高分子材料的组分、密度和厚度，确定辐射场环境下高分子材料内部的光子能量沉积和中子能量沉积；将所述光子能量沉积和所述中子能量沉积输入至高分子材料辐射损伤模型中，得到高分子材料经辐射后的相对分子量；根据高分子材料经辐射后的相对分子量，判断所述高分子材料在辐射场环境下是否发生辐射损伤；其中，所述高分子材料辐射损伤模型是以高分子材料内部的光子能量沉积和中子能量沉积作为样本，以与所述样本对应的高分子材料经辐射后的相对分子量作为样本标签训练得到。2.根据权利要求1所述的高分子材料核辐射损伤判断方法，其特征在于，所述根据高分子材料的组分、密度和厚度，确定辐射场环境下高分子材料内部的光子能量沉积和中子能量沉积，包括：确定所述高分子材料在辐射场环境下的坐标位置，根据所述高分子材料在辐射场环境下的坐标位置、所述高分子材料的组分、密度和厚度，利用mcnp程序，确定所述高分子材料单位时间内的光子平均能量沉积和种子平均能量沉积。3.根据权利要求1所述的高分子材料核辐射损伤判断方法，其特征在于，所述高分子材料辐射损伤模型为：n＝(u
m,n
u
m,p
)
·
n
a
/u
m,0
其中，n为高分子材料主链断键次数，u
m,n
和u
m,p
分别为每摩尔中子和光子的能量，u
m,0
为高分子材料主链上最弱化学键的键能，n
a
为阿伏伽德罗常数，m0为未经辐射的高分子材料的相对分子量，m为高分子材料经辐射后的相对分子量。4.根据权利要求3所述的高分子材料核辐射损伤判断方法，其特征在于，所述根据高分子材料经辐射后的相对分子量，判断所述高分子材料在辐射场环境下是否发生辐射损伤，包括：根据高分子材料经辐射后的相对分子量和未经辐射的高分子材料的相对分子量，确定高分子材料的相对分子变化量，若所述相对分子变化量大于预设阈值，则所述高分子材料在辐射场环境下发生辐射损伤。5.一种高分子材料核辐射损伤判断装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取高分子材料的组分、密度和厚度，并根据所述高分子材料的组分、密度和厚度，确定辐射场环境下高分子材料内部的光子能量沉积和中子能量沉积；第一处理模块，用于将所述光子能量沉积和所述中子能量沉积输入至高分子材料辐射损伤模型中，得到高分子材料经辐射后的相对分子量；第二处理模块，用于根据高分子材料经辐射后的相对分子量，判断所述高分子材料在辐射场环境下是否发生辐射损伤；其中，所述高分子材料辐射损伤模型是以高分子材料内部的光子能量沉积和中子能量沉积作为样本，以与所述样本对应的高分子材料经辐射后的相对分子量作为样本标签训练
得到。6.根据权利要求5所述的高分子材料核辐射损伤判断装置，其特征在于，所述高分子材料辐射损伤模型为：n＝(u
m,n
u
m,p
)
·
n
a
/u
m,0
其中，n为高分子材料主链断键次数，u
m,n
和u
m,p
分别为每摩尔中子和光子的能量，u
m,0
为高分子材料主链上最弱化学键的键能，n
a
为阿伏伽德罗常数，m0为未经辐射的高分子材料的相对分子量，m为高分子材料经辐射后的相对分子量。7.根据权利要求6所述的高分子材料核辐射损伤判断装置，其特征在于，所述第二处理模块，具体用于：根据高分子材料经辐射后的相对分子量和未经辐射的高分子材料的相对分子量，确定高分子材料的相对分子变化量，若所述相对分子变化量大于预设阈值，则所述高分子材料在辐射场环境下发生辐射损伤。8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至4任一项所述高分子材料核辐射损伤判断方法的步骤。9.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述高分子材料核辐射损伤判断方法的步骤。10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述高分子材料核辐射损伤判断方法的步骤。

技术总结
本发明提供一种高分子材料核辐射损伤判断方法、装置、设备及介质。所述方法包括：获取高分子材料的组分、密度和厚度，并根据所述高分子材料的组分、密度和厚度，确定辐射场环境下高分子材料内部的光子能量沉积和中子能量沉积；将所述光子能量沉积和所述中子能量沉积输入至高分子材料辐射损伤模型中，得到高分子材料经辐射后的相对分子量；根据高分子材料经辐射后的相对分子量，判断所述高分子材料在辐射场环境下是否发生辐射损伤。本发明通过高分子材料辐射损伤模型判断高分子材料是否发生辐射损伤，提高了辐射损伤判断的准确性，具有较高的应用价值。较高的应用价值。较高的应用价值。


技术研发人员：吴飞 马敬伟 孙少华 朱敏 黄璜 王浩宇 李木易 伍德金 王艳军
受保护的技术使用者：中国人民解放军海军工程大学
技术研发日：2021.10.14
技术公布日：2022/2/6