切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜以及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种切割晶粒接合一体型膜，其包括：切割带，具有基材以及设置于所述基材上的压敏胶黏剂层；以及晶粒接合膜，具有第一表面以及与所述第一表面为相反侧的第二表面，且以所述第一表面与所述压敏胶黏剂层接触的方式配置于所述切割带的所述压敏胶黏剂层上，所述晶粒接合膜以晶粒接合膜的总量为基准含有75质量％以上的导电性粒子，所述晶粒接合膜中，所述第一表面的表面粗糙度为1.0μm以下，且所述第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述第一表面的表面粗糙度大于所述第二表面的表面粗糙度。3.根据权利要求1或2所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述第一表面的表面粗糙度为0.25μm以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述晶粒接合膜的导热率为1.6w/m
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k以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述导电性粒子为球状。6.根据权利要求5所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述导电性粒子的平均粒径为3.0μm以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述导电性粒子为导热率(20℃)为250w/m
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k以上的导电性粒子。8.根据权利要求1至7中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述晶粒接合膜还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。9.根据权利要求8所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述热固性树脂包含在25℃下为液状的环氧树脂，所述在25℃下为液状的环氧树脂的含量以晶粒接合膜的总量为基准为2质量％以上。10.一种半导体装置的制造方法，其包括：将权利要求1至9中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜的所述晶粒接合膜的所述第二表面贴附于半导体晶圆的工序；将所述半导体晶圆及所述晶粒接合膜单片化的工序；从所述切割带拾取附着有晶粒接合膜片的半导体晶片的工序；以及经由所述晶粒接合膜片，将所述半导体晶片黏合在支承基板的工序。11.一种晶粒接合膜，其具有第一表面以及与所述第一表面为相反侧的第二表面，在所述晶粒接合膜中，以晶粒接合膜的总量为基准，含有75质量％以上的导电性粒子，而且所述第一表面的表面粗糙度为1.0μm以下，且所述第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。12.根据权利要求11所述的晶粒接合膜，其中，所述第一表面的表面粗糙度大于所述第二表面的表面粗糙度。13.根据权利要求11或12所述的晶粒接合膜，其中，所述第一表面的表面粗糙度为0.25μm以上。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的晶粒接合膜，其中，所述晶粒接合膜的导热率为1.6w/m
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k以上。15.根据权利要求11至14中任一项所述的晶粒接合膜，其中，所述导电性粒子为球状。16.根据权利要求15所述的晶粒接合膜，其中，所述导电性粒子的平均粒径为3.0μm以下。17.根据权利要求11至16中任一项所述的晶粒接合膜，其中，所述导电性粒子为导热率(20℃)为250w/m
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k以上的导电性粒子。18.根据权利要求11至17中任一项所述的晶粒接合膜，其还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。19.根据权利要求18所述的晶粒接合膜，其中，所述热固性树脂包含在25℃下为液状的环氧树脂，所述在25℃下为液状的环氧树脂的含量以晶粒接合膜的总量为基准为2质量％以上。

技术总结
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜，其包括：切割带，具有基材以及设置于基材上的压敏胶黏剂层；以及晶粒接合膜，具有第一表面以及与第一表面为相反侧的第二表面，且以压敏胶黏剂层与第一表面接触的方式配置于切割带的压敏胶黏剂层上。晶粒接合膜以晶粒接合膜的总量为基准含有75质量％以上的导电性粒子。晶粒接合膜上的第一表面的表面粗糙度为1.0μm以下，且第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。且第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。且第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。


技术研发人员：小关裕太 中村祐树 山中大辅
受保护的技术使用者：昭和电工材料株式会社
技术研发日：2020.07.01
技术公布日：2022/2/6