非易失性存储器辐射效应测试方法、装置和计算机设备与流程

本申请涉及电子器件可靠性测试技术领域，特别是涉及一种非易失性存储器辐射效应测试方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

存储器是航天电子系统中的重要组成部件，担负着空间飞行器正常工作所需要的指令、代码及状态参数等各类数据的存储任务。空间飞行器上的存储器，运行于恶劣天然辐射环境中，因辐射引起的单粒子效应(Single Event Effects，SEE)和电离总剂量效应(Total Ionizing Dose，TID)，都将影响存储器的性能，进而威胁空间飞行器的安全运行。因此，有必要对存储器的辐射效应进行测试，以确定其抗辐射性能，为后续的抗辐射防护设计提供依据。

传统的存储器辐射效应测试方法，通常直接访问被测存储器，通过辐射前后被测存储器的存储数据变化，确定其抗辐射性能。然而，针对内置非易失性存储器的存储芯片，在对其内置的非易失性存储器进行辐射效应测试时，由于非易失性存储器不可直接访问，传统的存储器辐射效应测试方法并不适用。

因此，传统的存储器辐射效应测试方法，具有应用场景受限的缺点。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种非易失性存储器辐射效应测试方法、装置、计算机设备和存储介质，扩展存储器辐射效应测试方法的应用场景。

一种非易失性存储器辐射效应测试方法，应用于内置非易失性存储器的存储芯片，所述方法包括：

对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使所述被测芯片中的易失性存储器写入初始数据；

控制所述被测芯片断电，并等待预设时长，以使所述初始数据从所述易失性存储器自动写入非易失性存储器；

控制辐照装置以预设辐照参数，辐照所述非易失性存储器；

控制所述被测芯片上电，并等待设定时间，以使所述易失性存储器从所述非易失性存储器中读出反馈数据；

获取所述反馈数据，并根据所述反馈数据和所述初始数据，得到辐射效应测试结果并输出。

在其中一个实施例中，所述控制辐照装置以预设辐照参数，辐照所述非易失性存储器之前，还包括：

确定预设辐照参数。

在其中一个实施例中，所述确定预设辐照参数，包括：

控制辐照装置以初始辐照参数辐照非易失性存储器，并采集所述非易失性存储器的错误速率；

根据所述错误速率和预设错误速率阈值的大小关系，并结合所述初始辐照参数，确定预设辐照参数。

在其中一个实施例中，所述辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转；所述获取所述反馈数据，并根据所述反馈数据和所述初始数据，得到辐射效应测试结果并输出之后，还包括：

若发生了单粒子翻转，进行翻转信息记录。

在其中一个实施例中，所述获取所述反馈数据，并根据所述反馈数据和所述初始数据，得到辐射效应测试结果之后，还包括：

判断是否达到测试结束条件；

若是，结束测试；

若否，返回对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使所述被测芯片中的易失性存储器写入初始数据的步骤。

在其中一个实施例中，所述预设辐照参数包括预设辐照注量率和预设辐照时间，所述测试结束条件为累计注量达到预设注量值。

在其中一个实施例中，所述辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转，所述测试结束条件为单粒子翻转次数达到预设次数。

一种非易失性存储器辐射效应测试装置，应用于内置非易失性存储器的存储芯片，包括：

工作模式配置和初始数据写入模块，用于对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使所述被测芯片中的易失性存储器写入初始数据；

断电控制模块，用于控制所述被测芯片断电，并等待预设时长，以使所述初始数据从所述易失性存储器自动写入非易失性存储器；

辐照控制模块，用于控制辐照装置以预设辐照参数，辐照所述非易失性存储器；

上电控制模块，用于控制所述被测芯片上电，并等待设定时间，以使所述易失性存储器从所述非易失性存储器中读出反馈数据；

分析模块，用于获取所述反馈数据，并根据所述反馈数据和所述初始数据，得到辐射效应测试结果并输出。

在其中一个实施例中，非易失性存储器辐射效应测试装置，还包括辐照参数确定模块，用于确定预设辐照参数。

在其中一个实施例中，辐照参数确定模块包括：错误速率采集单元，用于控制辐照装置以初始辐照参数辐照非易失性存储器，并采集非易失性存储器的错误速率；辐照参数确定单元，用于根据错误速率和预设错误速率阈值的大小关系，并结合初始辐照参数，确定预设辐照参数。

在其中一个实施例中，辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转；非易失性存储器辐射效应测试装置，还包括：翻转信息记录模块，用于在发生了单粒子翻转的情况下，进行翻转信息记录。

在其中一个实施例中，非易失性存储器辐射效应测试装置，还包括：测试结束条件判断模块，用于判断是否达到测试结束条件。若是，结束测试；若否，返回对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使测芯片中的非易失性存储器写入初始数据的步骤。

在其中一个实施例中，预设辐照参数包括预设辐照注量率和预设辐照时间，测试结束条件为累计注量达到预设注量值。

在其中一个实施例中，辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转，测试结束条件为单粒子翻转次数达到预设次数。

一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的方法的步骤。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。

上述非易失性存储器辐射效应测试方法，无需直接访问非易失性存储器，而是利用内置非易失性存储器的存储芯片的性能，通过读取辐照前后被测芯片中易失性存储器的数据，得到非易失性存储器辐照前的初始数据和辐照后的反馈数据，进而得到非易失性存储器的辐射效应测试结果，有利于扩展存储器辐射效应测试方法的应用场景。

附图说明

图1为一实施例中非易失性存储器辐射效应测试方法的流程图；

图2为一实施例中被测芯片在自动存储模式下的电路原理图；

图3为另一实施例中非易失性存储器辐射效应测试方法的流程图；

图4为一实施例中确定预设辐照参数的流程图；

图5为又一实施例中非易失性存储器辐射效应测试方法的流程图；

图6为一实施例中非易失性存储器辐射效应测试装置的结构框图；

图7为另一实施例中非易失性存储器辐射效应测试装置的结构框图；

图8为一实施例中辐照参数确定模块的结构框图；

图9为一实施例中计算机设备的结构框图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。

内置非易失性存储器的存储芯片，通常采用易失性存储器 内置非易失性存储器的结构，其中，易失性存储器可以通过芯片接口进行读写。在对其内置的非易失性存储器进行辐射效应测试时，由于非易失性存储器不可直接访问，传统的存储器辐射效应测试方法并不适用。以NVSRAM(Non-volatile Static Random Access Memory，非易失性静态随机存取存储器)芯片为例，NVSRAM采用SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器) 内置非易失性存储器方式，可以实现无须后备电池的非易失性存储，芯片接口、时序等与标准SRAM完全兼容。NVSRAM通常的操作都在SRAM中进行，只有当外界突然断电或者认为需要存储的时候才会把数据存储到内置非易失性存储器中去，当检测到系统上电后会把内置非易失性存储器中的数据拷贝到SRAM中，系统正常运行。当NVSRAM应用于航天环境时，其内部SRAM和内置非易失性存储器均为辐射效应敏感模块，需进行辐射效应测试。但是，由于NVSRAM芯片的接口、时序等与标准SRAM兼容，导致其内置的非易失性存储器不可直接访问，给辐射效应测试带来困难。

基于此，本申请第一方面，提供了一种非易失性存储器辐射效应测试方法，应用于内置非易失性存储器的存储芯片，如图1所示，该方法包括步骤S200至步骤S600。

步骤S200：对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使被测芯片中的易失性存储器写入初始数据。

其中，易失性存储器的类型并不唯一，例如可以是SRAM或DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)。为便于理解，下面均以被测芯片为NVSRAM芯片，易失性存储器为SRAM的情况进行说明。

进一步的，被测芯片的工作模式，包括自动存储(AutoStore)模式、硬件存储模式和软件存储模式。当被测芯片工作于自动存储模式时，其电路结构如图2所示，电容C1的一端连接被测芯片U1的引脚Vcap，另一端连接被测芯片U1的引脚Vss；电容C2与电容C1并联；引脚Vss接地；引脚Vcap还通过电阻R1连接外部电源；引脚通过电阻R2连接外部电源；引脚和引脚Vcc均连接外部电源。被测芯片上电时，外部电源通过电阻R1给电容C1和电容C2充电。被测芯片掉电时，电容C1和电容C2作为储能电容，向芯片供电，被测芯片自动将易失性存储器中的数据保存到内置非易失性存储器中，并在芯片再次上电时自动读出。进一步的，初始数据的长度和具体内容并不唯一，可以根据被测芯片中易失性存储器和非易失性存储器的容量，以及辐射效应测试需要确定。例如，初始数据可以是55A型数据，也可以是全0型或全1型数据。

具体的，对被测芯片进行工作模式配置，使被测芯片工作于自动存储模式，以使被测芯片中的易失性存储器写入初始数据。进一步的，在一个实施例中，步骤S200之前，还包括：运行自检程序，逐一检查非易失性存储器辐射效应测试装置中各模块功能是否正常。

步骤S300：控制被测芯片断电，并等待预设时长，以使初始数据从易失性存储器自动写入非易失性存储器。

如前文所述，当被测芯片断电时，由储能电容向芯片供电，被测芯片自动将易失性存储器中的数据保存到内置非易失性存储器中。其中，初始数据从易失性存储器写入非易失性存储器，包括擦除之前易失性存储器中的内容，将当前易失性存储器中的初始数据写入非易失性存储器中。进一步的，预设时长并不唯一，根据初始数据的长度以及被测芯片的性能确定，例如预设时长可以是5S、6S或7S等。由于初始数据从易失性存储器写入非易失性存储器需要耗费一定的时间，控制被测芯片断电预设时长，可以确保初始数据完全写入非易失性存储器，避免因数据写入不完全影响辐射效应测试结果。

具体的，可以在被测芯片与外部电源之间配置连接开关，并通过控制连接开关断开使被测芯片断电；也可以通过控制外部电源停止供电，使被测芯片断电。

步骤S400：控制辐照装置以预设辐照参数，辐照非易失性存储器。

其中，辐照装置是包含高能重离子源和高能质子原，能模拟空间环境下，被测芯片所受地球磁场、宇宙射线等辐射的装置。预设辐照参数可以为辐照注量率、辐照时间以及辐照能量中的一种或多种，可以根据被测芯片在应用过程中所处的空间环境，以及被测芯片自身性能确定。辐照注量率是指单位面积、单位时间内的辐照粒子数。

具体的，控制辐照装置的工作参数，使辐照装置以预设辐照参数，辐照非易失性存储器。非易失性存储器被辐照后，可能发生单粒子效应。其中，单粒子效应是指具有一定能量的单个粒子(包括重离子、质子、中子等)在半导体器件中沉积能量，产生的电子-空穴对被收集后产生的效应，包括单粒子翻转、多位翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子栅穿、单粒子瞬态脉冲等。

进一步的，控制辐照装置辐照非易失性存储器的具体方法并不唯一。例如，在一个实施例中，控制辐照装置辐照整个被测芯片，以降低控制难度。具体的，基于易失性存储器自身特性，断电时，易失性存储器并不会因辐照而发生辐射效应，而辐射效应测试过程中，主要涉及的被测芯片中的硬件模块为易失性存储器和非易失性存储器，因此，即使辐照装置辐照整个被测芯片，易失性存储器并不会发生辐射效应，可以一定程度上保证测试结果的准确性。

在另外的实施例中，控制辐照装置以预设辐照参数，仅辐照非易失性存储器，以避免其他模块受辐照干扰，进一步提高测试结果的准确性。具体的，可以获取被测芯片中非易失性存储器的物理位置和版图，辐照时使粒子束流仅辐照非易失性存储器。若粒子束流的束斑较大，则可通过专用屏蔽结构实现辐照时易失性存储器和其它模块的遮挡，实现仅辐照非易失性存储器的目的。进一步的，获取非易失性存储器物理位置和版图的方法并不唯一，例如可以直接从器件生产商提供的信息中提取，或者，通过反向工程或X射线无损成像得到。

步骤S500：控制被测芯片上电，并等待设定时间，以使易失性存储器从非易失性存储器中读出反馈数据。

如前文所述，当被测芯片重新上电时，被测芯片中的易失性存储器自动将非易失性存储器中的数据读出，即为初始数据对应的反馈数据。其中，初始数据从非易失性存储器读出至易失性存储器，包括擦除之前易失性存储器中的内容，将当前非易失性存储器中的反馈数据拷贝至易失性存储器中。进一步的，设定时间并不唯一，同一可以根据初始数据的长度以及被测芯片的性能确定，例如预设时长可以是5S、6S或7S等。由于反馈数据从非易失性存储器写入易失性存储器需要耗费一定的时间，在被测芯片重新上电后等待设定时间，可以确保反馈数据完全写入易失性存储器，避免因数据写入不完全影响辐射效应测试结果。

同样的，可以在被测芯片与外部电源之间配置连接开关，并通过控制连接开关闭合使被测芯片上电；也可以通过控制外部电源重新开始供电，使被测芯片上电。

步骤S600：获取反馈数据，并根据反馈数据和初始数据，得到辐射效应测试结果并输出。

其中，辐射效应引起的存储器异常包括单粒子翻转和单粒子功能中断等。对应的，测试结果包括是否发生了单粒子翻转、是否发生了单粒子功能中断。

具体的，可以通过获取反馈数据，根据反馈数据和初始数据，对反馈数据和初始数据进行比对，并根据比对结果得到辐射效应测试结果：当反馈数据与初始数据长度相同，且出现初始数据中的“0”跳变成反馈数据中的“1”，或初始数据中的“1”跳变成反馈数据中的“0”的情况时，判断被测芯片中的非易失性存储器出现了单粒子翻转；当反馈数据不完整时，判断被测芯片中的非易失性存储器可能出现了单粒子功能中断效应；在反馈数据为空的情况下，说明易失性存储器无法从非易失性存储器中读出反馈数据，非易失性存储器可能已经损坏，此时同样判断被测芯片中的非易失性存储器出现了单粒子功能中断效应。

进一步的，辐射效应测试结果的输出对象，可以是显示装置、移动终端或上位机；辐射效应测试结果的输出方式，可以是文字、图片或图文结合。总之，本申请对辐射效应测试结果的输出对象和输出对象均不作限定。

上述非易失性存储器辐射效应测试方法，无需直接访问非易失性存储器，而是利用内置非易失性存储器的存储芯片的性能，通过读取辐照前后被测芯片中易失性存储器的数据，得到非易失性存储器辐照前的初始数据和辐照后的反馈数据，进而得到非易失性存储器的辐射效应测试结果，有利于扩展存储器辐射效应测试方法的应用场景。

在一个实施例中，如图3所示，步骤S400之前，还包括步骤S100：确定预设辐照参数。其中，步骤S100可以在步骤S200之前或之后进行，同样的，步骤S100也可以在步骤S300之前或之后进行。具体的，预设辐照参数可以为辐照注量率、辐照时间以及辐照能量中的一种或多种，可以根据被测芯片在应用过程中所处的空间环境，以及被测芯片自身性能确定。例如，可以根据被测芯片在应用过程中所处的空间环境，模拟该特定空间环境下的辐照情况，得到对应辐照参数，作为预设辐照参数；也可以根据被测芯片自身半导体器件的性能参数，在确保不会出现器件失效的前提下，得到边界辐照参数，作为预设辐照参数。

进一步的，针对同一型号的不同被测芯片，可以使用相同的预设辐照参数。即可以根据历史测试数据，建立芯片型号和预设辐照参数的对应关系，在后续测试过程中，仅需根据被测芯片型号，以及芯片型号和预设辐照参数的对应关系，确定预设辐照参数。

在一个实施例中，如图4所示，步骤S100包括步骤S110和步骤S120。

步骤S110：控制辐照装置以初始辐照参数辐照非易失性存储器，并采集非易失性存储器的错误速率。

其中，非易失性存储器的错误速率，是指非易失性存储器在一定工作条件下，单位时间内发生错误的数量，单位为errors/s。初始辐照参数与预设辐照参数对应，可以为辐照注量率、辐照时间以及辐照能量中的一种或多种。具体的，控制辐照装置以初始辐照参数辐照非易失性存储器，并采集辐照下非易失性存储器的错误速率。

进一步的，在一个实施例中，初始辐照参数为初始辐照注量率，步骤S110包括：控制辐照装置以初始辐照注量率辐照非易失性存储器，并采集非易失性存储器的错误速率。

步骤S120：根据错误速率和预设错误速率阈值的大小关系，并结合初始辐照参数，确定预设辐照参数。

其中，预设错误速率阈值可以是一个具体数值，也可以是包含上下限的阈值范围，由测试人员根据被测芯片的具体类型确定。例如，预设错误速率阈值可以是0.1errors/s～1errors/s，也可以是小于1errors/s。

具体的，根据单粒子效应的原理，辐照越强，被辐照对象的错误速率越大。基于此，可以建立错误速率变化量与辐照参数变化量的对应关系，并根据当前错误速率与预设错误速率阈值的差值，对应调整初始辐照参数，得到预设辐照参数。进一步的，当前错误速率与预设错误速率阈值的差值，是指当前错误速率与预设错误速率阈值、或当前错误速率与预设错误速率阈值上下限的差值。需要说明的是，若初始辐照参数下非易失性存储器的错误速率在预设错误速率阈值范围内，则可直接将初始辐照参数作为预设辐照参数。

可以理解，预设辐照参数的确定过程，相当于对被测芯片进行辐射效应预测试，具体过程为：对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使被测芯片工作于自动存储模式，被测芯片中的易失性存储器写入初始数据；再控制被测芯片断电，并等待预设时长，以使初始数据从易失性存储器写入非易失性存储器；接着控制辐照装置以初始辐照参数，辐照非易失性存储器；控制被测芯片上电，以使易失性存储器从非易失性存储器中读出反馈数据；再获取读出的反馈数据，并将该反馈数据与写入的初始数据进行比对，计算错误速率；最后，再根据错误速率和预设错误速率阈值，确定预设辐照参数。

上述实施例中，即是给出了预设辐照参数的具体确定方式，有利于提高非易失性存储器辐射效应测试方法的准确性。

在一个实施例中，辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转。如图3所示，步骤S600之后，还包括步骤S700：若发生了单粒子翻转，进行翻转信息记录。

其中，单粒子翻转是指单个高能粒子射入半导体器件灵敏区，使器件逻辑状态翻转的现象。就非易失性存储器而言，发生单粒子翻转的表现为：原来存储的“0”变为“1”，或者“1”变为“0”。具体的，若发生了单粒子翻转，则进行翻转次数、翻转地址、翻转数据、翻转时间等翻转信息的记录，以便后续分析和处理。

在一个实施例中，请继续参考图3，步骤S600之后，还包括步骤S800：判断是否达到测试结束条件。其中，步骤S800可以在步骤S700之前、之后或与步骤S700同时进行。具体的，若达到测试结束条件，则结束测试；否则，返回步骤S200，进行下一次的重复测试。

可以理解，测试结束条件的内容并不唯一，例如可以是重复测试次数达到预设值，或者非易失性存储器的温度达到预设温度。

在一个实施例中，预设辐照参数包括预设辐照注量率和预设辐照时间，测试结束条件为累计注量达到预设注量值。可以理解，注量是指指单位面积内的总粒子数，是辐射注量率与辐射时间的乘积。如前文所述，对于不同器件，存在一个与之对应的边界注量，当注量达到这一边界注量时，会导致器件失效。基于此，设置预设注量值小于边界注量，并将累计注量达到预设注量值作为测试结束条件。

在另一个实施例中，辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转，测试结束条件为单粒子翻转次数达到预设次数。如前文所述，单粒子翻转是单个高能粒子射入半导体器件灵敏区引起的，因此，单粒子翻转次数一定程度上可以反应辐射对器件的影响程度，而这一影响具有累积效果，累计翻转次数越多，影响程度越大。具体的，若非易失性存储器发生了单粒子翻转，则进行翻转计数，直至单粒子翻转次数达到预设次数，结束测试。

进一步的，在又一实施例中，预设辐照参数包括预设辐照注量率和预设辐照时间，辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转，测试结束条件包括累计注量达到预设注量值和单粒子翻转次数达到预设次数，且以先达到的条件为准。

上述实施例中，进行多次重复测试，并对测试结束条件进行了限定，有利于提高非易失性存储器辐射效应测试方法的科学性和测试结果的准确性。

为便于理解，下面结合图5对非易失性存储器辐射效应测试的具体过程进行详细说明。如图5所示，首先运行测试系统，并检测被测芯片和运行系统各模块的功能是否正常。在被测芯片和运行系统各模块的功能正常的前提下，以错误速率低于1errors/s为依据，确定预设辐照注量率和预设辐照时间。进行初始化配置，使被测芯片工作于自动存储模式，将被测芯片中的SRAM存储区写入初始数据55A。断电等待5秒，自动存储模式下，由储能电容向芯片供电，需要一定时间使其将SRAM数据完全写入非易失性存储器。以预设辐照注量率辐照非易失性存储器，预设辐照时间后，非易失性存储器的辐照注量达到指定注量(指定注量为预设辐照注量率和预设辐照时间的乘积)。重新上电，进行读比操作，读取非易失性存储器中的反馈数据，并将反馈数据与初始数据进行比对，判断是否发生SEU(Single Event Upset，单粒子翻转)。当发生单粒子翻转时，记录翻转次数、翻转地址、翻转数据、翻转时间等详细信息。再返回初始化配置的步骤，直至注量达到预定值或翻转计数达到100个(以先到为准)，结束测试，并输出最终的非易失性存储器辐射效应测试结果。

应该理解的是，虽然上述实施例中涉及的各流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，上述实施例中涉及的各流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

本申请第二方面，如图6所示，提供了一种非易失性存储器辐射效应测试装置，包括：工作模式配置和初始数据写入模块200，用于对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使被测芯片中的非易失性存储器写入初始数据；断电控制模块300，用于控制被测芯片断电，并等待预设时长，以使初始数据从易失性存储器自动写入非易失性存储器；辐照控制模块400，用于控制辐照装置以预设辐照参数，辐照非易失性存储器；上电控制模块500，用于控制被测芯片上电，并等待设定时间，以使易失性存储器从非易失性存储器中读出反馈数据；分析模块600，用于获取反馈数据，并根据反馈数据和初始数据，得到辐射效应测试结果并输出。

在一个实施例中，如图7所示，非易失性存储器辐射效应测试装置，还包括辐照参数确定模块100，用于确定预设辐照参数。

在一个实施例中，如图8所示，辐照参数确定模块100包括：错误速率采集单元110，用于控制辐照装置以初始辐照参数辐照非易失性存储器，并采集非易失性存储器的错误速率；辐照参数确定单元120，用于根据错误速率和预设错误速率阈值的大小关系，并结合初始辐照参数，确定预设辐照参数。

在一个实施例中，辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转；请继续参考图7，非易失性存储器辐射效应测试装置，还包括：翻转信息记录模块700，用于在发生了单粒子翻转的情况下，进行翻转信息记录。

在一个实施例中，请继续参考图7，非易失性存储器辐射效应测试装置，还包括：测试结束条件判断模块800，用于判断是否达到测试结束条件。若是，结束测试；若否，返回对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使测芯片中的易失性存储器写入初始数据的步骤。

在一个实施例中，预设辐照参数包括预设辐照注量率和预设辐照时间，测试结束条件为累计注量达到预设注量值。

在一个实施例中，辐射效应测试结果包括是否发生了单粒子翻转，测试结束条件为单粒子翻转次数达到预设次数。

关于非易失性存储器辐射效应测试装置的具体限定可以参见上文中对于伺服系统寿命试验方法的限定，在此不再赘述。上述非易失性存储器辐射效应测试装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

本申请第三方面，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图9所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、运营商网络、NFC(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种伺服系统寿命试验方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

本领域技术人员可以理解，图9中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上该实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。