用于高通量电子束设备的散热消隐系统的制作方法

用于高通量电子束设备的散热消隐系统
1.分案申请的相关信息
2.本技术是申请日为2017年1月5日，申请号为“201780005788.7”，发明名称为“用于高通量电子束设备的散热消隐系统”的发明专利申请的分案申请。
3.相关申请案的交叉参考
4.本技术案主张2016年1月9日申请且授予美国申请号62/276,824的临时专利申请案的优先权，所述专利申请案的全文以引用的方式并入本文中。
技术领域
5.本发明涉及一种电子束设备。


背景技术：

6.晶片检验及计量系统通过检测发生于制造过程期间的缺陷来帮助半导体制造商提高及维持集成电路(ic)芯片良率。检验及计量系统的目的是监测制造过程是否符合规范。如果制造过程超出确立准则的范围，那么检验及计量系统可指示问题及/或问题的来源，半导体制造商接着可解决所述问题。
7.半导体制造业的演进对良率管理提出越来越高要求且尤其对计量及检验系统提出越来越高要求。临界尺寸不断缩小，同时晶片尺寸不断增大。经济效益驱使产业减少实现高良率高价值生产的时间。因此，最小化从检测良率问题到修复所述问题的总时间决定半导体制造商的投资回报率。
8.电子束系统用于晶片检验及计量。在操作期间，电子束系统可使连续电子束静电偏转远离光轴且因此“导通”及“阻断”电子束。此过程通常称为“消隐”。消隐通常比停止及启动电子束快。电子束消隐可为用于(例如)光刻、测试、计量及检验的电子束系统中的所需功能。
9.消隐系统通常使高功率电子束偏转到孔径光阑上以消隐电子束且防止电子束到达晶片。高密度电子束在孔径光阑处耗散成大量窄分布热量。孔径光阑上的这些强烈热量引起许多问题，其包含使孔径或孔径光阑扭曲、损坏孔径或孔径光阑或烧伤孔径光阑。伴随孔径光阑所发生的热量也可使孔径移位且引起成形电子束的拼接暴露图案的尺寸误差。
10.半导体制造商要求增大集成密度及装置接近度。用于满足这些要求的有效及直接方法是使用较高电子束电流及较高电子束能量。然而，这方法导致严重问题。聚焦电子束装置中的每平方厘米1百万瓦特功率密度会在消隐期间损坏孔径或孔径光阑或会在消隐期间烧伤孔径光阑。成形电子束装置中的每平方厘米1千瓦特功率密度可归因于孔径或孔径光阑的热膨胀效应而引起暴露的图案拼接误差。当(例如)子图案无法以足以满足电子束光刻要求的精确度拼接在一起时可发生图案拼接误差，其可导致集成电路故障。孔径或孔径光阑的扭曲、移位、倾斜、膨胀或其它形状变化增大图案拼接误差的可能性。
11.图1是具有消隐偏转器板202的孔径光阑201的平面图。-x轴及-y轴中的偏转器板可接地，因此，一对单极消隐电压(或电流)施加于 x轴及 y轴中的偏转器板202上。在图1
中，聚焦电子束在孔径平面中从中心0偏转到位置a。使具有百万瓦特功率密度的聚焦电子束停驻于图1中的孔径光阑201的位置a处会局部损坏及甚至烧伤孔径光阑201。孔径光阑201也可归因于由不均匀加热及/或温度分布所导致的拉伸应力而横向移位。为减少图1中的位置a处的局部热量，消隐系统电压vx及vy可用于使电子束以任何极角θ从b到b'来回扫描，但热量分布仍围绕孔径非旋转对称。孔径光阑201的缘边仍会被移位、扭曲或损坏。
12.因此，需要改进的电子束设备及消隐技术。


技术实现要素：

13.在第一实施例中，提供一种电子束设备。所述电子束设备包括：孔径光阑，其定义投射电子束穿过的孔径；透镜，其经配置以使所述电子束朝向所述孔径聚焦；偏转器，其经配置以使所述电子束偏转到所述孔径光阑上；及多个电力供应模块。所述偏转器包含多个板。所述电力供应模块经配置以偏置所述板，使得所述电子束以围绕整个孔径的图案导引到所述孔径光阑处。
14.在实例中，所述偏转器包含至少八个板。在另一实例中，所述偏转器包含四个板且所述电子束设备包含四个电力供应模块。
15.所述电子束设备可包含经配置以将晶片保持于所述电子束的路径中的载物台。
16.根据技术方案1所述的电子束设备，其中所述电子束的焦点与所述孔径的中心相距某一距离。
17.所述透镜可为电子枪透镜且所述电子束设备可包含定义电子束限制孔径的板、聚光透镜及物镜。
18.所述电力供应模块可经配置以偏置所述板，使得所述电子束被导引到所述孔径光阑处且围绕所述孔径被连续扫描。
19.在第二实施例中，提供一种方法。所述方法包括：导引电子束穿过孔径。所述孔径由孔径光阑定义。包含多个板的偏转器安置于所述孔径光阑周围。使所述偏转器中的所述板中的至少一者偏置。使用所述偏转器来使所述电子束偏转，使得所述电子束以围绕整个孔径的图案导引到所述孔径光阑处。所述图案可为圆形、正方形或多边形。所述图案可具有相对于所述孔径的可变轨迹，其具有呈圆形、正方形或多边形的图案。
20.在第三实施例中，提供一种电子束设备。所述电子束设备包括：孔径光阑，其定义投射电子束穿过的孔径；透镜，其经配置以使所述电子束朝向所述孔径聚焦；偏转器，其经配置以使所述电子束偏转到所述孔径光阑上；多个电力供应模块，其连接到板；及控制器，其经编程以控制对所述板中的至少一者的偏置，借此所述电子束以围绕整个孔径的图案导引到所述孔径光阑处。所述偏转器包含多个板。
21.所述控制器可经进一步编程以控制所述电力供应模块的电压偏置所述板中的至少一者。
22.所述控制器可经进一步编程以沿圆形、正方形或多边形导引所述电子束。
23.所述控制器可经进一步编程以导引电子束具有相对于所述孔径的可变轨迹。
24.在实例中，所述偏器包含至少八个板。在另一实例中，所述偏转器包含四个板且所述电子束设备包含四个电力供应模块。
25.所述电子束设备可包含经配置以将晶片保持于所述电子束的路径中的载物台。
26.所述电力供应模块可经配置以偏置所述板，使得所述电子束被导引到所述孔径光阑处且围绕所述孔径被连续扫描。
附图说明
27.为更完全理解本发明的本质及目的，应参考结合附图的以下详细描述，其中：
28.图1是具有消隐偏转器板的孔径光阑的平面图；
29.图2是具有消隐系统的电子束设备中的光学器件的横截面图；
30.图3是展示具有圆形电子轨迹的单极消隐方法的孔径光阑的平面图；
31.图4是展示用于图3的圆形电子轨迹的消隐偏转器电压信号的图表；
32.图5是展示具有正方形电子轨迹的单极消隐方法的孔径光阑的平面图；
33.图6是展示用于图5的正方形电子轨迹的消隐偏转器电压信号的图表；
34.图7是根据本发明的实施例的用于控制单极快速消隐的功能元件的框图；
35.图8是展示根据本发明的实施例的消隐系统驱动电子设备的图式；
36.图9是展示具有多边形电子轨迹的单极消隐方法的孔径光阑的平面图；
37.图10是展示用于图9的多边形电子轨迹的消隐偏转器电压信号的图表；
38.图11是展示具有可变轨迹的单极消隐方法的孔径光阑的平面图；
39.图12展示电子束功率消散到块状材料中之后的温度分布的模型，其中t0是饱和温度且a是电子束的半径；及
40.图13是展示根据本发明的实施例的流程图。
具体实施方式
41.尽管将根据某些实施例来描述所主张的标的物，但其它实施例(其包含未提供本文中所阐述的全部益处及特征的实施例)也在本发明的范围内。可在不背离本发明的范围的情况下作出各种结构、逻辑、过程步骤及电子改变。因此，仅通过参考所附权利要求书来定义本发明的范围。
42.本文中所揭示的实施例提供散热消隐系统，其使用电子束设备中的圆形、正方形或多边形消隐技术来解决上述问题。这些技术可为对称的或可使用对称图案。本文中所揭示的实施例提供由将高功率热量消散到孔径光阑上所导致的消隐问题的解决方案。可即时且均匀地散开孔径光阑上的散热。可提高通量且可改进电子束设备(聚焦电子束或成形电子束)的分辨率。可随着电子束电流或电子束能量增大而提高通量或分辨率，这是因为在消隐期间对孔径的损坏风险被减小或消除。本文中所揭示的实施例可易于实施于现有系统中。
43.图2是具有消隐系统的电子束设备100中的光学器件的横截面图。透镜(例如电子枪透镜102)使来自电子源101的发射尖端的电子束103朝向孔径光阑104周围的交叉点聚焦。最大电子束电流受电子束限制孔径105限制，且通过改变电子枪透镜102的聚焦强度来由孔径光阑104进一步选择到达目标(例如半导体晶片106)的最终电子束电流。聚光透镜107及物镜108的聚焦强度可经优化以选择最佳数值孔径(na)，在所述最佳数值孔径(na)下，目标处的电子束103光点大小最小化而达到最高分辨率。当应阻止电子束到达目标(例如晶片106)时，消隐偏转器109使电子束103偏转到孔径光阑104上。
44.如本文中所使用，术语“晶片”一般是指由半导体或非半导体材料形成的衬底。半导体或非半导体材料的实例包含(但不限于)单晶硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、蓝宝石及玻璃。所述衬底可常见于半导体制造设施中及/或在半导体制造设施中进行处理。
45.晶片可包含形成于衬底上的一或多个层。例如，所述层可包含(但不限于)光致抗蚀剂、电介质材料、导电材料及半导电材料。此项技术中已知许多不同类型的层，且如本文中所使用，术语“晶片”希望涵盖包含全部类型的层的晶片。
46.形成于晶片上的一或多个层可经图案化或未经图案化。例如，晶片可包含多个晶粒，其各自具有可重复图案化特征或周期性结构。所述材料层的形成及处理最终可产生完成装置。许多不同类型的装置可形成于晶片上，且如本文中所使用，术语“晶片”希望涵盖其上制造此项技术中已知的任何类型的装置的晶片。
47.孔径光阑104的材料可经选择以进一步减弱消隐的效应。例如，孔径光阑104的材料可为耐燃的，可具有高熔融温度，或可经选择以减少移位或扭曲。在实例中，孔径光阑104包含钼或钼化合物。在另一实例中，孔径光阑104由钼或钼化合物组成或基本上由钼或钼化合物组成。孔径光阑104可具有(例如)孔径，其具有用于聚焦电子束的从10μm到100μm的直径。孔径光阑104还可具有正方形孔径，其具有用于成形电子束的(例如)一或数微米的尺度的边长。
48.尽管图2中展示为横截面，但消隐偏转器109中可存在多个板。在实例中，消隐偏转器109中存在围绕孔径光阑104布置的四个板。消隐偏转器109中可具有四个以上板。在另一实例中，消隐偏转器109中存在以类似于图3中所说明的四个板的方式围绕孔径光阑104布置的八个或八个以上板。在又一实例中，消隐偏转器109中存在以类似于图3中所说明的四个板的方式围绕孔径光阑104布置的十二个或十二个以上板。四个以上板可提供更均质偏转场，但四个板可提供所要性能。
49.消隐偏转器109中的每一板连接到电力供应器110。每一板可具有个别电力供应器或板中的两者或两者以上可连接到同一电力供应器。在实例中，全部板连接到同一电力供应器。
50.电子束设备100与控制器111通信。例如，控制器111可与电子束设备100的消隐偏转器109、电力供应器110或其它组件通信。控制器111可包含处理器112、与处理器112电子通信的存储装置113及与处理器112电子通信的通信端口114。应了解，控制器111实际上可由硬件、软件及固件的任何组合实施。此外，如本文中所描述，其功能可由一个单元执行或在不同组件中分配，所述组件中的每一者又可由硬件、软件及固件的任何组合实施。使控制器111实施本文中所描述的各种方法及功能的程序代码或指令可存储于控制器可读存储媒体(例如存储装置113的存储器)中，所述控制器可读存储媒体可在控制器111内、在控制器111外，或其组合。控制器111可以任何适合方式(例如，经由一或多个传输介质，其可包含“有线”及/或“无线”传输介质)耦合到电子束设备100的组件，使得控制器111可接收由电子束设备100的这些组件产生的输出。
51.控制器111可控制电子束103的图案。例如，控制器111可执行图13的步骤或控制电子束具有图3、5、9或11的图案。控制器111还可执行本文中所揭示的其它步骤或技术。
52.本文中所描述的控制器111、(若干)其它系统或(若干)其它子系统可采用各种形式，其包含个人计算机系统、图像计算机、大型主计算机系统、工作站、网络设备、因特网设
备或其它装置。一般来说，术语“控制器”可经广义定义以涵盖具有一或多个处理器(其执行来自存储器媒体的指令)的任何设备。(若干)子系统或(若干)系统也可包含此项技术中已知的任何适合处理器，例如并行处理器。另外，(若干)子系统或(若干)系统可包含具有高速处理及软件的平台作为独立或联网工具。
53.如果系统包含一个以上子系统，那么不同子系统可彼此耦合，使得图像、数据、信息、指令等等可在子系统之间发送。例如，子系统可通过任何适合传输介质(其可包含此项技术中已知的任何适合有线及/或无线传输介质)来耦合到(若干)额外子系统。所述子系统中的两者或两者以上也可通过共享计算机可读存储媒体(图中未展示)来有效耦合。
54.额外实施例涉及非暂时性计算机可读媒体，其存储可在控制器上执行以用于控制电子束103的图案的程序指令，如本文中所揭示。特定来说，如图2中所展示，存储装置113或其它存储媒体可含有非暂时性计算机可读媒体，其包含可在控制器111上执行的程序指令。计算机实施方法可包含本文中所描述的任何(若干)方法的任何(若干)步骤。
55.可以各种方式(其尤其包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术)中的任何者实施程序指令。例如，可根据期望使用activex控件、c 对象、javabeans、微软基础类别(“mfc”)、sse(数据流simd扩展)或其它技术或方法来实施程序指令。
56.可根据本文中所描述的实施例中的任何者来配置控制器111。在实例中，处理器112经编程以执行本文中所描述的方法中的任何者。
57.电子束103的能量可高达30kv且电子束103的电流可高达100na。交叉点中的功率密度可由方程式1计算。
58.q＝(be
×
bc)/(0.25πd2)方程式1
59.在方程式1中，be是电子束能量，bc是电子束电流，且d是电子束光点的直径。例如，150nm电子束光点内的平均功率密度是17mw/cm2。
60.在选择最高电子束电流时，图2中的孔径周围的电子束103的交叉点尺寸可在从亚微米级到微米级的范围内。例如，在孔径校准的操作中，电子束103可聚焦于孔径平面中且扫描孔径边缘。孔径平面中的聚焦光点尺寸可为约0.1微米或甚至更小。在此情况中，交叉点内的功率密度大于每平方厘米20兆瓦特。
61.可期望在消隐期间避免停止电子束103偏转，停止电子束103偏转会集中电子束且可损坏消隐孔径结构。因此，使电子束103在孔径光阑104的孔径周围保持运动以对称地扩散热量。电子束103的消隐偏转图案可为围绕孔径对称安置的闭合几何图形。具有对称图案的移动轨迹可提供最佳散热且最易于控制，但其它图案配置是可行的。除防止损坏孔径光阑104之外，这也可有助于提供足够通量。
62.使用本文中所揭示的实施例，消隐过程可发生于(例如)5ns到10ns内。在消隐期间，可期望在从电子束103开始消隐的时间到电子束103被消隐的时间使少于10个电子穿过孔径光阑104的孔径。其它速度及阈值也是可行的。
63.损坏孔径光阑会减小电子束相对于孔径内孔的边缘的停驻接近度(即，更远离孔径)。然而，此会增加消隐时间或增大消隐电压。可针对特定应用来优化电子束在消隐期间从孔径移动的距离、消隐时间及/或消隐电压。
64.图3是展示具有圆形电子轨迹的单极消隐方法的孔径光阑104的平面图。在电子束从孔径115中的位置0偏转到孔径光阑104上的位置a之后，电子束沿圆形轨迹a-b-c-d-a连
续扫描，使得散热及温度分布围绕孔径115旋转对称。因此，归因于功率耗散的热拉伸应力被对称消除且孔径移位及扭曲因此被减少或消除。
65.聚焦电子束的圆形电子轨迹使热量旋转对称扩散，其与孔径形状一致以避免孔径的扭曲。使用相对于圆形孔径旋转对称的圆形轨迹可减小温度差。可减少或可忽略对孔径光阑104的任何损坏。
66.尽管图3中说明为圆形，但两个或两个以上正方形孔径可用于形成成形电子束投射设备中的成形电子束。在数百平方微米的区域上方，用于高通量的成形电子束的功率密度在每平方厘米数千瓦特的范围内。正方形孔径的尺寸稳定性可能是非常重要的，这是因为孔径移位误差可直接导致(例如)电子束光刻设备中的暴露图案的拼接问题。可能的拼接误差应不大于约数百纳米的最小特征尺寸。然而，如果孔径光阑上的散热未即时扩散，那么归因于一千瓦特级功率密度电子束的热拉伸应力的孔径移位可高达亚微米级。圆形电子轨迹可与正方形孔径一起使用。
67.图4展示用于图3中的圆形电子轨迹中的消隐电压信号。更精确来说，方程式2、3及4中给出施加于图3中的消隐系统偏转器板上的电压。
[0068][0069][0070][0071]
vx(t)及vy(t)分别是用于图3中的x轴偏转器板及y轴偏转器板的消隐偏转电压信号，且t是时间变量。am是峰值偏转电压，在所述峰值偏转电压下，电子束能够从中心0偏转到位置a。如果与从100μs到1,000μs的周期t比较，那么从中心0到位置a的偏转经历方程式4的a(t)中所反映的时间(例如约3τ或约30ns)。
[0072]
方程式2及3中的时间周期t可经选择使得孔径光阑上的热量被旋转均质分布。可最小化t，同时提供所要热量分布。方程式4中的时间常数τ可经选择使得电子束可经快速偏转及/或从中心0消隐到位置a。可最小化时间常数τ，同时提供所要偏转/消隐。时间常数τ可为约10纳秒，使得仅数个电子可到达目标。时间常数τ可远短于时间周期t。例如，为消隐电子束，τ可为10ns且t可为100ns到1,000μs。
[0073]
在实例中，图4中的周期t可为毫秒级或亚毫秒级(即，每秒约1,000转到约10,000转)。周期t的选择允许热量充分且均质扩散。
[0074]
在成形电子束设备中，孔径116的内孔可为正方形，如图5中所展示。为在对称消散及扩散热量时与孔径116的形状一致，可在消隐偏转期间使用闭合正方形电子轨迹。在电子束从孔径116中的位置0偏转到孔径光阑104上的位置a之后，电子束沿正方形轨迹a-b-c-d-e-f-g-h-a连续扫描，使得散热及温度分布围绕孔径116旋转对称。正方形图案可匹配孔径116的形状。图5展示具有正方形电子轨迹的单极消隐方法且图6展示施加于用于正方形电子轨迹的消隐偏转器板上的电压信号。
[0075]
成形电子束的正方形电子轨迹将使热量对称扩散，其与孔径形状一致以避免拼接暴露图案的尺寸误差。正方形电子轨迹可引起拐角处或拐角附近的热点。然而，可管理这些
热点，同时减小对孔径光阑的损坏。例如，即使存在热点，但对称图案仍可防止孔径光阑104的不平衡加热。在针对正方形孔径系统的正方形轨迹的实例中，轨迹与孔径缘边之间的距离可保持恒定。在针对正方形孔径系统的圆形轨迹的另一实例中，距离是旋转变动的，且距离在正方形孔径的拐角处最短。
[0076]
图7展示用于控制具有圆形电子轨迹的单极消隐的实例功能元件的示意框图。如图7中所见，元件包含控制四个电力供应模块406到409的四个数/模转换器(dac)402到405。现场可编程门阵列(fpga)401可以足以定义慢正弦波的速率产生dac数据。fpga401可产生dac数据来定义(例如)四个正交正弦波。dac 402到405各自可产生0伏特到 10伏特的控制电压。相位1到相位4的输出电压可为(例如)0伏特到 200伏特。可根据需要选择 200伏特的任意电压电平。类似系统可与正方形电子图案或具有其它形状的电子图案一起使用。
[0077]
图8是展示消隐系统驱动电子器件的图式。电子器件包含四通道切换驱动器。四个栅极驱动器501到504(其可经光耦合)连接到四个栅极505到508。栅极505到508连接到偏转器109中的板。偏转器109中的每一板可连接到单独栅极。低输出电平可总是为接地(例如0伏特)。可存在四个不同高输出电平来消隐电子束。偏转器109的板中的全部输出可与尽可能最快回转同时切换。输出可为慢正弦波且可为dac控制电力供应。输出可呈0
°
、90
°
、180
°
、270
°
相位关系。未消隐信号可在任何时间双态触发且未消隐是逻辑级控制信号。输出可在未被消隐时暂停，且在被消隐时恢复慢正弦波。
[0078]
根据本文中所描述的实施例，闭合二维多边形轨迹可围绕孔径115均匀散热。圆形电子轨迹可被视为多边形边数无限大的特定多边形状。具有4个、6个、8个、12个、16个或16个以上边的多边形是可行的。在电子束从孔径115中的位置0偏转到孔径光阑104上的位置a之后，电子束沿多边形轨迹a-b-c-d-e-f-g-h-i-a中连续扫描，使得散热及温度分布围绕孔径115旋转对称。例如，图9及图10展示具有八边形轨迹的单极消隐方法，我们可从此发现：当多边形边数相对较大时，电子轨迹及电压信号波形两者接近于圆形消隐性质。
[0079]
多边形电子轨迹(通常为八边形轨迹)以电子束的任何组合将热量扩散到孔径光阑上。多边形电子轨迹可引起拐角处或拐角附近的热点。然而，可管理这些热点，同时减少对孔径光阑的损坏。例如，即使存在热点，但对称图案可防止孔径光阑104的不平衡加热。
[0080]
为将窄热环扩散到孔径光阑104上的较宽区域，可执行轨迹可变消隐方法。此说明于图11中。在轨迹可变消隐中，可将具有约为图4中的vx(t)及vy(t)时间周期t两倍大的时间周期的两个方波信号叠加在一起。在轨迹可变消隐方法中，电子轨迹以abcda、a'b'c'd'a'、abcda、a"b"c"d"a"、abcda的周期性方式进行。如图11中所见，a"b"c"d"a"介于abcda与孔径115之间。a'b'c'd'a'比abcda或a"b"c"d"a"更远离孔径115。除abcda、a'b'c'd'a'及a"b"c"d"a"之外，与孔径115相距各种距离的额外图案是可行的。
[0081]
轨迹可变消隐方法与以下理念一致地将热量扩散到较宽区域中：即使将闭合电子轨迹应用于消隐中且局部存在过热风险，但电子功率消散热量基本上沿窄分布环耗散。
[0082]
尽管图11中说明圆形图案，但轨迹可变方法可与其它形状(例如正方形或多边形)一起使用。
[0083]
如上文所描述，在图2的聚焦电子束设备中，孔径平面中的交叉光点尺寸可为较小的。因此，高密度功率可耗散于孔径光阑的窄区域中，如图12中所展示。基于电子与材料之间的相互作用，图12中模型化及模拟电子束电热转化。电子束散热温度t主要分布于2a或4a
内的窄区域中(“a”是亚微米级的交叉光点半径)。即使以圆形轨迹(或正方形轨迹)的方式消隐电子束，但热量仍分布于窄圆形(或正方形)环中。
[0084]
在图12的温度模型中，在电子束的4a(即，电子束光点大小的2倍，其中a是电子束光点的半径)外的区域中，饱和温度下降75％以上。因此，轨迹a"与a之间的间隙距离或轨迹a与a'之间的间隙距离可至少大于10a。如果消隐电子束聚焦成具有高功率密度，那么光点半径是(例如)75nm，因此间隙距离可被设置成高达大于100a(即，大于7.5μm)。在一些实施例中，间隙距离可经配置以避免高偏转电压。
[0085]
提供本文中所描述的益处的电子束的其它图案是可行的。因此，消隐期间的电子束的图案不限于为圆形、正方形或多边形。例如，可产生数学旋轮曲线(例如长短幅内摆线、短外摆线、摆线、外摆线、内摆线或次摆线)。
[0086]
图13是电子束消隐实施例的流程图。导引300电子束穿过孔径。偏置301偏转器中的至少一板。电子束经偏转302使得电子束以某个图案导引到孔径光阑处。图案可围绕整个孔径。图案可为圆形、正方形或多边形。图案也可具有相对于孔径的可变轨迹。
[0087]
可如本文中进一步所描述那样执行方法的步骤中的每一者。方法也可包含由本文中所描述的电子束设备子系统及/或(若干)计算机子系统或(若干)系统执行的任何其它(若干)步骤。步骤由可根据本文中所描述的实施例中的任何者来配置的一或多个计算机系统执行。另外，上文所描述的方法可由本文中所描述的系统实施例中的任何者执行。
[0088]
尽管已相对于一或多个特定实施例来描述本发明，但应了解，可在不背离本发明的范围的情况下进行本发明的其它实施例。因此，可认为本发明仅由所附权利要求书及其合理解译限制。