一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法与流程

技术特征：
1.一种碱性抛光液，其特征在于，包含质量比为1:0.5-0.8的含氟非离子表面活性剂、酒石酸钠；其中，含氟非离子表面活性剂在碱性抛光液中的质量百分含量为0.2-0.5%；酒石酸钠的添加量在碱性抛光液中的质量百分含量为0.1-0.4%。2.根据权利要求1所述的碱性抛光液，其特征在于，含氟非离子表面活性剂具有下式所示结构式：；其中，n为5-12的自然数。3.根据权利要求1或2所述的碱性抛光液，其特征在于，含氟非离子表面活性剂经由下述方法制备得到：1)d-邻氟扁桃酸和氯化亚砜在催化剂的作用下反应得到d-邻氟扁桃酰氯；2)3-氨基-4-甲氧基乙酰苯胺、d-邻氟扁桃酰氯在催化剂的作用下发生酰胺化反应得到产物a；3)产物a与引发剂在110-140℃下搅拌10-30min，0.1-0.5mpa下滴加环氧乙烷，继续搅拌反应即得含氟非离子表面活性剂。4.根据权利要求1所述的碱性抛光液，其特征在于，碱性抛光液中还包含研磨颗粒、甘油、有机胺化合物。5.根据权利要求1所述的碱性抛光液，其特征在于，碱性抛光液的ph为8.5-10。6.一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法，其特征在于，包括下述步骤：1)表面预处理：利用氢氟酸溶液对单晶硅片进行预处理，去除背面的磷硅玻璃层；2)表面刻蚀抛光：以权利要求1-5任一项所述碱性抛光液对硅片背面进行刻蚀抛光，抛光过程中利用微波辅助处理；3)表面清洗：对抛光后的硅片依次进行碱清洗、酸清洗、水洗。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，刻蚀抛光过程中，温度为40-50℃，时间为2-6min，微波处理的功率为200-400w。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，酸清洗过程中，酸性溶液为包含氢氟酸、氯化钠的混合水溶液，其中氢氟酸的质量分数为8-15%，氯化钠的质量分数为1-2%；酸洗温度为20-25℃，时间为2-5min。9.一种单晶硅片，其特征在于，由权利要求6-8任一项所述的碱刻蚀抛光方法处理得到。10.权利要求1-5任一项所述的碱性抛光液的应用，其特征在于，将碱性抛光液应用于单晶硅片的碱刻蚀抛光中。

技术总结
本发明提供了一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法，属于硅片刻蚀技术领域，具体是利用包含研磨颗粒、甘油、有机胺化合物、酒石酸钠、含氟非离子表面活性剂、酒石酸钠的碱性抛光液，通过表面预处理、表面刻蚀抛光、碱清洗、酸清洗、水洗等步骤对单晶硅进行刻蚀抛光，实现了较低温度下的刻蚀抛光，能耗减少，刻蚀抛光效果好，硅片减薄量低，硅片表面反射率、电池的转化效率得到有效提高。率得到有效提高。率得到有效提高。


技术研发人员：李一鸣 吴冰 张震华
受保护的技术使用者：绍兴拓邦电子科技有限公司
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/1/28