一种高密度多肽阵列芯片光刻合成方法与流程

技术特征：
1.一种高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述方法包括：对基片表面进行功能化修饰，并在修饰后的基片表面连接手臂分子；在基片表面覆盖加有光致酸化合物的光刻胶，之后利用uv辐照和光学掩膜曝光特定反应区域以对所述基片表面的氨基酸进行脱保护；按照多肽序列在脱保护后的所述基片表面旋涂氨基端带有保护基团的氨基酸单体和活化偶联试剂，通过肽键固相合成反应在原位延伸一个氨基酸；根据所述多肽序列依次循环重复上述步骤直至合成所述多肽序列，并在每次循环中设置对应的光学掩膜和对应的氨基酸单体。2.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述利用uv辐照和光学掩膜曝光特定反应区域以对所述基片表面的氨基酸进行脱保护的步骤之后，所述方法还包括：洗去所述基片表面的光刻胶：将脱保护后的基片放置到10％氢氧化钠溶液浸泡30s，之后利用去离子水中漂洗。3.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述根据所述多肽序列依次循环重复上述步骤直至合成所述多肽序列，并在每次循环中设置对应的光学掩膜和对应的氨基酸单体的步骤之后，所述方法：对所述基片进行切割以形成预设尺寸的阵列芯片，并去除所述多肽序列的肽链上末端氨基酸及侧链氨基酸的保护基团。4.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述方法还包括：每一个所述氨基酸单体合成及所述多肽序列均通过maldi-tof-ms进行检测质控。5.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述对基片表面进行功能化修饰的步骤包括：对所述基片表面依次进行羟基化处理、氨基化处理、羧基化处理、醛基化处理。6.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述在修饰后的基片表面连接手臂分子的步骤包括：用交联试剂作为桥梁连接载体和探针，所述交联试剂是8％～10％的聚乙二醇溶液。7.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述对基片表面进行功能化修饰，并在修饰后的基片表面连接手臂分子的步骤包括：先将寡核苷酸的3
′‑
端或5
′‑
端引入oligo-t或者polya,然后在其末端进行氨基化、醛基化、巯基化的功能修饰。8.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述光致酸化合物是叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸tbi-pfos、三苯基锍全氟丁烷磺酸tps-pfbs、三苯基锍全氟丁基tps-nf或三苯基锍三氟磺酸tps-tf的其中一种或者多种。9.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述活化偶联试剂是hbtu 2-(1h-苯并三氮唑-1-基)-1,1,3,3-四甲基脲六氟磷酸酯。10.根据权利要求1所述的高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，其特征在于，所述根据所述多肽序列依次循环重复上述步骤直至合成所述多肽序列包括：在活化偶联合剂作用下，通过肽键固相合成反应将氨基酸单体依次延伸形成一线性多肽序列；或者在活化偶联
合剂作用下，通过肽键固相合成反应在原位延伸的第一个氨基酸与最后一个氨基酸单体连接形成环形多肽序列。

技术总结
本发明公开了一种高密度多肽阵列芯片光刻合成方法，该方法包括：对基片表面进行功能化修饰，并在修饰后的基片表面连接手臂分子；在基片表面覆盖加有光致酸化合物的光刻胶，之后利用UV辐照和光学掩膜曝光特定反应区域以对基片表面的氨基酸进行脱保护；按照多肽序列在脱保护后的基片表面旋涂氨基端带有保护基团的氨基酸单体和活化偶联试剂，通过肽键固相合成反应在原位延伸一个氨基酸；根据多肽序列依次循环重复上述步骤直至合成多肽序列，并在每次循环中设置对应的光学掩膜和对应的氨基酸单体。该工艺结合了半导体制造中的光刻图形化技术与多肽的固相化学合成技术之优势，能实现高多肽探针密度、高序列准确性、高生产稳定性的生物芯片制造。性的生物芯片制造。性的生物芯片制造。


技术研发人员：谢玉龙
受保护的技术使用者：深圳市华云智能健康有限公司
技术研发日：2021.11.17
技术公布日：2022/1/28