半导体封装结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一芯片，具有凹槽和第一连接件；第二芯片，与所述第一芯片相对设置，所述第二芯片具有与所述第一连接件接合的第二连接件；其中，在所述第一连接件和所述第二连接件中的至少一个处设置有多个纳米线，所述多个纳米线位于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一连接件或所述第二连接件中的任何一个包括焊盘或导电柱。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个纳米线与相对的所述第一连接件或所述第二连接件物理接触。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述第一连接件和所述第二连接件处设置有多个纳米线，所述第一连接件处的所述多个纳米线和所述第二连接件处的所述多个纳米线彼此交错设置。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线的端部与相对的所述第一连接件或所述第二连接件之间具有间隔。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片之间设置有底部填充物，以将所述第一芯片粘合至所述第二芯片。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线由单一材料构成。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线由异质材料构成。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线包括铜材料和金属间化合物。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述纳米线全部由金属间化合物构成。11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个纳米线中的部分纳米线被挤压而形成横向偏移的纳米线，所述横向偏移的纳米线位于所述凹槽内。12.一种形成半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：在第一芯片中形成暴露第一连接件的凹槽；在所述凹槽中形成具有多个开口的图案化的第一掩模层；在所述多个开口中填入纳米线材料以形成位于所述凹槽内的多个第一纳米线；将所述多个第一纳米线接合至第二芯片的第二连接件。13.根据权利要求12所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在接合所述多个第一纳米线之前还包括：在所述第二芯片的所述第二连接件上方形成图案化的第二掩模层；形成位于所述第二连接件上的多个第二纳米线。14.根据权利要求13所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在形成所述第一掩模层或所述第二掩模层之后，将光刻胶覆盖在所述第一芯片和所述所述第二芯片上方，其中，所述光刻胶暴露出所述凹槽和所述第二连接件上方的所述多个开口；在形成所述多个纳米线之后，去除所述光刻胶以及所述光刻胶下方的所述第一掩模层
或所述第二掩模层。15.根据权利要求13所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，形成图案化的所述第一掩模层或所述第二掩模层包括：在所述凹槽中或所述第二连接件上方溅射形成al层；在所述al层中形成为所述多个开口。16.根据权利要求15所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在所述al层中形成为所述多个开口包括：执行阳极氧化制程在所述al层的表面形成氧化膜；施加直流电压进行化学反应形成阳极氧化铝；利用铬酸及磷酸的混合液去除所述阳极氧化铝而形成具有所述多个开口的阳极氧化铝模板；利用草酸对所述多个开口进行扩孔操作。17.根据权利要求13所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述多个第一纳米线和所述多个第二纳米线由单一材料构成。18.根据权利要求13所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述多个第一纳米线或所述多个第二纳米线由异质材料形成。19.根据权利要求18所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述异质材料包括铜材料和镓材料，其中，所述铜材料位于所述镓材料与所述第一连接件或所述第二连接件之间。20.根据权利要求18所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在将所述多个第一纳米线接合至所述多个第二纳米线之后，形成金属间化合物。

技术总结
本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：第一芯片，具有凹槽和第一连接件；第二芯片，与第一芯片相对设置，第二芯片具有与第一连接件接合的第二连接件；其中，在第一连接件和第二连接件中的至少一个处设置有多个纳米线，多个纳米线位于凹槽内。内。内。


技术研发人员：徐安萱 高金利
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2022/1/28