电平移位器的制作方法

电平移位器
1.相关应用的交叉引用
2.本技术要求于2020年6月24日提交的印度临时专利申请号202041026732的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


背景技术：

3.电平移位器是将接收的输入信号从第一电压域或逻辑电平转换到第二电压域或逻辑电平以提供为输出信号的电路、部件或设备。输出信号的值可以大于输入信号的值或小于输入信号的值。电平移位器可以是单向的或双向的，并且可以促进部件或设备之间的兼容性，否则这些部件或设备可能基于它们各自的电压规范(例如，各部件工作时所在的相应电压域)而不兼容。


技术实现要素：

4.在一个示例中，一种装置包括电平移位电路和斜坡检测器。该电平移位电路具有电流扼流圈和耦合在电流扼流圈两端的晶体管，该电平移位电路适于耦合到第一电压源。该斜坡检测器具有适于耦合到第一电压源的斜坡检测器输入和耦合到晶体管的斜坡检测器输出，该斜坡检测器适于耦合到第二电压源。
5.在一个示例中，一种装置包括斜坡检测器和电平移位电路。该斜坡检测器被配置为检测电压源的压摆率，确定电压源的压摆率是否超过编程量，以及响应于电压源的压摆率超过编程量而提供具有断言值(asserted value)的输出信号。该电平移位电路耦合到电压源和斜坡检测器。该电平移位电路被配置为在电压源的压摆率不超过编程量时通过电流扼流圈限制电平移动电路的静态电流，以及响应于输出信号具有断言值而旁通电流扼流圈。
6.在一个示例中，一种系统包括第一部件、第二部件和电平移位器。第一部件具有第一部件输入，第一部件被配置为在根据第一电压源定义的第一电压域中运行。第二部件具有第二部件输出，第二部件被配置为在根据第二电压源定义的第二电压域中运行。该电平移位器包括斜坡检测器和电平移位电路。斜坡检测器被配置为检测第一电压源的压摆率，确定第一电压源的压摆率是否超过编程量，以及响应于第一电压源的压摆率超过编程量而提供具有断言值的输出信号。该电平移位电路具有耦合到第二部件输出的电平移位电路输入和耦合到第一部件输入的电平移位电路输出，该电平移位电路还耦合到第一电压源和斜坡检测器。该电平移位电路被配置为将第二部件提供的信号从第二电压域转换到第一电压域并将根据第二电压域的信号提供给第一部件，在第一电压源的压摆率不超过编程量时通过电流扼流圈限制电平移位电路的静态电流，以及响应于输出信号具有断言值而旁通电流扼流圈。
7.在一个示例中，一种装置包括电平移位电路和斜坡检测器。该电平移位电路包括第一臂和第二臂，第一臂包括交叉耦合锁存器的第一部分、第一二极管耦合式晶体管堆栈和第一输入晶体管，第二臂包括交叉耦合锁存器的第二部分、第二二极管耦合式晶体管堆
栈和第二输入晶体管。该电平移位电路还包括适于耦合在第一输入晶体管和接地之间的第一电流扼流圈，以及适于耦合在第二输入晶体管和接地之间的第二电流扼流圈。该电平移位电路还包括适于耦合在第一输入晶体管和接地之间的第一电流扼流圈两端的第一短路晶体管，以及适于耦合在第二输入晶体管和接地之间的第二电流扼流圈两端的第二短路晶体管。该斜坡检测器具有经由电流镜耦合到第一短路晶体管和第二短路晶体管的电容器。该斜坡检测器还具有耦合到该电容器的接地栅极晶体管。
附图说明
8.图1是示例系统的框图。
9.图2是示例上升沿检测器的示意图。
10.图3是示例下降沿检测器的示意图。
11.图4是示例斜坡检测器的示意图。
12.图5是示例电平移位电路的示意图。
具体实施方式
13.如上所述，电平移位器可以促进部件之间的电压兼容性，否则这些部件可能在彼此不兼容的电压域或电压范围中操作。在一些示例中，这些电压域分别是低压域和高压域。例如，低压域可以具有小于或等于约5伏(v)的上限，而高压域可以具有分别在从约2.5v至约70v范围内的上限和下限，这是由高压域中的潜在电压瞬变引起的。在各种其他示例中，其他合适的电压范围对于低压域和/或高压域是可能的。例如，低电压域可以具有小于或等于约1.2v、1.8v、3.3v或任何其他合适量的上限。在设计可用于高压域的电平移位器时，可能会发生某些折衷。例如，电平移位器可以被设计成促进具有在多个值之间摆动的下限的输出(out)信号，以考虑电平移位器的晶体管的栅极氧化物电压。电平移位器还可以设计为具有低电流消耗，例如小于大约100纳安(na)，以降低电平移位器的静态电流(iq)，这可能具有限制out信号的压摆率的折衷。电平移位器还可以被设计成考虑在高压域中操作的部件的相对大的寄生值(例如，电容和/或电感)，这可能具有降低电平移位器的瞬态性能的折衷。为了适应在低压域和高压域中的操作，电平移位器可以分别接收低源电压和高源电压。低源电压可以具有在低压域内的任何合适的值。高源电压可以具有在高压域内的任何合适的值，但也可能经历瞬态事件，其中高源电压的值可能不可预测地或意外地改变为高压域内的任何其他值。如果不加以补偿，这些瞬态事件可能会损坏电平移位器和/或可能改变电平移位器的预设功能或操作。
14.根据本说明书的电平移位器至少部分地减轻和/或补偿这些瞬态事件的影响。在至少一个实施方式中，电平移位器包括电流扼流圈以限制电平移位器的iq，并包括耦合在电流扼流圈两端以使电流扼流圈短路的部件(例如晶体管)，该部件响应于检测到电平移位器的电压源中的电压瞬变超过电压瞬变阈值而增加电平移位器的瞬态响应。例如，电平移位器可以基于高源电压的值来修改其操作(例如关于提供out信号的操作)。这种经修改的操作可以将耦合到电平移位器(例如，诸如由电平移位器驱动)的至少一个晶体管两端的电压保持在晶体管的指定操作容限内。例如，电平移位器的经修改的操作可以将由电平移位器提供给耦合到并接收电平移位器的输出的晶体管的电压保持在晶体管的栅极氧化物电
压的指定容限范围内，同时还提供电平移位器的降低的iq操作。经修改的操作还可以控制电平移位器的(例如由电流源提供的)信号下拉强度，以修改out信号的放电速率(例如，在存在某些电压瞬变的情况下增加响应时间)。电平移位器可以包括斜坡检测器，该斜坡检测器监测高源电压的值的变化率。在一些示例中，该监测提供存在于高源电压中的电压瞬变的指示或相关信息。在至少一些示例中，斜坡检测器包括上升值或上升沿检测器以及下降值或下降沿检测器。响应于高源电压的值的变化率(例如，压摆率)在正或负方向上超过编程量，电平移位器可增加下拉电流以增加out信号的放电速率，增加out信号或outbar(例如，out信号的反相)的下降压摆率，增加outbar的下降压摆率并因此增加out信号的充电速率。相反，响应于高源电压的压摆率不超过编程量，电平移位器的下拉电流可被限制为编程值以降低和/或控制电平移位器的iq。在至少一些示例中，通过将表示高源电压的压摆率的电流与表示编程值的参考电流进行比较来确定高源电压的压摆率是否超过编程量。
15.图1示出了示例系统100的框图。在至少一些示例中，系统100表示汽车或其他车辆环境，其中某些部件可以在第一电压域中或根据第一电压域运行，而其他部件可以在第二电压域中或根据第二电压域运行。例如，系统100可以包括部件102、电平移位器104和部件106。系统100还可以包括或适于耦合到第一电源108和第二电源110。在至少一些示例中，部件102从第一电源108接收电力并且在第一电压域中运行。类似地，部件106从第二电源110接收电力并在第二电压域中运行。在一些实施方式中，第二电源110是车辆电池。通常，部件102和部件106可能由于它们在不同电压域中的操作而不能彼此互操作。例如，由具有第一值的部件102提供的数字输出信号可以被部件106解释为具有由在不同电压域中操作的部件102和部件106产生的第一值以外的值。
16.为了提供部件102和部件106之间的互操作性，在至少一些示例中，电平移位器104适于耦合在部件102和部件106之间，并且适于耦合到第一电源108和第二电源110。电平移位器104可以在第一电压域和第二电压域之间转换。例如，在一些实施方式中，电平移位器104从部件102接收具有根据第一电压域指定的值的输入信号并且向部件106提供具有根据第二电压域指定的值的输出信号。以此方式，如果根据第一电压域指定的值是第一数字值，则根据第二电压域指定的值也是第一数字值。类似地，如果根据第一电压域指定的值为第二数字值，则根据第二电压域指定的值也为第二数字值。
17.在一些示例中，第二电源110易受电压瞬变的影响，例如当第二电源110是车辆环境中的电池时。例如，第二电源110可能易受范围从约2.5v至约70v或任何其他合适值(例如负值)的电压瞬变的影响，例如由第二电源110上的负载的影响所引起。为了减轻这些电压瞬变对电平移位器104的操作的影响，电平移位器104可以包括斜坡检测器112和电平移位电路114。在一些示例中，斜坡检测器112检测从第二电源110接收的信号的压摆率并响应于确定该压摆率超过编程量而向电平移位电路114提供具有断言/有效(asserted)脉冲的输出信号。为了降低电平移位电路114的iq并因此增加电平移位电路114和电平移位器104的能量效率，电平移位电路114可以包括被配置为限制流过电平移位电路114的电流的限流部件(未示出)。在至少一些示例中，响应于电平移位电路114从斜坡检测器112接收到具有断言脉冲的信号，电平移位电路114旁通或分流限流部件。在一些示例中，大致在限流部件被分流的时间段内的电平移位电路114和电平移位器104的iq相对于限流部件不被分流时的电平移位电路114和电平移位器104的iq增加。在至少一些示例中，分流限流部件会增加电
平移位电路114的输出信号(例如，out信号)放电的速率。通过增加电平移位电路114的输出信号放电的速率，减轻了第二电源110的瞬态分量对电平移位器104和系统100的操作的影响。
18.图2示出了示例下降沿检测器200的示意图。在至少一些示例中，下降沿检测器200是图1的斜坡检测器112或者是图1的斜坡检测器112的部件。例如，下降沿检测器200可以检测所接收信号的下降压摆率并且响应于下降压摆率超过编程量而提供具有断言脉冲的信号。在至少一些示例中，下降沿检测器200包括二极管202、晶体管204、晶体管206、电容器208、包括晶体管212和晶体管214的电流镜210、包括晶体管218和晶体管220的电流镜216、电流源222、晶体管224、晶体管226和晶体管228。在至少一些示例中，二极管202是齐纳二极管。在一些示例中，电容器208是高压电容器。在一些示例中，晶体管204和晶体管206均是漏极扩展晶体管或其他高压工艺技术晶体管。
19.在下降沿检测器200的示例架构中，二极管202具有适于耦合到第一电压源(未示出)并接收第一电压信号(vl)的阳极。二极管202还具有耦合到节点230的阴极。晶体管204具有耦合到二极管202的阳极的栅极、耦合到节点230的源极和耦合到节点232的漏极。晶体管206具有耦合到节点230的漏极以及适于耦合到接地234的栅极和源极。电容器208耦合在节点230和接地234之间。电流镜210耦合在晶体管204的漏极和电流镜216之间。例如，晶体管212具有耦合到晶体管204的漏极的栅极和漏极以及适于耦合到接地234的源极。晶体管214具有耦合到晶体管212的栅极的栅极和适于耦合到接地234的源极。电流镜216耦合在电流镜210(例如，在晶体管214的漏极处)和节点236之间。例如，晶体管218具有耦合到晶体管214的漏极的栅极和漏极以及适于耦合到第二电压源(未示出)并接收第二电压信号(v2)的源极。晶体管220具有耦合到晶体管218的栅极的栅极、适于耦合到第二电压源并接收v2的源极以及耦合到节点236的漏极。电流源222适于耦合在节点236和接地234之间，并且在节点236和接地234之间传导电流。晶体管224、晶体管226和晶体管228每个都适于在节点236和接地234之间以二极管接法配置串联耦合。在至少一些示例中，晶体管224、晶体管226和/或晶体管228中的任何一个或多个可以从下降沿检测器200中省略或由任何其他合适的安全或电压钳位部件或电路代替。
20.在下降沿检测器200的操作示例中，在二极管202的阳极处接收v1。v1的电流流经二极管202并在节点230处提供信号(v1_int)。在至少一些示例中，在v1的下降瞬变期间，v1_int的值跟随v1的值减去二极管202的电压降。否则，晶体管204的栅源电压(vsg)增加，从而增加晶体管204的下拉强度。晶体管206以这样的配置耦合以提供与电容器208并联的寄生电容，从而增加节点230处的有效电容。在至少一些示例中，晶体管206被称为接地栅极晶体管，或以接地栅极配置耦合的晶体管。电容器208基于v1_int进行充电并且在v1的下降瞬变期间提供电流(icap)，icap的值近似等于电容器208的电容(c)乘以v1相对于时间的变化率icap被电流镜210映射到电流镜216。在至少一些示例中，电流镜216是1:n电流镜，使得晶体管220的尺寸是晶体管218的n倍。电流镜216将icap映射到节点236以在节点236处提供n*icap。电流源222被配置为从节点236吸收编程量的电流(itail)到接地234。响应于n*icap的值大于itail，在节点236处提供斜坡检测信号(ramp_detect)，其电压大约等于v2减去晶体管220提供的电压降。响应于n*icap的值小于itail，在节点236处提供ramp_
detect，其电压大约等于在接地234处提供的电压。在至少一些示例中，晶体管224、晶体管226和晶体管228将ramp_detect的电压值钳位为不大于晶体管224、晶体管226和晶体管228的阈值电压的大约总和。在至少一些示例中，通过增加n的值，可以减小c的值，从而与具有较小n值和较大c值的下降沿检测器200的物理尺寸相比，减小了下降沿检测器200的物理尺寸。
21.图3示出了示例上升沿检测器300的示意图。在至少一些示例中，上升沿检测器300是图1的斜坡检测器112或者是图1的斜坡检测器112的部件。例如，上升沿检测器300可以检测所接收信号的上升压摆率并且响应于上升压摆率超过编程量而提供具有断言脉冲的信号。在至少一些示例中，上升沿检测器300包括电容器302、包括晶体管306和晶体管308的电流镜304、包括晶体管312和晶体管314的电流镜310、电流源316、晶体管318、晶体管320和晶体管322。在一些示例中，电容器302是高压电容器。
22.在上升沿检测器300的示例架构中，电容器302具有适于耦合到第一电压源(未示出)并接收vl的第一端子，以及耦合到节点324的第二端子。电流镜304耦合在节点324和电流镜310之间。例如，晶体管306具有耦合到节点324的栅极和漏极以及适于耦合到接地326的源极。晶体管308具有耦合到晶体管306的栅极的栅极以及适于耦合到接地326的源极。电流镜310耦合在电流镜304(例如，在晶体管308的漏极处)和节点328之间。例如，晶体管312具有耦合到晶体管308的漏极的栅极和漏极以及适于耦合到第二电压源(未示出)并接收v2的源极。晶体管314具有耦合到晶体管312的栅极的栅极、适于耦合到第二电压源并接收v2的源极以及耦合到节点328的漏极。电流源316适于耦合在节点328和接地326之间并且在节点328和接地326之间传导电流。晶体管318、晶体管320和晶体管322均适于在节点328和接地326之间以二极管接法配置串联耦合。在至少一些示例中，晶体管318、晶体管320和/或晶体管322中的任何一个或多个可以从上升沿检测器300中省略或由任何其他合适的安全或电压钳位部件或电路代替。
23.在上升沿检测器300的操作示例中，电容器302基于v1进行充电并且在v1的上升瞬变期间在节点324处提供icap，icap的值近似等于电容器302的电容(c)乘以v1相对于时间的变化率icap被电流镜304映射到电流镜310。在至少一些示例中，电流镜310是1:n电流镜，使得晶体管314的尺寸是晶体管312的n倍。电流镜310将icap映射到节点328以在节点328处提供n*icap。电流源316被配置为从节点328吸收编程量的电流(itail)到接地326。响应于n*icap的值大于itail，在节点328处提供ramp_detect，其电压大约等于v2减去晶体管314提供的电压降。响应于n*icap的值小于itail，在节点328处提供ramp_detect，其电压大约等于在接地326处提供的电压。在至少一些示例中，晶体管318、晶体管320和晶体管322将ramp_detect的电压值钳位为不大于晶体管318、晶体管320和晶体管322的阈值电压的大约总和。在至少一些示例中，通过增加n的值，可以减小c的值，从而与具有较小n值和较大c值的上升沿检测器300的物理尺寸相比，减小了上升沿检测器300的物理尺寸。
24.图4示出示例斜坡检测器112的示意图。在至少一些示例中，斜坡检测器112组合图2的下降沿检测器200和图3的上升沿检测器300，使得斜坡检测器112检测并提供响应于v1中的上升和/或下降瞬变的信号。例如，斜坡检测器112包括下降沿检测器200的部件和上升沿检测器300的电流镜304(包括晶体管306和晶体管308)。在至少一些示例中，电容器208和
电容器302是作为相同的部件被共享，包括晶体管218和220的电流镜216分别与包括晶体管312和314的电流镜310作为相同的部件被共享，电流源222和电流源316作为相同的部件被共享，并且晶体管224、晶体管226和晶体管228分别与晶体管318、晶体管320和晶体管322作为相同的部件被共享。在至少一些实施方式中，斜坡检测器112还包括适于耦合在第二电压源和晶体管306的栅极之间的电流源402以及适于耦合在第二电压源和晶体管214的漏极之间的电流源404。电流源402和电流源404均向斜坡检测器112提供各自的偏置电流以减轻浮动节点在斜坡检测器112中的存在。在至少一些示例中，电流镜210和电流镜304的输出在电流镜216处被相加，例如通过在电流镜216的电流上拉臂处(例如，在晶体管220的漏极处)短接电流镜210的电流下拉臂(例如，在晶体管214的漏极处)和电流镜304的电流下拉臂(例如，在晶体管308的漏极处)。本文不包括关于图4的斜坡检测器112的进一步描述，而是参考上面关于图2和图3的架构和操作描述。
25.图5示出了示例电平移位电路114的示意图。在至少一些示例中，电平移位电路114被配置为接收在根据v2定义的第一电压域中的输入信号(in)并且提供在根据v1定义的第二电压域中的out信号。在至少一些示例中，电平移位电路114包括晶体管502、晶体管504、晶体管506、晶体管508、电流源510、电流源512、晶体管514、晶体管516、晶体管518、晶体管520、晶体管522、晶体管524、晶体管526、晶体管528、二极管530、二极管532、电容器534、电容器536和反相器538。在一些实施方式中，晶体管506和晶体管508均为漏极扩展晶体管。在一些实施方式中，二极管530和二极管532均为齐纳二极管。在至少一些示例中，电流源510和电流源512均被称为电流扼流圈(current choke)。
26.在电平移位电路114的示例架构中，晶体管502和晶体管504形成交叉耦合锁存器，使得电平移位电路114包括两个互补臂。例如，晶体管502具有适于耦合到提供v1的电压源(未示出)的源极、耦合到节点540的栅极以及耦合到节点542的漏极。晶体管504具有适于耦合到提供v1的电压源的源极、耦合到节点542的栅极以及耦合到节点540的漏极。晶体管506具有耦合到节点540的漏极、耦合到节点544的源极以及被配置为接收in的栅极。反相器538具有耦合到晶体管506的栅极的输入端子以及耦合到晶体管508的栅极端子的输出端子，并且基于接收v2在第一电压域中运行。晶体管508还具有耦合到节点540的漏极和耦合到节点548的源极。电流源510适于耦合在节点544和接地550之间。电流源512适于耦合在节点548和接地550之间。晶体管514具有耦合到晶体管506的源极的漏极、适于耦合到接地550的源极以及被配置为接收如上所述的ramp_detect的栅极。晶体管516具有耦合到晶体管508的源极的漏极、适于耦合到接地550的源极以及被配置为接收如上所述的ramp_detect的栅极。在至少一些示例中，节点540和节点542适于耦合到接地550，使得晶体管506的寄生电容(未示出)存在于晶体管506的漏极和接地550之间，并且晶体管508的寄生电容(未示出)存在于晶体管508的漏极和接地550之间。晶体管518、晶体管520和晶体管522均适于在电压源和节点540之间以二极管接法配置串联耦合。晶体管524、晶体管526和晶体管528均适于在电压源和节点542之间以二极管接法配置串联耦合。二极管530具有适于耦合到电压源的阴极和耦合到节点540的阳极。二极管532具有适于耦合到电压源的阴极和耦合到节点542的阳极。电容器534适合耦合在电压源和节点540之间。电容器536适于耦合在电压源和节点542之间。在至少一些示例中，可以从电平移位电路114中省略晶体管518、晶体管520和/或晶体管522中的任何一个或多个，或者可以添加与晶体管518、晶体管520和晶体管522串联
的附加二极管耦合式晶体管。在至少一些示例中，可以从电平移位电路114中省略晶体管524、晶体管524和/或晶体管528中的任何一个或多个，或者可以添加与晶体管524、晶体管526和晶体管528串联的附加二极管耦合式晶体管。在一些示例中，可以从电平移位电路114中省略二极管530和二极管532。在一些示例中，可以从电平移位电路114中省略电容器534和电容器536。
27.在电平移位电路114的操作的示例中，响应于接收到具有足以使晶体管506在其漏极和源极之间传导电流的值的in，晶体管506用大约等于电流源510吸收的电流的电流下拉节点540并且晶体管508是非导通的。当节点540被晶体管506下拉时，在节点540处提供的电压可以大约等于v1减去由晶体管518、晶体管520和晶体管522提供的电压降(例如，晶体管518、晶体管520和晶体管522的阈值电压的总和)。响应于节点540被下拉，晶体管504变为导通并上拉节点542以提供out信号，out信号的值约为v1减去由晶体管504提供的电压损耗。响应于接收到具有不足以使晶体管506在其漏极和源极之间传导电流的值的in，晶体管506是非导通的并且晶体管508用大约等于电流源512吸收的电流的电流下拉节点542。当节点542被晶体管508下拉时，在节点542处提供的作为out信号的电压可以大约等于v1减去由晶体管524、晶体管526和晶体管528提供的电压降(例如，晶体管524、晶体管526和晶体管528的阈值电压的总和)。响应于节点542被下拉，晶体管502变为导通并且将节点540上拉至具有大约为v1减去由晶体管502提供的电压损耗的值。
28.在至少一些示例中，电平移位电路114的iq可以被限制为编程值，电流源510和电流源512被配置为吸收该编程值的电流到接地550。在一些情况下，例如在v1中存在瞬变的情况下，晶体管506和晶体管508的寄生电容将节点540和节点542的值保持为在v1中的瞬变之前提供的值。在一些示例中，这可能导致out信号相对于in具有不正确的值，从而可能改变系统(例如系统100)、电路(例如电平移位器104)或包括电平移位电路114的装置的功能或操作。在至少一些示例中，如上所述，响应于v1中的瞬变超过编程量而断言(assert)ramp_detect。响应于ramp_detect的断言，电流源510和电流源512被旁通或分流，从而消除电流源510和电流源512施加在电平移位电路114上的iq限制。消除电流源510和电流源512施加在电平移位电路114上的iq限制增加了晶体管506和/或晶体管508的寄生电容放电的速率，从而防止如上所述由v1中的瞬变引起的out信号相对于in具有不正确的值。在至少一些示例中，v1中的瞬变具有大约1v每微秒(us)(1v/us)的压摆率。在至少一些示例中，电流源510和电流源512均被配置为吸收小于或等于约20na的电流。
29.在本说明书中，术语“耦合”可以涵盖实现与本说明书一致的功能关系的连接、通信或信号路径。例如，如果设备a向控制设备b提供信号以执行动作，那么：(a)在第一示例中，设备a直接耦合到设备b；或(b)在第二示例中，如果介入部件c没有实质性地改变设备a和设备b之间的功能关系，则设备a通过介入部件c间接耦合到设备b，因此设备b通过设备a提供的控制信号由设备a来控制。
30.被“配置为”执行任务或功能的设备可以在制造时由制造商配置(例如，编程和/或硬连线)以执行功能和/或在制造后可以由用户配置(或可重新配置)为执行该功能和/或其他附加或替代功能。该配置可以通过设备的固件和/或软件编程、通过设备的硬件部件和互连件的构造和/或布局或其组合来实现。
31.本文中描述为包括某些部件的电路或设备可以改为适于耦合到那些部件以形成
所描述的电路系统或设备。例如，被描述为包括一个或多个半导体元件(例如晶体管)、一个或多个无源元件(例如电阻器、电容器和/或电感器)和/或一个或多个源(例如电压源和/或电流源)的结构可以改为仅包括单个物理设备(例如，半导体管芯和/或集成电路(ic)封装件)内的半导体元件，并且可以适于耦合到至少一些无源元件和/或源以(例如由最终用户和/或第三方)在制造时或制造后形成所描述的结构。
32.虽然某些部件在本文中可能被描述为具有特定工艺技术，但是这些部件可以交换为其他工艺技术的部件。本文描述的电路可重新配置为包括被替换的部件以提供至少部分类似于在部件替换之前可用的功能的功能。除非另有说明，否则显示为电阻器的部件通常表示被串联和/或并联耦合以提供由所示电阻器表示的阻抗量的任何一个或多个元件。例如，本文显示和描述为单个部件的电阻器或电容器可以改为分别并联耦合在相同节点之间的多个电阻器或电容器。例如，本文显示和描述为单个部件的电阻器或电容器可以改为分别串联耦合在与单个电阻器或电容器相同的两个节点之间的多个电阻器或电容器。
33.在前述描述中使用短语“接地电压电位”包括底盘接地、地球接地、浮动接地、虚拟接地、数字接地、公共接地和/或适用于或适合于本说明书的教导的任何其他形式的接地连接。除非另有说明，在数值之前的“大约”、“近似”或“基本”是指所述数值的 /-10％。
34.在权利要求的范围内，在所描述的示例中可以进行修改，并且其他示例是可能的。