电平移位器的制作方法

技术特征：
1.一种装置，其包括：电平移位电路，其具有电流扼流圈和耦合在所述电流扼流圈两端的晶体管，所述电平移位电路适于耦合到第一电压源；以及斜坡检测器，其具有适于耦合到所述第一电压源的斜坡检测器输入和耦合到所述晶体管的斜坡检测器输出，所述斜坡检测器适于耦合到第二电压源。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电流扼流圈是第一电流扼流圈，所述晶体管是第一晶体管，并且所述电平移位电路包括：第一臂，其包括作为交叉耦合锁存器的第一部分的第二晶体管、所述第一电流扼流圈、所述第一晶体管、第三晶体管和第一二极管耦合式晶体管堆栈；以及第二臂，其包括作为所述交叉耦合锁存器的第二部分的第四晶体管、第二电流扼流圈、第五晶体管、第六晶体管和第二二极管耦合式晶体管堆栈。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二晶体管具有适于耦合到所述第一电压源的源极，所述第四晶体管具有适于耦合到所述第一电压源的源极、耦合到所述第二晶体管的漏极的栅极和耦合到所述第二晶体管的栅极的漏极，所述第三晶体管具有耦合到所述第二晶体管的所述漏极的漏极，所述第五晶体管具有耦合到所述第四晶体管的所述漏极的漏极，所述第一电流扼流圈适于耦合在所述第三晶体管的源极和接地之间，所述第二电流扼流圈适于耦合在所述第五晶体管的所述源极和接地之间，所述第一晶体管具有耦合到所述第三晶体管的所述源极的漏极和适于耦合到接地的源极，并且所述第六晶体管具有耦合到所述第五晶体管的所述源极的漏极和适于耦合到接地的源极。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一晶体管和所述第六晶体管均被配置为响应于所述第一电压源的压摆率超过编程量而接收具有断言值的信号，所述断言值足以使所述第一晶体管和所述第六晶体管传导电流。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述斜坡检测器包括：二极管，其具有适于耦合到所述第一电压源的阳极并具有阴极；第七晶体管，其具有耦合到所述二极管的所述阳极的栅极，具有耦合到所述二极管的所述阴极的源极并具有漏极；第八晶体管，其具有栅极和适于耦合到接地的源极以及耦合到所述二极管的所述阴极的源极；电容器，其具有耦合到所述二极管的所述阴极的第一端子；第一电流镜，其具有耦合到所述第七晶体管的漏极的第一电流镜输入并具有第一电流镜输出；第二电流镜，其具有耦合到所述第一电流镜输出的第二电流镜输入并具有第二电流镜输出，所述第二电流镜适于耦合到所述第二电压源；以及电流源，其耦合在所述第二电流镜输出和接地之间，所述第二电流镜输出耦合到所述晶体管。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述电容器具有第二端子并且所述斜坡检测器包括第三电流镜，所述第三电流镜具有耦合到所述电容器的所述第二端子的第三电流镜输入和耦合到所述第二电流镜输入的第三电流镜输出。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述斜坡检测器包括：
电容器，其具有适于耦合到所述第一电压源的第一端子并具有第二端子；第一电流镜，其具有耦合到所述电容器的所述第二端子的第一电流镜输入并具有第一电流镜输出；第二电流镜，其具有耦合到所述第一电流镜输出的第二电流镜输入并具有第二电流镜输出，所述第二电流镜适于耦合到所述第二电压源；以及电流源，其耦合在所述第二电流镜输出和接地之间，所述第二电流镜输出耦合到所述晶体管。8.一种装置，其包括：斜坡检测器，其被配置为：检测电压源的压摆率；确定所述电压源的所述压摆率是否超过编程量；以及响应于所述电压源的所述压摆率超过所述编程量，提供具有断言值的输出信号；以及电平移位电路，其耦合到所述电压源和所述斜坡检测器，所述电平移位电路被配置为：在所述电压源的所述压摆率不超过所述编程量时，通过电流扼流圈限制所述电平移位电路的静态电流；以及响应于所述输出信号具有所述断言值，旁通所述电流扼流圈。9.根据权利要求8所述的装置，其中所述电流扼流圈是第一电流扼流圈，并且所述电平移位电路包括：第一臂，其包括作为交叉耦合锁存器的第一部分的第一晶体管、第二晶体管、所述第一电流扼流圈、第三晶体管以及第一二极管耦合式晶体管堆栈；以及第二臂，其包括作为所述交叉耦合锁存器的第二部分的第四晶体管、第五晶体管、第二电流扼流圈、第六晶体管以及第二二极管耦合式晶体管堆栈。10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第一晶体管具有适于耦合到所述电压源的源极，所述第四晶体管具有适于耦合到所述电压源的源极、耦合到所述第一晶体管的漏极的栅极和耦合到所述第一晶体管的栅极的漏极，所述第二晶体管具有耦合到所述第一晶体管的所述漏极的漏极，所述第五晶体管具有耦合到所述第四晶体管的所述漏极的漏极，所述第一电流扼流圈适于耦合在所述第二晶体管的源极和接地之间，所述第二电流扼流圈适于耦合在所述第五晶体管的所述源极和接地之间，所述第三晶体管具有耦合到所述第二晶体管的所述源极的漏极和适于耦合到接地的源极，并且所述第六晶体管具有耦合到所述第五晶体管的所述源极的漏极和适于耦合到接地的源极。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第三晶体管和所述第六晶体管均被配置为响应于所述电压源的压摆率超过编程量而接收具有断言值的信号，所述断言值足以使所述第三晶体管和所述第六晶体管传导电流，以旁通所述第一电流扼流圈和所述第二电流扼流圈。12.根据权利要求9所述的装置，其中所述电压源是第一电压源，并且所述斜坡检测器包括：二极管，其具有耦合到所述第一电压源的阳极并具有阴极；第七晶体管，其具有耦合到所述二极管的所述阳极的栅极，具有耦合到所述二极管的所述阴极的源极并具有漏极；
第八晶体管，其具有栅极和适于耦合到接地的源极以及耦合到所述二极管的所述阴极的源极；电容器，其具有耦合到所述二极管的所述阴极的第一端子；第一电流镜，其具有耦合到所述第七晶体管的漏极的第一电流镜输入并具有第一电流镜输出；第二电流镜，其具有耦合到所述第一电流镜输出的第二电流镜输入并具有第二电流镜输出，所述第二电流镜适于耦合到所述第二电压源；以及电流源，其耦合在所述第二电流镜输出和接地之间，所述第二电流镜输出耦合到所述第三晶体管。13.根据权利要求12所述的装置，其中所述电容器具有第二端子并且所述斜坡检测器包括第三电流镜，所述第三电流镜具有耦合到所述电容器的所述第二端子的第三电流镜输入和耦合到所述第二电流镜输入的第三电流镜输出。14.根据权利要求9所述的装置，其中所述电压源是第一电压源，并且所述斜坡检测器包括：电容器，其具有适于耦合到所述第一电压源的第一端子并具有第二端子；第一电流镜，其具有耦合到所述电容器的所述第二端子的第一电流镜输入并具有第一电流镜输出；第二电流镜，其具有耦合到所述第一电流镜输出的第二电流镜输入并具有第二电流镜输出，所述第二电流镜适于耦合到所述第二电压源；以及电流源，其耦合在所述第二电流镜输出和接地之间，所述第二电流镜输出耦合到所述第三晶体管。15.一种系统，其包括：第一部件，其具有第一部件输入，所述第一部件被配置为在根据第一电压源定义的第一电压域中运行；第二部件，其具有第二部件输出，所述第二部件被配置为在根据第二电压源定义的第二电压域中运行；以及电平移位器，其包括：斜坡检测器，其被配置为：检测所述第一电压源的压摆率；确定所述第一电压源的所述压摆率是否超过编程量；以及响应于所述第一电压源的所述压摆率超过所述编程量，提供具有断言值的输出信号；以及电平移位电路，其具有耦合到所述第二部件输出的电平移位电路输入和耦合到所述第一部件输入的电平移位电路输出，所述电平移位电路还耦合到所述第一电压源和所述斜坡检测器，并且所述电平移位电路被配置为：将由所述第二部件提供的信号从所述第二电压域转换到所述第一电压域，并将根据所述第二电压域的所述信号提供给所述第一部件；在所述第一电压源的所述压摆率没有超过所述编程量时，通过电流扼流圈限制所述电平移位电路的静态电流；以及
响应于所述输出信号具有所述断言值，旁通所述电流扼流圈。16.根据权利要求15所述的系统，其中所述电流扼流圈是第一电流扼流圈，并且所述电平移位电路包括：第一臂，其包括作为交叉耦合锁存器的第一部分的第一晶体管、第二晶体管、所述第一电流扼流圈、第三晶体管和第一二极管耦合式晶体管堆栈；以及第二臂，其包括作为所述交叉耦合锁存器的第二部分的第四晶体管、第五晶体管、第二电流扼流圈、第六晶体管和第二二极管耦合式晶体管堆栈。17.根据权利要求16所述的系统，其中所述第一晶体管具有适于耦合到所述电压源的源极，所述第四晶体管具有适于耦合到所述电压源的源极、耦合到所述第一晶体管的漏极的栅极和耦合到所述第一晶体管的栅极的漏极，所述第二晶体管具有耦合到所述第一晶体管的所述漏极的漏极，所述第五晶体管具有耦合到所述第四晶体管的所述漏极的漏极，所述第一电流扼流圈适于耦合在所述第二晶体管的源极和接地之间，所述第二电流扼流圈适于耦合在所述第五晶体管的所述源极和接地之间，所述第三晶体管具有耦合到所述第二晶体管的所述源极的漏极和适于耦合到接地的源极，所述第六晶体管具有耦合到所述第五晶体管的所述源极的漏极和适于耦合到接地的源极，并且所述第三晶体管和所述第六晶体管均被配置为响应于所述电压源的压摆率超过编程量而接收具有断言值的信号，所述断言值足以使所述第三晶体管和所述第六晶体管传导电流，以旁通所述第一电流扼流圈和所述第二电流扼流圈。18.根据权利要求16所述的系统，其中所述电压源是第一电压源，并且所述斜坡检测器包括：二极管，其具有耦合到所述第一电压源的阳极并具有阴极；第七晶体管，其具有耦合到所述二极管的所述阳极的栅极，具有耦合到所述二极管的所述阴极的源极并具有漏极；第八晶体管，其具有栅极和适于耦合到接地的源极以及耦合到所述二极管的所述阴极的源极；电容器，其具有耦合到所述二极管的所述阴极的第一端子；第一电流镜，其具有耦合到所述第七晶体管的漏极的第一电流镜输入并具有第一电流镜输出；第二电流镜，其具有耦合到所述第一电流镜输出的第二电流镜输入并具有第二电流镜输出，所述第二电流镜适于耦合到所述第二电压源；以及电流源，其耦合在所述第二电流镜输出和接地之间，所述第二电流镜输出耦合到所述第三晶体管。19.根据权利要求18所述的系统，其中所述电容器具有第二端子并且所述斜坡检测器包括第三电流镜，所述第三电流镜具有耦合到所述电容器的所述第二端子的第三电流镜输入和耦合到所述第二电流镜输入的第三电流镜输出。20.根据权利要求16所述的系统，其中所述电压源是第一电压源，并且所述斜坡检测器包括：电容器，其具有适于耦合到所述第一电压源的第一端子并具有第二端子；第一电流镜，其具有耦合到所述电容器的所述第二端子的第一电流镜输入并具有第一
电流镜输出；第二电流镜，其具有耦合到所述第一电流镜输出的第二电流镜输入并具有第二电流镜输出，所述第二电流镜适于耦合到所述第二电压源；以及电流源，其耦合在所述第二电流镜输出和接地之间，所述第二电流镜输出耦合到所述第三晶体管。21.一种装置，其包括：电平移位电路，其具有：第一臂，其包括交叉耦合锁存器的第一部分、第一二极管耦合式晶体管堆栈和第一输入晶体管；第二臂，其包括所述交叉耦合锁存器的第二部分、第二二极管耦合式晶体管堆栈和第二输入晶体管；第一电流扼流圈，其适于耦合在所述第一输入晶体管和接地之间；第二电流扼流圈，其适于耦合在所述第二输入晶体管和接地之间；第一短路晶体管，其适于耦合在所述第一输入晶体管和接地之间的所述第一电流扼流圈两端；以及第二短路晶体管，其适于耦合在所述第二输入晶体管和接地之间的所述第二电流扼流圈两端；以及斜坡检测器，其具有通过电流镜耦合到所述第一短路晶体管和所述第二短路晶体管的电容器，所述斜坡检测器还具有耦合到所述电容器的接地栅极晶体管。

技术总结
本申请题为“电平移位器”。在一个示例中，一种装置(100)包括电平移位电路(114)和斜坡检测器(112)。该电平移位电路具有电流扼流圈和耦合在电流扼流圈两端的晶体管，该电平移位电路适于耦合到第一电压源(108)。该斜坡检测器具有适于耦合到第一电压源的斜坡检测器输入和耦合到晶体管的斜坡检测器输出，该斜坡检测器适于耦合到第二电压源(110)。测器适于耦合到第二电压源(110)。测器适于耦合到第二电压源(110)。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：2021.06.21
技术公布日：2022/1/28