技术特征：
silicon magnesium yttrium)、氧化镁、氧化锆、碳化钛、碳化硼或氮化硼。14.如权利要求12所述的静电卡盘，其中所述绝缘层包括氧化铝或氧化钇。
技术总结
本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1
技术研发人员：Z
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2015.08.12
技术公布日：2022/1/25
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
