一种传感组件及电子设备的制作方法

1.本技术涉及电子传感技术领域，特别是涉及一种传感组件及电子设备。


背景技术：

2.传感器作为一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信号以作为传感信号输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求，进而在电子设备中得到了广泛的应用。
3.在传感器得到的传感信号会传入到处理芯片的过程，以及从处理芯片传出的过程中，一般会受到较多的射频和其他噪音的干扰，进而造成处理芯片对传感信号处理不准确的问题。


技术实现要素：

4.本技术提供一种传感组件及电子设备，能够减少干扰信号对asic芯片的干扰，提高asic芯片信号处理的准确性。
5.本技术第一方面提供一种传感组件，该传感组件包括：封装基板；外壳，围设于封装基板的一侧，外壳与封装基板形成容置腔；asic芯片，设置于封装基板上，且位于容置腔内；第一导电层，第一导电层接地，第一导电层设置于封装基板上，且第一导电层和封装基板形成位于容置腔内的闭合腔，asic芯片设置于闭合腔内且与第一导电层间隔设置。
6.在一些实施例中，传感组件还包括第一绝缘层以及第二导电层，第二导电层接地，第一绝缘层覆盖在第一导电层上，第二导电层覆盖在第一绝缘层上。
7.在一些实施例中，传感组件还包括第二绝缘层，第二绝缘层设置于第一导电层靠近asic芯片的一侧，第一导电层覆盖第二绝缘层，第二绝缘层覆盖asic芯片。
8.在一些实施例中，传感组件还包括第四绝缘层，第四绝缘层覆盖第二导电层，第四绝缘层与外壳间隔设置。
9.在一些实施例中，传感组件还包括第三绝缘层，第三绝缘层覆盖第一导电层，第三绝缘层与外壳间隔设置。
10.在一些实施例中，外壳包括依次层叠设置的第一金属层、填充层以及第二金属层，填充层为绝缘层，以使得第一金属层与第二金属层之间相互绝缘。
11.在一些实施例中，封装基板的一侧设置有第一金属屏蔽层，封装基板的另一侧设置有第二金属屏蔽层，封装基板设置有导电通孔，第一金属屏蔽层与第二金属屏蔽层通过导电通孔连接，外壳围设于第一金属屏蔽层上，第一金属屏蔽层或第二金属屏蔽层接地。
12.在一些实施例中，传感组件还包括传感器，传感器设置于容置腔内，传感器与asic芯片电连接，封装基板设置有进声孔，进声孔连通传感器与容置腔外的空间。
13.在一些实施例中，传感组件包括引线，第一导电层开设有通孔，引线通过通孔以连接传感器与asic芯片。
14.本技术第二方面提供一种电子设备，该电子设备包括如上述任一项的传感组件。
15.本技术至少具备的有益效果是：相较于现有技术，本技术提供的传感组件以及电子设备，由于asic芯片位于第一导电层以及封装基板形成的闭合腔内，通过第一导电层能够对干扰信号起到屏蔽作用，进而减少干扰信号对asic芯片的干扰，提高asic芯片信号处理的准确性。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本技术的传感组件一实施例的结构示意图；
18.图2是本技术的传感组件另一实施例的结构示意图；
19.图3是本技术的传感组件又一实施例的结构示意图；
20.图4是本技术的传感组件又一实施例的结构示意图；
21.图5是本技术的传感组件又一实施例的结构示意图。
具体实施方式
22.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
23.本技术中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
24.本技术第一方面提供一种传感组件10，能够减少干扰信号对asic芯片的干扰，提高asic芯片信号处理的准确性。请参阅图1，图1是本技术的传感组件10一实施例的结构示意图。
25.传感组件10包括封装基板11、外壳12、asic芯片13(asic，application specific integrated circuit，专用集成电路)以及第一导电层14。外壳12围设于封装基板11的一侧，使得外壳12与封装基板11形成容置腔s1，asic芯片13设置于封装基板11上，且位于容置腔s1内。
26.其中，外壳12可以围设于部分封装基板11，外壳12的边缘部分形成一闭合形状，且
外壳12的边缘部分均与封装基板11接触设置，以实现外壳12围设于封装基板11。外壳12的非边缘部分相对于封装基板11凸起以形成一内腔，使得封装基板11与外壳12的内腔形成容置腔s1，容置腔s1内设置有传感组件10的元器件，例如传感器。
27.外壳12的材料为金属材料，例如，外壳12的材料可以为铜、铁、铝以及复合金属材料中的任意一种或两种以上的任意组合。封装基板11可以是pcb(printed circuit board，印刷电路板)或fpc(flexible printed circuit，柔性印刷电路)等，容置腔s1内的元器件设置于封装基板11上。外壳12可以通过焊接不可拆卸地设置于封装基板11上，或通过卡扣等连接方式实现可拆卸的方式设置于封装基板11上。
28.外壳12可以通过封装基板11间接接地或直接接地，例如通过导线连接封装基板11与大地实现直接接地。通过接地可以使得射频信号等干扰信号从接地的外壳12导入到大地，进而减少干扰信号对设置于容置腔s1内的asic芯片13的干扰，提高asic芯片13处理结果的准确性。因此，外壳12除了元件保护作用，实质上也形成一屏蔽层，进而实现对外界干扰信号的屏蔽。
29.进一步，第一导电层14接地，第一导电层14设置于封装基板11上，且第一导电层14和封装基板11形成位于容置腔s1内的闭合腔，asic芯片13设置于闭合腔s2内且与第一导电层14间隔设置。
30.具体地，第一导电层14的材料可以是铜、铁、铝以及复合金属材料中的一种或两种以上的任意组合，第一导电层14直接接地或通过封装基板11实现接地。第一导电层14的边缘部分与封装基板11连接，非边缘部分与封装基板11间隔设置，进而使得第一导电层14形成一内腔，内腔与封装基板11配合形成闭合腔s2，闭合腔s2可以是密封腔。
31.asic芯片13可以设置于封装基板11的表面，也可以部分嵌设于封装基板11，而另一部分外露于封装基板11，或完全嵌设于封装基板11的内部。asic芯片13与第一导电层14间隔设置，即asic芯片13与第一导电层14之间不接触，防止对asic芯片13产生影响。
32.进一步，第一导电层14可以与外壳12之间间隔设置，即第一导电层14各部分均不与外壳12接触。因此，asic芯片13与第一导电层14之间间隔设置，第一导电层14与外壳12之间间隔设置。
33.应理解，射频信号等干扰信号在经过外壳12时，会被外壳12吸收一部分，进而被导入大地。在进入到外壳12内后，进入到外壳12的干扰信号以及外壳12内其他器件产生的干扰信号会被第一导电层14吸收，进而被导入到大地。因此，本技术通过设置外壳12以及第一导电层14形成了两个相互独立的屏蔽层，有效减少外界对设置于闭合腔s2内的asic芯片13的干扰，加强了屏蔽效果。
34.在一些具体实施例中，第一导电层14在垂直于封装基板11方向上的截面的形状为弧形，即第一导电层14的形状可以呈空心球的部分表面的形状。基于此种设置方式，能够减少第一导电层14所形成的闭合腔s2在容置腔s1内占用的空间，使得各元件的结构更加紧凑，满足目前传感组件日渐小型化的需求。
35.综上，本技术的传感组件10由于asic芯片13位于第一导电层14以及封装基板11形成的闭合腔s2内，闭合腔s2能够将接收的干扰信号传导入大地。因此，通过第一导电层14能够对干扰信号起到屏蔽作用，进而减少干扰信号对asic芯片13的干扰，提高asic芯片13信号处理的准确性。
36.请参阅图2，图2是本技术的传感组件10另一实施例的结构示意图。
37.在一些实施例中，传感组件10还包括第一绝缘层15以及第二导电层16，第二导电层16接地，第一绝缘层15覆盖在第一导电层14上，第二导电层16覆盖在第一绝缘层15上。
38.具体地，第一绝缘层15完全覆盖于第一导电层14，第一绝缘层15周边部分与封装基板11接触设置，第二导电层16完全覆盖于第一绝缘层15，第二导电层16的周边部分与封装基板11接触设置，第一绝缘层15使得第一导电层14与第二导电层16之间相互绝缘。第二导电层16的材料可以与第一导电层14的材料相同，或者为不同的其他导电材料，第二导电层16的厚度与第二导电层16的厚度可以相同。
39.其中，第二导电层16可以直接接地，或通过封装基板11接地。第二导电层16与外壳12间隔设置，以使得第二导电层16单独形成一屏蔽层。
40.应理解，第二导电层16能够吸收干扰信号，进而将干扰信号导入大地，实现对asic芯片13的屏蔽。由于第二导电层16与第二导电层16之间相互绝缘，第一导电层14与第二导电层16分别形成两层独立的屏蔽层，进而可以加强对asic芯片13的屏蔽作用。
41.请参阅图3，图3是本技术的传感组件10又一实施例的结构示意图。
42.在一些实施例中，传感组件10还包括第二绝缘层17，第二绝缘层17设置于第一导电层14靠近asic芯片13的一侧，第一导电层14覆盖第二绝缘层17，第二绝缘层17覆盖asic芯片13。
43.具体地，第二绝缘层17的材料可以与第一绝缘层15的材料相同。第二绝缘层17实现第一导电层14与asic芯片之间的相互绝缘，防止第一导电层14吸收的干扰信号导入到asic芯片13中，对asic芯片13造成影响。
44.应理解，在仅仅设置第一导电层14的情况下，也可以在第一导电层14与asic芯片之间设置第二绝缘层17，可参见上述设置方式。
45.在各层的形成工艺中，可以通过点胶喷涂绝缘胶进而形成覆盖asic芯片13的第二绝缘层17并固化。第二绝缘层17固化后，可以通过喷涂导电胶形成覆盖第二绝缘层17的第一导电层14并固化。若设置有第一绝缘层15以及第二导电层16，在第一导电层14固化后，可以通过喷涂绝缘胶形成覆盖第一导电层14的第一绝缘层15并固化，并在固化后的第一绝缘层15上通过喷涂导电胶形成覆盖于第一绝缘层15的第二导电层并固化。
46.请参阅图4，图4是本技术的传感组件10又一实施例的结构示意图。
47.在一些实施例中，传感组件10还包括第四绝缘层18，第四绝缘层18覆盖第二导电层16，第四绝缘层18与外壳12间隔设置。
48.具体地，第四绝缘层18完全覆盖第二导电层16，进而实现第二导电层16与容置腔s1内的其他部件以及外壳12之间的相互绝缘。第四绝缘层18与第一绝缘层15、第二绝缘层17的材料可以相同，也可以不同。
49.对应于仅仅设置第一导电层14的实施例中，传感组件10包括第三绝缘层(图未示)，第三绝缘层覆盖第一导电层14，第三绝缘层与外壳12间隔设置。
50.应理解，在仅仅设置有第一导电层14的情况下，可以在第一导电层14的外部覆盖第三绝缘层。其中，第三绝缘层与第四绝缘层18可以视为是同一绝缘层，均为与外壳12间隔设置的最外绝缘层，“第三”以及“第四”用于在不同实施例下对该最外绝缘层的区分。
51.在形成工艺上，可以在第二导电层16固化后，通过喷涂绝缘胶形成覆盖第二导电
层16的第四绝缘层18。在形成第三绝缘层的实施例下，可以参见上述关于第一绝缘层15的形成方式。
52.请参阅图5，图5是本技术的传感组件10又一实施例的结构示意图。
53.在一些具体实施例中，外壳12包括依次层叠设置的第一金属层121、填充层122以及第二金属层123，填充层122为绝缘层122，以使得第一金属层121与第二金属层123之间相互绝缘。
54.具体地，第一金属层121、填充层122以及第二金属层123可以一体成型，也可以单独成型。第一金属层121与第二金属层123的材料可以相同、厚度相同。第一金属层121、填充层122以及第二金属层123的边缘部分分别与封装基板11接触设置，且第一金属层121与第二金属层123通过封装基板11实现接地，或者第一金属层121与第二金属层123分别直接接地。
55.应理解，第一金属层121与第二金属层123之间通过接地将吸收的干扰信号导入大地。并且，由于第一金属层121与第二金属层123之间相互绝缘，二者互不干扰，第一金属层121与第二金属层123分别形成两个单独的屏蔽层。通过两个单独屏蔽层的设置，加强了外壳12对容置腔s1内的asic芯片13的屏蔽作用。
56.进一步，封装基板11的一侧设置有第一金属屏蔽层a1，封装基板11的另一侧设置有第二金属屏蔽层a2，封装基板11设置有导电通孔b，第一金属屏蔽层a1与第二金属屏蔽层a2通过导电通孔b连接，外壳12围设于第一金属屏蔽层a1上，第一金属屏蔽层a1或第二金属屏蔽层a2接地。当然，封装基板11也可以是不设置金属屏蔽层的pcb板。
57.具体地，第一金属屏蔽层a1覆盖于封装基板11的第一表面，第二金属屏蔽层a2覆盖于封装基板11的第二表面，第一表面与第二表面为封装基板11相对的两个表面，导电通孔b内可以设置导电胶，进而电连接第一金属屏蔽层a1与第二金属屏蔽层a2。其中，导电通孔b的数量可以是大于一个，导电通孔b间隔地设置于封装基板11，进而实现第一金属屏蔽层a1与第二金属屏蔽层a2之间的良好导通，asic芯片13可以设置于两个导电通孔b之间的区域上。
58.结合上述内容，第一金属层121与第二金属层123设置于封装基板11，可以是第一金属层121与第二金属层123均设置于封装基板11的第一金属屏蔽层a1上。应理解，由于第一金属层121与第二金属层123设置于已经接地的第一金属屏蔽层a1上，因此第一金属层121与第二金属层123可以分别通过第一金属屏蔽层a1实现接地。当然，封装基板11是不设置金属屏蔽层的pcb板时，第一金属层121与第二金属层123可以分别单独接地，而不通过封装基板11接地。此时，第一金属层121以及第二金属层123相互独立且接地，形成有两个屏蔽层，能够加强对asic芯片13的屏蔽效果。
59.进一步，传感组件10还包括传感器19，传感器19设置于容置腔s1内，传感器19与asic芯片13电连接，封装基板11设置有进声孔c，进声孔c连通传感器19与容置腔s1外的空间。
60.具体地，传感器19包括基台191、振膜192以及背板193，基台191形成有内腔d。振膜192以及背板193设置于基台191远离封装基板11的一端，振膜192以及背板193位于内腔d内，且背板193间隔设置于振膜192远离封装基板11的一侧。其中，进声孔c连通内腔d以及容置腔s1外的空间，外界声音信号通过进声孔c进入到内腔d中，实现对声音信号的接收。
61.进一步，传感组件10包括引线x，第一导电层14开设有通孔，引线x通过通孔以连接传感器19与asic芯片13。
62.具体地，当传感组件10设置有第一绝缘层15、第二导电层16、第二绝缘层17、第四绝缘层18时，分别在第一绝缘层15、第二导电层16、第二绝缘层17、第四绝缘层18开设通孔，以使得引线x穿过通孔电连接asic芯片13与传感器19。应理解，当传感器19接收到传感信号后，会通过将传感信号通过电信号的方式通过引线x传递到asic芯片13，进而使得asic芯片13对传感信号进行处理。
63.本技术第二方面提供一种电子设备，该电子设备包括如上述实施例中任一项的传感组件10。
64.其中，该电子设备可以是耳机、手机、电脑及穿戴设备等。基于上述内容可知，电子设备中的传感组件10的抗干扰能力更强，能够对传感信号进行更加准确的处理，进而使得电子设备在接收外界输入时，获得更好的音质，提高用户的使用体验。
65.当然，在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，在不冲突的情况下，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
66.以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。