一种SGT功率MOSFET的制备方法与流程

技术特征：
1.一种sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：1)提供第一栅极回蚀刻的产品，所述产品包括衬底、沟槽、氧化层、sin层和第一栅极，其中所述沟槽在所述衬底的中部形成，所述氧化层覆盖所述衬底的表面和所述沟槽的底表面和侧壁，所述第一栅极在所述氧化层中形成并且被定位在所述沟槽的中间以使所述第一栅极的顶部与所述氧化层齐平且所述第一栅极的两侧和底部被所述氧化层包围，覆盖所述衬底的表面的所述氧化层中设置有所述sin层，所述sin层将覆盖所述衬底的表面的所述氧化层分成上下两层；2)对步骤1)的产品中的所述第一栅极进行第一次凹槽蚀刻；3)将步骤2)中得到的产品进行boe蚀刻清除，以将所述sin层上方的氧化层和第一次蚀刻得到的凹槽两侧的氧化层清除；4)对步骤3)得到的产品中的所述第一栅极进行第二次凹槽蚀刻；5)对步骤4)得到的产品沿着第二次蚀刻得到的凹槽的侧壁和底部沉积sacf氧化层和sin层；6)将步骤5)得到的产品中的sin层进行回蚀刻，以消除凹槽底部的sin层；7)对步骤6)得到的产品中的位于沟槽内的氧化层进行ipo加热；8)对步骤7)得到的产品进行sin层移除和sacf氧化层移除；9)将步骤8)中得到的产品沿着凹槽的侧壁沉积gox氧化层；10)在步骤9)得到的产品中沉积第二栅极以使第二栅极覆盖所述衬底的表面上的氧化层并填充凹槽，从而形成sgt功率mosfet。2.根据权利要求1所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述第一栅极是多晶硅栅极。3.根据权利要求1所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述第二栅极是多晶硅栅极。4.根据权利要求1所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述衬底由硅、锗或碳化硅材料制成。5.根据权利要求1所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述sin层是硬掩膜。6.根据权利要求5所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述sin层的厚度是7.根据权利要求1所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述sin层下方的氧化层的厚度小于所述sin层上方的氧化层的厚度。8.根据权利要求1所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述ipo加热的温度是800-1050℃。9.根据权利要求1所述的sgt功率mosfet的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度是0.3-0.4um以及深度是1.5-1.8um。10.一种根据上述权利要求1-9中任一项所述的sgt功率mosfet的制备方法制备的sgt功率mosfet。

技术总结
本发明涉及一种SGT功率MOSFET的制备方法，该方法包括提供第一栅极回蚀刻的产品；对第一栅极进行第一次凹槽蚀刻；进行屏蔽氧化层BOE蚀刻清除；对第一栅极进行第二次凹槽蚀刻；在凹槽内沉积SACF氧化层和SiN层；对SiN层进行回蚀刻；对沟槽内的氧化层进行IPO加热；去除之前沉积的SiN层和SACF氧化层；沉积GOX氧化层；沉积第二栅极以制备得到SGT功率MOSFET。通过本发明的方法，本发明可以避开HDP机台，有效提升产品产能，并且本发明不需要增加光掩膜层，可以降低产品成本，提升产品竞争力。提升产品竞争力。提升产品竞争力。


技术研发人员：郑远程 石新欢
受保护的技术使用者：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
技术研发日：2020.07.24
技术公布日：2022/1/25