一种全波长半导体激光器芯片结构的制作方法

1.本实用新型涉及光电技术领域，具体是一种全波长半导体激光器芯片结构。


背景技术：

2.半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器，由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊，常用工作物质有砷化镓(gaas)、硫化镉(cds)、磷化铟(inp)、硫化锌(zns)等，激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式，半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种，同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。
3.中国专利公开了一种边射型半导体激光器芯片结构，(授权公告号cn209233160u)，该专利技术能够在端面量子阱尖角结构处，由于量子阱区厚度被缩小，导致在这一区域量子阱对光的束缚能力减弱，从而达到减小激光器芯片的发散角的目的，但是，上述装置会由于芯片过热，导致激光簇灭，限制了高功率激光输出芯片的散热，散热效果不好，不能够满足芯片的散热要求，而且上述不能够有效地防止灰尘进入装置内，从而导致芯片的使用寿命降低，因此，本领域技术人员提供了一种全波长半导体激光器芯片结构，以解决上述背景技术中提出的问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种全波长半导体激光器芯片结构，通过设置散热片能够对芯片本体侧面产生的热量散发出去，而设置在芯片本体下端的散热板和散热管能够对芯片的下部进行散热，从而提高散热效率，完全满足芯片本体的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
6.一种全波长半导体激光器芯片结构，包括安装座和芯片本体，所述芯片本体的上表壁依次设置有背电极、衬底、下限制层、下波导层、有源层、上限制层、上波导层、脊波导和上电极，安装座的内部上表壁设置有导热板，且安装座的内部两侧壁均嵌设有散热片，导热板的上表壁与芯片本体的下表壁固定连接，安装座的两侧壁均设置有多个散热管，多个散热管均与导热板固定连接，安装座的上表壁两侧均设置有压紧机构。
7.作为本实用新型再进一步的方案：所述压紧机构包括两个压板，两个压板的上表壁均设置有紧固螺栓，且两个压板均通过紧固螺栓与安装座固定连接，两个压板与芯片本体相对应。
8.作为本实用新型再进一步的方案：所述安装座两侧壁上部均固定连接有对称分布的安装板。
9.作为本实用新型再进一步的方案：多个所述安装板的外壁均开设有安装孔。
10.作为本实用新型再进一步的方案：所述安装座的下表壁四角处均固定连接有导电片，且多个导电片均与芯片本体的背电极电性连接。
11.作为本实用新型再进一步的方案：所述安装座的下表壁中部设置有散热风机。
12.作为本实用新型再进一步的方案：两个所述压板的上表壁均设置有密封垫。
13.作为本实用新型再进一步的方案：所述散热风机的外部设置有防尘罩。
14.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
15.1、通过设置散热片能够将芯片本体侧面产生的热量散发出去，而设置在芯片本体下端的导热板和散热管能够对芯片的下部进行散热，从而提高散热效率，完全满足芯片本体的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出；
16.2、通过在安装座的下表壁设置散热风机，散热风机能够实现对芯片本体的二次散热，提升装置的散热效率，通过在散热风机的外部设置防尘罩，并在压板的上表壁设置密封垫，密封垫和防尘罩可以有效地防止灰尘进入装置内部，提升了芯片本体的使用寿命。
附图说明
17.图1为本实用新型的整体结构示意图；
18.图2为本实用新型中整体结构的剖视图；
19.图3为本实用新型中整体结构的仰视图；
20.图4为本实用新型中芯片本体的剖视图。
21.图中：1、安装座；2、芯片本体；21、背电极；22、衬底；23、下限制层；24、下波导层；25、有源层；26、上限制层；27、上波导层；28、脊波导；29、上电极；3、导热板；4、散热片；5、压板；6、紧固螺栓；7、散热管；8、安装板；9、密封垫；10、导电片；11、散热风机。
具体实施方式
22.实施例1
23.请参阅图1、图2和图4，一种全波长半导体激光器芯片结构，包括安装座1和芯片本体2，芯片本体2的上表壁依次设置有背电极21、衬底22、下限制层23、下波导层24、有源层25、上限制层26、上波导层27、脊波导28和上电极29，安装座1的内部上表壁设置有导热板3，且安装座1的内部两侧壁均嵌设有散热片4，导热板3的上表壁与芯片本体2的下表壁固定连接，安装座1的两侧壁均设置有多个散热管7，多个散热管7均与导热板3固定连接，安装座1的上表壁两侧均设置有压紧机构，压紧机构可以对芯片本体2进行固定。
24.在图1和图3中，压紧机构包括两个压板5，两个压板5的上表壁均设置有紧固螺栓6，且两个压板5均通过紧固螺栓6与安装座1固定连接，两个压板5与芯片本体2相对应，安装座1两侧壁上部均固定连接有对称分布的安装板8，多个安装板8的外壁均开设有安装孔，安装座1的下表壁四角处均固定连接有导电片10，且多个导电片10均与芯片本体2的背电极21电性连接，安装座1的下表壁中部设置有散热风机11，两个压板5的上表壁均设置有密封垫9，散热风机11的外部设置有防尘罩，防尘罩可以防止灰尘进入装置内部。
25.使用时，首先将装置安装在半导体激光器上，芯片本体2正常工作，当芯片本体2因工作时间过长而发热时，散热片4能够将芯片本体2侧面产生的热量散发出去，而设置在芯片本体2下端的导热板3和散热管7能够对芯片本体2的下部进行散热，从而提高散热效率，完全满足芯片本体2的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出，然后启动散热风机11，散热风机11能够实现对芯片本体2的二次散热，提升装置的散热效率，通过
在散热风机11的外部设置防尘罩，并在压板5的上表壁设置密封垫9，密封垫9和防尘罩可以有效地防止灰尘进入装置内部，提升了芯片本体2的使用寿命。
26.以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。


技术特征：
1.一种全波长半导体激光器芯片结构，包括安装座(1)和芯片本体(2)，其特征在于，所述芯片本体(2)的上表壁依次设置有背电极(21)、衬底(22)、下限制层(23)、下波导层(24)、有源层(25)、上限制层(26)、上波导层(27)、脊波导(28)和上电极(29)，安装座(1)的内部上表壁设置有导热板(3)，且安装座(1)的内部两侧壁均嵌设有散热片(4)，导热板(3)的上表壁与芯片本体(2)的下表壁固定连接，安装座(1)的两侧壁均设置有多个散热管(7)，多个散热管(7)均与导热板(3)固定连接，安装座(1)的上表壁两侧均设置有压紧机构。2.根据权利要求1所述的一种全波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，所述压紧机构包括两个压板(5)，两个压板(5)的上表壁均设置有紧固螺栓(6)，且两个压板(5)均通过紧固螺栓(6)与安装座(1)固定连接，两个压板(5)与芯片本体(2)相对应。3.根据权利要求1所述的一种全波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，所述安装座(1)的两侧壁上部均固定连接有对称分布的安装板(8)。4.根据权利要求3所述的一种全波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，多个所述安装板(8)的外壁均开设有安装孔。5.根据权利要求1所述的一种全波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，所述安装座(1)的下表壁四角处均固定连接有导电片(10)，且多个导电片(10)均与芯片本体(2)的背电极(21)电性连接。6.根据权利要求1所述的一种全波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，所述安装座(1)的下表壁中部设置有散热风机(11)。7.根据权利要求2所述的一种全波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，两个所述压板(5)的上表壁均设置有密封垫(9)。8.根据权利要求6所述的一种全波长半导体激光器芯片结构，其特征在于，所述散热风机(11)的外部设置有防尘罩。

技术总结
本实用新型涉及光电技术领域，公开了一种全波长半导体激光器芯片结构，包括安装座和芯片本体，所述芯片本体的上表壁依次设置有背电极、衬底、下限制层、下波导层、有源层、上限制层、上波导层、脊波导和上电极，安装座的内部上表壁设置有导热板，且安装座的内部两侧壁均嵌设有散热片，导热板的上表壁与芯片本体的下表壁固定连接，安装座的两侧壁均设置有多个散热管，该实用新型通过设置散热片能够对芯片本体侧面产生的热量散发出去，而设置在芯片本体下端的散热板和散热管能够对芯片的下部进行散热，从而提高散热效率，完全满足芯片本体的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出。激光输出。激光输出。


技术研发人员：毛虎 焦英豪 毛森
受保护的技术使用者：勒威半导体技术（嘉兴）有限公司
技术研发日：2021.09.08
技术公布日：2022/1/18