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基板处理装置的制作方法

2022-02-20 21:22:16 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种使用处于超临界状态的处理流体来处理基板的装置,所述装置包括:腔室,其用于提供用于处理所述基板的处理空间;基板支撑件,其设置在所述腔室内,以用于当所述基板被加载到所述腔室内时支撑所述基板;第一供应端口,其设置在所述腔室的下壁中,其中,所述第一供应端口连接到第一供应管线,以用于将处理流体供应到所述处理空间的位于所述基板下方的部分;排出端口,其设置在所述腔室的所述下壁中,并与所述第一供应端口隔开预定间距,其中,所述排出端口连接到用于从所述腔室排出所述处理流体的排出管线;分支管线,其从所述排出管线分出,并且位于所述排出管线的、安装在所述排出管线处的排出阀上游的位置处,其中,所述分支管线总是打开的;以及控制器,其配置成控制所述处理流体的供应和排出,其中,在将所述处理空间中的压力从低于所述处理流体的临界压力的压力增加到高于所述临界压力的处理压力的增压步骤中,所述控制器配置成控制从所述第一供应端口供应的所述处理流体的供应量,以控制从所述第一供应端口供应然后通过所述排出端口排出的所述处理流体的流动。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括安装在所述分支管线中的孔口。3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述孔口的直径小于所述排出管线的直径。4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述分支管线是以平行于所述排出阀的方式安装的旁通管线。5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述控制器配置成控制所述处理流体的所述供应量,以便在所述增压步骤的整个时段的一部分中保持所述处理空间中的所述压力。6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述控制器配置成:在所述增压步骤中,在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之前的预定时段部分内,将所述处理流体的供应流速控制到第一流速,从而控制所述处理空间中的所述处理流体的所述流动;以及将所述处理流体的所述供应流速控制到大于所述第一流速的第二流速,以将所述处理空间中的所述压力增加到所述处理压力。7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括第二供应端口,所述第二供应端口连接到第二供应管线,以用于将所述处理流体供应到所述处理空间的位于所述基板上方的部分,其中所述控制器配置成:在所述增压步骤中,在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之前的时段内,从所述第一供应端口供应所述处理流体;在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之后的时段内,从所述第二供应端口供应所述处于超临界状态的处理流体;以及在使用所述处于超临界状态的处理流体对所述基板的处理已经完成之后,打开所述排出阀以排出所述处理空间内的所述处理流体。8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括阻挡板,所述阻挡板设置在所述第一供应端口和所述基板支撑件之间,以用于防止来自所述第一供应端口的所述处理流体
直接喷射到所述基板上,其中,所述阻挡板的顶面定位成邻近所述基板的底面。9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述控制器配置成:将针对所述增压步骤的第一时段的所述处理流体的供应流速和针对在所述增压步骤的所述第一时段之后的第二时段的所述处理流体的供应流速控制成彼此不同。10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述控制器配置成:将针对所述第一时段的所述处理流体的供应流速控制到第一流速;以及将针对所述第二时段的所述处理流体的供应流速控制到大于所述第一流速的第二流速。11.一种使用处于超临界状态的处理流体来处理基板的装置,所述装置包括:腔室,其用于提供用于处理所述基板的处理空间;基板支撑件,其设置在所述腔室内,以用于当所述基板被加载到所述腔室内时支撑所述基板;第一供应端口,其设置在所述腔室的下壁中,其中,所述第一供应端口连接到第一供应管线,以用于将处理流体供应到所述处理空间的位于所述基板下方的部分;第一排出端口,其设置在所述腔室的所述下壁中,并与所述第一供应端口隔开预定间距,其中,所述第一排出端口连接到用于从所述腔室排出所述处理流体的第一排出管线;第二排出端口,其连接到第二排出管线,以用于从所述腔室中排出所述处理流体,其中所述第二排出端口总是打开的;以及控制器,其配置成控制所述处理流体的供应和排出,其中,在将所述处理空间中的压力从低于所述处理流体的临界压力的压力增加到高于所述临界压力的处理压力的增压步骤中,所述控制器配置成控制从所述第一供应端口供应的所述处理流体的供应量,以控制从所述第一供应端口供应然后通过所述第二排出端口排出的所述处理流体的流动。12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述装置还包括安装在所述第二排出端口中的孔口。13.根据权利要求12所述的装置,其中,所述孔口的直径小于所述第一排出管线的直径。14.根据权利要求11所述的装置,其中,所述控制器配置成:控制所述处理流体的所述供应量,以便在所述增压步骤的整个时段的一部分中保持所述处理空间中的所述压力。15.根据权利要求11所述的装置,其中,所述控制器配置成:在所述增压步骤中,在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之前的预定时段部分内,将所述处理流体的供应流速控制到第一流速,从而控制所述处理空间中的所述处理流体的所述流动;以及将所述处理流体的所述供应流速控制到大于所述第一流速的第二流速,以将所述处理空间中的所述压力增加到所述处理压力。16.根据权利要求11所述的装置,其中,所述装置还包括第二供应端口,所述第二供应端口连接到第二供应管线,以用于将所述处理流体供应到所述处理空间的位于所述基板上方的部分,
其中所述控制器配置成:在所述增压步骤中,在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之前的时段内,从所述第一供应端口供应所述处理流体;在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之后的时段内,从所述第二供应端口供应所述处于超临界状态的处理流体;以及在使用所述处于超临界状态的处理流体对所述基板的处理已经完成之后,打开第一排出阀以排出所述处理空间内的所述处理流体。17.根据权利要求11所述的装置,其中,所述第一排出端口设置在所述腔室的所述下壁的中心处,其中,所述第一供应端口沿一个方向设置在与所述第一排出端口隔开的位置处,其中,所述第二排出端口沿与所述一个方向相反的方向设置在与所述第一排出端口间隔开的位置处,并且围绕所述第一排出端口与所述第一供应端口相对。18.根据权利要求11所述的装置,其中,所述控制器配置成:将针对所述增压步骤的第一时段的所述处理流体的供应流速和针对在所述增压步骤的所述第一时段之后的第二时段的所述处理流体的供应流速控制成彼此不同。19.根据权利要求18所述的装置,其中,所述控制器配置成:将针对所述第一时段的所述处理流体的供应流速控制到所述第一流速;以及将针对所述第二时段的所述处理流体的供应流速控制到大于所述第一流速的第二流速。20.一种使用处于超临界状态的处理流体来处理基板的装置,所述装置包括:腔室,其用于提供用于处理所述基板的处理空间;基板支撑件,其设置在所述腔室内,以用于当所述基板被加载到所述腔室内时支撑所述基板;第一供应端口,其连接到第一供应管线,以用于将处理流体供应到所述处理空间的位于所述基板下方的部分;第二供应端口,其连接到第二供应管线,以用于将所述处理流体供应到所述处理空间的位于所述基板上方的部分;排出端口,其连接到排出管线,以用于从所述腔室中排出所述处理流体;分支管线,其从所述排出管线分出,并位于所述排出管线的、安装在所述排出管线处的排出阀上游的位置处,其中,所述分支管线总是打开的,其中,孔口安装在所述分支管线中,其中,所述孔口的直径小于所述排出管线的直径;阻挡板,其设置在所述第一供应端口和所述基板支撑件之间,以用于防止来自所述第一供应端口的所述处理流体直接喷射到所述基板上;以及控制器,其配置成控制所述处理流体的供应和排出,其中,在将所述处理空间中的压力从低于所述处理流体的临界压力的压力增加到高于所述临界压力的处理压力的增压步骤中,所述控制器配置成控制从所述第一供应端口供应的所述处理流体的供应量,以控制从所述第一供应端口供应然后通过所述排出端口排出的所述处理流体的流动,其中,所述控制器配置成:将针对所述增压步骤的第一时段的所述处理流体的供应流
速和针对所述增压步骤的所述第一时段之后的第二时段的所述处理流体的供应流速控制成彼此不同,其中,所述控制器配置成:将针对所述第一时段的所述处理流体的供应流速控制到第一流速;以及将针对所述第二时段的所述处理流体的供应流速控制到大于所述第一流速的第二流速,其中,所述第一时段是所述处理空间内部的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之前的时段,其中,所述控制器配置成:在所述增压步骤中,在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之前的时段内,从所述第一供应端口供应所述处理流体;在所述处理空间中的所述压力达到所述处理流体的所述临界压力之后的时段内,从所述第二供应端口供应所述处于超临界状态的处理流体;以及在使用所述处于超临界状态的处理流体对所述基板的处理已经完成之后,打开所述排出阀以排出所述处理空间内的所述处理流体。

技术总结
提供了一种使用处于超临界状态的处理流体来处理基板的装置。在将处理空间中的压力从低于处理流体的临界压力的压力增加到高于所述临界压力的处理压力的增压步骤中,所述装置控制从第一供应端口供应的处理流体的供应量,以控制从所述第一供应端口供应然后通过排出端口排出的所述处理流体的流动。端口排出的所述处理流体的流动。端口排出的所述处理流体的流动。


技术研发人员:朴美昭 李龙熙 林义相 郑镇优
受保护的技术使用者:细美事有限公司
技术研发日:2021.07.14
技术公布日:2022/1/18
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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