图像传感器的像素结构、图像传感器的制作方法

技术特征：
1.一种图像传感器的像素结构，其特征在于，包括：半导体衬底、位于半导体衬底内的光电二极管及浮置扩散区；覆盖于光电二极管上表面的钉扎层；其中，所述钉扎层在靠近浮置扩散区一侧由光电二极管至浮置扩散区方向厚度逐渐减薄。2.根据权利要求1所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述钉扎层在靠近浮置扩散区一侧呈由光电二极管至浮置扩散区方向的向下阶梯状结构。3.根据权利要求2所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述阶梯状结构为类坡状结构。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括转移晶体管，所述转移晶体管栅极覆盖所述钉扎层靠近浮置扩散区的一侧，从而所述转移晶体管的阈值电压在光电二极管至浮置扩散区方向由高到低分布。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述钉扎层由从光电二极管上表面逐层垒积的n层钉扎薄膜组成；其中，上层钉扎薄膜覆盖下层钉扎薄膜并延伸至靠近所述浮置扩散区一侧的光电二极管上表面，n≥2。6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述钉扎薄膜的掺杂浓度由底层至外层逐渐降低。7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述钉扎层为单晶结构。8.一种图像传感器，其特征在于，包括如权利要求1~7任一项所述的像素结构。

技术总结
本实用新型提供一种图像传感器的像素结构，包括：半导体衬底、位于半导体衬底内的光电二极管及浮置扩散区；覆盖于光电二极管上表面的钉扎层；其中，钉扎层在靠近浮置扩散区一侧由光电二极管至浮置扩散区方向厚度逐渐减薄。通过将钉扎层在靠近浮置扩散一侧设置为厚度逐渐减薄的结构，使转移晶体管的阈值电压在光电二极管至浮置扩散区方向由高到低分布，增强转移晶体管的开关性能。转移晶体管的开关性能。转移晶体管的开关性能。


技术研发人员：杨瑞坤
受保护的技术使用者：格科微电子（上海）有限公司
技术研发日：2021.02.07
技术公布日：2022/1/18