集成电路和用于诊断集成电路的方法与流程

技术特征：
1.一种集成电路，包括：电子模块，被配置为在输出处生成电压；以及电子控制电路，耦合到所述电子模块的输出，所述电子控制电路包括发射电子部件，所述电子控制电路被配置为使得所述发射电子部件根据所述电子模块的输出处的电压的值相对于所述电子模块的操作电压的值来发射光辐射，所述操作电压在所述电子模块的正常操作期间对于所述电子模块是特定的，其中由所述发射电子部件发射的所述光辐射被配置为扩散到所述集成电路的外表面。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电子模块包括多个电子模块，并且所述电子控制电路包括多个电子控制电路。3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述多个电子模块中的每个电子模块耦合到所述多个电子控制电路的对应的电子控制电路。4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电子控制电路被配置为能够使所述发射电子部件在所述电子模块的输出处的电压的值达到所述操作电压的值时发射所述光辐射。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电子控制电路被配置为能够使所述发射电子部件在所述电子模块的输出处的电压的值低于所述操作电压的值时发射所述光辐射。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集成电路没有设置在所述发射电子部件与所述集成电路的外表面之间的、会阻挡由所述发射电子部件生成的所述光辐射的金属线。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述光辐射的波长在400nm与1400nm之间。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述发射电子部件是二极管。9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述二极管是n阱二极管。10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述发射电子部件是晶体管。11.根据权利要求1所述的集成电路，包括被配置为断开所述电子控制电路的电路。12.一种用于对集成电路执行诊断的方法，所述集成电路包括电子模块以及电子控制电路，所述电子模块被配置为在输出处生成电压，所述电子控制电路耦合到所述电子模块的输出，其中所述电子控制电路包括发射电子部件，所述电子控制电路被配置为使得所述发射电子部件根据所述电子模块的输出处的电压的值相对于所述电子模块的操作电压的值来发射光辐射，所述操作电压在所述电子模块的正常操作期间对于所述电子模块是特定的，并且由所述发射电子部件发射的所述光辐射被配置为扩散到所述集成电路的外表面，所述方法包括：接通所述集成电路；以及监控所述发射电子部件，所述发射电子部件用于发射的光辐射；以及基于所述监控来确定所述电子模块是否具有故障。13.根据权利要求12所述的方法，其中：监控所述发射电子部件包括：获取所述集成电路的所述外表面的至少一个图像；以及确定所述电子模块是否具有故障包括：基于所述至少一个图像分析所述发射电子部件的发射状态。14.根据权利要求13所述的方法，其中获取所述至少一个图像包括使用相机。15.根据权利要求12所述的方法，其中：
所述电子模块包括多个电子模块，所述电子控制电路包括多个电子控制电路；监控所述发射电子部件包括：获取所述集成电路的所述外表面的多个序列图像；以及确定所述电子模块是否具有故障包括：基于所述多个序列图像来分析所述多个电子模块的所述发射电子部件的多个发射状态。16.根据权利要求15所述的方法，还包括：使所述多个电子模块在所述监控期间执行测试序列。17.根据权利要求15所述的方法，还包括：基于分析所述多个发射状态来确定所述多个电子模块中的特定电子模块是否具有故障。18.一种操作集成电路的方法，所述集成电路包括多个可测试电子电路，每个可测试电子电路包括电子模块，所述电子模块耦合到包括发射电子部件的电子控制电路，所述方法包括：针对所述多个可测试电子电路的每个控制电路，监控所述电子模块的输出信号；将监控的输出信号与参考水平进行比较，基于所述比较使所述发射电子部件发射光辐射，其中所发射的光辐射被配置为扩散到所述集成电路的外表面。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述输出信号是输出电压，并且所述参考水平对应于正常操作期间的所述电子模块的操作电压。20.根据权利要求18所述的方法，其中基于所述比较使所述发射电子部件发射光辐射包括：当监控的输出信号达到所述参考水平时，使所述发射电子部件发射所述光辐射。21.根据权利要求18所述的方法，其中基于所述比较使所述发射电子部件发射光辐射包括：当监控的输出信号小于所述参考水平时，使所述发射电子部件发射所述光辐射。

技术总结
本公开的各实施例涉及集成电路和用于诊断集成电路的方法。根据一个方面，一种集成电路包括：电子模块，被配置为在输出处生成电压；以及电子控制电路，耦合到电子模块的输出，电子控制电路包括发射电子部件。电子控制电路被配置为使发射电子部件根据电子模块的输出处的电压值相对于电子模块的操作电压值来发射光辐射，并且操作电压在该电子模块的正常操作期间对于该电子模块是特定的。由发射电子部件发射的光辐射被配置为扩散到集成电路的外表面。面。面。


技术研发人员：E
受保护的技术使用者：意法半导体(ALPS)有限公司
技术研发日：2021.07.15
技术公布日：2022/1/18