显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置，特别是涉及具备改善显示装置内多工器的穿通效应(feed-through)的显示装置。


背景技术：

2.非矩形(free shape)显示面板中，在显示区内不同位置的数据线所连接的子像素数量可能不同，使显示区内的不同位置的数据线(data line)的负载(rc loading)产生差异。此时面板内部多工器(multiplexer,mux)的寄生电容会影响对应子像素的充电，使得子像素数量较少的数据线会受到较大的穿通效应(feed-through)，而穿通效应的不一致会影响显示品质。


技术实现要素：

3.根据本公开一实施例的显示装置，包括：一第一显示区域、一第二显示区域、一第一多工器及一第二多工器。该第一显示区域包括多条第一数据线。该第二显示区域邻近于该第一显示区域，并且包括多条第二数据线。该第一多工器电性连接这些第一数据线的其中一者。该第二多工器电性连接这些第二数据线的其中一者。这些第一数据线的该其中一者电性连接至一第一数目的子像素。这些第二数据线的该其中一者分别电性连接至一第二数目的子像素。该第一数目小于该第二数目。且该第一多工器的尺寸小于该第二多工器的尺寸。
附图说明
4.为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
5.图1为本公开实施例的显示装置的示意图。
6.图2为本公开实施例的图1的第一显示区域、第二显示区域及周边区的示意图。
7.图3为本公开另一实施例的周边区的示意图。
8.图4为本公开实施例中多工器所包括的薄膜晶体管的剖面结构示意图。
9.图5为本公开实施例多工器所包括的薄膜晶体管的通道宽度示意图。
10.图6a为本公开实施例的通道宽度调整前的第一多工器的波形图。
11.图6b为本公开实施例的第二多工器的波形图。
12.符号说明
13.100:显示装置
14.101:第一数据线
15.102:第一显示区域
16.103:第二数据线
17.104:第二显示区域
18.106:周边区
19.108:周边区
20.110,112:纵切线
21.a,a’,a”,b:点
22.muxckh:控制信号群
23.202,204,206:薄膜晶体管
24.208,210,212:数据线
25.214:源极驱动器
26.216,218,220:子像素
27.222:扫描线
28.ckh[1],ckh[2],ckh[3]:控制信号
[0029]
300:多工器群组
[0030]
202-1,202-2,202-n:薄膜晶体管
[0031]
204-1,204-2,204-n:薄膜晶体管
[0032]
206-1,206-2,206-m:薄膜晶体管gl:玻璃基板
[0033]
buffer_sinx:氮化硅缓冲层
[0034]
buffer_siox:氧化硅缓冲层
[0035]
gi_siox:栅极绝缘层
[0036]
ild_sinx:氮化硅层间介电层
[0037]
ild_siox:氧化硅层间介电层
[0038]
m1:金属层
[0039]
m2_source:源极电极
[0040]
m2_drain:漏极电极
[0041]
nch:通道层
[0042]
ldd:轻掺杂层
[0043]
500,502:薄膜晶体管
[0044]
g:栅极
[0045]
s:源极
[0046]
d:漏极
[0047]
l:通道长度
[0048]
w1,w2:通道宽度
[0049]
600,602:波形曲线
[0050]
604:电压波动
[0051]
v1,v2:电压
[0052]
606,608:波形曲线
[0053]
v3,v4:电压
[0054]
x,y:方向
具体实施方式
[0055]
为使本公开的一些实施例的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文配合所附附图，作详细说明如下。
[0056]
必须了解的是，使用于本说明书中的「包含」、「包括」等词，是用以表示存在特定的技术特征、数值、方法步骤、作业处理、元件以及/或组件，但并不排除可加上更多的技术特征、数值、方法步骤、作业处理、元件、组件，或以上的任意组合。
[0057]
「第一」、「第二」、「第三」、「第四」等词是用来修饰元件，并非用来表示各元件之间优先顺序或先行关系，而是用来区别具有相同名字的元件。
[0058]
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本公开的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
[0059]
在本公开中，可为任何适合类型的显示装置或具有显示面板的电子装置，例如触控显示器、天线装置、拼接装置、感测装置、可挠式装置等，但不以此为限。本公开所述的电子装置可为整合具有触控与显示功能的触控显示器，而其显示面板可包含液晶(liquid crystal,lc)、有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)、无机发光二极管(light-emitting diode,led)例如微型发光二极管(micro-led,mini-led)、次毫米发光二极管(mini-led)、量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode,qled/qdled)、荧光(fluorescent)材料、磷光(phosphor)材料、量子点(quantum dots,qds)材料、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。此外，电子装置中的显示面板可为彩色显示面板或单色显示面板，且显示面板的形状可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。
[0060]
图1为本公开实施例的显示装置的示意图。如图1所示，显示装置100包括一第一显示区域102、一第二显示区域104、一第一多工器所在的周边区106及一第二多工器所在的周边区108。第一显示区域102是邻近于第二显示区域104。如图1所示，在一些实施例中，第一显示区域102有两个，是设置在第二显示区域104的两侧，且周边区106邻近第一显示区域102，周边区108邻近第二显示区域104，但本公开并不限于此。在图1中，点a’与点a”是用于分隔第一显示区域102与第二显示区域104的参考点，点a’与点a”的位置可对应于显示装置的子像素，但不限于此。在一些实施例中，点a’及/或点a”可位于两相邻子像素之间。需说明的是，在本公开中，可在显示装置的显示面板外型开始出现明显变化的区域(例如图1中的矩形区域104与近似三角形区域102的交界处)选择一点a’(点a”)作为分界的参考点，但本公开的面板外型变化并不以图1为限。在一些实施例中，本公开的显示装置100是以通过点a’且沿着图1中的y方向(显示装置100中显示面板数据线的延伸方向)的纵切线110及通过点a”且沿着图1中y方向延伸的纵切线112分别作为第一显示区域102及第二显示区域104的分隔边界。在一些实施例中，第一显示区域102包括多条第一数据线(data line)，第二显示区域104包括多条第二数据线。
[0061]
在一些实施例中，在第一显示区域102中，第一数据线中的至少一者电性连接至一第一数目的子像素。在第二显示区域104中，第二数据线中的至少一者电性连接至一第二数目的子像素。由于显示面板可为非矩形，因此在一些实施例中，第一数目小于第二数目。举例来说，点a所对应的第一数据线101位在第一显示区域102中，点b所对应的第二数据线103
是设置在第二显示区域104中，且第一数据线101所电性连接的子像素数目比第二数据线103所电性连接的子像素数目少。位于周边区106的一第一多工器(未绘出)可电性连接至第一数据线101，位于周边区108的一第二多工器(未绘出)可电性连接至第二数据线103。在一些实施例中，第一多工器的尺寸小于第二多工器的尺寸。在一些实施例中，控制信号群muxckh是用以分别开启或关闭位于周边区106的第一多工器及位于周边区108的第二多工器(更具体的说，是开启或开关多工器中的开关元件)。
[0062]
图2为本公开实施例的图1的第一显示区域102、第二显示区域104与周边区106、108的示意图。在一些实施例中，第一多工器及第二多工器可分别包括至少一个薄膜晶体管(thin film transistor,tft)，因此在图2中以薄膜晶体管分别代表第一多工器与第二多工器。另外，本公开虽以n型薄膜晶体管为例，但本公开并不限于此，在一些实施例中，也可使用p型薄膜晶体管。
[0063]
在图2中，周边区106包括第一多工器202与第一多工器204,而周边区108包括第二多工器206，但本公开中第一多工器及第二多工器的数量可不限于此。第一多工器202、第一多工器204、第二多工器206皆电性连接至一源极驱动器214，但本公开并不限于此。在一些实施例中，可能因为显示装置设计时的考量(例如显示装置中显示面板的尺寸或外型)，使得不同的多工器电性连接至不同的源极驱动器。一控制信号ckh[1]可用以将第一多工器202导通或关闭。一控制信号ckh[2]可用以将第一多工器204导通或关闭。一控制信号ckh[3]可用以将第二多工器206导通或关闭。在一些实施例中，图2的控制信号ckh[1]、ckh[2]、ckh[3]包括于图1的控制信号群muxckh之中。在一些实施例中，图2的控制信号ckh[1]、ckh[2]、ckh[3]或图1的控制信号群muxckh来自于一多工器控制器(未图示)。
[0064]
在图2中，周边区106中的第一多工器202电性连接第一显示区域102中的一数据线208，并且一子像素216电性连接数据线208及扫描线222。第一多工器204电性连接一数据线210，并且一子像素218电性连接数据线210及扫描线222。第二多工器206电性连接一数据线212，并且一子像素220电性连接数据线212及扫描线222。以数据线208为例，由于在图2中第一多工器202中的薄膜晶体管为n型薄膜晶体管，所以当控制信号ckh[1]由低电位变为高电位，第一多工器202被导通，源极驱动器214透过数据线208对子像素216内的一储存电容(未图示)进行充电。图2是以第一显示区域102中的数据线208、数据线210分别电性连接一个子像素(例如子像素216、子像素218)作为例示。在本公开的实际应用中，第一显示区域102中的数据线208、数据线210中的至少一者可电性连接第一数目(例如60个)的子像素，并且第二显示区域104中的第二数据线212、可电性连接第二数目(例如100个)的子像素。由于位于不同显示区域内的数据线所连接的子像素数量可能不同，使不同显示区域内的数据线负载产生差异。此时显示装置内多工器的寄生电容会影响对应子像素的充电，使得电性连接子像素数量较少的数据线会受到较大的穿通效应(feed through，驱动电压的突降现象)。而穿通效应的不一致将影响显示品质。此时通过调整多工器的尺寸，例如使第一多工器的尺寸小于第二多工器的尺寸，可以改变多工器的寄生电容大小，减少因穿通效应的不一致对画质的影响。
[0065]
图4为本公开实施例中多工器所包括的薄膜晶体管的剖面结构示意图。如图4所示，多工器中的薄膜晶体管可形成于玻璃基板gl上、其结构可包含但不限于氮化硅缓冲层buffer_sinx、氧化硅缓冲层buffer_siox、半导体层(包括源极s、漏极d、通道层nch及轻掺
杂层ldd)、栅极绝缘层gi_siox、氮化硅层间介电层ild_sinx、氧化硅层间介电层ild_siox。其中，源极s、漏极d、通道层nch及轻掺杂层ldd形成于氧化硅缓冲层buffer_siox及栅极绝缘层gi_siox之间。另外，薄膜晶体管也包括源极电极m2_source电性连接薄膜晶体管的源极s，漏极电极m2_drain电性连接薄膜晶体管的漏极d，并且金属层m1形成薄膜晶体管的栅极。如图4所示，寄生电容c
ox
形成于金属层m1及通道层nch之间的多晶硅材料处(例如栅极绝缘层gi_siox)。需说明的是，图4所示的薄膜晶体管结构与材料仅为一示例，但本公开并不限于此。例如在一些实施例中，薄膜晶体管的栅极可位于通道层nch的下方，或是单一薄膜晶体管包含多个栅极。
[0066]
同时参考图1、图2及图4，以图2的第一多工器204与第二多工器206为例，当控制信号ckh[2]与控制信号ckh[3]由高电位变为低电位，第一多工器204与第二多工器206中的薄膜晶体管关闭。受到第一数据线210与第二数据线212个别连接的子像素数量差异，以及如图4所示多工器中薄膜晶体管的寄生电容c
ox
影响的缘故，第一多工器204与第二多工器206于关闭后所产生的穿通效应可能不一致，而造成显示装置100的不正常显示。
[0067]
多工器的尺寸大小与薄膜晶体管的通道长度与通道宽度有关。请参考图1、图2、图4及图5。图5为本公开实施例多工器所包括的薄膜晶体管的通道宽度示意图。更具体的说，图5显示的薄膜晶体管500可代表图2第二多工器206中所包括的薄膜晶体管的布局(layout)示意图，并且薄膜晶体管502可代表图2第一多工器204中所包括的薄膜晶体管的布局示意图。在图5中，第二多工器206中的薄膜晶体管500的通道长度为l，并且通道宽度为w1。第一多工器204中的薄膜晶体管502的通道长度亦为l，并且通道宽度为w2。其中，通道宽度w2小于通道宽度w1。此时，第一多工器的尺寸可定义为w2/l，而第二多工器的尺寸可定义为w1/l。需说明的是，图5中的薄膜晶体管的布局示意图仅为说明方便而提出的示例，通道长度与宽度的定义方式会依据实际结构而有差异。图5中的斜线区域即为图4中轻掺杂层ldd。图5的栅极g可对应图4中的金属层m1。图5中的源极s可对应图4中的源极s。图5中的漏极d可对应图4中的漏极d。在一些实施例中，薄膜晶体管500所对应的第二多工器206电性连接在图1的第二显示区域104中点b所对应的第二数据线103，薄膜晶体管502所对应的第一多工器电性连接在图1的第一显示区域102中点a所对应的第一数据线101。
[0068]
如上所述，本公开透过调整不同显示区域中不同多工器各自所包括薄膜晶体管的通道宽度，用以调整不同薄膜晶体管中寄生电容c
ox
所造成的穿通效应。减少在不同显示区域中，不同数据线在所对应的多工器导通时和关闭时，因穿通效应不一致所造成的显示品质不均的状况。
[0069]
举例来说，同时参考图2及图5，在一实施例中，将第二多工器206中的薄膜晶体管500的通道宽度w1设置为50μm，并且将第一多工器204中的薄膜晶体管502的通道宽度w2设置为20μm。当第二多工器206导通时，图2的源极驱动器214提供电压6v对第二多工器206所电性连接的子像素充电，因此可在第二多工器206中薄膜晶体管500的漏极d(透过第二数据线212电性连接子像素之处)量测到5.96061v的电压(称为第三电压)；当第二多工器206关闭时，可在薄膜晶体管500的漏极d量测到5.8805v的电压(称为第四电压)。相似的，当第一多工器204导通时，图2的源极驱动器214提供电压6v对第一多工器204所电性连接的子像素充电，因此可在第一多工器204的薄膜晶体管502的漏极d(例如透过第二数据线210电性连接子像素之处)量测到5.97581v的电压(称为第一电压)；当第一多工器204关闭时，可在薄
膜晶体管502的漏极d量测到5.89706v的电压(称为第二电压)。由上述量测资料可知，在本次量测中，第一多工器204中的穿通效应(5.97581v-5.89706v＝0.07875v)相当接近于第二多工器206中的穿通效应(5.96061v-5.8805v＝0.08011v)。此时第一多工器204与第二多工器206的穿通效应可实质上视为一致。
[0070]
另外，当第二多工器206中薄膜晶体管500的通道宽度w1仍设置为50μm，并且将第一多工器204中的薄膜晶体管502的通道宽度w2由20μm变更为与w1相同的50μm。当第一多工器204导通时，图2的源极驱动器214提供电压6v对第一多工器204所电性连接的子像素充电，因此可在薄膜晶体管502的漏极d量测到5.99868v的电压(称为第一电压)；当第一多工器204关闭时，可在其漏极d量测到5.82734v的电压(称为第二电压)，此时第一多工器204的穿通效应增加为0.17134v(5.99868v-5.82734v＝0.17134v)。由上述资料可知，当第一多工器204的薄膜晶体管502的通道宽度w2为20μm，而第二多工器206的薄膜晶体管500的通道宽度w1为50μm时，第一多工器204的穿通效应相当接近于第二多工器206中的穿通效应。但当第一多工器204的薄膜晶体管502的通道宽度w2为50μm时(等于第二多工器206的薄膜晶体管500的通道宽度w1)，第一多工器204的穿通效应会增加为第二多工器206中的穿通效应的两倍左右。也就是说，当对应较少子像素的第一多工器204仍然维持与对应较多子像素的第二多工器206相同的薄膜晶体管通道宽度时(也就是多工器尺寸相同时)，第一多工器204的薄膜晶体管502中寄生电容c
ox
所造成的穿通效应将会较严重。此时，此时第一多工器204与第二多工器206的穿通效应可视为不一致。需说明的是，以上的结果仅为一示例，在本公开中，各多工器的薄膜晶体管尺寸与穿通效应会依实际产品不同而产生差异。
[0071]
请继续参考图2及图5。在一些实施例中，为了减少因子像素不同而造成穿通效应不一致，不同多工器间的尺寸可具有以下关系：
[0072]m′
＝a
×mꢀꢀꢀ
(算式1)
[0073][0074][0075]
其中，m
′
为第一多工器204的尺寸，m为第二多工器206的尺寸。a为一尺寸换算常数。k为一像素比例常数。p
′
为第一多工器204透过第一数据线(例如数据线210)所电性连接子像素的数目。n为一选择用参数，并且为1到10的正整数(1≤n≤10)。p
max
为第二多工器206透过第二数据线212所电性连接子像素的数目。在一些实施例中，第二数据线212所电性连接的子像素的数目为第二显示区域104中所有第二数据线所电性连接的子像素的数目的最多者，但本公开并不限于此。
[0076]
举例来说，在图5的实施例中，多工器的尺寸与图5薄膜晶体管的通道宽度(例如第一多工器204的薄膜晶体管的通道宽度w2与第二多工器206中薄膜晶体管500的通道宽度w1)有关，但本公开并不限于此。请同时参考图1、图2及图5，在通道长度皆为l的情况下，首先将第二多工器206中所包括的薄膜晶体管500的通道宽度w1设定为50μm。本公开在图1的点a与点b之间定义一点a’以划分出第一显示区域102与第二显示区域104，此时点a位于第一显示区域102中，而点b位于第二显示区域104中。另外，也可以类似方式定义点a”，使得点a’(或点a”)至显示装置100的侧边边缘之间(也就是第一显示区域102)的任一条第一数据
线所电性连接的子像素数目小于第二显示区域中的任一条第二数据线所电性连接的子像素数目。需说明的是，在一些实施例中，本公开并不限制将显示装置100分为两个显示区域，亦可将显示装置100区分为更多个显示区域。惟仍可以算式1～3估算各个显示区域中对应多工器的尺寸大小。而在一些实施例中，显示装置的显示面板的外型会使得每一条数据线所电性连接的子像素都不同，此时仍可用算式1～3估算各条数据线所对应的多工器尺寸。举例来说，当点a所对应的第一数据线101所电性连接的子像素数目为247，而点b所对应的第二数据线103所电性连接的子像素数目为392时，将p
′
＝247、r
max
＝392代入算式3中，而得到像素比例常数k等于0.63。
[0077]
接着，本公开将k＝0.63、n＝1～10分别代入算式2之中，而得到当n＝1时，尺寸换算常数a＝0.763；当n＝2时，尺寸换算常数a＝0.617；当n＝3时，尺寸换算常数a＝0.51；当n＝4时，尺寸换算常数a＝0.45；当n＝5时，尺寸换算常数a＝0.392；当n＝6时，尺寸换算常数a＝0.35；当n＝7时，尺寸换算常数a＝0.315；当n＝8时，尺寸换算常数a＝0.287；当n＝9时，尺寸换算常数a＝0.263；以及当n＝10时，尺寸换算常数a＝0.24。一般来说，尺寸换算常数a介于0.13至1之间(0.13≤a《1)。接着，本公开将n＝1～10情况下所求得的各尺寸换算常数a分别代入算式1之中，此时可依据实际需求(例如客户规格)先设定第二显示区域中多工器的尺寸大小(例如将第二多工器206中薄膜晶体管500的通道宽度w1设定为50μm)，而得到第一多工器204中薄膜晶体管502的通道宽度w2的建议值分别为38μm、31μm、26μm、23μm、20μm、18μm、16μm、14μm、13μm，及12μm。
[0078]
最后，本公开将上述建议值输入至一半导体模拟软件中，用以模拟在不同的第一多工器204的薄膜晶体管502的通道宽度w2及第二多工器206的薄膜晶体管500的通道宽度维持为50μm的情况下，使第一多工器204的穿通效应与第二多工器206的穿通效应最为接近者作为第一多工器中薄膜晶体管502的通道宽度w2。需说明的是，以上的结果仅为一示例，本公开中各多工器的薄膜晶体管尺寸与穿通效应会依实际产品不同而产生差异。
[0079]
请参考图3。图3为本公开另一实施例的周边区示意图。图3中的多工器群组300中各多工器与图2中的第一多工器202、204与第二多工器206的差异之处在于，图3的多工器群组300中的各个多工器可包含多个薄膜晶体管。例如，图3的第一多工器可包括n个薄膜晶体管202-1、202-2、
…
、202-n相互并联，以取代图2中的第一多工器202。同理，图3的第二多工器可包括m个薄膜晶体管206-1、206-2、
…
、206-m相互并联，以取代图2的第二多工器206，其余的第一多工器与第二多工器可以类推。其中，n、m为大于或等于2的正整数，且n与m可以相同或不同。图3中多工器300的薄膜晶体管202-1、202-2、
…
、202-n、204-1、204-2、
…
、204-n、206-1、206-2、
…
、206-m的源极端皆电性连接至图2中的源极驱动器214，但本公开并不限于此。在一些实施例中，可能会因为显示装置设计时的考量(例如显示装置的尺寸或外型等因素)，使得不同的多工器电性连接至不同的源极驱动器。
[0080]
本实施例和图2的实施例不同之处在于单一多工器的尺寸是由薄膜晶体管的并联数量来调整，由于多工器的尺寸可以透过薄膜晶体管的并联而叠加，因此在每一个薄膜晶体管的尺寸大致相同的情况下，当第一多工器所对应的薄膜晶体管数量少于第二多工器所对应的薄膜晶体管数量(n《m)时，可使第一多工器的尺寸小于第二多工器的尺寸。
[0081]
如前面所述，由于不同显示区域内的数据线所连接的子像素数量可能不同，使不同显示区域内的数据线负载产生差异。此时显示装置内多工器的寄生电容会影响对应子像
素的充电，使得子像素数量较少的数据线会受到较大的穿通效应，而穿通效应的不一致将影响显示品质。此时通过调整薄膜晶体管的并联数量来调整多工器的尺寸大小，例如使第一多工器的尺寸小于第二多工器的尺寸，可以减少因穿通效应不一致而对画质的影响。
[0082]
请参考图2、图5、图6a与图6b。图6a为本公开实施例的通道宽度调整前的第一多工器204的波形图，图6b为本公开实施例的第二多工器206的波形图。在本实施例中，第一多工器204与第二多工器206中薄膜晶体管的通道宽度w1、w2可分别例如为50μm。如图6a所示，波形曲线600为于第一多工器204中的薄膜晶体管502的栅极g所量测到的波形。如图6b所示，波形曲线606为于第二多工器206中的薄膜晶体管500的栅极g所量测到的波形。在一些实施例中，波形曲线600、606可为图1的控制信号群muxckh的波形图或图2的控制信号ckh[1]、ckh[2]、ckh[3]的波形图等。波形曲线602为于第一多工器204中薄膜晶体管502的漏极d所量测到的波形，而波形曲线608为于第二多工器206中的薄膜晶体管500的漏极d所量测到的波形。
[0083]
当波形曲线600(图2的控制信号ckh[2])由低电位变为高电位，第一多工器204中的薄膜晶体管502导通，图2的源极驱动器214对第一多工器204的薄膜晶体管502所电性连接的子像素(例如图2的子像素218)进行充电，并充电至电压v1。因此可在第一多工器204的薄膜晶体管的漏极d量测到波形曲线602。相似的，当波形曲线606(图2的控制信号ckh[3])由低电位变为高电位，第二多工器206中的薄膜晶体管500导通，图2的源极驱动器214对第二多工器206的薄膜晶体管500所电性连接的子像素(例如图2的子像素220)进行充电，并充电至电压v3。因此可在第二多工器206的薄膜晶体管500的漏极d量测到波形曲线608。由于第一多工器204与第二多工器206所对应的子像素数量差异，当控制信号由高电位变回低电位，且第一多工器204与第二多工器206的尺寸相同时，会使得第一多工器所对应的波形曲线602产生如电压降604般较明显的电压波动(穿通效应)，并且在电压降604之后，波形曲线602会回复至电压v2。由图6a可知，电压v2小于电压v1。而在图6b中第二多工器所对应的波形曲线608的电压波动则较小，且波形曲线608会从电压v3变成电压v4，电压v4小于电压v3。
[0084]
当第一多工器204中薄膜晶体管502的通道宽度调整为例如20μm时，由前面的叙述可知，此时第一多工器204的穿通效应与第二多工器206的穿通效应可实质上视为一致。因此，经过调整后，第一多工器204所量测到的波形曲线将会接近于图6b所示的第二多工器206的波形曲线608。另外，如图6a与图6b所示，在一些实施例中，当穿通效应较小时，电压波动前后的电压差距会较小(即v3-v4《v1-v2)，但本公开并不限于此。
[0085]
综合以上所述，本公开将非矩形的显示装置的显示面板进行分区，并且在不同显示区域中设计不同的多工器的尺寸(例如薄膜晶体管中不同的通道宽度)，用以改善显示装置中因为穿通效应不一致所造成的显示异常的问题。
[0086]
虽然本发明的实施例如上述所描述，但应该明白上述所呈现的只是范例，而不是限制。依据本实施例上述示范实施例的许多改变可以在不违反发明精神及范围下被执行。因此，本发明的广度及范围不该被上述所描述的实施例所限制。更确切地说，本发明的范围应该要以权利要求及其相等物来定义。尽管上述发明已被一或多个相关的执行来图例说明及描绘，等效的变更及修改将被依据上述规格及附图且熟悉这领域的其他人所想到。此外，尽管本发明的一特别特征已被相关的多个执行之一所示范，上述特征可能由一或多个其他特征所结合，以至于可能有需求及有助于任何已知或特别的应用。
[0087]
本说明书所使用的专业术语只是为了描述特别实施例的目的，并不打算用来作为本发明的限制。除非上下文有明确指出不同，如本处所使用的单数型，一、该及上述的意思也包含复数型。再者，用词「包括」，「包含」，「(具、备)有」，「设有」，或其变化型不是被用来作为详细叙述，就是作为权利要求。而上述用词意思是包含，且在某种程度上意思是等同于用词「包括」。除非有不同的定义，所有本文所使用的用词(包含技术或科学用词)是可以被属于上述发明的技术中拥有一般技术的人士做一般地了解。我们应该更加了解到上述用词，如被定义在众所使用的字典内的用词，在相关技术的上下文中应该被解释为相同的意思。除非有明确地在本文中定义，上述用词并不会被解释成理想化或过度正式的意思。