用于切割半导体晶片的方法和由该方法制成的半导体器件与流程

技术特征：
1.一种用于从具有第一表面和第二表面并且至少包括第一器件区域和第二器件区域的半导体晶片形成半导体器件的方法，所述方法包括：切割半导体晶片的第一表面以形成延伸部分地穿过所述半导体晶片的第一区域，并且所述第一区域具有底部；以及将激光束引导到所述半导体晶片，使得所述激光束在所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体晶片内聚焦，并且所述激光束通过材料烧蚀进一步切割所述半导体晶片，以形成与所述第一区域对准的第二区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一区域包括用锯将所述第一区域锯入所述半导体晶片的所述第一表面。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将激光束引导到所述半导体晶片进一步包括在所述第一区域中引导所述激光束以形成所述第二区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第一区域中引导所述激光束将所述半导体晶片分离以形成第一晶粒和第二晶粒，所述第一晶粒包括所述第一器件区域，并且所述第二晶粒包括所述第二器件区域。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的所述半导体晶片的部分的深度至少为所述半导体晶片的所述部分的厚度的50％。6.根据权利要求1所述的方法，其中，引导所述激光束使得所述激光束引起所述半导体晶片的材料烧蚀。7.根据权利要求1所述的方法，其中，引导所述激光束包括用布置在所述半导体晶片的所述第一表面上方的激光设备引导所述激光束。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过在所述半导体晶片的所述第一表面上或在所述第一表面中形成至少一个器件层来制造所述第一器件区域和所述第二器件区域。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一晶体管和第二晶体管。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一高电子迁移率晶体管(hemt)和第二高电子迁移率晶体管(hemt)。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一发光二极管(led)和第二发光二极管(led)。12.一种晶粒，包括：第一表面、第二表面和器件区域；所述晶粒包括沿着所述晶粒的周边在所述第一表面和所述第二表面之间部分地延伸的第一区域；以及所述晶粒进一步包括沿着所述晶粒的所述周边在所述第一表面和所述第二表面之间的第二区域，并且所述第一区域与所述第二区域对准，其中，所述第一区域包括锯切割区域，并且所述第二区域包括激光烧蚀区域。13.根据权利要求12所述的晶粒，其中，所述第一区域通过将所述第一区域锯入所述晶粒的所述第一表面而由第一工具构造和布置，并且所述第一工具包括锯；并且其中，所述第二区域用在所述第一表面和所述第二表面之间聚焦的激光束构造和布置，并且所述激光束
被配置为通过材料烧蚀形成所述第二区域。14.根据权利要求12所述的晶粒，其中，所述第一区域进入所述晶粒的部分的深度至少为所述晶粒的所述部分的厚度的50％。15.根据权利要求12所述的晶粒，其中，所述器件区域包括晶体管。16.根据权利要求12所述的晶粒，其中，所述器件区域包括高电子迁移率晶体管(hemt)。17.根据权利要求12所述的晶粒，其中，所述器件区域包括发光二极管(led)。18.一种用于从具有第一表面和第二表面并且至少包括第一器件区域和第二器件区域的半导体晶片形成半导体器件的方法，所述方法包括：切割半导体晶片的第一表面以形成延伸部分地穿过所述半导体晶片的第一区域；以及将激光束引导到所述半导体晶片，使得所述激光束在所述第一表面和所述第二表面之间的所述半导体晶片内聚焦，并且所述激光束通过材料烧蚀进一步切割所述半导体晶片，以形成第二区域，其中，所述将激光束引导到所述半导体晶片进一步包括在所述第一区域中引导所述激光束以形成所述第二区域。19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述第一区域中引导所述激光束将所述半导体晶片分离以形成第一晶粒和第二晶粒，所述第一晶粒包括所述第一器件区域，并且所述第二晶粒包括所述第二器件区域。20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一区域在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的所述半导体晶片的部分的深度至少为所述半导体晶片的所述部分的厚度的50％。21.根据权利要求18所述的方法，其中，引导所述激光束使得所述激光束引起所述半导体晶片的材料烧蚀。22.根据权利要求18所述的方法，其中，引导所述激光束包括用布置在所述半导体晶片的所述第一表面上方的激光设备引导所述激光束。23.根据权利要求18所述的方法，进一步包括通过在所述半导体晶片的所述第一表面上或在所述第一表面中形成至少一个器件层来制造所述第一器件区域和所述第二器件区域。24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一晶体管和第二晶体管。25.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一高电子迁移率晶体管(hemt)和第二高电子迁移率晶体管(hemt)。26.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第一器件区域和所述第二器件区域分别包括第一发光二极管(led)和第二发光二极管(led)。

技术总结
一种用于从半导体晶片形成半导体器件的方法，包括切割半导体晶片的第一表面以形成延伸部分地穿过半导体晶片的第一区域，并且第一区域具有底部。该方法进一步包括将激光束引导到半导体晶片，使得激光束在半导体晶片内的第一表面和第二表面之间聚焦，并且激光束通过材料烧蚀进一步切割半导体晶片，以形成与第一区域对准的第二区域。还公开了一种得到的半导体器件。器件。器件。


技术研发人员：凯文
受保护的技术使用者：沃孚半导体公司
技术研发日：2020.06.12
技术公布日：2022/1/14