倒置式OLED发光器件的制作方法

倒置式oled发光器件
技术领域
1.本技术属于显示设备技术领域，尤其涉及一种倒置式oled发光器件。


背景技术：

2.近年来，随着显示技术的进步和发展，oled发光器件已逐渐普及应用于手机、微型计算机等终端设备中。oled发光器件得益于其厚度更薄、亮度更高且功耗低、响应快以及清晰度高等特点而广受欢迎。现有技术中，oled发光器件的发光稳定性和色纯度仍存在较大的提升空间。


技术实现要素：

3.本技术实施例的目的在于提供一种倒置式oled发光器件，旨在提高oled发光器件的发光稳定性和色纯度。
4.为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种倒置式oled发光器件，包括阳极侧功能层、阴极侧功能层、发光层、量子点光致发光层、反光层和基板；
5.所述发光层位于所述阳极侧功能层和所述阴极侧功能层之间，并用于在接收所述阳极侧功能层传输的空穴和所述阴极侧功能层传输的电子后，产生可见光；
6.所述反光层设置于所述基板上，所述量子点光致发光层设置于所述反光层上，并位于所述阴极侧功能层背向所述发光层的一侧；
7.所述发光层所发出的部分可见光穿过所述阳极侧功能层射至外界，所述发光层所发出的另一部分可见光经过所述量子点光致发光层后，通过所述反光层反射至外界。
8.可选地，所述阳极侧功能层包括透明阳极、空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层设置于所述透明阳极和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层设置于所述发光层背向所述阴极侧功能层的一侧。
9.可选地，所述空穴注入层内掺杂有金属氧化物。
10.可选地，所述空穴注入层的厚度为7nm～30nm。
11.可选地，阴极侧功能层包括透明阴极、电子注入层和电子传输层，所述电子注入层设置于所述透明阴极和所述电子传输层之间，所述电子传输层设置于所述发光层背向所述阳极功能层的一侧。
12.可选地，所述电子注入层的厚度为15nm～45nm。
13.可选地，所述电子注入层内掺杂有金属氧化物。
14.可选地，所述阴极侧功能层还包括平坦层，所述平坦层设置于所述透明阴极和所述量子点光致发光层之间。
15.可选地，所述量子点光致发光层包括两层水氧阻隔层和量子点膜层，所述量子点膜层设置于两层所述水氧阻隔层之间。
16.可选地，所述倒置式oled发光器件还包括透明保护层，所述透明保护层设置于所述平坦层和相邻的所述水氧阻隔层之间。
17.本技术实施例至少具有如下的有益效果：本技术实施例提供的倒置式oled发光器件，其工作时，发光层接收自阳极侧功能层迁移的空穴和自阴极侧功能层迁移的电子，空穴和电子在发光层相遇产生能量激子，从而激发发光层内的发光分子产生可见光，发光层所发出的部分可见光穿过阳极侧功能层直接射至外界，而发光层所发出的另一部分可见光经过量子点光致发光层后，通过反光层反射，并穿过阳极侧功能层射至外界。那么该部分可见光在经过量子点光致发光层时，由于量子点光致发光层的发光半峰宽较窄，通过其的可见光的三基色纯度便越高，这样穿过量子点光致发光层的可见光便实现了更高的色纯度，也使得倒置式oled发光器件的发光稳定性更佳。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本技术实施例提供的倒置式oled发光器件的各层结构示意图；
20.图2为图1所示的本技术实施例提供的倒置式oled发光器件的各层结构的细分示意图；
21.图3为图1所示的本技术实施例提供的倒置式oled发光器件的各层结构的另一细分示意图；
22.图4为本技术实施例提供的倒置式oled发光器件的量子点光致发光层的结构示意图。
23.其中，图中各附图标记：
24.10—阳极侧功能层
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11—透明阳极
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12—空穴注入层
25.13—空穴传输层
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20—阴极侧功能层
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21—透明阴极
26.22—电子注入层
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23—电子传输层
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24—平坦层
27.30—发光层
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40—量子点光致发光层
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41—水氧阻隔层
28.42—量子点膜层
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50—反光层
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60—基板
29.70—透明保护层。
具体实施方式
30.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图1～4描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
31.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
32.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
33.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
34.如图1所示，本技术实施例提供了一种倒置式oled发光器件，包括阳极侧功能层10、阴极侧功能层20、发光层30、量子点光致发光层40、反光层50和基板60。具体地，在本实施例中，阳极侧功能层10、发光层30、阴极侧功能层20、量子点光致发光层40、反光层50和基板60由上至下逐层排布，呈现出倒置式排布特点。
35.其中，发光层30位于阳极侧功能层10和阴极侧功能层20之间，并用于在接收自阳极侧功能层10迁移的空穴和阴极侧功能层20迁移的电子后，产生可见光；具体地，阳极侧功能层10和阴极侧功能层20通电导通后，阳极侧功能层10会产生空穴，并向发光层30迁移，而阴极侧功能层20则会产生电子，并也向发光层30迁移。如此空穴和电子相遇便会产生能量激子，进而激发发光层30的发光分子产生可见光。
36.具体地，反光层50设置于基板60上，量子点光致发光层40设置于反光层50上，并位于阴极侧功能层20背向发光层30的一侧，发光层30所发出的部分可见光穿过阳极侧功能层10射至外界，发光层30所发出的另一部分可见光经过量子点光致发光层40后，通过反光层50反射，并穿过阳极侧功能层10射至外界。
37.以下对本技术实施例提供的倒置式oled发光器件作进一步说明：本技术实施例提供的倒置式oled发光器件，其工作时，发光层30接收自阳极侧功能层10迁移的空穴和自阴极侧功能层20迁移的电子，空穴和电子在发光层30相遇产生能量激子，从而激发发光层30内的发光分子产生可见光，发光层30所发出的部分可见光穿过阳极侧功能层10直接射至外界，而发光层30所发出的另一部分可见光经过量子点光致发光层40后，通过反光层50反射，并穿过阳极侧功能层10射至外界。那么该部分可见光在经过量子点光致发光层40时，由于量子点光致发光层40的发光半峰宽较窄，通过其的可见光的三基色纯度便越高，这样穿过量子点光致发光层40的可见光便实现了更高的色纯度，也使得倒置式oled发光器件的发光稳定性更佳。
38.在本技术的另一些实施例中，如图2所示，阳极侧功能层10包括透明阳极11、空穴注入层12和空穴传输层13，空穴注入层12设置于透明阳极11和空穴传输层13之间，空穴传输层13设置于发光层30背向阴极侧功能层20的一侧。
39.具体地，通过使得阳极侧功能层10包括透明阳极11、空穴注入层12和空穴传输层13，这样首先由于透明阳极11的存在，发光层30所发出的可见光便能够穿过阳极而射至外界，从而避免阳极侧功能层10对发光层30的可见光出射路径的遮挡。当透明阳极11通电时，其可产生空穴，空穴则迁移至空穴注入层12，再由空穴注入层12经由空穴传输层13迁移至发光层30。
40.可选地，空穴注入层12的材料包括六腈六氮杂苯并菲等。且空穴注入层12的厚度
可为7nm～30nm，具体可为7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、26nm、27nm、28nm、29nm或30nm，如此可提高空穴的迁移效率。优选地，空穴注入层12的厚度可为15nm，如此可在提高空穴的迁移效率，也保证了空穴注入层12和空穴传输层13相结合的稳定性。
41.在本技术的另一些实施例中，空穴注入层12内掺杂有金属氧化物。具体地，空穴注入层12可以由聚乙撑二氧噻吩制成，且空穴注入层12蒸镀于空穴传输层13上。而通过在空穴注入层12内掺杂金属氧化物，如此能够提高空穴注入层12的稳定性和耐水氧腐蚀性能，也使得空穴注入层12易于制备。
42.可选地，金属氧化物可以优选为氧化钼、氧化钒或氧化钨等，作为空穴注入层12的掺杂材料来提升空穴注入层12的氧化铟锡衬底的功函数的调节范围，进而能够有效减少空穴的注入势垒，提高空穴的传输迁移效率。
43.在本技术的另一些实施例中，如图2所示，阴极侧功能层20包括透明阴极21、电子注入层22和电子传输层23，电子注入层22设置于透明阴极21和电子传输层23之间，电子传输层23设置于发光层30背向阳极功能层的一侧。
44.具体地，通过使得阴极侧功能层20包括透明阴极21，这样由于透明阴极21的存在，发光层30所发出的可见光便能够穿过阴极而到达量子点光致发光层40后，通过反光层50反射，并穿过阳极侧功能层10射至外界。而可见光在经过量子点光致发光层40时，由于量子点光致发光层40的发光半峰宽较窄，通过其的可见光的三基色纯度便越高，这样穿过量子点光致发光层40的可见光便实现了更高的色纯度，也使得倒置式oled发光器件的发光稳定性更佳。
45.而通过使得阴极侧功能层20包括电子注入层22和电子传输层23，这样当透明阴极21通电时，其可产生电子，电子则迁移至电子注入层22，再由电子注入层22经由电子传输层23迁移至发光层30。
46.可选地，电子注入层22包括氧化锌层和碳酸铯层。其中，氧化锌层蒸镀于透明阴极21上，碳酸铯层蒸镀于氧化锌层上。电子注入层22的厚度可为15nm～45nm，具体可为15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、26nm、27nm、28nm、29nm、30nm、31nm、32nm、33nm、34nm、35nm、36nm、30nm、31nm、32nm、33nm、34nm、35nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm、41nm、42nm、43nm、44nm或45nm，通过将电子注入层22的整体厚度设定为15nm～45nm，如此可提高电子的迁移效率。
47.优选地，电子注入层22的厚度可为25nm，如此可在提高电子的迁移效率，也保证了电子注入层22和电子传输层23相结合的稳定性。
48.在本技术的另一些实施例中，电子注入层22内掺杂有金属氧化物。具体地，电子注入层22内可具有氧化锌等金属氧化物。其中，氧化锌可以以氧化锌-甲醇溶液形式蒸镀于透明阴极21上。而碳酸铯层可以是碳酸铯-乙醇溶液形式蒸镀于氧化锌层。
49.在本技术的另一些实施例中，如图2所示，阴极侧功能层20还包括平坦层24，平坦层24设置于透明阴极21和量子点光致发光层40之间。具体地，通过在透明阴极21和量子点光致发光层40之间设置平坦层24，如此可提升发光层30发出的可见光经过透明阴极21到达量子点光致发光层40的效率，进而提升倒置式oled发光器件的整体出光效率。
50.在本技术的另一些实施例中，如图4所示，量子点光致发光层40包括两层水氧阻隔
层41和量子点膜层42，量子点膜层42设置于两层水氧阻隔层41之间。具体地，两层水氧阻隔层41上下包覆住量子点膜层42，这样可较佳地实现量子点膜与水和氧气的隔离，从而可避免水和氧气与量子点膜层42发生反应，而导致量子点膜层42失效区域增加，进而可保证倒置式oled发光器件的显示质量。
51.在本技术的另一些实施例中，如图3所示，倒置式oled发光器件还包括透明保护层70，透明保护层70设置于平坦层24和相邻的水氧阻隔层41之间。具体地，通过在平坦层24和相邻的水氧阻隔层41之间设置透明保护层70，如此便进一步增加了外界水分和氧气向量子点膜层42渗透的难度，从而进一步提高了倒置式oled发光器件的显示质量。
52.本技术实施例还提供了一种指纹感测器，包括有上述的倒置式oled发光器件。
53.本技术实施例提供的指纹感测器，由于包括有上述的倒置式oled发光器件，上述的倒置式oled发光器件通过使得其发光层30所发出的部分可见光穿过量子点光致发光层40再反射至外界，提升了倒置式oled发光器件的发光稳定性和色纯度，这样也提升了指纹感测器的相关显示装置的显示清晰度。
54.本技术实施例还提供了一种终端设备，包括有上述的纹感测器和/或倒置式oled发光器件。
55.本技术实施例提供的终端设备，由于包括有上述的指纹感测器和/或上述的倒置式oled发光器件，那么得益于倒置式oled发光器件较佳地发光稳定性和更高的色纯度，如此也提升了终端设备的显示显示清晰度。
56.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。