对位合成系统及对位合成方法与流程

1.本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种对位合成系统及对位合成方法。


背景技术：

2.随着科学与生产技术的不断进步，前些年推出了更节能并且可以弯曲的oled屏幕。lcd相对于oled屏，屏体太厚，对比度较低，反应速度慢；虽然oled屏具有很多优点，但是其寿命不够长，分辨率较低。综合考虑前两者的优缺点，近几年提出了microled和miniled的概念，miniled是把直下式led背光模组缩小化，并使面板色板非常好，对比度非常高；但是这种做法增加了led的使用量，成本很高，不易于大面积推广使用。
3.microled与oled的区别是它并不是采用有机物来制造，而是采用一种新的材料氮化镓，所以它使用很久也不会出现像oled一样有image burnin(俗称的烧屏现象)。microled显示器像oled一样，具有完美的黑色，出色的色彩和近乎完美的倾斜角度，而且它会更亮，不易老化，而且从长远看，比oled便宜。microled电视还基于模块化系统，允许用户自定义屏幕尺寸。目前与oled对比，microled的生产成本还是太高，现有的巨量转移方案导致生产成本过高。


技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种对位合成系统及对位合成方法。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种对位合成系统，用于利用初始晶元单元合成led晶元单元，其中初始晶元单元包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和第四晶元单元www，w为空白晶元；所述对位合成系统包括激光检测单元、吸附台以及移动组件，其中，
6.所述移动组件用于将所述第一晶元单元rrr移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第一晶元单元rrr吸附，并将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方，以使得所述第一晶元单元rrr与所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；
7.所述移动组件还用于将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第二晶元单元ggg吸附，以使得所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元rgw；
8.所述移动组件还用于将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第三晶元单元bbb吸附，以使所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元rgw对位合成led晶元单元rgb。
9.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统还包括机械手、左预校模组、左预校载台、右预校模组和右预校载台。
10.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的第一左侧载台、第二左侧载台、所述左预校载台、所述左预校模组、所述左上下料模组和
所述左料盒切换模组，以及沿作业流向对称设置于右侧的第一右侧载台、第二右侧载台、所述右预校载台、所述右预校模组、所述右上下料模组和所述右料盒切换模组，其中，所述第一左侧载台和所述第一右侧载台设置于靠近所述激光工作模组的一端，所述左料盒切换模组和所述右料盒切换模组设置于远离所述激光工作模组的一端。
11.第二方面，本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于第一方面中任一项所述的对位合成系统；所述方法包括：
12.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和第四晶元单元www，w为空白晶元；
13.重复执行利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤；其中，
14.所述利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤，包括：
15.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方；
16.将所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；
17.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元rgw；
18.所述移动组件将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元bbb吸附，所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元rgw对位合成晶元单元rgb。
19.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统还包括机械手、左预校模组、左预校载台、右预校模组和右预校载台；
20.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方的步骤之前，所述方法还包括：
21.所述机械手将所述第一晶元单元rrr搬运到右预校载台，所述右预校模组对所述第一晶元单元进行预对位；
22.所述机械手将所述第四晶体单元www搬运至所述左预校载台，所述左预校载台的左预校模组对所述第四晶元单元进行预对位。
23.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的所述左上下料模组和所述左料盒切换模组，以及沿作业流向对称设置于右侧的所述右上下料模组和所述右料盒切换模组，其中，所述左料盒切换模组和所述右料盒切换模组设置于远离所述激光工作模组的一端；
24.所述准备预设数量的初始晶元单元的步骤，包括：
25.将装满第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg和第三晶元bbb的右料盒放置到所述右料盒切换模组，并将装满所述第四晶元单元www的左料盒放到所述左料盒切换模组上；
26.所述右上下料模组从所述右料盒切换模组的右料盒中取出第一晶元单元rrr，跳转执行所述机械手将所述第一晶元单元rrr搬运到所述右预校载台的步骤；
27.所述左上下料模组从所述左料盒切换模组的左料盒中取出所述第四晶元单元www，跳转执行所述机械手将所述第四晶元单元www搬运到所述左预校载台的步骤。
28.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的第一左侧载台和第二左侧载台、所述左预校载台所述左预校模组，以及沿作业流向对称设置于右侧的第一右侧载台、第二右侧载台的所述右预校载台，其中，所述第一左侧载台和所述第一右侧载台设置于靠近所述激光工作模组的一端；
29.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附的步骤，包括：
30.所述机械手根据预对位模组采集的预对位信息将所述第一晶元单元rrr搬运至所述第一右侧载台；
31.所述第一右侧载台在
×
/y轴的驱动下运动至所述激光工作模组，所述激光工作模组的吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述第一右侧载台远离所述激光工作模组；
32.所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方的步骤，包括：
33.第二右侧载台将所述第四晶元单元www移动至所述激光工作模组下方。
34.第三方面，本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于第一方面中任一项所述的对位合成系统；所述方法包括：
35.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和第四晶元单元www，w为空白晶元；
36.重复执行利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤；其中，
37.所述利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤，包括：
38.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方；
39.将所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元gww；
40.所述移动组件将所述第二晶元单元rrr移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述第二晶元单元rrr与所述第一中间晶元单元gww对位合成第二中间单元grw；
41.所述移动组件将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元bbb吸附，所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元grw对位合成晶元单元grb。
42.第四方面，本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于第一方面中任一项所述的对位合成系统；所述方法包括：
43.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元bbb、第二晶元单元ggg、第三晶元单元rrr和第四晶元单元www，w为空白晶元；
44.重复执行利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤；其中，
45.所述利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤，包括：
46.所述移动组件将所述第一晶元单元bbb移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元bbb吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方；
47.将所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元bww；
48.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元bgw；
49.所述移动组件将所述第三晶元单元rrr移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元rrr吸附，将所述第三晶元单元rrr与所述第二中间单元bgw对位合成晶元单元bgr。
50.第五方面，本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于第一方面中任一项所述的对位合成系统；所述方法包括：
51.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和第四晶元单元www，w为空白晶元；
52.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附；
53.所述第一晶元单元rrr与依次移动至所述吸附台下方的所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；
54.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述第一中间晶元单元rww与依次移动至所述激光工作模组下的所述第二晶元单元ggg对位合成第二中间单元rgw；
55.所述移动组件将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元bbb吸附，与所述第二中间单元rgw依次移动至所述激光工作模组下的所述第三晶元单元bbb对位合成晶元单元rgb。
56.上述本技术提供的对位合成系统及对位合成方法，对位合成系统包括激光检测单元、吸附台以及移动组件，所述移动组件用于将所述第一晶元单元rrr移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第一晶元单元rrr吸附，并将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方，以使得所述第一晶元单元rrr与所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；所述移动组件还用于将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第二晶元单元ggg吸附，以使得所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元rgw；所述移动组件还用于将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第三晶元单元bbb吸附，以使所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元rgw对位合成led晶元单元rgb。实现了micro led加工工艺中led晶元单元的巨量转移合成过程的对位准确性和全自动化程度。
附图说明
57.为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明保护范围的限定。在各个附图中，类似的构成部分采用类似的编号。
58.图1示出了本技术实施例所提供的对位合成系统的结构示意图；
59.图2示出了本技术实施例所提供的对位合成系统所涉及的晶元单元的对比示意图；
60.图3示出了本技术实施例所提供的对位合成系统所涉及的晶元单元对位替换过程示意图。
61.附图标记汇总：
62.激光工作模组1；
63.第一右侧载台2、第一左侧载台3、第二右侧载台4、第二左侧载台5；右预校载台6、左预校载台7、右预校模组8、左预校模组9；
64.右上下料模组10、左上下料模组11、右料盒切换模组12、左料盒切换模组13；
65.机械手14。
具体实施方式
66.下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
67.通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
68.在下文中，可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
69.此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
70.除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
71.实施例1
72.参见图1，为本发明实施例提供的一种对位合成系统的结构示意图。如图1所示，所述对位合成系统用于利用初始晶元单元合成led晶元单元。如图2和图3所示，初始晶元单元carrier1包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和carrier2第四晶元单元www，w为空白晶元；所述对位合成系统包括激光检测单元、吸附台以及移动组件。
73.所述移动组件用于将所述第一晶元单元rrr移动至所述激光工作模组1，所述吸附台用于将所述第一晶元单元rrr吸附，并将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方，以使得所述第一晶元单元rrr与所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；
74.所述移动组件还用于将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组1，所述吸
附台用于将所述第二晶元单元ggg吸附，以使得所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元rgw；
75.所述移动组件还用于将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组1，所述吸附台用于将所述第三晶元单元bbb吸附，以使所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元rgw对位合成led晶元单元rgb。
76.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统还包括机械手14、左预校模组9、左预校载台7、右预校模组8和右预校载台6。
77.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的第一左侧载台3、第二左侧载台5、所述左预校载台7、所述左预校模组9、所述左上下料模组11和所述左料盒切换模组13，以及沿作业流向对称设置于右侧的第一右侧载台2、第二右侧载台4、所述右预校载台6、所述右预校模组8、所述右上下料模组10和所述右料盒切换模组12，其中，所述第一左侧载台3和所述第一右侧载台2设置于靠近所述激光工作模组1的一端，所述左料盒切换模组13和所述右料盒切换模组12设置于远离所述激光工作模组1的一端。
78.具体的，上述部件中，激光工作模组1是振镜在电机丝杆模组的驱动下升降。预校载台是一个带背灯的固定载台，当载台上有晶元时，打开背灯配合预校模组上的相机捕捉晶元上的mark点，确定晶元的位置状态坐标；预校模组是电机丝杆模组，驱动预校相机前后运动。在有晶元需要预校时，模组将相机运动至预校载台正上方，对晶元预校对位，完成后退回初始位置避位；上下料模组是电机丝杆模组，在滑块上固定一个带吸附孔的手臂，模组控制手臂伸入伸出料盒内的产品下部，然后料盒切换模组下降，将晶元交接给手臂吸附，然后将晶元取出。料盒切换模组是具有升降和左右移动功能的模组，升降为电机丝杆模组，左右切换为齿轮齿条装置，可以通过控制料盒的升降和左右切换来选择上下料模组手臂取料的位置。需要说明的是，以上所提到的电机丝杆模组，齿轮齿条装置，均可以由同步带、链条、直线电机、气缸等具备相应工的装置代替，不应当理解为对可能实时结构的限定。图2中，carrier1固定在上对位装置顶部吸附台，carrier2在六轴运动平台载台上。
79.本实施例所提供的对位合成系统，解决了microled“巨量转移”过程中氮化镓无机发光单元从carrier 1转移到carrier 2的问题。本发明公开的一种流片方法，通过优化流片顺序以提高生产效率。优化micro led加工工艺中led晶元单元的巨量转移合成过程的对位准确性和全自动化程度。
80.下面将结合上述的对位合成系统可实施的多个对位合成方法的具体过程，分别利用实施例2-5进行对应解释。
81.实施例2
82.本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于图1所述的对位合成系统；所述方法包括：
83.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和第四晶元单元www，w为空白晶元；
84.重复执行利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤；其中，
85.所述利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第
三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤，包括：
86.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方；
87.将所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；
88.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元rgw；
89.所述移动组件将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元bbb吸附，所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元rgw对位合成晶元单元rgb。
90.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统还包括机械手、左预校模组、左预校载台、右预校模组8和右预校载台；
91.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方的步骤之前，所述方法还包括：
92.所述机械手将所述第一晶元单元rrr搬运到右预校载台，所述右预校模组8对所述第一晶元单元进行预对位；
93.所述机械手将所述第四晶体单元www搬运至所述左预校载台，所述左预校载台的左预校模组对所述第四晶元单元进行预对位。
94.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的所述左上下料模组和所述左料盒切换模组，以及沿作业流向对称设置于右侧的所述右上下料模组和所述右料盒切换模组，其中，所述左料盒切换模组和所述右料盒切换模组设置于远离所述激光工作模组的一端；
95.所述准备预设数量的初始晶元单元的步骤，包括：
96.将装满第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg和第三晶元bbb的右料盒放置到所述右料盒切换模组，并将装满所述第四晶元单元www的左料盒放到所述左料盒切换模组上；
97.所述右上下料模组从所述右料盒切换模组的右料盒中取出第一晶元单元rrr，跳转执行所述机械手将所述第一晶元单元rrr搬运到所述右预校载台的步骤；
98.所述左上下料模组从所述左料盒切换模组的左料盒中取出所述第四晶元单元www，跳转执行所述机械手将所述第四晶元单元www搬运到所述左预校载台的步骤。
99.根据本公开的一种具体实施方式，所述对位合成系统包括沿作业流向设置于左侧的第一左侧载台和第二左侧载台、所述左预校载台所述左预校模组，以及沿作业流向对称设置于右侧的第一右侧载台、第二右侧载台的所述右预校载台，其中，所述第一左侧载台和所述第一右侧载台设置于靠近所述激光工作模组的一端；
100.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附的步骤，包括：
101.所述机械手根据预对位模组采集的预对位信息将所述第一晶元单元rrr搬运至所述第一右侧载台；
102.所述第一右侧载台在
×
/y轴的驱动下运动至所述激光工作模组，所述激光工作模
组的吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述第一右侧载台远离所述激光工作模组；
103.所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方的步骤，包括：
104.第二右侧载台将所述第四晶元单元www移动至所述激光工作模组下方。
105.下面将结合一个具体示例解释对位合成方法的全流程。
106.将装满初始晶元单元carrier 1的第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和carrier 2第四晶元单元www的料盒对应固定到右料盒切换模组12和左料盒切换模组13上。
107.如图3所示，右上料模组10从右料盒切换模组12的料盒中取出carrier1(rrr
①
)，机械手14将carrier 1(rrr
①
)搬运到右预校载台6上，右预校模组8对carrier 1(rrr
①
)预对位。
108.同时左上下料模组11从左料盒切换模组13的料盒中取出carrier 2(www
①
)，机械手14将carrier 2(www
①
)搬运到左预校载台7上，左预校模组9对carrier 2(www
①
)预对位。
109.carrier 1(rrr
①
)完成预对位，机械手14根据预对位的位置信息将carrier 1(rrr
①
)搬运到carrier 1右载台2上，载台对其靠位吸附。同时左预校载台7上的carrier 2(www
①
)完成预对位，机械手14将其搬运到carrier 2右侧载台4。
110.左上下料模组11从左料盒切换模组13的料盒中取出carrier 2(www
②
)，机械手14将其搬运到左预校载台7上进行预对位，完成预对位后，机械手14将carrier 2(www
②
)搬运到carrier 2左载台5。左上下料模组11继续从左料盒切换模组13的料盒中取出carrier 2(www
③
)，机械手14将其搬运到左预校载台7上进行预对位。
111.右侧料盒carrier 1预对位完成后搬运到右载台2上吸附，左侧间隔搬运出几个carrier 2(分别位于右载台4、左载台5和左载台7)
112.在此同时carrier 1右载台2载着carrier 1(rrr
①
)在
×
/y轴的驱动下，运动到激光工作模组1下，carrier 1右载台2将carrier 1(rrr
①
)升起靠紧激光工作模组1的吸附台，然后吸附台将carrier 1(rrr
①
)吸附，carrier 1右载台2进入避位区域。
113.carrier 2右载台4载着carrier 2(www
①
)运动到激光工作模组1下，与carrier 1(rrr
①
)完成对位，一次激光加工开始。同时右上料模组10从右料盒切换模组12的料盒中取出carrier 1(rrr
②
)，机械手14将carrier 1(rrr
②
)搬运到右预校载台6上，右预校模组8对carrier 1(rrr
②
)预对位，完成预对位后，机械手14将carrier 1(rrr
②
)搬运到carrier 1左载台3，载台对carrier 1(rrr
②
)靠位并吸附。
114.一次激光加工完成，激光工作模组1吸附台上的carrier 1(rrr
①
)状态变为carrier 1(rr_
①
)，carrier 2右载台4载着carrier 2(rww
①
)运动到下料位，carrier 2左载台5载着carrier 2(www
②
)运动到工作位置，二次激光加工开始。机械手14将carrier 2(rww
①
)搬运至左上下料模组11，左上下料模组11将carrier 2(rww
①
)送入料盒空位，然后取出carrier 2(www
④
)，同时机械手14将左预校载台7上的carrier 2(www
③
)搬运至carrier 2右载台4，然后将左上下料模组11上的carrier 2(www
④
)搬运至左预校载台7。二次激光加工完成，carrier 2(www
②
)的状态变为carrier 2(rww
②
)，激光工作模组1吸附台上carrier 1(rr_
①
)的状态变为carrier 1(r_._
①
)，carrier 2左载台5载着carrier 2(rww
②
)运动至下料位置，carrier 2右载台4载着carrier 2(www
③
)运动到工作位置，三次
激光加工开始。
115.机械手14将carrier 2(rww
②
)搬运至左上下料模组11，左上下料模组11将carrier 2(rww
②
)送入料盒空位，然后取出carrier 2(www
⑤
)，同时机械手14将左预校载台7上的carrier 2(www
④
)搬运至carrier 2左载台5，然后将左上下料模组11上的carrier 2(www
⑤
)搬运至左预校载台7。三次激光加工完成，carrier 2(www
③
)的状态变为carrier 2(rww
③
)，激光工作模组1吸附台上carrier 1(r_._
①
)的状态变为carrier 1(_._._
①
)，carrier 2右载台4载着carrier 2(rww
③
)运动至下料位置，机械手14将carrier 2(rww
③
)搬运至左上下料模组11，左上下料模组11将carrier 2(rww
③
)送入料盒空位，然后取出carrier 2(www
⑥
)；在此同时carrier 1右载台2将激光工作模组1吸附台上的carrier 1(_._._
①
)取走，运动至下料位，carrier 1左载台3载着carrier 1(rrr
②
)运动至激光工作模组1下，经过对位后carrier 1(rrr
②
)吸附在激光工作模组1吸附载台上。然后carrier 2(www
④
)、carrier 2(www
⑤
)、carrier 2(www
⑥
)以及后续的所有carrier 2(www)重复carrier 2(www
①
)、carrier 2(www
②
)、carrier 2(www
③
)的动作；carrier 1(rrr
②
)以及后续的所有carrier 1(rrr)重复carrier 1(rrr
①
)的动作，直至所有carrier 2(www)状态变为carrier 2(rww)。
116.上述步骤完成了红色晶粒r的转移，绿色晶粒g和蓝色晶粒b的转移与红色晶粒转移步骤一致，重复上述完成绿色和蓝色晶粒的转移，将carrier1(ggg)上的晶粒转移到carrier 2(rww)上，将carrier 2(rww)状态变为carrier 2(rgw)，然后再将carrier 1(bbb)上的晶粒转移到carrier 2(rgw)上，将carrier 2(rgw)状态变为carrier 2(rgb)，直至最后完成料盒内的所有carrier 2(www)晶圆加工。将右料盒切换模组12和左料盒切换模组13上装满carrier 1(_._._、_._._、_._._)和carrier 2(rgb、rgb、rgb)的料盒取走。
117.综上，本实施例提供的对位合成系统的主要合成过程为：提供一空白晶元www，用来承接第一晶圆rrr、第二晶圆ggg、第三晶圆bbb被激光打掉的r、g、b晶粒。例如，把www简化成一个9乘9的方格，即横纵坐标均为1-9，根据显示屏的成色原理，www，r、g、b晶粒交替排列。对位完成后，将www的1、4、7行从第二晶圆rrr中承接r晶粒，再将www中的2、5、8行承接第二晶圆ggg中的g晶粒，最后www的3、6、9行承接第二晶圆bbb中的b晶粒。这样就可以将www由空白晶圆变成r、g、b晶粒交替的carrier2。
118.本实施例提供的对位合成方法，先将全部第四晶元单元中的一个晶粒替换为红色晶粒r，再依次替换绿色晶粒g和蓝色晶粒b，实现了全自动地循环对位合成方案，优化了巨量转移的加工流程。
119.实施例3
120.本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于图1所述的对位合成系统。所述方法包括：
121.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和第四晶元单元www，w为空白晶元；
122.重复执行利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤；其中，
123.所述利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤，包括：
124.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方；
125.将所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元gww；
126.所述移动组件将所述第二晶元单元rrr移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元rrr吸附，所述第二晶元单元rrr与所述第一中间晶元单元gww对位合成第二中间单元grw；
127.所述移动组件将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元bbb吸附，所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元grw对位合成晶元单元grb。
128.本实施例所提供的对位合成方法与上述实施例的对位合成方法的区别在于，优先完成先将全部第四晶元单元中的一个晶粒替换为绿色晶粒g，再依次替换红色晶粒r和蓝色晶粒b，实现了全自动地循环对位合成方案，优化了巨量转移的加工流程。
129.实施例4
130.本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于图1所述的对位合成系统；所述方法包括：
131.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元bbb、第二晶元单元ggg、第三晶元单元rrr和第四晶元单元www，w为空白晶元；
132.重复执行利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤；其中，
133.所述利用每一个第四晶元单元www依次与第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb对位合成一个led晶元单元rgb的步骤，包括：
134.所述移动组件将所述第一晶元单元bbb移动至激光工作模组，所述吸附台将所述第一晶元单元bbb吸附，所述移动组件将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方；
135.将所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元bww；
136.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元bgw；
137.所述移动组件将所述第三晶元单元rrr移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元rrr吸附，将所述第三晶元单元rrr与所述第二中间单元bgw对位合成晶元单元bgr。
138.本实施例所提供的对位合成方法与上述实施例的对位合成方法的区别在于，优先完成先将全部第四晶元单元中的一个晶粒替换为蓝色晶粒b，再依次替换绿色晶粒g和红色晶粒r，实现了全自动地循环对位合成方案，优化了巨量转移的加工流程。
139.实施例5
140.本发明实施例提供了一种对位合成方法，应用于图1所述的对位合成系统；所述方法包括：
141.准备预设数量的初始晶元单元，其中，初始晶元单元包括第一晶元单元rrr、第二晶元单元ggg、第三晶元单元bbb和第四晶元单元www，w为空白晶元；
142.所述移动组件将所述第一晶元单元rrr移动至激光工作模组，所述吸附台将所述
第一晶元单元rrr吸附；
143.所述第一晶元单元rrr与依次移动至所述吸附台下方的所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；
144.所述移动组件将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第二晶元单元ggg吸附，所述第一中间晶元单元rww与依次移动至所述激光工作模组下的所述第二晶元单元ggg对位合成第二中间单元rgw；
145.所述移动组件将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台将所述第三晶元单元bbb吸附，与所述第二中间单元rgw依次移动至所述激光工作模组下的所述第三晶元单元bbb对位合成晶元单元rgb。
146.本实施例所提供的对位合成方法与上述实施例的对位合成方法的区别在于，先将全部第四晶元单元中的三个晶粒替换为绿色晶粒g、红色晶粒r和蓝色晶粒b，再针对下一个第四晶元单元实现全晶粒替换，实现了全自动地循环对位合成方案，优化了巨量转移的加工流程。
147.下面将针对本实施例与前述实施例的区别步骤进行详细说明。
148.carrier 2右载台4载着carrier 2(www
①
)运动到激光工作模组1下，与carrier1(rrr
①
)完成对位，一次激光加工开始。同时右上料模组10从右料盒切换模组12的料盒中取出carrier 1(ggg
①
)，机械手14将carrier 1(ggg
①
)搬运到右预校载台6上，8对carrier 1(ggg
①
)预对位，完成预对位后，机械手14将carrier 1(ggg
①
)搬运到carrier 1左载台3，载台对carrier 1(ggg
①
)靠位并吸附。一次激光加工完成，激光工作模组1吸附台上的carrier 1(rrr
①
)状态变为carrier 1(rr_
①
)，carrier 2右载台4载着carrier 2(rww
①
)运动到下料位置，carrier 2左载台5载着carrier 2(www
②
)运动到工作位置，二次激光加工开始，机械手14将carrier 2(rww
①
)搬运至右预校载台6，然后机械手14将左预校载台7上的carrier 2(www
③
)搬运至carrier 2右载台4。二次激光加工完成，carrier 2(www
②
)的状态变为carrier 2(rww
②
)，激光工作模组1吸附台上carrier 1(rr_
①
)的状态变为carrier 1(r_._
①
)，carrier 2左载台5载着carrier 2(rww
②
)运动至避位区域，carrier 2右载台4载着carrier 2(www
③
)运动到工作位置，三次激光加工开始。三次激光加工完成，carrier 2(www
③
)的状态变为carrier 2(rww
③
)，激光工作模组1吸附台上carrier 1(r_._
①
)的状态变为carrier 1(_._._
①
)，carrier 2右载台4载着carrier 2(rww
③
)运动至避位区域。在此同时carrier 1右载台2将激光工作模组1吸附台上的carrier 1(_._._
①
)取走，运动至下料位，机械手14将carrier 1(_._._
①
)搬运至右上下料模组10，之后右上下料模组10将carrier 1(_._._
①
)送入右料盒切换模组12中料盒的空位；carrier 1左载台3载着carrier 1(ggg
①
)运动至激光工作模组1下，经过对位后carrier 1(ggg
①
)吸附在激光工作模组1吸附载台上。之后carrier 2左载台5载着carrier 2(rww
②
)运动至加工位置，四次激光加工开始。四次激光将完成，carrier 1(ggg
①
)状态变为carrier 1(gg_
①
)，carrier 2(rww
②
)状态变为carrier 2(rgw
②
)；carrier 2左载台5载着carrier 2(rgw
②
)运动至下料区，carrier 2右载台4载着carrier 2(rww
③
)运动至加工区，五次激光加工开始。同时机械手14将carrier 2(rgw
②
)搬运至左预校载台7，将carrier 2(rww
①
)由右预校载台6搬运至carrier 2左载台5；五次激光加工完成，carrier 1(gg_
①
)状态变为carrier 1(g_._
①
)，carrier 2(rww
③
)状态变为carrier 2(rgw
③
)，carrier 2右载台4载
着carrier 2(rgw
③
)运动至避位区，carrier 2左载台5载着carrier 2(rww
①
)运动至加工区，六次激光加工开始，在此同时右上下料模组10从右料盒切换模组12中取出carrier 1(bbb
①
)，机械手14将carrier 1(bbb
①
)搬运至右预校载台6进行预校，预校完成后，机械手14将carrier 1(bbb
①
)搬运至carrier 1右载台2。六次激光加工完成，carrier 1(g_._
①
)状态变为carrier 1(_._._
①
)，carrier 2(rww
①
)状态变为carrier 2(rgw
①
)，carrier 2左载台5载着carrier 2(rgw
①
)运动至避位区。carrier 1左载台3运动至激光加工单元1下，将其吸附台上的carrier 1(_._._
①
)取走，carrier 1左载台3载着carrier 1(_._._
①
)运动至下料位，然后carrier 1右载台2载着carrier 1(bbb
①
)运动至激光加工单元1下，经过对位后carrier 1(bbb
①
)吸附在激光工作模组1吸附载台上，carrier 2右载台4载着carrier 2(rgw
③
)运动至加工区，七次激光加工开始。在此同时机械手14将carrier 1(_._._
①
)搬运至右上下料模组10，右上下料模组10将carrier 1(_._._
①
)送入右料盒切换模组12料盒的空位，并从中取出carrier 1(rrr
②
)，然后机械手14将carrier 1(bbb
①
)搬运至右预校载台6。七次激光加工完成，carrier 1(bbb
①
)状态变为carrier 1(bb_
①
)，carrier 2(rgw
③
)状态变为carrier 2(rgb
③
)，carrier 2右载台4载着carrier 2(rgb
③
)运动至下料区，同时carrier 2左载台5载着carrier 2(rgw
①
)运动至加工区，八次激光加工开始。机械手14将carrier 2(rgb
③
)搬运至左上下料模组11，左上下料模组11将carrier 2(rgb
③
)送入左料盒切换模组13料盒的空位，然后从左料盒切换模组13的料盒中取出carrier 2(www
④
)，同时机械手14将左预校载台7上的carrier 2(rgw
②
)转移到carrier 2右载台4，然后机械手14carrier 2(www
④
)转移至左预校载台7。八次激光加工完成，carrier 1(bb_
①
)状态变为carrier 1(b_._
①
)，carrier 2(rgw
①
)状态变为carrier 2(rgb
①
)，carrier 2左载台5载着carrier 2(rgb
①
)运动至下料区，同时carrier 2右载台4载着carrier 2(rgw
②
)运动至加工区，九次激光加工开始。在此同时左上下料模组11从左料盒切换模组13料盒中取出carrier 2(www
⑤
)，机械手14将carrier 2(www
⑤
)转移至左预校载台7，机械手14将carrier 1(rrr
②
)搬运至carrier 2左载台5。九次激光加工完成，carrier 1(b_._
①
)状态变为carrier 1(_._._
①
)，carrier 2(rgw
②
)状态变为carrier 2(rgb
②
)，carrier 2右载台4载着carrier 2(rgb
②
)运动至下料区，机械手14将carrier 2(rgb
②
)搬运至左上下料模组11，左上下料模组11将carrier 2(rgb
②
)送入左料盒切换模组13料盒的孔位，并取出carrier 2(www
⑥
)，同时右上下料模组10从右料盒切换模组12料盒中取出carrier 1(ggg
②
)，然后机械手14将carrier 1(ggg
②
)搬运至右预校载台6。于此同时，carrier 1右载台2运动至激光加工单元1下，将carrier 1(_._._
①
)取下，然后carrier 1右载台2载着carrier 1(_._._
①
)运动至下料位。之后机械手14将carrier 1(_._._
①
)搬运至右上下料模组10，右上下料模组10将carrier 1(_._._
①
)送入右料盒切换模组12料盒的孔位，同时机械手14将右预校载台6上的carrier 1(ggg
②
)搬运至carrier 1右载台2，然后机械手14将carrier 2(www
⑥
)转移至左预校载台7。
149.carrier 1(rrr
②
)、carrier 1(ggg
②
)、carrier 1(bbb
②
)和carrier 2(www
④
)、carrier 2(www
⑤
)、carrier 2(www
⑥
)重复步步骤二，直至最后完成料盒内的所有晶圆加工。然后人工将右料盒切换模组12和左料盒切换模组13上装满carrier 1(_._._、_._._、_._._)和carrier 2(rgb、rgb、rgb)的料盒取走。
150.综上所述，上述本技术提供的对位合成系统及对位合成方法，对位合成系统包括
激光检测单元、吸附台以及移动组件，所述移动组件用于将所述第一晶元单元rrr移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第一晶元单元rrr吸附，并将所述第四晶元单元www移动至所述吸附台的下方，以使得所述第一晶元单元rrr与所述第四晶元单元www对位合成第一中间晶元单元rww；所述移动组件还用于将所述第二晶元单元ggg移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第二晶元单元ggg吸附，以使得所述第二晶元单元ggg与所述第一中间晶元单元rww对位合成第二中间单元rgw；所述移动组件还用于将所述第三晶元单元bbb移动至所述激光工作模组，所述吸附台用于将所述第三晶元单元bbb吸附，以使所述第三晶元单元bbb与所述第二中间单元rgw对位合成led晶元单元rgb。实现了micro led加工工艺中led晶元单元的巨量转移合成过程的对位准确性和全自动化程度。
151.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和结构图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，结构图和/或流程图中的每个方框、以及结构图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
152.另外，在本发明各个实施例中的各功能模块或单元可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或更多个模块集成形成一个独立的部分。
153.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。