基板处理方法与流程

1.本公开涉及一种基板处理方法。


背景技术：

2.在半导体装置的制造中，通过向半导体晶圆等基板供给被进行温度调整 加热后的药液来对基板实施药液清洗处理或湿蚀刻处理等液处理。在专利文 献1中记载有进行这样的液处理的单片式的基板处理装置的一例。专利文献1 的装置具备用于保持晶圆并用于使该晶圆旋转的旋转吸盘、以及能够与被旋 转吸盘保持的晶圆w的下表面接触分离的非旋转的圆盘状的构件(下表面移 动构件)。在下表面移动构件的内部埋设有加热器。在下表面移动构件的上 表面与晶圆w的下表面之间形成0.5～3mm左右的间隙，该间隙充满药液，药 液被非旋转的下表面移动构件的加热器加热。通过利用旋转吸盘使基板以 30～50rpm左右的低速旋转，能够在防止间隙内的药液沉淀的同时，利用被进 行温度调整后的药液对基板的下表面实施药液处理。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本专利第3837026号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开提供一种在对基板一边加热一边进行药液处理时能够在削减药 液的消耗量的同时进行面内均匀性高的处理的技术。
8.用于解决问题的方案
9.根据一个实施方式，提供一种基板处理方法，是使用基板处理装置执行 的基板处理方法，所述基板处理装置具备：旋转台，其将基板保持为水平姿 势并且用于使所述基板绕铅垂轴线旋转；电加热器，其以与所述旋转台一同 旋转的方式设置于所述旋转台，用于对被载置于所述旋转台上的所述基板进 行加热；至少一个处理液喷嘴，至少一个所述处理液喷嘴用于向保持于所述 旋转台的所述基板的表面供给处理液；以及处理液供给机构，其用于向所述 处理液喷嘴供给所述处理液，所述基板处理方法包括以下工序：基板保持工 序，使所述基板保持于旋转台；液膜形成工序，一边使所述旋转台以第一速 度旋转，一边向所述基板的中心部供给作为所述处理液的药液，由此使得所 述基板的表面的整体被具有第一厚度的所述药液的液膜覆盖；液膜厚度调整 工序，在所述液膜形成工序之后，一边使所述旋转台以比所述第一速度低的 第二速度旋转，一边向所述基板的中心部供给所述药液，由此使得所述基板 的表面的整体被具有比所述第一厚度大的第二厚度的所述药液的液膜覆盖； 以及液膜加热工序，在所述液膜厚度调整工序之后，在使所述旋转台以所述 第二速度以下的第三速度旋转的状态、或者使所述旋转台摇动旋转的状态、 或者使所述旋转台的旋转停止的状态下，利用所述电加热器来加热所述旋转 台，由此加热所述基板和覆盖
所述基板的所述药液的液膜来促进所述药液与 所述基板的表面之间的反应。
10.发明的效果
11.根据本公开，在对基板一边加热一边进行药液处理时，能够在削减药液 的消耗量的同时进行面内均匀性高的处理。
附图说明
12.图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的概要俯视 图。
13.图2是表示图1的基板处理装置中包括的处理单元的结构的一例的概要 截面图。
14.图3是用于说明上述的处理单元中设置的加热板的加热器的配置的一例 的概要俯视图。
15.图4是表示上述加热板的上表面的结构的一例的概要俯视图。
16.图5是表示上述的处理单元中设置的吸附板的下表面的结构的一例的概 要俯视图。
17.图6是表示上述吸附板的上表面的结构的一例的概要俯视图。
18.图7是表示上述处理单元中设置的第一电极部的结构的一例的概要俯视 图。
19.图8是放大地表示图2中示出的第一电极部和第二电极部周边的构造的 概要截面图。
20.图9是图5和图6中示出的吸附板的概要截面图。
21.图10是与图9不同的截面处的吸附板的概要截面图。
22.图11a-11p是说明药液处理的过程的图。
23.图12是说明干燥工序的变形例的图。
24.图13是用于说明设为不使用开关机构就能够对加热板的加热器进行供 电的电力传输机构的第一结构例的原理的概要图。
25.图14是图13中示出的电力传输机构的第一结构例的轴向概要截面图。
26.图15是设为不使用开关机构就能够对加热板的加热器进行供电的电力 传输机构的第二结构例的轴向概要截面图。
27.附图标记说明
28.w：基板(晶圆)；ax：旋转(铅垂)轴线；100：旋转台；142：电加热器； 701：喷嘴(药液喷嘴)；701b：处理液供给机构(药液供给机构)。
具体实施方式
29.下面，参照附图来说明基板处理装置(基板处理系统)的一个实施方式。
30.图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。下面， 为了使位置关系明确，规定彼此正交的x轴、y轴和z轴，并将铅垂向上方向 设为z轴正方向。
31.如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2 与处理站3邻接地设置。
32.搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置 多个承载件c，该承载件c用于以水平状态收容多张基板、在本实施方式中 为多张半导体晶圆(下面称作晶圆w)。
33.搬送部12被设置为与承载件载置部11邻接，在该搬送部12的内部具备基 板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆w的晶圆保持 机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够以 铅垂轴为中心回转，基板搬送装置13使用晶圆保持机构来在承载件c与交接 部14之间进行晶圆w的搬送。
34.处理站3被设置为与搬送部12邻接。处理站3具备搬送部15和多个处理单 元16。多个处理单元16被以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
35.搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶 圆w的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移 动，并且能够以铅垂轴为中心回转，基板搬送装置17使用晶圆保持机构来在 交接部14与处理单元16之间进行晶圆w的搬送。
36.处理单元16用于对由基板搬送装置17搬送来的晶圆w进行规定的基板 处理。
37.另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如为计算机，具备 控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于控制在基板处理系统1中执行 的各种处理的程序。控制部18通过读出并执行存储于存储部19的程序来控制 基板处理系统1的动作。
38.此外，所述的程序也可以是记录于可由计算机读取的存储介质、且从该 存储介质被安装至控制装置4的存储部19的程序。作为可由计算机读取的存 储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
39.在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送 装置13从被载置于承载件载置部11的承载件c取出晶圆w，并将取出的晶圆 w载置于交接部14。由处理站3的基板搬送装置17将被载置于交接部14的晶 圆w从交接部14取出，并搬入处理单元16。
40.在由处理单元16对被搬入处理单元16的晶圆w进行处理之后，由基板搬 送装置17将该晶圆w从处理单元16搬出，并载置于交接部14。然后，由基板 搬送装置13将被载置于交接部14的已处理的晶圆w返回承载件载置部11的 承载件c。
41.接着，对处理单元16的一个实施方式的结构进行说明。处理单元16构成 为单片式的液处理单元。
42.如图2所示，处理单元16具备旋转台100、用于向晶圆w供给处理液的处 理液供给部700以及用于回收从旋转的基板飞散出的处理液的液承接杯(处 理杯)800。旋转台100能够将晶圆w等圆形的基板保持为水平姿势并使该基板 旋转。处理单元16的旋转台100、处理液供给部700、液承接杯800等结构部 件被收容于壳体1601(也被称作处理腔室)内。
43.图2仅示出处理单元16的左半部分，处理单元16具有关于在图2的右端示 出的旋转轴线ax大致对称的结构。可以在旋转台100安装一个以上的平衡配 重178，以确保旋转台100在旋转时的动态平衡。
44.旋转台100具有吸附板120、加热板140、支承板170、周缘罩体180以及 中空的旋转轴200。吸附板120用于以水平姿势吸附载置于其上的晶圆w。加 热板140是对于吸附板120而言的基座板，支承吸附板120并且对该吸附板120 进行加热。支承板170支承吸附板120和加热板140。
45.旋转轴200从支承板170向下方延伸。旋转台100通过配设于旋转轴200的 周围的电动驱动部(旋转驱动机构)102绕沿铅垂方向延伸的旋转轴线ax旋转， 由此能够使已保持
的晶圆w绕旋转轴线ax旋转。能够将电动驱动部102(未图 示详细结构)设为借助动力传递机构(例如带和带轮)将由电动马达产生的动 力传递至旋转轴200来对旋转轴200进行旋转驱动。电动驱动部102也可以是 直接利用电动马达对旋转轴200进行旋转驱动。
46.吸附板120为具有比晶圆w的直径稍大的直径(根据结构，也可以为相同 的直径)的圆板状的构件，也就是具有比晶圆w的面积大或与晶圆w的面积相 等的面积的圆板状的构件。吸附板120具有吸附晶圆w的下表面(不是处理对 象的表面)的上表面(正面)120a以及与加热板140的上表面接触的下表面(背 面)120b。吸附板120能够由热传导性陶瓷等高热传导率材料、例如sic形成。 优选构成吸附板120的材料的热传导率为150w/m
·
k以上。
47.加热板140为具有与吸附板120的直径大致相等的直径的圆板状的构件。 加热板140具有板主体141和设置于板主体141的电式的加热器(电加热器)142。 板主体141由热传导性陶瓷等高热传导率材料、例如sic形成。优选构成板主 体141的材料的热传导率例如为150w/m
·
k以上。
48.加热器142能够由设置于板主体141的下表面(背面)的面状加热器、例如 聚酰亚胺加热器构成。优选的是，在加热板140设定在图3中示出那样的多个 (例如10个)加热区143-1～143-10。加热器142由分别被分配到各加热区 143-1～143-10的多个加热器要素142e构成。各加热器要素142e由在各加热区 143-1～143-10内蛇行地延伸的导电体形成。在图3中仅示出处于加热区143-1 内的加热器要素142e。
49.能够由后述的供电部300对该多个加热器要素142e彼此独立地进行供电。 因而，能够对晶圆w的不同的加热区以不同的条件进行加热，从而能够控制 晶圆w的温度分布。
50.如图4所示，在板主体141的上表面(正面)具有一个以上(在图示例中为两 个)的板用吸引口144p、一个以上(在图示例中为中心部的一个)的基板用吸引 口144w以及一个以上(在图示例中为外侧的两个)的吹扫气体供给口144g。 使用板用吸引口144p以传递用于使吸附板120吸附于加热板140的吸引力。使 用基板用吸引口144w以传递用于使晶圆w吸附于吸附板120的吸引力。
51.在板主体141还形成有供后述的升降销211通过的多个(在图示例中为三 个)升降销孔145l、用于通向旋转台100的组装用的螺丝的多个(在图示例中为 六个)检修孔(日语：
サービスホール
)145s。在通常运转时用帽145c将检修孔 145s堵住。
52.上述的加热器要素142e被以避开上述的板用吸引口144p、基板用吸引口144w、吹扫气体供给口144g、升降销孔145l以及检修孔145s的方式配置。 另外，通过利用电磁体进行与旋转轴200的连结，也能够消除检修孔。
53.如图5所示，在吸附板120的下表面120b形成有板用的下表面吸引流路槽 121p、基板用的下表面吸引流路槽121w、以及下表面吹扫流路槽121g。在 吸附板120以适当的位置关系载置于加热板140上时，板用的下表面吸引流路 槽121p的至少一部分与板用吸引口144p连通。同样，基板用的下表面吸引流 路槽121w的至少一部分与基板用吸引口144w连通，下表面吹扫流路槽121g 的至少一部分与吹扫气体供给口144g连通。板用的下表面吸引流路槽121p、 基板用的下表面吸引流路槽122w以及下表面吹扫流路槽121g彼此分离(不 连通)。
54.在图10中概要性地表示加热板140的吸引口144p(或144w、144g)与吸附 板120的流路槽121p(或121w、121g)相重合且彼此连通的状态。
55.如图6和图9所示，在吸附板120的上表面120a形成有多个(在图示例中为 五个)粗的环状的分隔壁124。粗的分隔壁124在上表面120a划分出彼此分离 的多个凹区域125w、125g(外侧的四个圆环状区域和最内侧的圆形区域)。
56.在基板用的下表面吸引流路槽121w的多个部位形成有沿厚度方向贯通 吸附板120的多个贯通孔(129g)，各贯通孔使基板用的下表面吸引流路槽 121w与多个(在图示例中为四个)凹区域125w中的其中一个凹区域125w连 通。
57.另外，在下表面吹扫流路槽121g的多个部位形成有沿厚度方向贯通吸附 板120的贯通孔(129g)，各贯通孔使下表面吹扫流路槽121g与最外侧的凹区 域125g连通。最外侧的凹区域125g为单一的圆环状的上表面吹扫流路槽。
58.在内侧的四个凹区域125w中的各个凹区域125w，呈同心圆状地设置有 多个细的大致呈环状的分离壁127。细的分离壁127在各凹区域125w内形成 在该凹区域内蛇行地延伸的至少一个上表面吸引流路槽。也就是说，细的分 离壁127使吸引力在各凹区域125w内均等地分散。
59.如图2所示，在旋转轴线ax的附近设置有吸引/吹扫部150。吸引/吹扫部150具有设置于中空的旋转轴200的内部的旋转接头151。在旋转接头151的上 构件151a连接有与加热板140的板用吸引口144p及基板用吸引口144w连通 的吸引配管152w、以及与吹扫气体供给口144g连通的吹扫气体供给配管 152g。
60.虽然没有图示，但也可以使吸引配管152w分支，将分支吸引配管在板 用吸引口144p及基板用吸引口144w的正下方连接于加热板140的板主体141。 在该情况下，可以在板主体141形成贯通板主体141地沿上下方向延伸的贯通 孔，将分支吸引配管连接于各贯通孔。同样，也可以使吹扫气体供给配管152g 分支，将分支吹扫气体供给配管在吹扫气体供给口144g的正下方连接于加热 板140的板主体141。在该情况下，可以在板主体141形成贯通板主体141地沿 上下方向延伸的贯通孔，将吹扫气体供给配管连接于各贯通孔。图10概要性 地表示上述的分支吸引配管或分支吹扫气体配管(标注有参照标记152wb、 152gb)。
61.也可以将吸引配管152w及吹扫气体供给配管152g连接于加热板140的 板主体141的中央部，来代替上述结构。在该情况下，在板主体141的内部设 置使吸引配管152w与板用吸引口144p连通的流路及使吸引配管152w与基 板用吸引口144w连通的流路、以及使吹扫气体供给配管152g与吹扫气体供 给口144g连通的流路。
62.在旋转接头151的下构件151b连接有与吸引配管152w连通的吸引配管 153w、以及与吹扫气体供给配管151g连通的吹扫气体供给配管153g。旋转 接头151构成为能够维持着吸引配管152w、153w之间的连通、以及吹扫气 体供给配管152g、153g之间的连通地使上构件151a与下构件151b相对旋转。 具有这样的功能的旋转接头151自身是公知的。
63.吸引配管153w与真空泵等吸引装置154连接。吹扫气体供给配管153g 与吹扫气体供给装置155连接。吸引配管153w还与吹扫气体供给装置155连 接。另外，设置有用于将吸引配管153w的连接对象在吸引装置154与吹扫气 体供给装置155之间切换的切换装置156(例如三通阀)。
64.在加热板140中埋设有用于检测加热板140的板主体141的温度的多个温 度传感器146。例如能够在十个加热区143-1～143-10各设置一个温度传感器 146。基于温度传感器146的检测值与目标值(目标温度)的偏差，通过例如设 置于供电部300的控制功能，来控
制向各加热区(143-1～143-10)的加热器要素 142e供给的供给电力，由此将各加热区的温度维持为目标值。另外，在接近 加热板140的加热器142的位置设置有用于检测加热器142的过热的至少一个 热敏开关147。
65.在加热板140与支承板170之间的空间s，除了设置有上述温度传感器146 和热敏开关147以外，还设置有用于发送温度传感器146和热敏开关147的检 测信号的控制信号布线(第一导电线路)148a、148b以及用于向加热器142的 各加热器要素142e进行供电的供电布线(第一导电线路)149。
66.如图2所示，在旋转接头151的周围设置有开关机构160。开关机构160具 有关于旋转轴线ax的方向被固定的第一电极部161a、在旋转轴线ax的方向 上可动的第二电极部161b以及用于使第二电极部161b在旋转轴线ax的方向 上移动(升降)的电极移动机构162(升降机构)。此外，第一电极部161a与第二 电极部161b能够在旋转轴线ax的方向上相对地移动即可。也就是说，也可 以是，电极移动机构(未图示)使第一电极部161a在旋转轴线ax的方向上移动， 使第二电极部161b关于旋转轴线ax的方向被固定。
67.如图7所示，第一电极部161a具有第一电极承载体163a、承载于第一电 极承载体163a的多个第一电极164a。多个第一电极164a包括与控制信号布 线148a、148b连接的控制信号通信用的第一电极164ac(在图7中用小的
“○”ꢀ
表示。)以及与供电布线149连接的加热器供电用的第一电极164ap(在图7中 用大的
“○”
表示。)。
68.第一电极承载体163a为具有从旋转轴线ax的方向观察呈大致圆形的形 状的、整体为圆板状的构件。在第一电极承载体163a的中心部形成有供旋转 接头151的上构件151a插入的圆形的孔167。旋转接头151的上构件151a也可 以固定于第一电极承载体163a。能够使用螺纹孔171将第一电极承载体163a 的周缘部螺纹固定于支承板170。
69.如图2中概要性地所示，第二电极部161b具有第二电极承载体163b和承 载于第二电极承载体163b的多个第二电极164b。第二电极承载体163b为直 径与图7中示出的第一电极承载体163a大致相同的、整体为圆板状的构件。 在第二电极承载体163b的中心部形成有旋转接头151的下构件151b能够通 过的尺寸的圆形的孔。
70.通过相对于第一电极164a升降来与第一电极164a接触分离的第二电极 164b具有与第一电极164a相同的平面配置。此外，下面，将与加热器供电 用的第一电极164ap(受电电极)接触的第二电极164b(供电电极)也称作“第二 电极164bp”。另外，将与控制信号通信用的第一电极164ac接触的第二电极 164b也称作“第二电极164bc”。第二电极164bp与供电装置(供电部)300的 电力输出端子连接。第二电极164bc与供电部300的控制用输入输出端子连 接。
71.如图7所示，在第一电极承载体163a的中央区域设置有加热器供电用的 第一电极164ap，在处于中央区域的外侧的外侧区域设置有控制信号通信用 的第一电极164ac。将多个第一电极164ap也称作第一电极164a中的第一电 极组。将多个第一电极164ac也称作第一电极164a中的第二电极组。
72.此外，第二电极164b(164bp、164bc)配置于适合第一电极164a(164ap、 164ac)与其成对的位置(水平方向位置、高度方向位置)，这是不言自明的， 省略对于第二电极164b的配置的说明。
73.将各第二电极164b与供电部300的电力输出端子及控制用输入输出端子 连接的
导电路径(第二导电线路)168a、168b、169(参照图2)至少局部由挠性 的电线形成。通过挠性的电线，能够维持着第二电极164b与供电部300的导 通地使第二电极部161b整体绕旋转轴线ax从中立位置向正转方向及反转方 向旋转分别预先决定的角度范围(换言之，为所限定的角度范围)。该角度范 围例如为180度，但并不限定于该角度。这意味着能够维持着第一电极164a 与第二电极164b的连接地使旋转台100大致旋转
±
180度。
74.也可以将成对的第一电极164a与第二电极164b中的一方构成为弹簧针。 在图2中，第二电极164b全部构成为弹簧针。此外，“弹簧针”被作为用于指 内置有弹簧的可伸缩的棒状电极的用语广泛地使用。作为电极，还能够使用 电插孔、磁性电极、感应电极等来代替弹簧针。
75.优选设置锁定机构165，该锁定机构165在成对的第一电极164a与第二电 极164b彼此适当地处于接触时将第一电极承载体163a与第二电极承载体 163b锁定使它们不能相对旋转。例如图2和图8所示，锁定机构165能够由设 置于第一电极承载体163a的孔165a、和设置于第二电极承载体并且用于与 孔嵌合的销165b构成。
76.还优选设置用于检测成对的第一电极164a与第二电极164b彼此适当地 处于接触的传感器172(在图2中概要性地示出)。作为这样的传感器，可以设 置用于检测第一电极承载体163a与第二电极承载体163b之间的角度位置关 系处于适当的状态的角度位置传感器(未图示)。另外，作为这样的传感器， 也可以设置用于检测第一电极承载体163a与第二电极承载体163b在旋转轴 线ax方向上的距离处于适当的状态的距离传感器(未图示)。并且，还可以设 置用于检测销165b适当地嵌合于上述锁定机构165的孔165a的接触式的传 感器(参照图8)。
77.将孔165a和销165b各设置两个，以实现图8中示出的接触式的传感器。 优选的是，销165b由导电性材料形成，第一电极承载体163a由绝缘性材料 形成。在第一电极承载体163a设置有由两个电极175a和将这两个电极175a 电连接的导电构件175b构成的导通构件。两个电极175a设置于与两个孔 165a分别对应的位置。两个销165b经由导电构件175c来与导通传感器175d 连接。当各销165b被适当地插入对应的孔165a时，销165b的前端与电极175a 接触，这被导通传感器175d检测。
78.优选在供电部300中设置如下的控制功能：仅在由导通传感器175d确认 到孔165a与销165b的适当的嵌合时能够对电加热器142进行供电。由此，例 如能够防止在加热器供电用的第一电极164ap与第二电极164bp之间产生放 电，从而防止电极或电路产生损伤。
79.如图8所示，在图2中概要性地表示的电极移动机构162能够构成为具备 用于将第二电极承载体163b上推的推杆162a和用于使推杆162a升降的升降 机构162b(气缸、滚珠丝杠等)。能够在第一电极承载体163a设置至少一个永 久磁体173a，并且能够在第二电极承载体163b设置至少一个电磁体173b。 永久磁体173a和电磁体173b构成上述锁定机构165的一部分。由此，能够根 据需要，通过电磁吸引力将第一电极部161a与第二电极部161b结合使它们 不能在上下方向上相对移动，且能够通过电磁的排斥力使第一电极部161a 与第二电极部161b分离。优选的是，设置多个永久磁体173a以及与永久磁 体的数量相同数量的电磁体173b，并沿以旋转轴线ax为中心的圆周方向等 间隔地配置。
80.如果第一电极部161a与第二电极部161b的结合与切离在旋转台100的 相同的角度位置进行，则也可以不将第二电极部161b支承为能够绕旋转轴线 ax旋转。即，具有在第
一电极部161a与第二电极部161b分离时对第二电极 部161b进行支承的构件(例如上述的推杆162a或其它的支承台)即可。也可以 是，在第一电极部161a与第二电极部161b例如通过电磁力结合时，第二电 极部161b从支承第二电极部161b的构件(例如推杆162a或其它的支承台)离 开。
81.旋转台100的电动驱动部102具有使旋转台100停止于任意的旋转角度位 置的定位功能。定位功能能够通过使电动驱动部102的马达基于附设于旋转 台100(或通过旋转台100旋转的构件)的旋转编码器的检测值旋转来实现。通 过在使旋转台100停止于预先决定的旋转角度位置的状态下利用电极移动机 构162使第二电极部161b上升，能够使第一电极部161a与第二电极部161b的 对应的电极彼此适当地接触。优选在使第二电极部161b从第一电极部161a 分离时，也在使旋转台100停止于上述的预先决定的旋转角度位置的状态下 进行分离。
82.如上所述，在吸附板120与支承板170之间的空间s内以及与空间s相面对 的位置配置有多个电装部件(加热器、布线、传感器类)。周缘罩体180防止向 晶圆w供给的处理液、尤其是腐食性的药液侵入空间s内，来保护电装部件。 也可以经由从吹扫气体供给配管152g分支出来的配管(未图示)来向空间s供 给吹扫气体(n2气)。由此，能够防止从空间s的外部向空间s内侵入源于药液 的腐蚀性的气体，来将空间s内维持为非腐蚀性的气氛。
83.另外，尤其优选设置用于向第一电极部的第一电极与第二电极部的第二 电极接触的第一电极承载体163a与第二电极承载体163b之间的空间se供给 非活性气体(n2气)的非活性气体供给机构。该非活性气体供给机构能够由吹 扫气体供给装置155、和用于从吹扫气体供给装置155向空间se供给作为非活 性气体的n2气的非活性气体供给配管176构成。也就是说，将向空间s内供给 作为吹扫气体的n2气的吹扫气体供给装置155兼用作向空间se供给作为非活 性气体的n2气的非活性气体供给装置。优选在处理单元16的运转过程中始终 向空间se供给非活性气体。由此，电极的表面被维持为良好的状态，因此能 够提高处理单元16的动作可靠性。
84.也可以使用相对于吹扫气体供给装置155独立的专用的非活性气体供给 源，来向空间se供给非活性气体(n2气)。另外，如果通过向空间s内供给作 为吹扫气体的n2气能使空间se充满n2气，则也可以不设置空间se专用的非 活性气体供给机构。
85.如图2所示，周缘罩体180具有上部181、侧周部182以及下部183。上部 181与吸附板120连接，并向吸附板120的上方伸出。周缘罩体180的下部183 与支承板170连结。
86.周缘罩体180的上部181的内周缘位于比吸附板120的外周缘靠半径方向 内侧的位置。上部181具有与吸附板120的上表面相接的圆环状的下表面184、 从下表面184的内周缘起立起的倾斜的圆环状的内周面185、以及从内周面 185的外周缘向半径方向外侧大致水平地延伸的圆环状的外周面186。内周面 185以随着靠近吸附板120的中心部而变低的方式倾斜。
87.优选在吸附板120的上表面120a与周缘罩体180的上部181的下表面184 之间实施密封以防止液的浸入。密封能够设为配置于上表面120a与下表面 184之间的o环192(参照图9)。
88.如图5所示，板用的下表面吸引流路槽121p的一部分在吸附板120的最外 周部分沿圆周方向延伸。另外，如图6所示，在吸附板120的上表面120a的最 外周部分，沿圆周方向
连续地延伸有凹槽193。如图9所示，最外周的下表面 吸引流路槽121p与凹槽193经由沿厚度方向贯通吸附板120的、在圆周方向上 隔开间隔地设置的多个贯通孔129p连通。在凹槽193上载置周缘罩体180的上 部181的下表面184。因而，通过作用于板用的下表面吸引流路槽121p的负压， 周缘罩体180的上部181的下表面184被吸附于吸附板120的上表面120a。通过 该吸附，o环192变形，因此实现可靠的密封。
89.外周面186即周缘罩体180的顶部的高度比被保持于吸附板120的晶圆w 的上表面的高度高。因而，当在将晶圆w保持于吸附板120的状态下向晶圆 w的上表面供给处理液时，能够形成能够以使晶圆w的上表面位于比液面 ls(参照图2)靠下的位置的方式浸渍晶圆w的液存积。即，周缘罩体180的上 部181形成将保持于吸附板120的晶圆w的周围包围的堤部，由周缘罩体180 的上部181和吸附板120形成能够贮存处理液的凹部。利用该结构还能够进行 晶圆w的浸渍处理。
90.在使旋转台100高速旋转时，周缘罩体180的上部181的内周面185的倾斜 能够使处于上述的槽内的处理液顺利地向外方飞散。也就是说，通过具有该 倾斜，能够防止在使旋转台100高速旋转时在周缘罩体180的上部181的内周 面滞留液。
91.此外，在本技术说明书中公开的药液处理中(在后文叙述详细内容)，不 是使晶圆w浸渍于处理液的液浴，而是进行在晶圆w的表面形成浆的液盛(日 语：液盛
り
)处理。如果不进行晶圆w的浸渍处理，则周缘罩体180的上部181 的高度可以比图示例低，内周面185的倾斜也可以比图示例缓。
92.在周缘罩体180的半径方向外侧设置有与周缘罩体180一同旋转的旋转 杯188(旋转液承接构件)。旋转杯188经由在圆周方向上隔开间隔地设置的多 个连结构件189来与旋转台100的结构部件连结，在图示例中与周缘罩体180 连结。旋转杯188的上端位于能够挡住从晶圆w飞散的处理液的高度。在周 缘罩体180的侧周部182的外周面与旋转杯188的内周面之间形成有供从晶圆 w飞散的处理液流下的通路190。
93.液承接杯800包围旋转台100的周围，用于回收从晶圆w飞散出的处理液。 在图示的实施方式中，液承接杯800具有固定外侧杯要素801、固定内侧杯要 素804以及能够升降的第一可动杯要素802及第二可动杯要素803。在彼此邻 接的两个杯要素之间(801与802之间、802与803之间、803与804之间)分别形 成有第一排出通路806、第二排出通路807以及第三排出通路808。能够将从 周缘罩体180与旋转杯188之间的通路190流出的处理液引导至通过变更第一 可动杯要素802及第二可动杯要素803的位置来从三个排出通路806、807、808 中选择出的任一排出通路。第一排出通路806、第二排出通路807以及第三排 出通路808分别与设置于半导体制造工厂的酸系排液通路、碱系排液通路以 及有机系排液通路(均未图示)中的任一个排液通路连接。在第一排出通路806、 第二排出通路807以及第三排出通路808内设置有未图示的气液分离构造。第 一排出通路806、第二排出通路807以及第三排出通路808经由喷射泵等排气 装置(未图示)来与工厂排气系统连接，来被工厂排气系统吸引。根据与本案 申请人的专利申请相关联的公开公报、日本特开2012-129462号、日本特开 2014-123713号等，这样的液承接杯800是公知的，关于这样的液承接杯800 的详细内容，请参照这些公开公报。
94.在吸附板120和支承板170，以关于旋转轴线ax的方向与加热板140的三 个升降销孔145l成列的方式也分别形成有三个升降销孔128l、171l。
95.在旋转台100，以穿过升降销孔145l、128l、171l的方式设置有多个(在 图示例中为三个)升降销211。各升降销211能够在使升降销211的上端从吸附 板120的上表面120a向上方突出的交接位置(上升位置)与使升降销211的上 端位于吸附板120的上表面120a的下方的处理位置(下降位置)之间移动。
96.在各升降销211的下方设置有推杆212。能够利用升降机构213例如气缸 使推杆212升降。通过利用推杆212将升降销211的下端上推，能够使升降销 211上升至交接位置。也可以是，将多个推杆212设置为以旋转轴线ax为中心 的环状支承体(未图示)，通过利用共用的升降机构使环状支承体升降，来使 多个推杆212升降。
97.处于交接位置的升降销211上载着的晶圆w位于比固定外侧杯要素801 的上端809高的高度位置，能够与进入处理单元16的内部的基板搬送装置17 的臂(参照图1)之间进行晶圆w的交接。
98.当升降销211从推杆212离开时，升降销211通过复位弹簧214的弹性力下 降至处理位置，并保持于该处理位置。在图1中，标记215为引导升降销211 的升降的引导构件，标记216为接受复位弹簧214的弹簧接受部。此外，在固 定内侧杯要素804形成有用于使弹簧接受部216能够绕旋转轴线ax旋转的圆 环状的凹部810。
99.处理液供给部700具备多个喷嘴。多个喷嘴包括药液喷嘴701、冲洗喷嘴 702、干燥促进液喷嘴703。从药液供给源701a经由设置于药液供给管线(配 管)701c的包括开闭阀、流量控制阀等流体控制设备(未图示)的药液供给机构 701b向药液喷嘴701供给药液。从冲洗液供给源702a经由设置于冲洗液供给 管线(配管)702c的包括开闭阀、流量控制阀等流体控制设备(未图示)的冲洗 液供给机构702b供给冲洗液。从干燥促进液供给源703a经由设置于干燥促 进液供给管线(配管)703c的包括开闭阀、流量控制阀等流体控制设备(未图示) 的干燥促进液供给机构703b供给干燥促进液、例如ipa(异丙醇)。
100.能够在药液供给管线701c设置加热器701d来作为用于对药液进行温度 调整的温度调整机构。并且，也可以在构成药液供给管线701c的配管设置用 于对药液进行温度调整的加热带(未图示)。也可以在冲洗液供给管线702c也 设置这样的加热器类。
101.药液喷嘴701、冲洗喷嘴702以及干燥促进液喷嘴703由喷嘴臂704的前端 进行支承。喷嘴臂704的基端由用于使喷嘴臂704升降及回转的喷嘴臂驱动机 构705进行支承。通过喷嘴臂驱动机构705，能够使药液喷嘴701、冲洗喷嘴702以及干燥促进液喷嘴703位于晶圆w的上方的任意的半径方向位置(与晶 圆w的半径方向有关的位置)。
102.在壳体1601的顶部设置有用于检测旋转台100上是否存在有晶圆w的晶 圆传感器860、用于检测晶圆w的温度(或者处于晶圆w上的处理液的温度) 的一个或多个红外线温度计870(仅图示了一个)。在设置有多个红外线温度计 870的情况下，优选各红外线温度计870检测晶圆w的与各加热区 143-1～143-10分别对应的区域的温度。
103.接着，参照图11a～图11p，以对晶圆w进行药液处理的情况为例来对基 板处理装置的动作进行说明。药液例如能够设为湿蚀刻处理用的药液或清洗 处理用的药液。此外，在图11a～图11p中，从ffu向下方延伸的箭头的数量 与从ffu向处理腔室1601内供给的气体的流量大致对应。参照标记ca是指清 洁空气，参照标记da是指干燥空气。从液承接杯800排出气体的排气流量与 标记有参照标记exh的箭头的数量大致对应。另外，在图11a～图11p中，记 载于ffu的左侧的s1～s16是指该图与步骤1～步骤16对应。
104.在下面的说明中，设为如下述那样表达处理参数，以简化记载。
105.项目“板加热开关”表示开关机构160的状态。“接通”表现开关机构160 的第二电极部161b上升来与第一电极部161a电接触、来向加热板140供电的 状态。“断开”表现开关机构160的第二电极部161b下降来从第一电极部161a 离开的状态(开状态)。
106.项目“板温度”表现载置晶圆w的旋转台100的吸附板120的温度。吸附 板120的温度通过被加热板140加热来上升。可以认为在从晶圆w被吸附于吸 附板120而与吸附板120形成一体起经过了某种程度的时间后，晶圆w的温度 与吸附板120的温度大致相等。
107.项目“腔室供气流量”表现从ffu(风机过滤单元(还参照图2))向壳体(处 理腔室)1610内供给气体的供气流量。
108.项目“杯排气流量”表现从液承接杯800排出气体的排气流量。
109.项目“晶圆旋转”表现通过旋转台100旋转的晶圆w的转速。在向同方 向连续旋转的情况下，仅记录转速，在进行摇动旋转(交替地正反转)的情况 下记录摇动旋转的意思。
110.项目“药液喷嘴”表现从药液喷嘴701有无药液喷出、以及药液喷嘴701 的位置(只记载喷出时的位置)。
111.项目“冲洗喷嘴”表现从冲洗喷嘴702有无冲洗液(在此为diw)喷出、以 及冲洗喷嘴702的位置(只记载喷出时的位置)。
112.项目“ipa喷嘴”表现从干燥促进液喷嘴703有无作为干燥促进液的ipa 喷出、以及干燥促进液喷嘴703的位置(仅记载喷出时的位置)。
113.[步骤1(晶圆保持工序)]
[0114]
保持了常温(例如约24℃)的晶圆w的基板搬送装置17的臂(参照图1)进入 处理单元16内，并位于常温(例如约24℃)的吸附板120的正上方。另外，升降 销211位于交接位置。在该状态下，基板搬送装置17的臂下降，由此将晶圆 w载于升降销211的上端上，晶圆w从臂离开。接着，基板搬送装置17的臂 从处理单元16退出。接着，吸引装置154进行工作，吸附板120被吸附于加热 板140，另外，开始对吸附板120的表面作用吸引力。在该状态下，升降销211 下降至处理位置，通过该过程，晶圆w被载于吸附板120的上表面120a，晶 圆w立即被吸附于吸附板120。
[0115]
之后，通过晶圆传感器860进行晶圆w是否被适当地吸附于吸附板120的 检查。通过将晶圆w吸附于吸附板120，从加热板140经由吸附板120向晶圆 w传递热。因此，能够高效地加热晶圆w，另外，能够按每个加热区精确地 进行温度控制。
[0116]
从吹扫气体供给装置155向吸附板120的上表面的最外侧的凹区域125g 始终供给吹扫气体(例如n2气)。由此，即使在晶圆w的下表面的周缘部与吸 附板120的周缘部的接触面存在间隙，也不会从该间隙向晶圆w的周缘部与 吸附板120的周缘部之间浸入处理液。
[0117]
步骤1的工艺条件如下所示。下面，即使在其它步骤的说明中没有特别 的记载的情况下，也可以使腔室供气流量比杯排气流量稍大，以将处理腔室1610内维持为微正压。
[0118]
板加热开关：断开
[0119]
板温度：24℃(23～27℃)
[0120]
腔室供气流量：比0.4m3/min稍大
[0121]
杯排气流量：0.4m3/min
[0122]
晶圆转速：0rpm
[0123]
药液喷嘴：不进行喷出
[0124]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0125]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0126]
[步骤2(预备加热工序)]
[0127]
接着，将开关机构160接通，向加热板140供电来使其发热，由此将吸附 板120和被吸附于该吸附板120的晶圆w加热至65℃(参照图11b)。在此，所说 的65℃为比后述的药液处理温度(在此为60℃)稍高的温度(60℃ α℃)。
[0128]
在步骤2结束后且步骤5开始之前不向加热板140进行供电，因此吸附板 120和晶圆w的温度会因散热而下降。在步骤2中对该温度下降进行补偿。决 定α℃以使吸附板120和晶圆w的温度在步骤5的开始时间点成为与药液处 理温度大致相同的温度即可。由于加热板140(或晶圆w)的在步骤5的开始时 间点的目标控制温度为药液处理温度(在此为60℃)，因此是在几乎不存在目 标控制温度与实际温度之差的状态下开始温度控制，因此几乎不发生振荡、 过冲等。因此，能够使通过药液进行蚀刻的蚀刻量自身接近目标值，另外， 蚀刻量的面内均匀性也提高。
[0129]
能够将α℃决定为0～ 10℃以下的范围(也可以为0～ 5℃以下的范围)内 的适当的温度。在决定α℃时，考虑吸附板120以及与其热结合的构件的热 容量等。例如在35秒左右的期间实施步骤2。所说的35秒例如大致相当于使 吸附板120和晶圆w的温度从常温上升到作为药液处理温度的65℃所需的时 间。
[0130]
在升温期间(例如35秒左右)的期间，从药液喷嘴701向伪分配端口(仅在 图11b中标注参照标记710概要性地表示)进行药液的伪分配。与药液喷嘴701 连接的药液供给管线701c中滞留的药液的温度由于散热而变低。通过在将要 从药液喷嘴701向晶圆w喷出药液之前通过伪分配将低温的该药液从药液管 线排出，使得从刚开始喷出起就向晶圆w供给期望的温度的药液。进行伪分 配，直到要从药液喷嘴701喷出的药液的温度t达到比常温高的预先决定的温 度tp为止。
[0131]
该温度tp能够设为与步骤5中的药液处理温度tc大致相等的温度。由此 减少加热板140的负担(加热所需要的电力)。然而，由于只要温度tp至少比常 温高，加热板140的负担就会被减少一些，因此可以将温度tp设为比常温高 且比药液处理温度tc低的任意的温度。
[0132]
此外，对于伪分配端口710，如在该技术领域中周知的那样，设置于与 液喷出喷嘴(在此为药液喷嘴701)的原始位置(在图11b中示出的处于液承接 杯800的外侧的等待位置)对应的位置。伪分配端口710构成为接受从液喷出 喷嘴喷出的药液。由伪分配端口710接受到的液被回收以进行再利用，或者 被废弃到工厂废液系统。由于从药液喷嘴701喷出到伪分配端口的药液的清 洁度高，因此可以将其回收进行再利用。
[0133]
步骤2的工艺条件如下所示。
[0134]
板加热开关：接通
[0135]
板温度：65℃
[0136]
腔室供气流量：比0.4m3/min稍大
[0137]
杯排气流量：0.4m3/min
[0138]
晶圆转速：0rpm
[0139]
药液喷嘴：在伪分配位置进行喷出
[0140]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0141]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0142]
[步骤3]
[0143]
接着，如图11c所示，将开关机构160断开。由此，吸附板120和晶圆w 的温度逐渐下降。另外，使药液喷嘴701移动到晶圆w的中心部的正上方。 步骤3的工艺条件如下所示。
[0144]
板加热开关：断开
[0145]
板温度：不进行控制(由于散热而逐渐下降)
[0146]
腔室供气流量：比0.4m3/min稍大
[0147]
杯排气流量：0.4m3/min
[0148]
晶圆转速：0rpm
[0149]
药液喷嘴：不进行喷出(移动至晶圆w的中心部的正上方)
[0150]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0151]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0152]
[步骤4(液膜形成工序和膜厚度调整工序)]
[0153]
接着，如图11d所示，在使晶圆w以高速(例如500rpm以上、具体地例如 为1000rpm左右)旋转的状态下，从药液喷嘴701向晶圆w的中心供给例如60℃ 左右的温度的药液，之后，保持着从药液喷嘴701向晶圆w的中心持续供给 药液的状态，并使晶圆w的旋转速度下降至10rpm左右的低速。
[0154]
被供给至以高速旋转的晶圆w的中心部的药液因离心力而瞬间(例如小 于1秒的时间)扩展至晶圆w的表面整体。由此，晶圆w的表面整体被薄的药 液的液膜覆盖。能够将该阶段视作是在后述的药液浆形成阶段之前执行的预 湿阶段。通过将药液瞬间扩展至晶圆w的表面整体，晶圆w的表面与药液的 接触时间的面内均匀性提高，其结果，药液处理的面内均匀性提高。
[0155]
此外，在以不使晶圆w旋转或使晶圆w以低速旋转的状态花费比较长的 时间(例如5秒左右)将药液扩展至晶圆w的表面的情况下，容易在晶圆w的表 面附着颗粒等异物。一旦附着的异物通过之后的冲洗处理等也难以被去除。 对此，通过如上述那样将药液瞬间扩展至晶圆w的表面整体，不会发生这样 的问题。
[0156]
在扩展至高速旋转(例如500rpm以上)的晶圆w的表面整体后，保持着向 晶圆w的中心持续供给药液的状态并使晶圆w的旋转速度下降(例如高速旋 转的旋转速度的1/2以下、具体地例如为10rpm左右)，由此能够在晶圆w的表 面形成期望的膜厚的药液的液膜(也被称作“药液的浆”)。
[0157]
药液的液膜(标注有参照标记“chm”)具有处理结果不会因药液的蒸发 而产生问题的程度的厚度即可。在该步骤4中，从药液喷嘴701向晶圆w供给 的药液的总量例如为100ml或其以下。另外，在该步骤4中，从药液喷嘴701 向晶圆w供给的药液的温度为能够使存在于晶圆w上的药液的温度维持在 大致60℃这样的温度即可，例如能够设为常温以上且药液处理温度tc以下的 适当的温度。
[0158]
步骤4的工艺条件如下所示。
[0159]
板加热开关：断开
[0160]
板温度：不进行控制(由于散热而逐渐下降)
[0161]
腔室供气流量：比0.4m3/min稍大(0.5m3/min)
[0162]
杯排气流量：0.4m3/min
[0163]
晶圆转速：1000rpm
→
10rpm
[0164]
药液喷嘴：从晶圆w的中心部的正上方喷出药液
[0165]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0166]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0167]
在步骤4中被供给的药液全部被供给到晶圆w。在形成药液的浆的步骤4 中被供给的药液的总量为在以往的药液处理工序中使用的药液的总量的 1/5～1/10左右，该以往的药液处理工序通过向旋转的晶圆w持续供给被进行 温度调整后的药液来进行。也就是说，相比于现有方法，在本实施方式的药 液处理工序中，能够实现大幅度的药液节省。
[0168]
在步骤4中，并不限定于使晶圆w的旋转速度一次下降(1000rpm
→ꢀ
10rpm)，也可以使晶圆w的旋转速度通过两个以上的阶段下降(例如1000rpm
ꢀ→
100rpm
→
10rpm)。
[0169]
[步骤5(液膜加热工序)]
[0170]
接着，使晶圆w停止旋转，并将开关机构160接通，向加热板140供电来 使其发热，由此将吸附板120、被吸附于该吸附板120的晶圆w以及晶圆w上 的药液的温度维持为前述的作为药液处理温度tc的60℃。另外，如图11e所 示，使旋转台100(吸附板120和晶圆w)摇动旋转，来对在晶圆w上正形成液 膜的药液进行搅拌，促进药液与晶圆w表面之间的反应并且提高反应的均匀 性。摇动旋转例如能够设为交替地重复45度的正转和45度的反转。能够与药 液的物理性质(例如粘度)相应地变更摇动角度。从处理的均匀性的观点出发， 优选进行摇动旋转，但也可以不进行摇动旋转而仅使旋转停止。
[0171]
此外，此时，药液喷嘴701可以返回原始位置。但是，在如图2所示、药 液喷嘴701和冲洗喷嘴702配置于喷嘴臂704的相同的前端的情况下，药液喷 嘴701(即冲洗喷嘴702也是)也可以持续位于晶圆w的中心部的正上方。关于 该点，冲洗喷嘴702与干燥促进液喷嘴703之间的关系也相同。
[0172]
步骤5的工艺条件如下所示。
[0173]
板加热开关：接通
[0174]
板温度：60℃
[0175]
腔室供气流量：0.1m3/min
[0176]
杯排气流量：0.1m3/min
[0177]
晶圆转速：进行摇动旋转
[0178]
药液喷嘴：不进行喷出
[0179]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0180]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0181]
在步骤5的执行过程中，使腔室供气流量和杯排气流量例如下降至 0.1m3/min左右，来减弱处理腔室1610内的气流。由此，使处理腔室1610内的 源于药液的蒸汽的分压(例如水蒸汽的分压即湿度)上升，抑制在形成液膜的 药液的蒸发或挥发。由此，能够防止晶圆w上的液膜的局部消失或药液的不 被容许的浓度变化。换言之，能够进一步减薄要在步骤4中形成的药液的液 膜(浆)的厚度。
[0182]
另外，向液承接杯800流入的清洁空气ca的流速在晶圆w的周缘部附近 比较高。因此，晶圆w的周缘部附近容易冷却，从而具有药液在晶圆w的面 内的温度分布变得不均匀的倾向。通过如上所述、使腔室供气流量和杯排气 流量下降，该倾向被缓和，能够使药液在晶圆w面内的的反应量分布均匀化。
[0183]
在实际的装置中确认到：温度幅度(晶圆w面内的最高温度-最低温度) 因通过摇动旋转进行的药液搅拌而得到改善。作为具体的例子，在将腔室供 气流量和杯排气流量设为0.4m3/min时，在不进行通过摇动旋转进行的药液搅 拌的情况下，温度幅度为2.043℃，在进行通过摇动旋转进行的药液搅拌的情 况下，温度幅度为1.072℃。在将腔室供气流量和杯排气流量减少为0.1m3/min 时，在不进行通过摇动旋转进行的药液搅拌的情况下，温度幅度为1.377℃， 在进行通过摇动旋转进行的药液搅拌的情况下，温度幅度为0.704℃。此外确 认到：在进行通过摇动旋转进行的药液搅拌的情况下，在将腔室供气流量和 杯排气流量设为0.4m3/min时，蚀刻均匀性指数为2.9，在将腔室供气流量和 杯排气流量设为0.1m3/min时，蚀刻均匀性指数为1.9，药液处理的面内均匀 性大幅度提高。蚀刻均匀性指数基于下式。
[0184]
蚀刻均匀性指数＝(面内的蚀刻量最大值-蚀刻量最小值)/(蚀刻量平均值
ꢀ×
2)
[0185]
[步骤6]
[0186]
接着，如图11f所示，将开关机构160断开。由此，吸附板120和晶圆w 的温度逐渐下降。另外，使冲洗喷嘴702(在图11f中未图示)位于晶圆w的中 心部的正上方或者使冲洗喷嘴702朝向中心部的正上方移动。使腔室供气流 量和杯排气流量例如增加至0.8m3/min左右，来加强处理腔室1610内的气流。
[0187]
步骤6的工艺条件如下述所示。
[0188]
板加热开关：断开
[0189]
板温度：不进行控制(由于散热而逐渐下降)
[0190]
腔室供气流量：比0.8m3/min稍大
[0191]
杯排气流量：0.8m3/min
[0192]
晶圆转速：0rpm
[0193]
药液喷嘴：不进行喷出
[0194]
冲洗喷嘴：不进行喷出(移动至晶圆w的中心部的正上方)
[0195]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0196]
[步骤7]
[0197]
接着，如图11g所示，在使晶圆w以比较低的速度(例如100rpm以下，具 体为30rpm左右)旋转的状态下，从冲洗喷嘴702向晶圆w的中心供给常温的 冲洗液(在此为diw(纯水))。由此，处于晶圆w的表面上的药液被冲洗掉，药 液与晶圆w表面之间的反应停止。由于使晶圆w以低速旋转，因此抑制因从 晶圆w飞散出的药液和冲洗液冲撞至液承接杯800而可能产生的飞溅的形成。 因此，防止含有药液的液雾再次附着于晶圆w。
[0198]
步骤7的工艺条件如下所示。
[0199]
板加热开关：断开
[0200]
板温度：不进行控制(由于散热和diw而逐渐下降)
[0201]
腔室供气流量：0.8m3/min
[0202]
杯排气流量：0.8m3/min
[0203]
晶圆转速：10rpm
[0204]
药液喷嘴：不进行喷出
[0205]
冲洗喷嘴：从晶圆w的中心部的正上方喷出diw
[0206]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0207]
[步骤8]
[0208]
接着，如图11h所示，保持从冲洗喷嘴702向晶圆w的中心持续供给diw 的状态，并使晶圆w的旋转速度增加至1000rpm左右的高速。被供给至高速 旋转着的晶圆w的中心部的diw向晶圆w的周缘扩展流动，分散到周缘的外 方。由此，残留于晶圆w的表面上的药液和反应生成物等被diw冲洗掉。另 外，在该步骤7中，晶圆w和吸附板120被常温的diw夺走热，温度下降至大 致常温。在该步骤7中，使冲洗喷嘴702在晶圆w的中心的正上方的位置与晶 圆w的周缘的正上方的位置之间往复，以使晶圆w和吸附板120的温度均匀 地下降。另外，在使冲洗喷嘴702往复时，可以根据喷出位置使从冲洗喷嘴 702喷出的diw的喷出量变化，由此实现更均匀的温度下降。
[0209]
步骤8的工艺条件如下所示。
[0210]
板加热开关：断开
[0211]
板温度：不进行控制(由于放热和diw而下降至几乎常温)
[0212]
腔室供气流量：0.8m3/min
[0213]
杯排气流量：0.8m3/min
[0214]
晶圆转速：1000rpm
[0215]
药液喷嘴：不进行喷出
[0216]
冲洗喷嘴：一边在晶圆w的中心部与周缘部之间往复一边喷出diw
[0217]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0218]
[步骤9]
[0219]
接着，如图11i所示，保持着维持晶圆w的旋转速度的状态，并停止从冲 洗喷嘴702喷出diw，从位于晶圆w的中心部的正上方的干燥促进液喷嘴703 向晶圆w的中心部喷出常温的ipa。通过步骤9，晶圆w上的冲洗液由被喷出 至晶圆w的中心部的ipa置换，晶圆w的表面被ipa的液膜覆盖。
[0220]
在执行步骤9时，将从ffu供给的气体从清洁空气(利用hepa过滤器对清 洁室内空气进行过滤后的空气)切换为干燥空气(da)或n2气(氮气)。干燥空气 具有与上述清洁空气(ca)同等的洁净度，并且具有大幅低于清洁空气的露点。 n2气具有高的洁净度，并且具有大幅低于清洁空気的氧浓度和含水量。也就 是说，处理腔室1610内的气氛被变更为不容易产生结露的气氛(例如湿度小 于1％的气氛)。将此时的腔室供气流量(干燥空气或n2气的供给流量)和杯排 气流量设为例如0.4m3/min左右。
[0221]
步骤9的工艺条件如下所示。
[0222]
板加热开关：断开
[0223]
板温度：不进行控制(几乎常温)
[0224]
腔室供气流量：比0.4m3/min稍大
[0225]
杯排气流量：0.4m3/min
[0226]
晶圆转速：1000rpm
[0227]
药液喷嘴：不进行喷出
[0228]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0229]
ipa喷嘴：从晶圆w的中心部的正上方喷出ipa
[0230]
[步骤10]
[0231]
接着，如图11j所示，保持着从干燥促进液喷嘴703向晶圆w的中心持续 供给常温的ipa的状态，并使晶圆w的旋转速度下降至10rpm左右的低速。通 过保持着向晶圆w的中心持续供给ipa的状态并使晶圆w的旋转速度下降， 能够在晶圆w的表面形成期望的膜厚的ipa的液膜(也被称作“ipa的浆”)。i pa的液膜具有处理结果不会因ipa的蒸发而产生问题的程度的厚度即可。此 时，腔室供气流量(干燥空气或n2气的供给流量)和杯排气流量例如设定为0. 1m3/min～0.4m3/min左右的范围内的适当的值。腔室供气流量与杯排气流量大 致相等(优选腔室供气流量稍大。)。
[0232]
在步骤10中(在步骤9中也是)，通过以常温供给ipa，能够提高向晶圆w 供给的ipa的洁净度。在以加热的状态供给ipa的情况下，在向干燥促进液喷 嘴703供给ipa的处理液供给机构中，被加热后的ipa通过过滤器。此时，由 于在常温下析出的杂质溶解于被加热后的ipa中等原因，过滤器的过滤效率 实质上下降。通过以常温供给ipa，能够解决该问题。在步骤10结束后，可 以使干燥促进液喷嘴703退避至原始位置。
[0233]
步骤10的工艺条件如下所示。
[0234]
板加热开关：断开
[0235]
板温度：不进行控制(大致常温)
[0236]
腔室供气流量：0.1～0.4m3/min(干燥空气或n2气)
[0237]
杯排气流量：0.1～0.4m3/min
[0238]
晶圆转速：10rpm
[0239]
药液喷嘴：不进行喷出
[0240]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0241]
ipa喷嘴：从晶圆w的中心部的正上方喷出ipa
[0242]
[步骤11]
[0243]
接着，如图11k所示，使晶圆w停止旋转，将开关机构160接通，向加热 板140通电来使其发热，由此，将吸附板120、被吸附于该吸附板120的晶圆 w以及晶圆w上的ipa升温至例如78℃左右。此时，可以使旋转台100(吸附板 120和晶圆w)摇动旋转，也可以使旋转台100静止。此时还继续以低流量维持 腔室供气流量和杯排气流量，抑制在形成液膜的ipa的蒸发或挥发。由此， 能够防止晶圆w上的非期待的位置处的液膜的局部消失。通过使ipa的温度 上升，ipa的表面张力下降，后述的步骤13中的图案倒塌抑制效果变大。另 外，通过使ipa的温度上升，能够溶解于ipa中的物质会溶解于ipa中，因此 还能够抑制产生颗粒。
[0244]
步骤11的工艺条件如下所示。
[0245]
板加热开关：接通
[0246]
板温度：78℃
[0247]
腔室供气流量：0.1～0.4m3/min(干燥空气或n2气)
[0248]
杯排气流量：0.1～0.4m3/min
[0249]
晶圆转速：0rpm(或摇动旋转)
[0250]
药液喷嘴：不进行喷出
[0251]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0252]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0253]
[步骤12]
[0254]
接着，如图11l所示，将开关机构160断开。由此，吸附板120和晶圆w 的温度逐渐下降。使腔室供气流量和杯排气流量例如增加至0.4m3/min左右， 加强处理腔室1610内的气流。步骤12的工艺条件如下所示。
[0255]
板加热开关：断开
[0256]
板温度：不进行控制(由于散热而逐渐下降)
[0257]
腔室供气流量：比0.4m3/min稍大
[0258]
杯排气流量：0.4m3/min
[0259]
晶圆转速：0rpm
[0260]
药液喷嘴：不进行喷出
[0261]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0262]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0263]
[步骤13]
[0264]
接着，如图11m所示，使晶圆w以1000～1500rpm左右的高速旋转，由此 将ipa从晶圆w的表面甩脱来将其去除。步骤8的工艺条件如下所示。
[0265]
板加热开关：断开
[0266]
板温度：不进行控制(由于散热而逐渐下降)
[0267]
腔室供气流量：比0.4m3/min稍大
[0268]
杯排气流量：0.4m3/min
[0269]
晶圆转速：1000rpm
[0270]
药液喷嘴：不进行喷出
[0271]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0272]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0273]
[步骤14(晶圆搬出工序)]
[0274]
在晶圆w干燥后，如图11n所示，将从ffu供给的气体从干燥空气变更 为清洁空气，使腔室供气流量和杯排气流量例如增加至0.8m3/min左右，进一 步加强处理腔室1610内的气流。然后，使晶圆w停止旋转，由基板搬送装置 17的臂将晶圆w从处理单元16取出。
[0275]
步骤14的工艺条件如下所示。
[0276]
板加热开关：断开
[0277]
板温度：不进行控制(由于散热而逐渐下降)
[0278]
腔室供气流量：比0.8m3/min稍大
[0279]
杯排气流量：0.8m3/min
[0280]
晶圆转速：0rpm
[0281]
药液喷嘴：不进行喷出
[0282]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0283]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0284]
还参照图2来说明晶圆搬出工序的详细内容。首先，对切换装置(三通 阀)156进行切换，来将吸引配管155w的连接对象从吸引装置157w变更为吹 扫气体供给装置159。由此，向板用的下表面吸引流路槽121p供给吹扫气体， 并且经由基板用的下表面吸引流路槽122w向吸附板120的上表面120a的凹 区域125w供给吹扫气体。由此，晶圆w对吸附板120的吸附被解除。
[0285]
伴随上述的操作，吸附板120对加热板140的吸附也被解除。也可以不在 每当一张晶圆w的处理结束时就解除吸附板120对加热板140的吸附，因此也 可以变更为不进行该吸附解除这样的配管系统。
[0286]
接着，使升降销211上升至交接位置。由于通过上述的吹扫解除了晶圆 w对吸附板120的吸附，因此能够容易地使晶圆w从吸附板120离开。因此， 能够防止晶圆w受伤。
[0287]
接着，用基板搬送装置17的臂(参照图1和图11n)将升降销211上载着的 晶圆w抬起，并搬出至处理单元16的外部。之后，通过晶圆传感器860进行 在吸附板120上不存在晶圆w的确认。
[0288]
[步骤15]
[0289]
接着，如图11o所示，保持着同样地维持腔室供气流量和杯排气流量的 状态，并使冲洗喷嘴702移动至旋转台100的吸附板120的中心部的正上方。 使旋转台100以1000rpm以下左右的转速旋转。在该状态下，从冲洗喷嘴702 向吸附板120的中心部供给作为冲洗液的diw，来清洗吸附板120的表面。通 过进行该清洗，能够防止下一个被处理的晶圆w的背面被污染。
[0290]
在该步骤15中，吸附板120被常温的diw夺走热，温度下降至大致常温。 在步骤14中，也可以使冲洗喷嘴702在吸附板120的中心的正上方的位置与晶 圆w的周缘的正上方的位置之间往复。由此，能够均匀地清洗吸附板120的 整个面，另外，也能够使吸附板120的温度均匀地下降。
[0291]
步骤15的工艺条件如下所示。
[0292]
板加热开关：断开
[0293]
板温度：不进行控制(由于散热和diw而逐渐下降)
[0294]
腔室供气流量：比0.8m3/min稍大
[0295]
杯排气流量：0.8m3/min
[0296]
晶圆转速：～1000rpm
[0297]
药液喷嘴：不进行喷出
[0298]
冲洗喷嘴：喷出(固定于晶圆w的中心部或者在晶圆w的中心部与周缘部 之间移动)
[0299]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0300]
[步骤16]
[0301]
接着，如图11p所示，停止从冲洗喷嘴702喷出diw，并使旋转台100以 1000～1500rpm左右的高速旋转，由此对吸附板120的表面进行甩脱干燥。通 过上述，处理单元16中的1个循环(步骤1～步骤16)的动作结束。在存在应接着 被处理的晶圆的情况下，返回步骤1。
[0302]
步骤16的工艺条件如下所示。
[0303]
板加热开关：断开
[0304]
板温度：不进行控制(常温)
[0305]
腔室供气流量：比0.8m3/min稍大
[0306]
杯排气流量：0.8m3/min
[0307]
晶圆转速：1000～1500rpm
[0308]
药液喷嘴：不进行喷出
[0309]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0310]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0311]
《第一变形实施方式》
[0312]
在上述的实施方式中，在步骤4～步骤5中，从药液喷嘴701供给加热后的 药液，但也可以供给常温的药液。通过供给常温的药液，能够供给洁净度高 的药液。其理由(与在步骤10中供给常温的ipa的理由相同)是：在高温下会溶 解于药液中的物质在常温下析出，因此能够利用设置于包括药液供给机构 701b的药液供给系统的过滤器高效地进行过滤。此外，在该情况下，晶圆w 被常温的药液冷却，因此在步骤5中需要用于使药液和晶圆w升温至药液处 理温度tc的时间。
[0313]
大多的情况下，供给被进行温度调整后的药液的药液供给系统具有药液 贮存罐、与药液贮存罐连接的循环管线、设置于循环管线的泵、加热器以及 过滤器等设备，并构成为经由从循环管线分支的分支管线向处理单元送出处 理液。如果向处理单元供给常温的药液，则能够使常温的药液循环来利用过 滤器对常温的该药液进行过滤，从而能够提高在罐和循环管线中循环的药液 的洁净度。另外，通过不循环被进行了温度调整的药液，还能够消除由药液 的成分蒸发而引起的药液的组成或浓度的变化的问题。另外，如果供给常温 的药液，则无需在循环管线中设置加热器，另外，还能够不经由循环管线地 从罐向处理单元供给药液。因此，还具有能够降低基板处理系统的成本的效 果。
[0314]
《第二变形实施方式》
[0315]
在上述的实施方式中，通过在步骤11中均匀地加热晶圆w的整体来加热 在步骤10中形成的ipa的液膜(浆)，并在步骤13中通过甩脱来将其去除，但并 不限定于此。也可以不使晶圆w旋转，而如图12的示意图所示，使用马兰戈 尼力来去除ipa的液膜。此外，在图12中，加热板140具有同心的四个加热区 z1、z2、z3、z4。最内侧的加热区z1为圆形，处于其外侧的加热区z2、z3、 z4为环状。此外，加热区z2、z3、z4能够通过将之前参照图3说明的10个加 热区143-1～143-10中的半径方向位置相同的加热区彼此同样地加热来实现。
[0316]
首先，如图12的(a)所示，向加热板140供电，以形成晶圆w的中心部的 加热区za的温度最高(例如80℃以上)、且温度随着靠近晶圆w的周缘部而变 低(l)这样的温度分布。在图12中，标注有参照标记ts的台阶状的细实线表示 各加热区(za～z4)的设定温度，曲线状的粗实线表示吸附板120表面(即晶圆 w)的实际的温度分布。
[0317]
接着，如图12的(b)所示，通过从气体喷嘴706吹送非活性气体例如氮气 (n2气)来形成干燥芯dc。在此使用的气体喷嘴706可以由前述的支承喷嘴 701～703的喷嘴臂704来支承，也可以由其它的未图示的喷嘴臂来支承。此外， 通过形成图12的(a)所示那样的温度分布，即使不吹送气体也能够形成干燥 芯，但优选吹送气体，以在适当的定时在晶圆w的中
心部的适当的位置形成 适当的尺寸的干燥芯。
[0318]
由于具有上述的温度梯度，干燥芯dc逐渐向半径方向外侧扩大。此时， 通过使温度分布如图12的(c)～(e)所示那样变化，能够利用马兰戈尼力高效地 扩大干燥芯dc。详细地说，控制温度分布，以使气液界面b(是指晶圆w的 表面上的ipa液膜与干燥芯之间的边界)及其半径方向内侧的区域的温度最 高、且使该区域的温度约为90℃左右。于是，以气液界面b为边界，在处于 半径方向内侧的干燥芯dc侧，温度相对地高，因此表面张力小，在处于半 径方向外侧的ipa液膜侧，温度相对地低，因此表面张力大。因此，ipa液膜 以马兰戈尼力为驱动力来向半径方向外侧移动。气液界面b逐渐向半径方向 外侧移动，因此通过重复当气液界面b从某加热区移动至处于该加热区最近 外侧的加热区时将该外侧的加热区的温度提高为90℃这样的操作，能够在将 气液界面b附近的ipa的液温维持为大致90℃的同时，使气液界面b连续地向 半径方向外侧移动。在该过程中，处于晶圆w上的ipa从晶圆w的周缘向外 方洒落或者蒸发。最终，如图12的(e)所示，干燥芯(dc)扩展至晶圆w的周缘， 晶圆w被干燥。
[0319]
在上述的干燥过程中，形成液膜的ipa保持着能够流动的状态并向半径 方向外侧移动。由于ipa的流动性，存在于ipa液膜中的颗粒p(在图12中用点 表示)能够伴随ipa液膜的移动而移动到半径方向外侧。因此，能够抑制在晶 圆w的表面残留颗粒p。
[0320]
在第二变形实施方式中，之前说明的步骤1～步骤10与前述的实施方式相 同。之后，执行下面的步骤11a来代替步骤11～步骤13。在步骤11a结束后， 进入步骤14。
[0321]
步骤11a的工艺条件如下所示。
[0322]
板加热开关：接通
[0323]
板温度：以最高的100℃(下述的区温度控制)
[0324]
腔室供气流量：0.2～0.4m3/min(供给干燥空气或n2气)
[0325]
杯排气流量：0.2～0.4m3/min
[0326]
晶圆转速：0rpm
[0327]
药液喷嘴：不进行喷出
[0328]
冲洗喷嘴：不进行喷出
[0329]
ipa喷嘴：不进行喷出
[0330]
此外，在如前述的实施方式的步骤13那样通过甩脱来去除ipa的液膜的 情况下，当提高晶圆w的转速时，ipa的液膜立即变薄，存在于ipa液膜中的 颗粒变得难以在ipa的液膜中向晶圆的半径方向外侧移动，因此当与第二变 形实施方式比较时，具有颗粒容易残留于晶圆w的表面的倾向。
[0331]
在实际的装置中，关于19nm以上的尺寸的颗粒的增加量，在执行了步 骤11～步骤13的情况下平均为33，与此相对，在执行了步骤11a的情况下平均 为12.3，确认有大幅度的改善。
[0332]
《第三变形实施方式》
[0333]
也可以经由在旋转台向一个方向连续旋转时也能够对加热器142进行供 电的电力传输机构来代替经由在旋转台旋转时不能够进行供电的开关机构 160，来向加热板140的加热器142进行供电。下面说明这样的电力传输机构 的几个结构例。
[0334]
参照图13的动作原理图和图14的轴向截面图来说明第一结构例所涉及 的电力传
输机构910。电力传输机构910为接触式的电力传输机构。电力传输 机构被以与旋转接头151同轴的方式设置，优选的是，组装于旋转接头151中 或与旋转接头151一体化。
[0335]
如图13所示，电力传输机构910具有与转动轴承(球轴承或辊轴承)类似的 结构，具有外圈911、内圈912以及多个转动体(例如滚珠)913。外圈911、内 圈912以及转动体913由导电性材料(导电体)形成。优选的是，向电力传输机 构910的结构要素(911、912、913)间施加适度的预负荷。由此，能够经由转 动体913确保外圈911与内圈912之间更稳定的导通。
[0336]
在图14中示出组装有基于上述动作原理的电力传输机构910的旋转接头 151的具体例。旋转接头151具有下构件151b和上构件151a，所述下构件151b 固定于框架或固定于框架的托架(日语：
ブラケット
)(均未图示)，该框架被 设置于壳体1601内，所述上构件151a固定于旋转台100或与该旋转台100连动 地旋转的构件(未图示)。
[0337]
图14所示的旋转接头151的结构本身是公知的，简单地进行说明。即， 在上构件151a的圆筒形的中心孔152a中插入有下构件151b的圆柱形的中心 突起152b。中心突起152b经由一对轴承153支承于上构件151a。在中心孔 152a的内周面形成有与要处理的气体的种类相应的数量(在图14中为gas1 和gas2这两种气体，但不限定于此)的圆周槽154a。在各圆周槽154a的两肋 设置有用于防止气体的泄漏的密封环155s。
[0338]
在上构件151a内形成有分别与多个圆周槽154a连通的气体通路156a。 各气体通路156a的端部为气体出口端口157a。在中心突起152b的外周面的 分别与多个圆周槽154a对应的轴向位置设置有多个圆周槽154b。在下构件 151b内形成有分别与多个圆周槽154b连通的气体通路156b。各气体通路 156b的端部成为气体入口端口157b。
[0339]
根据图14所示的结构，即使在上构件151a和下构件151b旋转时，也能 够实质上无气体泄漏地使气体在气体入口端口157b与气体出口端口157a之 间流过。当然，还能够在气体入口端口157b与气体出口端口157a之间传递 吸引力。
[0340]
在旋转接头151的上构件151a与下构件151b之间组装有电力传输机构 910。在图14的例子中，外圈911嵌入(例如压入)下构件151b的圆筒形的凹部， 上构件151a的圆柱形的外周面嵌入(例如压入)内圈912。外圈911与下构件 151b之间以及上构件151a与内圈912之间被实施了适当的电绝缘处理。
[0341]
外圈911经由电线916来与电源(或者供电控制部)915电连接，经由电线 914来与加热板140的加热器142电连接。此外，在图14的例子中，内圈912为 与旋转台100一体地旋转的旋转构件，外圈911为非旋转构件。电源915可以 为图2中示出的供电部300的一部分。
[0342]
在图14所示的结构中，也能够通过将电力传输机构910的转动轴承在轴 向上以彼此绝缘的方式设置多段，来进行多路供电。在该情况下，能够对加 热板140的多个加热区143-1～143-10进行独立的供电。
[0343]
在应用第三变形实施方式的第一结构例时，将图2中示出的处理单元16 的旋转接头151和开关机构160替换为图13和图14中记载的机构即可。
[0344]
接着，参照图15来说明第二结构例所涉及的电力传输机构920。电力传 输机构920也为接触式的电力传输机构。图15所示的电力传输机构920本身由 公知的集电环构成，并构成为能够进行多路供电。在该情况下，也能够对加 热板140的多个加热区143-1～143-10进行独立的供电。
[0345]
集电环由作为导电体的旋转环和电刷构成。集电环由固定部921和旋转 部922构
成。固定部921固定于框架或被固定于该框架的托架(均未图示)，该 框架被设置于壳体1601内。旋转部922固定于旋转台100或与该旋转台100连 动地旋转的构件(未图示)。在固定部921的侧周面设置有多个端子，该多个端 子与电连接于电源或供电控制部(未图示)的多个电线923连接。分别与所述多 个端子导通的多个电线924从旋转部922的轴向端面延伸出，并与加热板140 的各加热区143-1～143-10的加热器要素142e电连接。
[0346]
在图15的结构例中，旋转接头151的下构件151b构成为在其中心具有贯 通孔158的中空构件。在贯通孔的内部保存有构成为集电环的电力传输机构 920。与图14的结构例同样，旋转接头151的下构件151b固定于框架或被固定 于该框架的托架(均未图示)，该框架被设置于壳体1601内。另外，旋转接头 151的上构件151a固定于旋转台100或与该旋转台100连动地旋转的构件(未 图示)。
[0347]
在应用第三变形实施方式的第二结构例时，将图2中示出的处理单元16 的旋转接头151和开关机构160替换为图15中记载的机构即可。
[0348]
作为电力传输机构的第三结构例，也可以使用利用了磁耦合的电磁感应 方式或磁共振方式的无线式(非接触式)的电力传输机构(这样的电力传输机 构本身是公知的)。在该情况下，无线电力传输机构如图2中概要性地示出那 样，具有隔开间隙且相面对的沿圆周方向延伸的送电线圈903和受电线圈902。 在送电线圈903和受电线圈902的周围安装有用于聚集磁通且用于防止磁场 泄漏的铁氧体片(未图示)。送电线圈903能够安装于非旋转构件例如固定外侧 杯要素801，受电线圈902能够安装于旋转构件例如支承板170。受电线圈902 经由未图示的电线来与加热板140的加热器142电连接。送电线圈903经由未 图示的电线来与未图示的电源(或者供电控制部)电连接。
[0349]
在使用上述的非接触式的电力传输机构的情况下，例如也能够通过将送 电线圈903和受电线圈902设置多组，来进行多路供电。
[0350]
在应用第三变形实施方式的第三结构例时，将图2中示出的处理单元16 的开关机构160替换为图2中记载的电力传输机构(902、903)即可。
[0351]
在应用第三变形实施方式的第一结构例～第三结构例时，可以在加热板 140与支承板170之间的空间s内的适当的部位设置控制模块(均未图示)，该控 制模块用于控制将经由电力传输机构传输来的电力进行多路分配的分配器 和对各个加热区的供电。由此，即使电力传输机构是与单路对应的机构，也 能够对加热板140的多个加热区143-1～143-10进行独立的供电。
[0352]
在电力传输机构构成为能够进行多路的电力传输的情况下，也可以使用 一个或多个传输路来传输控制信号或检测信号、或者进行接地。
[0353]
在应用上述的第三变形实施方式所涉及的结构的情况下，也能够执行前 述的晶圆w的药液处理(步骤1～步骤16、以及第一变形实施方式和第二变形 实施方式所涉及的步骤)。在该情况下，即使不使晶圆w停止旋转也能够向加 热板140的加热器142供电，因此在使旋转台停止或使旋转台摇动旋转以进行 晶圆w和/或处理液的加热的步骤(例如步骤11)中，也可以使晶圆w例如以低 速旋转。
[0354]
应认为，本次公开的实施方式的所有点均是例示性的而非限制性的。可 以不脱离所附的权利要求书及其主旨地将上述的实施方式以各种方式进行 省略、置换、变更。
[0355]
作为处理对象的基板并不限定于半导体晶圆，也可以为其它的基板，例 如为玻璃
基板、陶瓷基板等可用于半导体装置制造的任意种类的基板。