合路器及通信设备的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，特别是涉及合路器及通信设备。


背景技术：

2.随着5g技术(5th generation mobile networks或5th generation wireless systems、5th-generation，也称5g或第五代移动通信技术)的发展，在5g基站的前期建设中，基站需要兼容4g(the 4th generation mobile communication technology，也称第四代移动通信技术)通信与5g通信。如此，可以实现多频共站，避免重复建设，降低商用化成本。为了满足4g信号和5g信号共基站的要求，需要内置合路器对4g信号和5g信号进行合路，以减少基站建设成本。
3.由于基站需要满足较大的功率容量，使得合路器的体积大。但是，5g通信又要求合路器的体积小。因此，现有的合路器无法兼顾满足较大的功率容量和较小的体积要求。


技术实现要素：

4.本技术提供合路器及通信设备，以解决上述技术问题。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种合路器，包括介质基板、高低频合路、高频分路以及低频分路；介质基板具有相背设置的第一表面和第二表面；高低频合路设置于介质基板上，高低频合路为悬置微带线结构；高频分路设置于介质基板上，包括高频主传输线、多个高频支线和高频端口，多个高频支线分别与高频主传输线连接；高频主传输线和高频端口均为悬置微带线结构，至少部分高频支线包括悬置微带线结构和微带线结构；低频分路设置于介质基板上，为悬置微带线结构，包括低频主传输线、多个低频支线和低频端口，多个低频支线分别与低频主传输线连接；其中，高频主传输线的一端与高频端口的一端连接，另一端与高低频合路连接，低频主传输线的一端与低频端口的一端连接，另一端与高低频合路连接。
6.进一步地，多个高频支线包括沿高频主传输线的延伸方向依次分布的高频支线一至高频支线三，高频主传输线与高频支线一的连接位置相对高频主传输线与高频支线二的连接位置靠近高频主传输线与高低频合路的连接位置；其中，
7.高频支线一包括第一段线和第二段线，高频支线一的第一段线的一端与一高频主传输线连接，另一端与高频支线一的第二段线的一端连接，高频支线一的第一段线为悬置微带线结构，高频支线一的第二段线为微带线结构；
8.高频支线二的一端与高频主传输线连接，高频支线二为悬置微带线结构；
9.高频支线三的一端与高频主传输线连接，高频支线三为悬置微带线结构。
10.进一步地，高频支线一的第二段线的宽度大于高频支线一的第一段线、高频支线二及高频支线三中任意一者的宽度；
11.高频支线二的长度大于高频支线一和高频支线三中任意一者的长度。
12.进一步地，高频主传输线包括依次耦合的第一高频传输线段至第四高频传输线
段；第一高频传输线段和第三高频传输线段位于第一表面，第二高频传输线段和第四高频传输线段位于第二表面；其中，
13.高低频合路位于第一表面，高频端口位于第二表面；第一高频传输线段的一端与高低频合路连接，第一高频传输线段的另一端与第二高频传输线段的一端部分层叠，以使第一高频传输线段与第二高频传输线段容性耦合；第二高频传输线段的另一端与第三高频传输线段的一端部分层叠，以使第二高频传输线段与第三高频传输线段容性耦合；第三高频传输线段的另一端与第四高频传输线段的一端部分层叠，以使第三高频传输线段与第四高频传输线段容性耦合；第四高频传输线段的另一端与高频端口的一端连接；
14.高频支线一的第一段线的一端与第二高频传输线段连接，高频支线二的一端与第三高频传输线段连接，高频支线三的一端与第四高频传输线段连接。
15.进一步地，低频分路位于第一表面，且多个低频支线包括沿低频主传输线的延伸方向依次分布的低频支线一至低频支线四；且低频主传输线与低频支线一的连接位置相对于低频主传输线与低频支线二的连接位置靠近低频主传输线与高低频合路的连接位置；
16.低频支线一的一端与低频主传输线连接；
17.低频支线二包括第一段线和第二段线，低频支线二的第一段线的一端与低频主传输线连接，另一端与低频支线二的第二段线的一端连接；
18.低频支线三包括第一段线和第二段线，低频支线三的第一段线的一端与低频主传输线连接，另一端与低频支线三的第二段线的一端连接；
19.低频支线四的一端与低频主传输线连接；
20.其中，低频支线二的第二段线的宽度大于低频支线二的第一段线的宽度；低频支线三的第二段线的宽度大于低频支线三的第一段线的宽度；低频支线一的宽度和低频支线四的宽度均大于低频支线二的第二段线和低频支线三的第二段线中任意一者的宽度。
21.进一步地，介质基板具有相互垂直的第一方向和第二方向；
22.第一高频传输线段至第四高频传输线段排列成一列，且沿第一方向依次排列，低频主传输线沿第二方向延伸；
23.其中，高频支线一、高频支线二和高频支线三沿第二方向延伸，低频支线一、低频支线二、低频支线三和低频支线四沿第一方向延伸。
24.进一步地，第一高频传输线段至第四高频传输线段具有沿第二方向相背设置的第一侧和第二侧；低频主传输线具有沿第一方向相背设置的第一侧和第二侧；第一高频传输线段至第四高频传输线段位于低频主传输线的第一侧，低频主传输线位于第一高频传输线段至第四高频传输线段的第一侧；
25.其中，高频支线一、高频支线二和高频支线三位于第一高频传输线段至第四高频传输线段的第一侧；低频支线三位于低频主传输线的第一侧；低频支线一、低频支线二和低频支线四位于低频主传输线的第二侧。
26.进一步地，高频支线一在第一方向上的投影位于低频支线三在第一方向上的投影之内，且高频支线一在第二方向上的投影位于高频支线二在第二方向上的投影之内。
27.进一步地，合路器包括高频接头和低频接头，高频端口包括第一段线和第二段线；高频端口的第一段线沿第一方向延伸，高频端口的第二段线沿第二方向延伸；高频端口的第一段线的一端与第四高频传输线段的另一端连接，高频端口的第一段线的另一端与高频
端口的第二段线的一端连接，高频端口的第二段线的另一端连接高频接头；低频端口的另一端连接低频接头；高频端口的第二段线位于第一高频传输线段至第四高频传输线段的第一侧。
28.为解决上述技术问题，本技术还提供一种通信设备，该通信设备包括天线以及与天线连接的射频单元；射频单元包括上述合路器，用于对接入的射频信号进行滤波。
29.本技术至少具备如下有益效果：通过在介质基板中既设置悬置微带线结构，又设置微带线结构，使得相对于悬置微带线结构，在微带线结构中，能够在更小的尺寸下实现较低的阻抗，相对于微带线结构，在悬置微带线结构中，能在更大的尺寸下实现较高的阻抗，从而能够承受较大的功率容量，且采用悬置微带线结构和微带线结构的组合设计合路器，使得相对于同轴腔体合路器，本技术合路器的体积更小。因此本技术的合路器能够兼顾满足较大的功率容量和较小的体积要求。
附图说明
30.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1是本技术合路器实施例的合路器的结构示意图；
32.图2是本技术合路器实施例图1中沿剖切线a-a剖切得到的剖面示意图；
33.图3是本技术合路器实施例的合路器的一视角的爆炸结构示意图；
34.图4是本技术合路器实施例的合路器的另一视角的爆炸结构示意图；
35.图5是本技术合路器实施例的介质基板的第一表面的结构示意图；
36.图6是本技术合路器实施例的介质基板的第二表面的结构示意图；
37.图7是本技术合路器实施例的平面电路结构示意图；
38.图8是本技术合路器实施例的合路器的ads布局示意图；
39.图9是本技术合路器实施例的合路器的lc电路示意图；
40.图10是本技术合路器实施例的仿真示意图；
41.图11是本技术通信设备实施例的通信设备的结构示意图。
具体实施方式
42.下面结合附图和实施例，对本技术作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本技术，但不对本技术的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本技术的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
43.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例，例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、
产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
44.经本技术发明人的长期研究发现，微带线合路器通过具体地设置微带线各处的尺寸大小来实现微带线各处的阻抗；微带线中阻抗较小的地方相对于微带线中阻抗较大的地方，其尺寸会更大；在微带线的低阻区域，由于微带线的尺寸需要设计得很大，从而使得合路器的体积过大，而在微带线的高阻区域由于微带线的尺寸需要设计得很小，从而使得合路器无法承载较大的功率容量。因此，现有的合路器中存在合路器无法兼顾满足较大的功率容量和较小的体积要求的问题。为了改善上述技术问题，本技术提出至少以下实施例。
45.请参阅图1-图4，图1是本技术合路器实施例的合路器的结构示意图，图2是本技术合路器实施例图1中沿剖切线a-a剖切得到的剖面示意图，图3是本技术合路器实施例的合路器的一视角的爆炸结构示意图，图4是本技术合路器实施例的合路器的另一视角的爆炸结构示意图。
46.如图1-图4所示，本实施例的合路器100包括：壳体1、介质基板2、高低频合路b、高频分路c以及低频分路d。壳体1内部可以形成一腔体，该腔体可以具有相对设置的第一腔壁110和第二腔壁120。介质基板2可以设置于该腔体内，且具有相背设置的第一表面210和第二表面220，第一表面210面向第一腔壁110，第二表面220面向第二腔壁120。
47.高低频合路b，设置于介质基板2上，高低频合路b为悬置微带线结构。高低频合路b设置于介质基板2上，高低频合路b为悬置微带线。高频分路c设置于介质基板2上，包括高频主传输线3、多个高频支线4和高频端口8，多个高频支线4分别与高频主传输线3连接；高频主传输线3和高频端口8均为悬置微带线结构，至少部分高频支线4包括悬置微带线结构和微带线结构。低频分路d设置于介质基板2上，为悬置微带线结构，包括低频主传输线5、多个低频支线6和低频端口7，多个低频支线6分别与低频主传输线5连接。
48.其中，高频主传输线3的一端与高频端口8的一端连接，另一端与高低频合路b连接，低频主传输线5的一端与低频端口7的一端连接，另一端与高低频合路b连接。
49.在本实施例中，悬置微带线结构对应区域的介质基板2中，第一表面210与第一腔壁110间隔设置，第二表面220与第二腔壁120间隔设置；微带线结构对应区域的介质基板2的第一表面210和第二表面220中，设置有微带线结构的一表面与第一腔壁110和第二腔壁120中的一腔壁间隔设置，另一表面与第一腔壁110和第二腔壁120中的另一腔壁贴合。
50.在本实施例中，通过在介质基板2中既设置悬置微带线结构，又设置微带线结构。相对于悬置微带线结构，在微带线结构中，能够在更小的尺寸下实现较低的阻抗；相对于微带线结构，在悬置微带线结构中，能在更大的尺寸下实现较高的阻抗，从而能够承受较大的功率容量；且采用悬置微带线结构和微带线结构的组合设计合路器，使得相对于同轴腔体合路器，本技术合路器100的体积更小。因此本技术的合路器100能够兼顾满足较大的功率容量和较小的体积要求。
51.如图2-图4，腔体可以为金属腔体。例如，在其中一实施例中，腔体可以为镀银的金属腔体。壳体1可以包括盖体11以及主体12。盖体11设置有第一开口槽121，主体12设置有第二开口槽122。盖体11盖设于主体12，第一开口槽121和第二开口槽122对接，形成腔体。介质基板2可以设置于盖体11和主体12之间。介质基板2可以分别接触盖体11、主体12。在其他实施例中，介质基板2也可以只接触盖体11或主体12。在介质基板2分别接触盖体11、主体12
时，为了降低互调干扰，介质基板2与位于主体12的腔壁之间、介质基板2与位于盖体11的腔壁之间的接触面均可以焊接。介质基板2可以采用较高的介电常数的基材制作，且介质基板2具有较低的互调干扰。例如，在其中一个实施例中，介质基板2的介电常数可以大于3。在其中一个实施例中，介质基板2的基材可以为fr-4等级的材料。介质基板2可以采用硬质绝缘材料。该硬质绝缘材料例如为陶瓷材料、硬质橡胶材料、玻璃材料或树脂材料。为了降低生产成本，在本实施例中，介质基板2可以为pcb板(printed circuit board)。
52.进一步地，参阅图5-图7，图5是本技术合路器实施例的介质基板的第一表面的结构示意图；图6是本技术合路器实施例的介质基板的第二表面的结构示意图；图7是本技术合路器实施例的平面电路结构示意图。
53.如图5-图7所示，多个高频支线4包括沿高频主传输线3的延伸方向依次分布的高频支线一41至高频支线三43，高频主传输线3与高频支线一41的连接位置相对高频主传输线3与高频支线二42的连接位置靠近高频主传输线3与高低频合路b的连接位置；其中，高频支线一41包括第一段线410和第二段线420，高频支线一41的第一段线410的一端与一高频主传输线3连接，另一端与高频支线一41的第二段线420的一端连接，高频支线一41的第一段线410为悬置微带线结构，高频支线一41的第二段线420为微带线结构；高频支线二42的一端与高频主传输线3连接，高频支线二42为悬置微带线结构；高频支线三43的一端与高频主传输线3连接，高频支线三43为悬置微带线结构。
54.在本实施例中，通过在介质基板2中既设置高频端口8、高频主传输线3、高频支线一41的第一段线410、高频支线二42、高频支线三43、高低频合路b、低频端口7和低频分路d等悬置微带线结构，又设置高频支线一41的第二段线420等微带线结构。从而能够使得本技术合路器100兼顾满足较大的功率容量和较小的体积要求。具体地，与普通的同轴腔体合路器相比，本技术的合路器100的体积至少缩小到具有相同性能的同轴腔体合路器的体积的三分之一。
55.此外，与纯微带线结构的合路器相比，本技术合路器100的插损至少小50％。与其他采用微带线形成的合路器相比，本技术的合路器100具有更高的品质因数(即q值)、更小的插损和更低的功耗。并且，悬置微带线具有制作精度高，一致性好，便于大批量生产的优点。而且悬置微带线的体积比同轴腔体合路器中的谐振器的体积小，采用了悬置微带线设置的合路器100的体积能够满足5g通信的体积要求。
56.在本实施例中，高频分路c可以形成500mhz-2700mhz的阻带，以及3300mhz-6000mhz的通带。低频分路d可以形成3300mhz-6000mhz的阻带，以及500mhz-2700mhz的通带。其中，500mhz-2700mhz属于4g信号频段，3300mhz-6000mhz属于5g信号频段，即本技术合路器100可以满足4g信号和5g信号的全频段的覆盖要求。由于高频分路c在4g信号的频段范围内形成阻带，在5g信号的频段范围内形成通带；低频分路d在4g信号的频段范围内形成通带，在5g信号的频段范围内形成阻带。使得本技术的合路器100能够较好的避免4g信号与5g信号的相互干扰。
57.具体地，如图5-图7所示，高频支线一41的第二段线420的宽度大于高频支线一41的第一段线410、高频支线二42及高频支线三43中任意一者的宽度；高频支线二42的长度大于高频支线一41和高频支线三43中任意一者的长度。
58.其中，相互连接的高频支线一41的第一段线410和高频支线一41的第二段线420等
效于串联的电感和电容，高频支线二42等效于串联的电感和电容。因此，相互连接的高频支线一41的第一段线410和高频支线一41的第二段线420形成一个零点。高频支线二42形成一个零点。可以预见地，当高频支线4的宽度小于一预设数值，且长度小于一预设数值时，高频支线4的容性可以忽略，主要是高频支线4的感性起作用。此时，高频支线4可以等效于电感。例如，高频支线三43等效于电感。
59.其中，零点也称为传输零点，能够实现零点抑制，便于调试指标。传输零点能够使得合路器100的传输函数等于零，即在传输零点对应的频点上电磁能量不能通过网络，因而起到完全隔离作用，对通带外的信号起到抑制作用，能更好的实现与多个通带间或外界的高度隔离。
60.如此，在本实施例中，可以形成高频分路c的两个零点。该两个零点，在频带曲线上可以形成于离开高频分路c的通带(3300mhz-6000mhz)靠近高频分路c的阻带(500mhz-2700mhz)的一侧，从而能更好的实现高频分路c的通带和高频分路c的阻带之间的高度隔离。
61.需要理解地是，本技术并不对各个支线4的尺寸进行限定，具体地，随着支线4的尺寸变化，支线4对应的零点位置也会发生变化，因此在其他实施例中，也可以根据需要的零点的位置的不同，具体地对支线4的尺寸进行设计。
62.此外，由于高频支线一41的第二段线420的宽度大于高频支线一41的第一段线410、高频支线二42及高频支线三43中任意一者的宽度，使得壳体1与介质基板2之间具有较大的贴合面积，从而可以使得壳体1与介质基板2之间形成稳定的连接结构。至于贴合的具体方式，为了降低互调干扰，可以是焊接的方式。采用焊接的方式实现贴合，还使得壳体1进一步与介质基板2之间具有良好的热传导性，从而提高了合路器100的散热性能。即微带线结构和悬置微带线结构两者中的敷铜的热量可以依次流经介质基板2、壳体1，向合路器100外部传导。
63.进一步地，可以通过具体地设置高频主传输线3上的电容结构来缩小合路器100的体积。参阅图5-图7，图7是本技术合路器实施例的平面电路结构示意图。
64.参阅图5-图7，高频主传输线3包括依次耦合的第一高频传输线段31至第四高频传输线段34；第一高频传输线段31和第三高频传输线段33位于第一表面210，第二高频传输线段32和第四高频传输线段34位于第二表面220；其中，高低频合路b位于第一表面210，高频端口8位于第二表面220；第一高频传输线段31的一端与高低频合路b连接，第一高频传输线段31的另一端与第二高频传输线段32的一端部分层叠，以使第一高频传输线段31与第二高频传输线段32容性耦合；第二高频传输线段32的另一端与第三高频传输线段33的一端部分层叠，以使第二高频传输线段32与第三高频传输线段33容性耦合；第三高频传输线段33的另一端与第四高频传输线段34的一端部分层叠，以使第三高频传输线段33与第四高频传输线段34容性耦合；第四高频传输线段34的另一端与高频端口8的一端连接；高频支线一41的第一段线410的一端与第二高频传输线段32连接，高频支线二42的一端与第三高频传输线段33连接，高频支线三43的一端与第四高频传输线段34连接。
65.在本实施例中通过将依次耦合的两个高频传输线段部分层叠，以使依次耦合的两个高频传输线段之间容性耦合，从而形成高频主传输线3中的电容结构，能够有效地减小合路器100的体积。且在本实施例中，高频传输线段的数量是四个，高频传输线段的数量较少，
能够进一步减小合路器100的体积。
66.如图3-图4所示，为了防止不同的高频支线4和不同的低频支线6之间的相互干扰。高频支线4对应的腔壁可以随该高频支线4的延伸方向而延伸，从而形成容置腔，用于容置该高频支线4，不同的高频支线4之间通过容置腔的腔壁进行隔离，以防止不同的支线之间的相互干扰；低频支线6对应的腔壁可以随低频支线6的延伸方向而延伸，从而形成容置腔，用于容置该低频支线6，不同的低频支线6之间通过容置腔的腔壁进行隔离，以防止不同的支线之间的相互干扰。
67.进一步地，如图5-图7所示，低频分路d位于第一表面210，且低频主传输线5与低频支线一61的连接位置相对于低频主传输线5与低频支线二62的连接位置靠近低频主传输线5与高低频合路b的连接位置；低频支线一61的一端与低频主传输线5连接；低频支线二62包括第一段线610和第二段线620，低频支线二62的第一段线610的一端与低频主传输线5连接，另一端与低频支线二62的第二段线620的一端连接；低频支线三63包括第一段线630和第二段线640，低频支线三63的第一段线630的一端与低频主传输线5连接，另一端与低频支线三63的第二段线640的一端连接；低频支线四64的一端与低频主传输线5连接；其中，低频支线二62的第二段线620的宽度大于低频支线二62的第一段线610的宽度；低频支线三63的第二段线640的宽度大于低频支线三63的第一段线630的宽度；低频支线一61的宽度和低频支线四64的宽度均大于低频支线二62的第二段线620和低频支线三63的第二段线640中任意一者的宽度。
68.其中，每个低频支线6等效于串联的电感和电容，即每个低频支线6形成低频分路d的一个零点，低频支线一61至低频支线四64共形成低频分路d的四个传输零点。该四个零点，能更好的实现低频分路d的通带(500mhz-2700mhz)和低频分路d的阻带(3300mhz-6000mhz)之间的高度隔离。
69.由于低频支线6均为悬置微带线结构，因此低频支线6和高频支线4一样，既有感性又有容性。本实施例并不对低频支线6的具体形状进行限定，本领域的技术人员可以根据需要，对低频支线6的具体形状进行适当的调节。
70.进一步地，为了使得高频分路c和低频分路d在介质基板2中分布规则。参阅图5-图7，介质基板2具有相互垂直的第一方向l和第二方向w；第一高频传输线段31至第四高频传输线段34排列成一列，且沿第一方向l依次排列，低频主传输线5沿第二方向w延伸；其中，高频支线一41、高频支线二42和高频支线三43沿第二方向w延伸，低频支线一61、低频支线二62、低频支线三63和低频支线四64沿第一方向l延伸。
71.进一步地，为了缩小合路器100的体积，可以对高频支线4、低频支线6、第一高频传输线段31至第四高频传输线段34以及低频主传输线5之间的相对位置关系进行具体地设置。
72.如图5-图7所示，具体地，第一高频传输线段31至第四高频传输线段34具有沿第二方向w相背设置的第一侧和第二侧；低频主传输线5具有沿第一方向l相背设置的第一侧和第二侧；第一高频传输线段31至第四高频传输线段34位于低频主传输线5的第一侧，低频主传输线5位于第一高频传输线段31至第四高频传输线段34的第一侧；其中，高频支线一41、高频支线二42和高频支线三43位于第一高频传输线段31至第四高频传输线段34的第一侧。
73.如此，在本实施例中，低频主传输线5与高频支线4位于第一高频传输线段31至第
四高频传输线段34的同一侧。相对于低主传输线5与高频支线4位于第一高频传输线段31至第四高频传输线段34的不同的两侧的情况，本技术合路器100在第二方向w的尺寸更小。
74.此外由于在其他实施例中，低频支线二62、低频支线三63和低频支线四64位于低频主传输线5的同一侧，由于低频支线二62、低频支线三63和低频支线四64之间需要具有足够设置合路器100中螺钉的空间，这就需要低频支线6之间具有一定的间隔，这会导致低频分路d在第二方向w的尺寸过大。因此在本实施例中，如图7所示，低频支线三63位于低频主传输线5的第一侧；低频支线一61、低频支线二62和低频支线四64位于低频主传输线5的第二侧，使得低频支线二62和低频支线四64之间预留有足够的空间，能够方便后面设置合路器100中的螺钉。如此，本实施例中，无需额外加大低频支线三63与低频支线二62的间隔和低频支线三63与低频支线四64的间隔，从而能够减小合路器100在第二方向w的尺寸。
75.另外，在其他实施例中，低频支线三63位于高频支线一41与低频主传输线5之间，这就需要高频支线一41与低频主传输线5之间具有一定的间隔，这会加大高频分路c在第一方向l的尺寸。因此，如图7所示，本实施例中，高频支线一41在第一方向l上的投影位于低频支线三63在第一方向l上的投影之内，且高频支线一41在第二方向w上的投影位于高频支线二42在第二方向w上的投影之内。如此，可以减小高频分路c在第一方向l的尺寸。
76.进一步地，合路器100可以包括高低频合路接头10、高频接头20及低频接头30，其中高低频合路接头10与高低频合路b连接。为了方便合路器100与外部负载的连接，可以对高频接头20和低频接头30之间的位置关系进行具体地设计。
77.如图7所示，高频端口8包括第一段线81和第二段线82，高频端口8的第一段线81沿第一方向l延伸，高频端口8的第二段线82沿第二方向w延伸；高频端口8的第一段线81的一端与第四高频传输线段34的另一端连接，高频端口8的第一段线81的另一端与高频端口8的第二段线82的一端连接，高频端口8的第二段线82的另一端连接高频接头20；低频端口7的另一端连接低频接头30；高频端口8的第二段线82位于第一高频传输线段31至第四高频传输线段34的第一侧。如此，在本实施例中，高频接头20和低频接头30位于第一高频传输线段31至第四高频传输线段34的同一侧，方便合路器100与外部负载的连接。进一步地，高频接头20和低频接头30可以排列成一列且沿第一方向l排列。
78.具体地，为了使得本技术所公开的内容更清楚，在本实施例中可以参阅图8，图8是本技术合路器实施例的合路器的ads布局示意图。
79.由于在本实施例中悬置微带线结构和微带线结构均为平面结构，因此可以在ads布局图中表示悬置微带线结构和微带线结构的各组成部分之间的布局以及连接关系。图8中的不同位置的长方形或t字型代表悬置微带线结构和微带线结构中的不同位置的组成部分。
80.如图8所示，d1代表的是高低频合路；d2、d3和d4三者，d5、d6、d9和d10四者，d11、d12、d15和d16四者，d17和d18两者，依次代表第一高频传输线段31至第四高频传输线段34，其中，d2代表第一高频传输线段中的阻抗匹配部分，d4和d5两者、d10和d11两者、d16和d17两者，依次代表第一高频传输线段31与第二高频传输线段32的层叠部分、第二高频传输线段32与第三高频传输线段33的层叠部分、第三高频传输线段33与第四高频传输线段34的层叠部分；d3、d6、d9、d12、d15和d18分别代表起到连接作用的悬置微带线结构；d7和d8两者、d13和d14两者、d19依次代表高频支线一41、高频支线二42、高频支线三43；d20代表高频端
口8。
81.如图8所示，d21、d22、d26、d30、d34和d38六者代表的是低频主传输线5，其中，d21代表的是低频主传输线5的阻抗匹配部分；d39代表的是低频端口7；d23、d24和d25三者，d27、d28和d29三者，d31、d32和d33三者，d35、d36和d37三者，依次代表低频支线一61至低频支线四64，其中，d24、d28、d32和d36代表的是低频支线6中宽度变化的过渡段的部分，以d24进行说明。d24代表的是，低频支线一61中，d23所代表的部分和d25所代表的部分之间宽度变化的过渡段的部分。需要说明的是，在低频支线一61中，d23所代表的部分的宽度和d25所代表的部分的宽度一样时，d24所代表的部分的宽度与d23和d25中任意一者所代表的部分的宽度一致。
82.具体地，为了更清楚地理解本技术，可以参阅图9，图9是本技术合路器实施例的合路器的lc电路示意图。
83.如图9所示，电容c1、电容c2、电容c3分别为第一高频传输线段31与第二高频传输线段32的层叠部分的等效电容、第二高频传输线段32与第三高频传输线段33的层叠部分的等效电容、第三高频传输线段33与第四高频传输线段34的层叠部分的等效电容；高频支线一41、高频支线二42、高频支线三43的分别等效于串联的电感l1和电容c4、串联的电感l2和电容c5、电感l3。其中，串联的电感l1和电容c4、串联的电感l2和电容c5，各自形成高频分路c的一个零点，共形成高频分路c的两个零点，即高频分路c为具有六阶两零点的电路结构。
84.如图9所示，电感l4、电感l5、电感l6、电感l7和电感l8为微带主传输线5形成的等效电感；低频支线一61、低频支线二62、低频支线三63、低频支线四64分别等效于串联的电感l9和电容c6、串联的电感l10和电容c7、串联的电感l11和电容c8、串联的电感l12和电容c9。
85.其中，串联的电感l9和电容c6、串联的电感l10和电容c7、串联的电感l11和电容c8、串联的电感l12和电容c9，各自形成低频分路d的一个零点，共形成低频分路d的四个零点，即低频分路d为具有九阶四零点的电路结构。如此高频分路c的通带(3300mhz-6000mhz)和低频分路d的通带(500mhz-2700mhz)之间可以通过形成的零点提高隔离程度，减少5g信号与4g信号之间的相互干扰。
86.具体地，本技术合路器100能够实现如下指标。
87.首先，在高频分路c中，能够实现如下指标：
88.在3300mhz-6150mhz的通带范围内，回波损耗大于或等于20db；
89.在3300mhz-6150mhz的通带范围内，最大插入损耗为0.4db；
90.在3300mhz-6150mhz的通带范围内，最大插入损耗波纹为0.3db；
91.在3300mhz-6150mhz的通带范围内，最大群时延为4ns；
92.在3300mhz-6150mhz的通带范围内，最大群时延变化为3ns；
93.在500mhz-2700mhz的阻带范围内，抑制大于或等于38db；
94.在3300mhz-6150mhz的通带范围内，输入均方根功率为50w；
95.在3300mhz-6150mhz的通带范围内，输入峰值功率为500w；
96.在3300mhz-6000mhz的范围内，任意阶的互调干扰大于或等于110dbm。
97.其次，在低频分路d中，能够实现如下指标：
98.在500mhz-2700mhz的通带范围内，回波损耗大于或等于20db；
99.在500mhz-2700mhz的通带范围内，最大插入损耗为0.4db；
100.在500mhz-2700mhz的通带范围内，最大插入损耗波纹为0.3db；
101.在500mhz-2700mhz的通带范围内，最大群时延为4ns；
102.在500mhz-2700mhz的通带范围内，最大群时延变化为3ns；
103.在3300mhz-6000mhz的阻带范围内，抑制大于或等于38db；
104.在500mhz-2700mhz的通带范围内，输入均方根功率为100w；
105.在500mhz-2700mhz的通带范围内，输入峰值功率为1000w；
106.在300mhz-2700mhz的频段范围内，任意阶的互调干扰大于或等于110dbm。
107.其中，请参阅图10，图10是本技术合路器实施例的仿真示意图。
108.参阅如图10所示的高频分路c的频带曲线200。其中，点m1为频带曲线200上的一个频率点。点m1的频率为2700mhz，且在点m1的抑制为41.88485db。在图10所示出的频带曲线200中，通带为3300mhz-6000mhz(在频带曲线200中已示出，但未标注)，阻带为500mhz-2700mhz(在频带曲线200中已示出，但未标注)。其中3300mhz-6000mhz属于5g信号的频段，500mhz-2700mhz属于4g信号的频段。即高频分路满足4g信号和5g信号的全频段的覆盖要求。在本实施例中，通过在频带曲线200上形成的两个零点(在频带曲线200中已示出，但未标注)能减少4g信号对5g信号的干扰，隔离度高。
109.参阅如图10所示的高频分路c的回波损耗曲线300。其中，点m2和点m3为回波损耗曲线300上的两个频率点。点m2的频率为3300mhz，且在点m2的抑制为24.60193db。点m3的频率为6000mhz，且在点m3的抑制为33.22231db。因此本技术的合路器100满足回波损耗大于或等于20db的要求。
110.参阅如图10所示的低频分路d的频带曲线400。其中，点m4为频带曲线400上的一个频率点。点m4的频率为3300mhz，且在点m4的抑制为38.80301db。在图10所示出的频点曲线400中，通带为500mhz-2700mhz(在频带曲线200中已示出，但未标注)，阻带为3300mhz-6000mhz(在频带曲线200中已示出，但未标注)。其中3300mhz-6000mhz属于5g信号的频段，500mhz-2700mhz属于4g信号的频段。即低频分路d满足4g信号和5g信号的全频段的覆盖要求。在本实施例中，通过在频带曲线400上形成的四个零点(在频带曲线200中已示出三个零点，但未标注)能减少4g信号对5g信号的干扰，隔离度高。
111.参阅如图10所示的低频分路d的回波损耗曲线500。其中，点m5和点m6为回波损耗曲线500上的两个频率点。点m5的频率为500mhz，且在点m5的抑制为33.39522db。点m6的频率为2700mhz，且在点m6的抑制为26.34919db。因此本技术的低频分路满足回波损耗大于或等于20db的要求。
112.综上，本技术的合路器100能够满足4g信号和5g信号的全频段的覆盖要求。
113.本技术还提供一种通信设备，如图11所示，图11是本技术通信设备实施例的通信设备的结构示意图。
114.如图11所示，本实施例的通信设备600包括天线601和射频单元602，该天线601与射频单元602连接，该射频单元602可以是rru(remote radio unit)。该射频单元602包括上述实施例所揭示的合路器100，用于对接入的射频信号进行滤波。
115.在其他的一些实施例中，射频单元602可以集成到天线601进而形成有源天线单元aau(active antenna unit)。
116.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。