显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月9日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0084853号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用全部并入本文。
技术领域
3.本公开涉及显示装置。


背景技术：

4.通常，显示装置是通过将晶体管置于刚性和/或柔性基板上并且将发光器件设置成电连接到晶体管来生产的。显示装置可以用作用于诸如智能电话的小型产品的显示单元，以及用作用于诸如电视的大型产品的显示单元。
5.当刚性基板和/或柔性基板物理地接触外部对象时，可能产生起电(例如，静电荷)，并且诸如晶体管的元件可能因静电而被损坏。此外，在显示装置包括柔性基板的情况下，柔性基板可以包括有机膜和无机膜，并且当在有机膜和无机膜的界面处施加电应力时，可能产生光瑕疵(light stain)或残像。
6.在该背景技术部分中公开的上述信息仅是为了加强对本公开的技术背景的理解，因此其可能包含不形成对本领域普通技术人员而言已经知晓的现有技术的信息。


技术实现要素：

7.本公开的一个或多个方面针对具有改善的可靠性的基板和包括该基板的显示装置，并且还针对改善显示品质以减少光瑕疵或残像特性的方法。
8.根据本公开的示例实施例，一种显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板上；以及发光器件，电连接到所述晶体管，其中，所述基板包括第一层、位于所述第一层和所述晶体管之间的第二层、以及位于所述第二层和所述晶体管之间的第三层，所述第一层包括第一有机材料并且具有第一半衰期，并且所述第三层包括第二有机材料并且具有第二半衰期，并且对于电晕放电，包括在所述第一层中的所述第一有机材料和包括在所述第三层中的所述第二有机材料具有不同的半衰期。所述第一层和所述第三层可以均通过利用芳香族羧酸以及聚酰胺酸来制造(形成)，所述聚酰胺酸通过使二酐单体和二胺单体聚合而产生。
9.用于形成所述第一层的所述芳香族羧酸的含量(例如，第一含量)可以不同于用于形成所述第三层的所述芳香族羧酸的含量(例如，第二含量)。
10.所述第二含量可以大于所述第一含量。
11.所述第一层的所述第一半衰期可以小于所述第三层的所述第二半衰期。
12.所述第三层的所述第二半衰期可以等于或大于60秒。
13.在由x射线的照射导致的小角x射线散射(saxs)中，所述第一层和所述第三层可以具有基本上相同的散射矢量(q)值。
14.在设定或特定波长下，所述第一层可以具有第一透射率，并且所述第三层可以具
有不同于所述第一透射率的第二透射率。
15.在所述设定或特定波长下，所述第三层的所述第二透射率可以高于所述第一层的所述第一透射率。
16.在450nm的波长下，所述第三层的所述第二透射率可以等于或大于80％。
17.根据本公开的另一实施例，一种显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板上；以及发光器件，电连接到所述晶体管，其中，所述基板可以包括第一层、位于所述第一层和所述晶体管之间的第二层、以及位于所述第二层和所述晶体管之间的第三层，所述第一层和所述第三层包括有机材料，并且在小角x射线散射(saxs)中，所述第一层和所述第三层具有不同的散射矢量(q)值。
18.从所述第一层和所述第三层之中选择的一者可以具有在大约7.87至大约8.15的范围内的散射矢量值，并且从所述第一层和所述第三层之中选择的另一者可以具有在所述范围之外的散射矢量值。
19.对于电晕放电，所述第一层可以具有第一半衰期，并且所述第三层可以具有不同于所述第一半衰期的第二半衰期。
20.所述第一层的所述第一半衰期可以小于所述第三层的所述第二半衰期。
21.所述第三层的所述第二半衰期可以等于或大于60秒。
22.根据本公开的又一实施例，一种显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板上；以及发光器件，电连接到所述晶体管，其中，所述基板包括第一层、位于所述第一层和所述晶体管之间的第二层、以及位于所述第二层和所述晶体管之间的第三层，所述第一层和所述第三层包括有机材料，并且在特定波长下，所述第一层具有第一透射率，并且所述第三层具有不同于所述第一透射率的第二透射率。
23.所述第三层的所述第二透射率可以高于所述第一层的所述第一透射率。
24.在450nm的波长下，所述第三层的所述第二透射率可以等于或大于80％。
25.在小角x射线散射(saxs)中，所述第一层和所述第三层可以具有不同的散射矢量(q)值。
26.从所述第一层和所述第三层之中选择的一者可以具有在大约7.87至大约8.15的范围内的散射矢量值，并且从所述第一层和所述第三层之中选择的另一者可以具有在所述范围之外的散射矢量值。
27.根据示例实施例，提供了具有改善的光瑕疵或残像特性的显示装置。然而，本公开的范围不受上述效果限制。
附图说明
28.图1示出了根据示例实施例的基板的截面图。
29.图2示意性地示出了根据示例实施例的用于形成基板的第一层和第三层的材料的合成方案。
30.图3示出了根据示例实施例的基板的截面图。
31.图4示出了根据示例实施例的包括基板的显示面板的截面图。
32.图5示出了根据示例实施例的包括基板的显示面板的截面图。
33.图6至图9各自示出了根据相应的示例实施例的包括基板的显示面板的截面图。
34.图10是示出了热重分析(tga)的测试结果的图。
35.图11是示出了利用可燃性设备(iga)的测试结果的图。
36.图12是示出了对拉伸强度的测试结果的图。
37.图13是示出了对热膨胀系数(cte)的测试结果的图。
38.图14是示出了通过利用电晕放电方法获得的半衰期的图。
39.图15是示出了当执行电晕放电方法时以及当执行了额外的光照射时半衰期减小比率的图。
40.图16是示出了小角x射线散射(saxs)分析的测试结果的图。
41.图17是示出了通过利用电晕放电方法获得的半衰期的图。
42.其中，附图标记如下：
43.sub1：基板
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sub2：基板
44.p1：第一层
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b1：第二层
45.p2：第三层
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b2：第四层
46.sb1：第一子层
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sb2：第二子层
47.bf：缓冲层
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act：有源层
48.s：源极区
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c：沟道区
49.d：漏极区
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120：栅极绝缘层
50.ge：栅电极
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130：第一绝缘层
51.se：源电极
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de：漏电极
52.140：第二绝缘层 181：第一电极
53.182：发射层
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183：第二电极
54.ld：发光器件
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tfe：薄膜封装层
55.pc：电路部分
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pdl：间隔壁
56.bf1：第一缓冲层 bf2：第二缓冲层
具体实施方式
57.在下文中将参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例实施例。如本领域技术人员将认识到的，在不脱离本公开的精神或范围的所有情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改。
58.将省略与描述无关的部分以清楚地描述本公开，并且在整个说明书中，相同的元件将由相同的附图标记指示。
59.为了更好地理解和便于描述而任意地示出了附图中所示的每个构造的尺寸和厚度，但是本公开不限于此。在附图中，为了清楚起见，会夸大层、膜、面板、区域等的厚度。为了便于说明，会夸大一些层和区的厚度。
60.将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。词语“在...上”或“在
…
上方”是指位于对象部分上或下方，并且不一定意味着基于重力方向位于对象部分的上侧。
61.此外，除非明确相反地描述，否则词语“包括”和诸如“包含”或“具有”的变型将被
双(3,4-二羧基苯氧基)联苯二酐、2,2-双[(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(bpada)、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐和4,4'-(2,2-六氟异亚丙基)二酞酸二酐。在一些示例实施例中，可以组合并利用其单种或者两种或更多种。
[0073]
二胺单体是芳香族二胺，并且可以示例性地如下分类。
[0074]
1)在其结构中具有一个苯核的二胺，其为相对刚性结构，诸如1,4-二氨基苯(或对苯二胺，ppa)、1,3-二氨基苯、2,4-二氨基甲苯、2,6-二氨基甲苯和/或3,5-二氨基苯甲酸(或daba)；
[0075]
2)在其结构中具有两个苯核的二胺，诸如二氨基二苯醚(诸如，4,4'-二氨基二苯醚(或氧代二苯胺，oda)、3,3'-二氨基二苯醚和/或3,4'-二氨基二苯醚)、4,4'-二氨基二苯基甲烷(亚甲基二胺)、3,3'-二甲基-4,4'-二氨基联苯、2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯、2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基联苯、3,3'-二甲基-4,4'-二氨基二苯基甲烷、3,3'-二羧基-4,4'-二氨基二苯基甲烷、3,3',5,5'-四甲基-4,4'-二氨基二苯基甲烷、双(4-氨基苯基)硫醚、4,4'-二氨基苯甲酰苯胺、3,3'-二氯联苯胺、3,3'-二甲基联苯胺(或邻联甲苯胺)、2,2'-二甲基联苯胺(或间联甲苯胺)、3,3'-二甲氧基联苯胺、2,2'-二甲氧基联苯胺、3,3'-二氨基二苯基硫醚、3,4'-二氨基二苯基硫醚、4,4'-二氨基二苯基硫醚、3,3'-二氨基二苯基砜、3,4'-二氨基二苯基砜、4,4'-二氨基二苯基砜、3,3'-二氨基二苯甲酮、4,4'-二氨基二苯甲酮、3,3'-二氨基-4,4'-二氯二苯甲酮、3,3'-二氨基-4,4'-二甲氧基二苯甲酮、3,3'-二氨基二苯基甲烷、3,4'-二氨基二苯基甲烷、4,4'-二氨基二苯基甲烷、2,2-双(3-氨基苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、3,3'-二氨基二苯基亚砜、3,4'-二氨基二苯基亚砜和/或4,4'-二氨基二苯基亚砜；
[0076]
3)在其结构中具有三个苯核的二胺，例如1,3-双(3-氨基苯基)苯、1,3-双(4-氨基苯基)苯、1,4-双(3-氨基苯基)苯、1,4-双(4-氨基苯基)苯、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯(或tpe-q)、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯(或tpe-q)、1,3-双(3-氨基苯氧基)-4-三氟甲基苯、3,3'-二氨基-4-(4-苯基)苯氧基二苯甲酮、3,3'-二氨基-4,4'-二(4-苯基苯氧基)二苯甲酮、1,3-双(3-氨基苯基硫醚)苯、1,3-双(4-氨基苯基硫醚)苯、1,4-双(4-氨基苯基硫醚)苯、1,3-双(3-氨基苯基砜)苯、1,3-双(4-氨基苯基砜)苯、1,4-双(4-氨基苯基砜)苯、1,3-双[2-(4-氨基苯基)异丙基]苯、1,4-双[2-(3-氨基苯基)异丙基]苯和/或1,4-双[2-(4-氨基苯基)异丙基]苯；以及
[0077]
4)在其结构中具有四个苯核的二胺，例如3,3'-双(3-氨基苯氧基)联苯、3,3'-双(4-氨基苯氧基)联苯、4,4'-双(3-氨基苯氧基)联苯、4,4'-双(4-氨基苯氧基)联苯、双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、双[3-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]酮、双[3-(4-氨基苯氧基)苯基]酮、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]酮、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]酮、双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[3-(4-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、双[3-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]甲烷、双[3-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]甲烷、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、2,2-双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双[3-(4-氨基苯氧基)
苯基]丙烷、2,2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(bapp)、2,2-双[3-(3-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-双[3-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷和/或2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷。
[0078]
根据上面提供的描述，可以组合并利用其单种或至少两种。在一些实施例中，二胺单体可以是从1,4-二氨基苯(ppd)、1,3-二氨基苯(mpd)、2,4-二氨基甲苯、2,6-二氨基甲苯和3,5-二氨基苯甲酸(daba)之中选择的至少一种。
[0079]
芳香族羧酸可以是从3,3',4,4'-联苯四羧酸(bpta)、苯均四酸(pma)、1,2,3,4-苯四羧酸、二苯甲酮-3,3',4,4'-四羧酸、吡嗪四羧酸、2,3,6,7-萘四羧酸、和萘-1,4,5,8-四羧酸之中选择的至少一种。
[0080]
参见图2，根据示例实施例的聚酰亚胺可以通过利用作为二酐单体的bpda、作为二胺单体的ppd和作为芳香族羧酸的bpta来制造，但是本公开不限于此。尽管在图中未具体地示出，但是bpta可以包括诸如-cooh(羧酸)或-coor(r是烷基或芳基)的官能团。
[0081]
通过控制在制造工艺中利用的芳香族羧酸的含量，根据示例实施例的第一层p1和第三层p2可以形成具有不同的物理性质的聚酰亚胺层。在用于制造第一层p1的工艺中利用的芳香族羧酸的第一含量可以不同于在用于制造第三层p2的工艺中利用的芳香族羧酸的第二含量。根据示例实施例，第二含量可以大于第一含量。
[0082]
根据示例实施例，可以通过利用0.99mol％的二酐单体和等于或小于0.01mol％的芳香族羧酸来形成第一层p1。即，可以通过利用使用0.99mol％的二酐单体和等于或小于0.01mol％的芳香族羧酸合成的聚酰亚胺来形成第一层p1。包括通过利用0.01mol％(或更少)的芳香族羧酸制造的聚酰亚胺的第一层p1可以具有相对更好的(例如，优异的)热稳定性和机械特性。
[0083]
根据示例实施例，可以通过利用0.98mol％的二酐单体和大约0.040mol％至大约0.049mol％的芳香族羧酸来形成第三层p2。即，可以通过利用使用0.98mol％的二酐单体和大约0.040mol％至大约0.049mol％的芳香族羧酸合成的聚酰亚胺来形成第三层p2。在一个实施例中，可以利用大约0.040mol％的芳香族羧酸。包括通过利用在这些含量范围内的芳香族羧酸制造的聚酰亚胺的第三层p2可以具有相对较高的电阻特性。当向包括具有高电阻特性的第三层p2的基板输入电荷或施加电应力时，可以通过具有高电阻特性的第三层p2防止或基本上防止电荷迁移到显示元件或晶体管并影响装置的阈值电压或可靠性。当使用小于0.040mol％的芳香族羧酸(例如，利用使用小于0.040mol％的芳香族羧酸合成的聚酰亚胺)制造第三层p2时，第三层p2会具有相对较低的电阻。因此，电荷可能迁移到发光器件中，从而使装置的可靠性劣化。此外，当使用大于0.049mol％的芳香族羧酸(例如，利用使用大于0.049mol％的芳香族羧酸合成的聚酰亚胺)制造第三层p2时，基板所需的热稳定性和机械特性会劣化。
[0084]
关于电晕放电方法，第一层p1和第三层p2可以具有不同的半衰期。即，当通过利用电晕放电方法测量时，第一层p1和第三层p2可以具有不同的半衰期。例如，当通过利用电晕放电方法测量第一层p1和第三层p2的半衰期时，第三层p2的半衰期可以大于第一层p1的半衰期。
[0085]
在本说明书中，电晕放电方法表明(例如，表示)在非导电介质中的放电。在放电
中，非导电介质(例如，第一层和/或第三层)可以通过负离子附着(例如，电极)来充电。通过带电粒子的传输来测量离开高压粒子传感器的电流。在本说明书中，关于第一层p1和第三层p2，用于测量(例如，达到)与最初(例如，首次)测量的电流的值的一半对应的电流的时间被称为半衰期。
[0086]
第一层p1和第三层p2具有不同的半衰期，并且它们之间的差距(例如，差值)可以为至少30秒(s)。第三层p2可以具有等于或大于60秒的半衰期，并且第一层p1可以具有小于60秒的半衰期。
[0087]
据发现，当通过电晕放电方法获得的(层的)半衰期增大时，(该层的)电阻变得更大。即，发现，具有大的半衰期的层意味着(具有大的半衰期或更大的半衰期的)该层是使用高电阻材料(例如，具有较高的电阻的材料)形成的。通过利用相对较高的含量的bpta形成的第三层p2可以比通过利用相对较低的含量的bpta形成的第一层p1具有更大的半衰期，并且第三层p2可以呈现(例如，显示出)相对更高的电阻。因此，定位成靠近晶体管和发光器件的第三层p2包括相对高的电阻的材料，因而电荷不会迁移到晶体管或发光器件，从而减小了装置的可靠性和显示质量(光瑕疵或残像)的劣化。
[0088]
根据示例实施例，通过含量不同的芳香族羧酸(例如，具有含量不同的芳香族羧酸的聚酰亚胺)制造的第一层p1和第三层p2可以基本上具有相同的散射矢量值。
[0089]
更详细地讲，在由x射线照射导致的小角x射线散射(saxs)中，在平面模式下，第一层p1和第三层p2可以具有基本上相同的q值，其中，所述q是相对于(004)面的散射矢量。即，在响应于x射线照射的小角x射线散射(saxs)中，在平面模式下，第一层p1和第三层p2可以在(004)面上具有基本上相同的散射矢量(q)值。这是因为所添加的芳香族羧酸的含量不同，但骨架(back-bones)基本相同。例如，当包括聚酰亚胺的层的厚度为大约10微米时，q值可以为大约7.91至大约8.15，并且当包括聚酰亚胺的层的厚度为大约5.8微米时，q值可以为大约7.87至大约8.01。
[0090]
根据示例实施例，(例如，对于第一层p1和第三层p2)二酐单体和二胺单体是相同的，并且使用不同含量的芳香族羧酸制造的第一层p1和第三层p2可以具有基本上相同的散射矢量值，并且根据第一层p1和第三层p2的厚度，散射矢量值可以为大约7.87至大约8.15。
[0091]
以式1来限定在saxs中所限定的散射矢量(q)。
[0092]
[式1]
[0093]
q＝4πsinθ/λ
[0094]
这里，q是散射矢量，θ是散射角的值的1/2，并且λ是照射的x射线的波长。
[0095]
由x射线的照射导致的小角表明(例如，表示)透射模式或掠入射x射线小角散射，并且例如波长为至的x射线可以以4m的距离照射到尺寸为1cm
×
1cm(水平尺寸
×
垂直尺寸)的抗反射膜并且可以被测量。
[0096]
例如，可以通过在浦项加速器的4c的光束线中将x射线传输到样品并且根据散射矢量(q)测量散射强度来执行小角x射线散射(saxs)。更详细地讲，可以通过将样品放置到距检测器大约4m的位置并施加x射线来测量小角散射，可以利用垂直尺寸为0.023mm且水平尺寸为0.3mm的x射线，并且可以利用2d mar ccd(电荷耦合器件)作为检测器。此外，获得散射的2d衍射图案作为图像，通过利用通过标准样品获取的样品到检测器的距离来校准图像，并且可以通过循环平均(circular average)来转换根据散射矢量(q)的散射强度。
[0097]
在另一实施例中，与以上描述不同，第一层p1和第三层p2可以具有不同的散射矢量值(即q值)。更详细地讲，从第一层p1和第三层p2之中选择的一者可以具有大约7.87至大约8.15的q值，而从第一层p1和第三层p2之中选择的另一者可以具有不同于该范围的q值。例如，从第一层p1和第三层p2之中选择的一者可以具有在大约7.87至大约8.15的范围内的q值，而从第一层p1和第三层p2之中选择的另一者可以具有在大约7.87至大约8.15的范围之外的q值。即，第一层p1和第三层p2在包括不同的材料的同时可以包括具有不同的结晶性质的材料。在这种情况下，第三层p2可以具有相对较高的电阻并且可以提供期望的(例如，优异的)电特性，并且第一层p1可以提供相对较高的热稳定性和机械特性。
[0098]
在另一实施例中，根据示例实施例的第一层p1和第三层p2可以具有不同的透射率。第三层p2的透射率可以高于第一层p1的透射率。第三层p2可以由比第一层p1更透明的材料制成。
[0099]
更详细地讲，相对于450nm波长(例如，在450nm的波长下)，第一层p1的透射率和第三层p2的透射率可以相差大于10％。根据示例实施例，相对于450nm波长(例如，在450nm的波长下)，第三层p2可以具有等于或大于80％的透射率，并且相对于450nm波长(例如，在450nm的波长下)，第一层p1可以具有等于或小于65％的透射率。第一层p1可以显示颜色。
[0100]
当利用诸如第三层p2的具有高透射率的基板时，其可以期望地用在(例如，有利地用在)其中相机位于显示区域中的显示装置中。
[0101]
根据示例实施例，随着第三层p2的透射率变得越高，上述半衰期会越高。第三层p2可以具有相对较高的电阻，并且电荷可以累积在第三层p2上，从而对叠置在基板上的晶体管或发光器件产生轻微的电影响。根据示例实施例，第一层p1具有比第三层p2的透射率相对更低的透射率。然而，第一层p1可以具有比第三层p2的热稳定性和机械强度更高的热稳定性和机械强度。
[0102]
现在将参照图3描述根据示例实施例的基板。图3示出了根据示例实施例的基板的截面图。将省略与上述构成元件相同的构成元件的描述。
[0103]
基板sub2可以包括第一层p1、第二层b1、第三层p2和第四层b2。上面已经描述了第一层p1和第三层p2。即，第一层p1和第三层p2分别与上面描述的相同。
[0104]
第二层b1可以包括第一子层sb1和第二子层sb2。例如，第一子层sb1可以由氧化硅制成，并且第二子层sb2可以由非晶硅(a-si)制成。
[0105]
第一子层sb1可以被形成为比第二子层sb2厚。例如，第一子层sb1可以为大约5000埃至大约7000埃厚，并且第二子层sb2可以为大约10埃至大约30埃厚。
[0106]
现在将参照图4至图9描述根据示例实施例的显示装置。图4至图9各自示出了根据相应的示例实施例的包括基板的显示装置的截面图，并且将省略与上述构成元件相同的构成元件的描述。
[0107]
参见图4，显示装置包括位于基板sub1上的缓冲层bf和位于缓冲层bf上的电路部分pc。
[0108]
缓冲层bf可以与基板sub1的前侧交叠。缓冲层bf可以防止或减少金属原子或杂质从基板sub1扩散到电路部分pc尤其是有源层act。对于用于形成有源层act的结晶工艺，可以通过控制传热速率来提供(例如，获得)基本上均匀的有源层act。在图4至图9中，缓冲层bf被示出为与基板sub1分开的构成元件，但是本公开的实施例不限于此，并且缓冲层bf可
以是包括在基板sub1中的构成元件。
[0109]
有源层act位于缓冲层bf上。有源层act可以包括非晶硅，或者可以包括多晶硅。作为另一示例实施例，有源层act可以包括氧化物半导体。有源层act可以包括杂质掺杂漏极区d、源极区s以及位于漏极区d和源极区s之间的沟道区c。
[0110]
栅极绝缘层120位于有源层act和缓冲层bf上。栅极绝缘层120覆盖位于缓冲层bf上的有源层act，并且可以沿着有源层act的轮廓以基本上相同的厚度设置。
[0111]
栅极绝缘层120可以包括诸如硅化合物和/或金属氧化物的无机绝缘材料。
[0112]
栅极图案可以设置在栅极绝缘层120上。栅极图案可以包括与有源层act交叠的栅电极ge和诸如栅极线的信号布线。
[0113]
栅极图案可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料制成。
[0114]
第一绝缘层130可以设置在其上设置有栅极图案的栅极绝缘层120上。例如，第一绝缘层130可以充分地覆盖位于栅极绝缘层120上的栅极图案，并且可以具有基本上平坦的顶面而不在栅极图案周围产生台阶。在一些实施例中，第一绝缘层130可以覆盖位于栅极绝缘层120上的栅极图案，并且可以沿着栅极图案的轮廓以基本上相同的厚度设置。
[0115]
第一绝缘层130可以包括硅化合物或金属氧化物。第一绝缘层130可以被形成为单个层或多个层。
[0116]
数据图案可以设置在第一绝缘层130上。数据图案可以包括晶体管(tft)的源电极se和漏电极de以及诸如数据线的信号布线。
[0117]
数据图案可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料制成。例如，数据图案可以由诸如铜或铝的具有高导电性的金属制成。
[0118]
数据图案可以由单个层或多个层制成。例如，数据图案可以包括钛层、位于钛层上的铝层和位于铝层上的钛层。
[0119]
第二绝缘层140可以设置在数据图案上。第二绝缘层140可以具有单层结构，但是可以被形成为包括至少两个绝缘层的多层结构。第二绝缘层140可以由诸如光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和/或硅氧烷类树脂的有机材料制成。
[0120]
发光器件ld可以位于第二绝缘层140上。发光器件ld可以包括第一电极181、发射层182和第二电极183。
[0121]
第一电极181可以设置在第二绝缘层140上。根据显示装置的发射方法，第一电极181可以由反射材料或可透射(例如，透明)材料制成。根据示例实施例，第一电极181可以具有包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层或多层结构。
[0122]
间隔壁pdl可以设置在其上设置有第一电极181的第二绝缘层140上。间隔壁pdl可以由有机材料或无机材料制成。例如，间隔壁pdl可以由光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂和/或硅化合物制成。根据示例实施例，通过蚀刻间隔壁pdl形成部分地暴露第一电极181的开口。显示装置的发射区域和非发射区域可以由间隔壁pdl的开口限定。例如，间隔壁pdl的开口所在的部分可以对应于发射区域，并且非发射区域可以对应于在间隔壁pdl的开口附近的部分。
[0123]
发射层182可以设置在通过间隔壁pdl的开口暴露的第一电极181上。发射层182可
以具有包括发射区域、空穴注入区域、空穴传输区域、电子传输区域和电子注入区域的多层结构。根据另一示例实施例，除了发射区域之外，空穴注入区域、空穴传输区域、电子传输区域和电子注入区域可以公共地形成以与多个像素交叠。
[0124]
发射层182的发射区域可以根据显示装置的相应像素由产生诸如红色、绿色或蓝色的不同颜色的发射材料形成。根据其他示例实施例，发射层182的发射区域可以具有这样的结构，其中用于实现诸如红色、绿色和蓝色的不同颜色的多种发射材料叠置以发射白色的结构。在这种情况下，发射结构公共地形成以对应于多个像素，并且相应的像素可以通过滤色器层来区分。
[0125]
第二电极183可以设置在间隔壁pdl和发射层182上。根据显示装置的发射方法，第二电极183可以包括可透射(例如，透明)材料或反射材料。根据示例实施例，第二电极183可以具有包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层或多层结构。
[0126]
薄膜封装层tfe可以设置在第二电极183上。薄膜封装层tfe可以减少或防止外部湿气和氧渗透到显示装置中。薄膜封装层tfe可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。所述至少一个有机层和所述至少一个无机层可以交替地叠置。例如，薄膜封装层tfe可以包括两个无机层和位于它们之间的一个有机层，但是本公开不限于此。根据另一示例实施例，可以提供用于阻止外部空气或湿气渗透到显示装置中的密封基板，来代替薄膜封装层tfe。
[0127]
当晶体管和发光器件叠置在上述基板sub1上时，晶体管的阈值电压变化可以在5v内。当利用根据示例实施例的基板sub1时，可以改善电路部分pc的可靠性，并且可以提供稳定的显示装置。
[0128]
参见图5，显示装置可以包括第一缓冲层bf1和第二缓冲层bf2。例如，第一缓冲层bf1可以由氮化硅制成，并且第二缓冲层bf2可以由氧化硅制成。第二缓冲层bf2可以比第一缓冲层bf1厚。例如，第二缓冲层bf2可以为大约2000埃至4000埃厚，并且第一缓冲层bf1可以为大约300埃至大约600埃厚。
[0129]
参见图6，参照图4描述的缓冲层bf和电路部分pc可以叠置在参照图3描述的基板sub2上，基板sub2包括第一层p1、具有第一子层sb1和第二子层sb2的第二层b1、第三层p2以及第四层b2。
[0130]
参见图7，参照图5描述的第一缓冲层bf1、第二缓冲层bf2和电路部分pc可以叠置在参照图3描述的基板sub2上，基板sub2包括第一层p1、具有第一子层sb1和第二子层sb2的第二层b1、第三层p2以及第四层b2。
[0131]
参见图8，显示装置还可以包括位于参照图1描述的基板sub1和缓冲层bf之间的辅助层d1。辅助层d1可以与基板sub1的一侧交叠，或者可以具有设定或预定的图案并且可以与基板sub1的一部分交叠。
[0132]
可以将接地电压或恒定电压施加到辅助层d1。辅助层d1可以是金属层或掺杂的非晶硅(a-si)层。辅助层d1可以掺杂有n型或p型杂质。
[0133]
因为辅助层d1位于基板sub1和晶体管之间，所以电荷(例如，静电荷)可以分散，以防止或基本上防止元件被静电损坏。
[0134]
参见图9，显示装置还可以包括位于参照图3描述的基板sub2和缓冲层bf之间的辅助层d1。辅助层d1可以与基板sub2的一侧交叠，或者可以具有设定或预定的图案并且可以
与基板sub2的一部分交叠。
[0135]
现在将参照图10至图17描述示例实施例(例如，示例)和对比示例。图10至图17各自是示出了示例实施例(例如，示例)和对比示例的各种测试结果的图。
[0136]
参见图10至图15，对比示例1是通过利用0.99mol％的bpda和0.01mol％的bpta制造的聚酰亚胺层，对比示例2是通过利用0.98mol％的bpda和0.02mol％的bpta制造的聚酰亚胺层，对比示例3是通过利用0.98mol％的bpda制造的聚酰亚胺层，并且示例实施例1是通过利用0.98mol％的bpda和0.04mol％的bpta制造的聚酰亚胺层。
[0137]
参见图10，现在将描述用于观察聚酰亚胺层的热稳定性的热重分析(tga)。如图10中所示，对于观察到产生0.5％的重量损失所处的温度，对比示例1示出了567度(℃)，对比示例2示出了571度(℃)，对比示例3示出了554度(℃)，并且示例实施例1示出了532度(℃)。当根据示例实施例1，bpta的含量增加时，热稳定性会略微地劣化，但是当应用于显示装置时，仅需要530度(℃)的参考tga值，并且发现在示例实施例1的情况下满足了参考值。
[0138]
参见图11，观察通过利用可燃性设备(iga)保持在500度(℃)持续60分钟(左)或保持在500度(℃)持续120分钟(右)的结果。该测试表明(例如，表示)，由可燃性设备测量的值越高，热稳定性越低。当在500度(℃)下观察持续60分钟时，对比示例1显示出0.25％，对比示例2显示出0.28％，对比示例3显示出0.54％，并且示例实施例1显示出0.76％。以类似的方式，当在500度(℃)下观察持续120分钟时，对比示例1显示出0.48％，对比示例2显示出0.53％，对比示例3显示出0.84％，并且示例实施例1显示出1.03％。即，与对比示例1至对比示例3相比，示例实施例1显示出相对较低的热稳定性的特性。
[0139]
将参照图12描述拉伸强度。参见图12，对比示例1示出了587mpa的拉伸强度，对比示例2示出了557mpa的拉伸强度，对比示例3示出了422mpa的拉伸强度，并且示例实施例1示出了481mpa的拉伸强度。发现，与对比示例3相比，示例实施例1会具有期望的(例如，优异的)拉伸强度，但是与对比示例1和对比示例2相比，会具有略微较低的拉伸强度。
[0140]
现在将参照图13描述热膨胀系数(cte)。发现，在50度(℃)至200度(℃)的范围内，对比示例1具有1.1ppm/℃的cte，对比示例2具有2.4ppm/℃的cte，对比示例3具有2.8ppm/℃的cte，并且示例实施例1具有3.4ppm/℃的cte。此外，在50度(℃)至300度(℃)的范围内，对比示例1示出了1.6ppm/℃的cte，对比示例2示出了3.3ppm/℃的cte，对比示例3示出了2.9ppm/℃的cte，并且示例实施例1示出了3.9ppm/℃的cte。这表明(例如，表示)，当热膨胀系数较高时，机械特性略微较低，并且发现，在示例实施例1的情况下，与对比示例1和对比示例2相比，机械特性会相对地(例如，稍微地)劣化。
[0141]
现在将参照图14描述通过利用电晕放电方法获得的半衰期。对比示例1示出了49秒(s)的半衰期，对比示例2示出了47秒(s)的半衰期，对比示例3示出了39秒(s)的半衰期，并且示例实施例1示出了86秒(s)的半衰期。发现，示例实施例1具有比对比示例1至对比示例3的半衰期长两倍或更多的半衰期。这表明(例如，表示)示例实施例1比对比示例1至对比示例3中的每一者具有更高的电阻，并且因此发现，与对比示例1至对比示例3中的每一者相比，示例实施例1具有期望的(例如，优异的)电特性。包括根据示例实施例1的聚酰亚胺层的基板具有相对较高的电阻，由此改善了在显示装置中观察到的残像或光瑕疵。
[0142]
接下来，参照图15，将描述当在额外的光照射的情况下对对比示例1至对比示例3和示例实施例1执行电晕放电方法时的半衰期减小比率。在相应的图中，左侧表示当在没有
额外的光照射的情况下执行电晕放电方法时的半衰期，并且右侧表示由于额外的光照射而改变的半衰期。发现，对比示例1具有大约81.8％的半衰期减小比率，对比示例2具有大约80.1％的半衰期减小比率，对比示例3具有大约83.0％的半衰期减小比率，并且示例实施例1具有大约76.3％的半衰期的减小。根据该结果，(例如，当用光照射时)基板的电特性会变化，并且发现，包括特定含量的bpta的示例实施例1具有相对较低的电特性变化度。即，发现，与对比示例1至对比示例3相比，示例实施例1对于光具有更好的(例如，优异的)电稳定性。
[0143]
图16示出了示例实施例1(5.8微米厚的聚酰亚胺层)和示例实施例2(10微米厚的聚酰亚胺层)的小角x射线散射(saxs)分析的结果。
[0144]
对于示例实施例1发现，在平面模式下，相对于面(004)，散射矢量值(q值)为大约7.87至大约8.01。此外，对于示例实施例2发现，q值为大约7.91至大约8.15。发现，q值会根据厚度略微地改变，但是当通过利用相同的二酐单体和二胺单体来制造聚酰亚胺层时，q值满足特定范围(7.87至8.15)。当需要具有另一范围的有机层时，可以通过利用与根据示例实施例的bpda和ppd不同的单体来制造聚酰亚胺层。
[0145]
参见图17，对比示例1表示通过包括0.01mol％的bpta而制造的厚度为5.8微米的聚酰亚胺层，对比示例2表示通过包括0.01mol％的bpta而制造的厚度为10微米的聚酰亚胺层，示例实施例1表示通过包括0.04mol％的bpta而制造的厚度为10微米的聚酰亚胺层。
[0146]
发现，当通过利用电晕放电方法测试时，示例实施例1具有大约86秒的半衰期，并且与对比示例1和对比示例2相比，具有等于或大于至少30秒(s)的半衰期差值。
[0147]
诸如
“……
中的至少一者(种)”、
“……
中的一者(种)”、“从
……
中选择的至少一者(种)”、“从
……
中选择的一者(种)”、“从
……
之中选择的至少一者(种)”或“从
……
之中选择的一者(种)”的表述在一列元素之后时，修饰的是整列元素，而不是修饰此列中的个别元素。此外，当描述本发明的实施例时，“可以”的使用是指“本发明的一个或更多个实施例”。
[0148]
将理解的是，当元件或层被称为“连接到”、“结合到”或“相邻于”另一元件或层时，该元件或层可以直接连接到、直接结合到或直接相邻于另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。相反，当将元件或层被称为“直接连接到”、“直接结合到”或“紧邻”另一元件或层时，不存在中间元件或层。如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语是用来作为近似的术语而不是作为程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量或计算值的固有偏差。
[0149]
此外，本文中列举的任何数值范围旨在包括列举的范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括列举的最小值1.0和列举的最大值10.0之间(并且包括端点值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，例如，2.4至7.6。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括其中包含的所有较小的数值限制，并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括其中包含的所有较大的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地列举包含在本文中明确列举的范围内的任何子范围。
[0150]
虽然结合目前被视为实际的示例实施例的内容描述了本公开，但应当理解，本公开不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包括在所附权利要求及其等同物所限定的精神和范围内的各种合适的修改和等同布置。