半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：半导体膜；所述半导体膜上的一对遮蔽膜；以及位于所述半导体膜上且设置在所述一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中，所述半导体膜包括一对n型区域以及设置在所述一对n型区域间的i型区域，所述n型区域与所述遮蔽膜重叠，并且，所述i型区域与所述绝缘膜重叠。2.一种半导体装置，包括：半导体膜；所述半导体膜上的一对遮蔽膜；所述一对遮蔽膜上的保护膜；以及位于所述半导体膜上且设置在所述一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中，所述半导体膜包括一对n型区域以及设置在所述一对n型区域间的i型区域，所述n型区域与所述遮蔽膜重叠，并且，所述i型区域与所述绝缘膜重叠。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述保护膜包含铝及氧。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述遮蔽膜具有遮蔽300mhz以上且300ghz以下的电磁波的功能。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中所述遮蔽膜包含钽及氮。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述i型区域的载流子浓度为1
×
10-9
cm-3
以上且低于1
×
10
17
cm-3
，并且所述n型区域的载流子浓度为1
×
10
17
cm-3
以上且1
×
10
21
cm-3
以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述半导体膜使用金属氧化物。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中所述半导体膜使用选自in、ga和zn中的一个或多个。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中所述绝缘膜包含硅及氧。10.一种半导体装置的制造方法，包括：形成半导体膜的第一工序；在所述半导体膜上形成遮蔽膜的第二工序；将所述半导体膜及所述遮蔽膜加工为岛状的第三工序；在所述半导体膜及所述遮蔽膜上形成氧化物绝缘膜的第四工序；加工所述氧化物绝缘膜及所述遮蔽膜而形成到达所述半导体膜的开口部的第五工序；对所述半导体膜、所述遮蔽膜及所述氧化物绝缘膜进行热处理的第六工序；以覆盖所述开口部的方式形成绝缘膜的第七工序；以及透过所述绝缘膜对所述半导体膜照射微波的第八工序，
其中，所述微波的照射在至少包含氧的气氛下进行且在100℃以上且750℃以下的温度范围内进行。11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述微波的照射在300℃以上且500℃以下的温度范围内进行。12.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其中所述微波的照射在300pa以上且700pa以下的压力范围内进行。13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中所述热处理包括第一热处理及第二热处理，所述第一热处理在氧气氛下以300℃以上且500℃以下的温度范围内进行，并且所述第二热处理在氮气氛下以300℃以上500℃以下的温度范围内进行。14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一热处理比所述第二热处理长时间进行。15.根据权利要求10至14中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中所述绝缘膜利用等离子体增强化学气相沉积法或原子层沉积法形成。16.根据权利要求10至15中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中所述半导体膜包括金属氧化物，所述金属氧化物包含选自in、ga和zn中的任一个或多个，并且所述金属氧化物利用溅射法、原子层沉积法或有机金属化学气相沉积法形成。17.根据权利要求10至16中任一项所述的半导体装置的制造方法，在所述第八工序之后还包括第九工序，其中在所述第九工序中通过原子层沉积法形成氧化铪。

技术总结
提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。i型区域与绝缘膜重叠。i型区域与绝缘膜重叠。


技术研发人员：山崎舜平 泽井宽美 驹形大树 神保安弘 奥野直树 小松良宽 安藤元晴 森若智昭 森谷幸司 石川纯
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2020.06.02
技术公布日：2022/1/10