LDMOS器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种ldmos器件，其特征在于，包括：外延层，所述外延层中形成有环绕设置的第一sti结构和环绕设置的第二sti结构，所述第二sti结构位于所述第一sti结构的外周侧；栅极，所述栅极形成于所述外延层上方，所述栅极位于所述第一sti结构所绕的区域内，所述栅极和所述外延层之间形成有栅介电层；其中，所述外延层中形成有阱区和轻掺杂区，所述阱区包覆所述栅介电层底部的预定区域、所述第一sti结构和所述第二sti结构的预定区域，所述轻掺杂区包覆所述栅介电层底部的剩余区域，所述阱区和所述轻掺杂区接触；所述栅极两侧的外延层中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一sti结构所环绕的区域内的阱区中，所述第二重掺杂区形成于所述轻掺杂区中，所述阱区中还形成有口袋注入区，所述口袋注入区沿横向方向位于所述第一重掺杂区和所述栅极之间；所述第一sti结构和所述第二sti结构之间的外延层中还形成有第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述阱区中。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅极的两侧形成有侧墙。3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型不同，所述轻掺杂区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型不同，所述口袋注入区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型相同，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型相同。4.根据权利要求1至3任一所述的器件，其特征在于，所述ldmos器件应用于高压工作环境。5.一种ldmos器件的形成方法，其特征在于，包括：在栅介电层上形成多晶硅层，所述栅介电层形成于外延层上，所述外延层中形成有环绕设置的第一sti结构、环绕设置的第二sti结构和阱区，所述第二sti结构位于所述第一sti结构的外周侧，所述阱区包覆所述第一sti结构环绕的预定区域、所述第一sti结构和所述第二sti结构的预定区域；进行刻蚀，去除除目标区域以外其它区域的多晶硅层和栅介电层，剩余的多晶硅层形成所述器件的栅极，所述栅极形成于所述第一sti结构环绕的区域内；进行第一次离子注入，在所述外延层中形成轻掺杂区，所述轻掺杂区形成于所述第一sti结构环绕的区域内；进行第二次离子注入，在所述栅极两侧的外延层中形成口袋注入区，所述轻掺杂区和所述阱区交叠的区域被反型，成为所述阱区的区域；进行第三次离子注入，在所述栅极两侧的外延层中形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述栅极一侧的口袋注入区和第一sti结构之间，所述第二重掺杂区取代所述栅极另一侧的口袋注入区所在的区域；进行第四次离子注入，形成第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第一sti结构和所述第二sti结构之间的外延层中，所述第三重掺杂区形成于所述阱区中。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述进行第三次离子注入之前，还包括：
在所述栅极的两侧形成侧墙。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型不同，所述轻掺杂区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型不同，所述口袋注入区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型相同，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中包含的杂质类型和所述阱区中包含的杂质类型相同。8.根据权利要求5至7任一所述的方法，其特征在于，所述ldmos器件应用于高压工作环境。

技术总结
本申请公开了一种LDMOS器件及其形成方法，该器件包括：外延层，其形成有环绕设置的第一STI结构和环绕设置的第二STI结构，第二STI结构位于第一STI结构的外周侧；栅极，其形成于外延层上方，栅极位于第一STI结构所绕的区域内，栅极和外延层之间形成有栅介电层；外延层中形成有阱区和轻掺杂区，阱区和轻掺杂区接触；栅极两侧的外延层中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，第一重掺杂区形成于所述第一STI结构所环绕的区域内的阱区中，第二重掺杂区形成于轻掺杂区中，阱区中还形成有口袋注入区，口袋注入区沿横向方向位于第一重掺杂区和栅极之间；第一STI结构和第二STI结构之间的外延层中还形成有第三重掺杂区和第四重掺杂区，第三重掺杂区形成于所述阱区中。第三重掺杂区形成于所述阱区中。第三重掺杂区形成于所述阱区中。


技术研发人员：张晗 杨新杰 金锋 乐薇
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.09.24
技术公布日：2022/1/10