LED驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种led驱动电路，具备电源端子、led、第一开关元件、第二开关元件、第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述电源端子、所述led、所述第一开关元件以及所述第一电阻串联连接，所述电源端子、所述第三电阻以及第二开关元件串联连接，所述第三电阻与所述第二开关元件的连接点同所述第一开关元件的控制端子连接，在所述第一开关元件与所述第一电阻的连接点同所述第二开关元件的控制端子之间连接有所述第二电阻，在所述第二开关元件的所述控制端子与所述第二电阻的连接点处连接有第一ptc热敏电阻、或者相互串联连接的第二ptc热敏电阻和ntc热敏电阻。2.根据权利要求1所述的led驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件是第一npn型晶体管，所述第二开关元件是第二npn型晶体管，所述电源端子与所述led的阳极连接，所述led的阴极与所述第一npn型晶体管的集电极连接，所述第一npn型晶体管的发射极分别与所述第一电阻的一端及所述第二电阻的一端连接，所述电源端子经由所述第三电阻与所述第二npn型晶体管的集电极连接，所述第三电阻与所述第二npn型晶体管的集电极的连接点同所述第一npn型晶体管的基极连接，所述第二电阻的另一端与所述第二npn型晶体管的基极连接，在所述第二电阻的另一端与所述第二npn型晶体管的基极的连接点处连接有所述第一ptc热敏电阻、或者相互串联连接的所述第二ptc热敏电阻和所述ntc热敏电阻。3.根据权利要求1所述的led驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件是第一pnp型晶体管，所述第二开关元件是第二pnp型晶体管，所述电源端子与所述led的阳极连接，所述led的阴极与所述第一pnp型晶体管的发射极连接，所述第一pnp型晶体管的集电极分别与所述第一电阻的一端及所述第二电阻的一端连接，所述电源端子经由所述第三电阻与所述第二pnp型晶体管的发射极连接，所述第三电阻与所述第二pnp型晶体管的发射极的连接点同所述第一pnp型晶体管的基极连接，所述第二电阻的另一端与所述第二pnp型晶体管的基极连接，在所述第二电阻的另一端与所述第二pnp型晶体管的基极的连接点处连接有所述第一ptc热敏电阻、或者相互串联连接的所述第二ptc热敏电阻和所述ntc热敏电阻。4.根据权利要求1所述的led驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件是第一n沟道fet，所述第二开关元件是第二n沟道fet，所述电源端子与所述led的阳极连接，
所述led的阴极与所述第一n沟道fet的漏极连接，所述第一n沟道fet的源极分别与所述第一电阻的一端及所述第二电阻的一端连接，所述电源端子经由所述第三电阻与所述第二n沟道fet的漏极连接，所述第三电阻与所述第二n沟道fet的漏极的连接点同所述第一n沟道fet的栅极连接，所述第二电阻的另一端与所述第二n沟道fet的栅极连接，在所述第二电阻的另一端与所述第二n沟道fet的栅极的连接点处连接有所述第一ptc热敏电阻、或者相互串联连接的所述第二ptc热敏电阻和所述ntc热敏电阻。5.根据权利要求1所述的led驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件是第一p沟道fet，所述第二开关元件是第二p沟道fet，所述电源端子与所述led的阳极连接，所述led的阴极与所述第一p沟道fet的源极连接，所述第一p沟道fet的漏极分别与所述第一电阻的一端及所述第二电阻的一端连接，所述电源端子经由所述第三电阻与所述第二p沟道fet的源极连接，所述第三电阻与所述第二p沟道fet的源极的连接点同所述第一p沟道fet的栅极连接，所述第二电阻的另一端与所述第二p沟道fet的栅极连接，在所述第二电阻的另一端与所述第二p沟道fet的栅极的连接点处连接有所述第一ptc热敏电阻、或者相互串联连接的所述第二ptc热敏电阻和所述ntc热敏电阻。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的led驱动电路，其特征在于，所述第一ptc热敏电阻、或者相互串联连接的所述第二ptc热敏电阻和所述ntc热敏电阻在25℃以上且90℃以下的温度时呈现负的电阻温度特性，在125℃以上的温度时呈现正的电阻温度特性。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的led驱动电路，其特征在于，所述第一ptc热敏电阻或所述第二ptc热敏电阻是陶瓷ptc热敏电阻。

技术总结
提供一种LED驱动电路，即使周围温度发生变动也能够将LED的亮度维持为固定。其构成为：电源端子(1)、LED(3)、第一开关元件(4)以及第一电阻(6)串联连接，电源端子(1)、第三电阻(8)以及第二开关元件(5)串联连接，第三电阻(8)与第二开关元件(5)的连接点同第一开关元件(4)的控制端子连接，在第一开关元件(4)与第一电阻(6)的连接点同第二开关元件(5)的控制端子之间连接有第二电阻(7)，在第二开关元件(5)的控制端子与第二电阻(7)的连接点处连接有第一PTC热敏电阻(10)。PTC热敏电阻(10)。PTC热敏电阻(10)。


技术研发人员：西乡有民
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2020.05.12
技术公布日：2022/1/10