纯化发光装置材料的方法及包含发光装置材料的发光装置与流程

纯化发光装置材料的方法及包含发光装置材料的发光装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月10日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0085678号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过援引整体并入本文。
技术领域
3.一个或多于一个的实施方案涉及纯化发光装置材料的方法和包含根据所述方法纯化的发光装置材料的发光装置。


背景技术：

4.发光装置是自发射装置，与常规装置相比，其具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
5.发光装置可以包括在衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。
6.发光装置中使用的材料是高纯度的材料，并且例如，发射层中使用的磷光掺杂剂是在通过柱色谱法分离和升华来纯化最终产物之后使用的。


技术实现要素：

7.一个或多于一个的实施方案包括纯化磷光掺杂剂的方法，其显著地降低含有卤离子作为杂质的所述磷光掺杂剂中的卤离子含量，以及包含根据所述方法纯化的所述磷光掺杂剂的发光装置。
8.其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
9.根据一个或多于一个的实施方案，纯化磷光掺杂剂的方法包括：使所述磷光掺杂剂与ag2o反应。
10.根据另一个实施方案的方面，发光装置可以包含根据所述方法纯化的所述磷光掺杂剂。
11.根据又一个实施方案的方面，电子设备可以包括所述发光装置。
附图说明
12.根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
13.图1是根据示例性实施方案的发光装置的示意性视图；
14.图2是根据示例性实施方案的发光设备的示意性横截面视图；以及
15.图3是根据示例性实施方案的另一个发光设备的示意性横截面视图。
具体实施方式
16.现在将详细地参考实施方案，在附图中例示出所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。
17.应理解，当元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在其它元件上或者它们之间可以存在介于中间的元件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，不存在介于中间的元件。
18.应理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但这些元件、组件、区、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区、层或部分与另一个元件、组件、区、层或部分。因此，在不背离本文的教导的情况下，以下讨论的第一“元件”、“组件”、“区”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区、层或部分。
19.本文使用的术语仅出于描述具体实施方案的目的并且不旨在进行限制。如本文使用，“一(a)”、“一(an)”、“所述(the)”和“至少一个(种)”不表示数量的限制，并且旨在涵盖单数和复数两者，除非上下文另外明确指出。例如，“一个元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文另外明确指出。
[0020]“或”意指“和/或”。应进一步理解，术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”，或者“包括(includes)”和/或“包括(including)”当用于本说明书时指明规定的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。
[0021]
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件与另一个元件的关系。应理解，相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置的不同方向。例如，如果将一个附图中的装置翻转，描述为在其它元件的“下”侧上的元件则将定向在其它元件的“上”侧上。因此，取决于附图的具体方向，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”的两个方向。类似地，如果将一个附图中的装置翻转，描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件则将定向在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“之下”可以涵盖上方和下方的两个方向。
[0022]
如本文使用的“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限度)确定的针对特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在规定值的一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0023]
除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应被解释为具有与其在相关领域和本公开内容的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义来解释，除非本文明确如此定义。
[0024]
参考横截面图示在本文中描述了示例性实施方案，所述横截面图示是理想化的实
施方案的示意性图示。如此，应预期由于例如制造技术和/或公差而产生的图示的形状的变化。因此，本文描述的实施方案不应解释为局限于如本文例示的区的具体形状，而应包括例如由制造产生的形状的偏差。例如，例示或描述为平坦的区可以通常具有粗糙和/或非线性的特征。此外，例示的锐角可以是圆的。因此，在附图中例示的区在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在例示区的精确形状，并且不旨在限制本公开内容的范围。
[0025]
发光装置中使用的材料是高纯度的纯材料，并且例如，发射层中使用的磷光掺杂剂是在通过柱色谱法、重结晶、升华或其组合纯化最终产物之后使用的。
[0026]
经历柱色谱法纯化、重结晶和/或升华的磷光掺杂剂的最终合成产物包括磷光掺杂剂中的40百万分率(ppm)或大于40ppm的卤离子杂质。
[0027]
根据制备磷光掺杂剂的方法，所述方法可以包括使磷光掺杂剂与ag2o反应。
[0028]
在一些实施方案中，所述方法可以包括：使磷光掺杂剂与ag2o反应；以及在反应之前通过柱色谱法分离磷光掺杂剂。该过程是使用柱色谱法分离磷光掺杂剂，所述磷光掺杂剂是由起始材料合成的最终产物。柱色谱法是通用的纯化方法，并且因此，本文省略了柱色谱法的描述。
[0029]
在一些实施方案中，所述方法可以包括：使磷光掺杂剂与ag2o反应；以及在反应之后通过升华纯化磷光掺杂剂。通过升华分离磷光掺杂剂是在使通过使用柱色谱法分离的磷光掺杂剂与ag2o反应之后，通过升华纯化所需产物(即，磷光掺杂剂)的过程。通过升华的纯化是通用的纯化方法，并且因此，本文省略了通过升华的纯化的描述。
[0030]
在一些实施方案中，根据一个或多于一个的实施方案的制备磷光掺杂剂的方法可以包括：
[0031]
通过柱色谱法纯化磷光掺杂剂；
[0032]
使纯化的磷光掺杂剂与ag2o反应；以及
[0033]
通过升华纯化磷光掺杂剂。
[0034]
在一些实施方案中，在制备磷光掺杂剂的方法中，磷光掺杂剂可以是包含过渡金属和配体的化合物，并且配体可以是有机配体。在一些实施方案中，配体可以是单齿配体、二齿配体或四齿配体，但配体可以是无机配体。无机配体可以是不包含碳的配体化合物，例如卤离子或水。
[0035]
在一些实施方案中，磷光掺杂剂中的过渡金属可以是铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm)。
[0036]
将在以下描述中详细地描述磷光掺杂剂。
[0037]
在一些实施方案中，在制备磷光掺杂剂的方法中，待纯化的磷光掺杂剂可以包括40ppm或大于40ppm的作为杂质的卤离子。作为由起始材料合成的最终产物的磷光掺杂剂可以经受纯化并且包括磷光掺杂剂中的40ppm或大于40ppm的作为杂质的卤离子。在一些实施方案中，磷光掺杂剂可以包括约40ppm至约400ppm的作为杂质的卤离子。
[0038]
在一些实施方案中，作为杂质的卤离子可以是f-、cl-、br-和/或i-。在一些实施方案中，作为杂质的卤离子可以是f-、cl-和/或br-。
[0039]
在一些实施方案中，通过磷光掺杂剂与ag2o的反应，可以将作为杂质保留在磷光掺杂剂中的卤离子减少至小于40ppm，例如小于10ppm。
[0040]
在一些实施方案中，当包括约40ppm至约400ppm的作为杂质的卤离子的磷光掺杂
剂经受纯化方法时，所述纯化方法包括：
[0041]
通过柱色谱法纯化磷光掺杂剂；
[0042]
使通过柱色谱法纯化的磷光掺杂剂与ag2o反应；以及
[0043]
通过升华纯化磷光掺杂剂，由此可以将作为杂质保留在磷光掺杂剂中的卤离子减少至小于40ppm，例如小于10ppm。
[0044]
在一些实施方案中，通过磷光掺杂剂与ag2o的反应，可以将作为杂质保留在磷光掺杂剂中的卤离子减少至约1十亿分率(ppb)至约10ppm。
[0045]
在一些实施方案中，在纯化磷光掺杂剂的方法中，磷光掺杂剂与ag2o的反应处于溶剂的存在下。
[0046]
在一些实施方案中，溶剂可以包括醇。醇可以是烷醇。醇的实例可以包括甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、庚醇、辛醇、丙二醇和甘油(当存在异构体时，还包括异构体)。
[0047]
在一些实施方案中，溶剂可以进一步包括芳香族烃衍生物、醚、卤代烷烃或其任意组合。
[0048]
芳香族烃衍生物可以是具有芳香性的烃化合物。芳香族烃衍生物的实例包括苯、甲苯、二甲苯、戊搭烯、萘、甘菊环、引达省、苊烯、非那烯、菲、蒽、荧蒽、苯并菲、芘、吡咯、噻吩、呋喃、吲哚、苯并吲哚、萘并吲哚、异吲哚、苯并异吲哚、萘并异吲哚、苯并噻咯、苯并噻吩、苯并呋喃和咔唑。
[0049]
醚可以是其中烷基基团结合至氧原子的两侧并且包括线性和环状形式的化合物。在一些实施方案中，醚可以是乙醚、四氢呋喃(thf)或其组合。
[0050]
卤代烷烃可以是其中卤素原子结合至烷烃的化合物。在一些实施方案中，卤代烷烃可以是二氯乙烷(dce)。
[0051]
在一些实施方案中，溶剂可以包括：醇和芳香族烃衍生物的混合溶剂；醇和醚的混合溶剂；醇和卤代烷烃的混合溶剂；或其任意组合。
[0052]
在一些实施方案中，溶剂可以是乙醇和二氯乙烷的混合物、乙醇和四氢呋喃的混合物、乙醇和甲苯的混合物或其任意组合。
[0053]
在一些实施方案中，在制备磷光掺杂剂的方法中，磷光掺杂剂与ag2o的反应可以在约0℃至约90℃的温度范围下进行。在一些实施方案中，磷光掺杂剂与ag2o的反应可以在约10℃至约40℃的温度下进行。
[0054]
当反应在低于0℃的温度下进行时，反应可能几乎不发生或可能发生过慢，并且当反应在高于90℃的温度下进行时，可能发生副反应。
[0055]
在一些实施方案中，在制备磷光掺杂剂的方法中，磷光掺杂剂与ag2o的反应可以进行约10分钟至约48小时。
[0056]
当反应进行少于10分钟时，反应可能过短而不能充分地减少杂质，并且当反应进行长于48小时时，待减少的杂质的量可能几乎不改变。
[0057]
在一些实施方案中，在制备磷光掺杂剂的方法中，可以通过使用包含至少一种卤离子配体的过渡金属化合物来制备磷光掺杂剂。
[0058]
通常，磷光掺杂剂(即，金属络合物)可以包含过渡金属和配体。
[0059]
包含在最终化合物的磷光掺杂剂中的配体可以单独地设计和合成，并且然后，合成的配体可以与过渡金属组合以合成最终化合物的磷光掺杂剂。
[0060]
在将合成的配体与过渡金属组合的过程(也称为“金属化”)中的过渡金属中，过渡金属化合物(例如，pt(cod)cl2)可以已经具有与其结合的另一种配体，并且过渡金属化合物可以包含至少一种卤离子配体。在一些实施方案中，pt(cod)cl2包括两个cl-。已经结合至过渡金属的其它配体(例如，环辛二烯(cod)或cl)可以与通过单独设计合成的配体交换。
[0061]
因此，已经结合至过渡金属的其它配体必须与过渡金属分离并且在通过柱色谱法分离磷光掺杂剂的过程中分离，但其它配体可以不完全分离并且作为杂质保留在磷光掺杂剂中。特别地，残留的卤离子可能是有问题的。
[0062]
使用含有至少一种卤离子配体的过渡金属化合物制备的所有磷光掺杂剂具有此类残留卤离子杂质的问题。
[0063]
通过与ag2o反应，可以去除与磷光掺杂剂一起保留的卤离子。
[0064]
在一些实施方案中，在磷光掺杂剂与ag2o的反应中，磷光掺杂剂与ag2o的摩尔比可以是约1:9至约9:1。在一些实施方案中，磷光掺杂剂与ag2o的摩尔比可以是约1:5至约5:1。在一些实施方案中，磷光掺杂剂与ag2o的摩尔比可以是约1:2.5至约2.5:1。在一些实施方案中，磷光掺杂剂与ag2o的摩尔比可以是约1:1.5至约1.5:1。
[0065]
在一些实施方案中，可以确定溶剂的量，使得摩尔浓度是约0.001摩尔(m)至约0.5m。在一些实施方案中，可以确定溶剂的量，使得摩尔浓度是约0.05m至约0.2m。在一些实施方案中，可以确定溶剂的量，使得摩尔浓度是约0.01m至约0.1m。
[0066]
如本文使用的术语“中间层”是指位于发光装置中的第一电极与第二电极之间的单个层或多个层。
[0067]
图1的描述
[0068]
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性视图。发光装置10可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0069]
在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和根据实施方案的制造发光装置10的方法。
[0070]
第一电极110
[0071]
在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底。衬底可以是柔性衬底，包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0072]
可以通过在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，可以将可以容易地注入空穴的高功函材料用作用于第一电极110的材料。
[0073]
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在一些实施方案中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0074]
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括两个或多于两个的层的多层结构。在一些实施方案中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0075]
中间层130
[0076]
中间层130可以设置在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
[0077]
中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
[0078]
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0079]
中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的至少两个发射单元；和ii)位于至少两个发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括至少两个发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
[0080]
中间层130中的空穴传输区
[0081]
空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)具有包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0082]
空穴传输区可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射辅助层、电子阻挡层(ebl)或其组合。
[0083]
例如，空穴传输区可以具有多层结构，例如，空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中每种结构的层按各自规定的顺序依次堆叠在第一电极110上。
[0084]
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0085]
式201
[0086][0087]
式202
[0088][0089]
其中，在式201和式202中，
[0090]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0091]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0092]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0093]
xa5可以是1至10的整数，
[0094]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0095]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此结合以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，本文描述的化合物ht16)，
[0096]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此结合以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0097]
na1可以是1至4的整数。
[0098]
在一些实施方案中，式201和式202可以各自包含至少一种由式cy201至式cy217表示的基团：
[0099][0100]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可以各自通过参考r
10a
的描述来理解，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以被r
10a
取代。
[0101]
在一些实施方案中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0102]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202可以各自包含至少一种由式cy201至式cy203表示的基团。
[0103]
在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含至少一种由式cy201至式cy203表示的基团和至少一种由式cy204至式cy217表示的基团。
[0104]
在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203中的任一种表示的基团，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207中的
任一种表示的基团。
[0105]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202可以各自不包含由式cy201至式cy203表示的基团。
[0106]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202可以各自不包含由式cy201至式cy203表示的基团，并且包含至少一种由式cy204至式cy217表示的基团。
[0107]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202可以各自不包含由式cy201至式cy217表示的基团。
[0108]
在一些实施方案中，空穴传输区可以包含化合物ht1至化合物ht44、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)中的一种或其任意组合：
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113][0114]
空穴传输区的厚度可以是约至约并且在一些实施方案中，约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约并且在一些实施方案中，约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约并且在一些实施方案中，约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围的任一个之内时，可以获得优异的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0115]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率。电子阻挡层可以减少或消除来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包含上述材料。
[0116]
p-掺杂剂
[0117]
空穴传输区可以包含电荷产生材料以及上述材料，以改善空穴传输区的传导性质。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)在空穴传输区中。
[0118]
电荷产生材料可以包括，例如，p-掺杂剂。
[0119]
在一些实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可以是-3.5ev或小于-3.5ev。
[0120]
在一些实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0121]
醌衍生物的实例可以包括tcnq、f4-tcnq等。
[0122]
含氰基基团的化合物的实例包括hat-cn、由式221表示的化合物等：
[0123][0124]
其中，在式221中，
[0125]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及
[0126]r221
至r
223
中的至少一个可以是：各自被氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0127]
在含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0128]
金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)；等。
[0129]
准金属的实例可以包括硅(si)、锑(sb)、碲(te)等。
[0130]
非金属的实例可以包括氧(o)、卤素(例如，f、cl、br、i等)等。
[0131]
例如，含元素el1和元素el2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。
[0132]
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)、铼氧化物(例如，reo3等)等。
[0133]
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。
[0134]
碱金属卤化物的实例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi等。
[0135]
碱土金属卤化物的实例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2等。
[0136]
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)等。
[0137]
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)、锡卤化物(例如，sni2等)等。
[0138]
镧系金属卤化物的实例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3等。
[0139]
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，sbcl5等)等。
[0140]
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)、镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)等。
[0141]
中间层130中的发射层
[0142]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有堆叠结构。堆叠结构可以包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层。所述两个或多于两个的层可以彼此直接接触。在一些实施方案中，所述两个或多于两个的层可以彼此分离。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含两种或多于两种的材料。所述两种或多于两种的材料可以包括发红色光的材料、发绿色光的材料或发蓝色光的材料。所述两种或多于两种的材料可以在单个层中彼此混合。在单个层中彼此混合的两种或多于两种的材料可以发射白色光。
[0143]
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以是磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
[0144]
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0145]
发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层中的主体或掺杂剂。
[0146]
发射层的厚度可以是约至约并且在一些实施方案中，约至约当发射层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可以获得改善的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0147]
主体
[0148]
主体可以包括由式301或式302表示的化合物。
[0149]
为了改善装置稳定性，可以提供由式301或式302表示的主体结构，并且通过其组合形成激基复合物，从而提供具有高的效率和改善的使用寿命的有机发光装置。
[0150]
式301
[0151][0152]
其中，在式301中，
[0153]
e、f和g可以各自独立地是ch或n，
[0154]
ar3、ar4和ar5可以各自独立地是取代或未取代的非芳香族稠合多环基团或者取代或未取代的非芳香族稠合杂多环基团，其可以是五边形或六边形，
[0155]
r5、r6和r7可以各自独立地是氢、氘、卤素、氮、氧、硼、硅、硫、二氧化硫、磷、氧化磷、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的非芳香族稠合多环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的非芳香族稠合杂多环基团。
[0156]
在一个或多于一个的实施方案中，由式301表示的化合物可以由以下化合物中的一种表示：
[0157]
[0158]
[0159]
[0160][0161]
式302
[0162][0163]
其中，在式302中，
[0164]
h可以是o、s、nr
14
或cr
15r16
，
[0165]
m和n可以各自是0至4的整数，
[0166]
r8、r9、r
10
、r
11
、r
12
、r
13
、r
14
、r
15
和r
16
可以各自独立地是氢、氘、卤素、氮、氧、硼、硅、硫、二氧化硫、磷、氧化磷、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的非芳香族稠合多环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的非芳香族稠合杂多环基团。在以下描述中描述r
10a
。
[0167]
在一个或多于一个的实施方案中，由式302表示的化合物可以由以下化合物中的一种表示：
[0168]
[0169][0170]
磷光掺杂剂
[0171]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0172]
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0173]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0174]
在一些实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属络合物：
[0175]
式401
[0176]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0177]
式402
[0178][0179]
其中，在式401和式402中，
[0180]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0181]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，并且当xc1是2或大于2时，至少两个l
401
可以彼此相同或不同，
[0182]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0至4的整数，并且当xc2是2或大于2时，至少两个l
402
可以彼此相同或不同，
[0183]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0184]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0185]
t
401
可以是单键、-o-、-s-、-c(＝o)-、-n(q
411
)-、-c(q
411
)(q
412
)-、-c(q
411
)＝c(q
412
)-、-c(q
411
)＝或＝c＝，
[0186]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0187]q411
至q
414
可以各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0188]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0189]q401
至q
403
可以各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0190]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0191]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0192]
在一个或多于一个的实施方案中，在式402中，i)x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或者ii)x
401
和x
402
可以均是氮。
[0193]
在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，至少两个l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
结合，或者两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
结合(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
可以各自通过参考本文提供的t
401
的描述来理解。
[0194]
式401中的l
402
可以是任何适合的有机配体。例如，l
402
可以是卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn或磷基团(例如，膦基团或亚磷酸酯基团)。
[0195]
式401可以由式403表示：
[0196]
式403
[0197][0198]
其中，在式403中，m可以通过参考式401中的m的描述来理解，y
11
至y
14
可以各自独
立地是n或c，
[0199]
t
11
至t
14
可以各自独立地是化学键、o、s、b(r')、n(r')、p(r')、c(r')(r”)、si(r')(r”)、ge(r')(r”)、c(＝o)、b(r')(r”)、n(r')(r”)或p(r')(r”)，
[0200]
t1可以是单键、双键、*-n(r
15
)-*'、*-b(r
15
)-*'、*-p(r
15
)-*'、*-c(r
15a
)(r
15b
)-*'、*-si(r
15a
)(r
15b
)-*'、*-ge(r
15a
)(r
15b
)-*'、*-s-*'、*-se-*'、*-o-*'、*-c(＝o)-*'、*-s(＝o)-*'、*-s(＝o)
2-*'、*-c(r
15
)＝*'、*＝c(r
15
)-*'、*-c(r
15a
)＝c(r
15b
)-*'、*-c(＝s)-*'或*-c≡c-*'，
[0201]
t2可以是单键、双键、*-n(r
16
)-*'、*-b(r
16
)-*'、*-p(r
16
)-*'、*-c(r
16a
)(r
16b
)-*'、*-si(r
16a
)(r
16b
)-*'、*-ge(r
16a
)(r
16b
)-*'、*-s-*'、*-se-*'、*-o-*'、*-c(＝o)-*'、*-s(＝o)-*'、*-s(＝o)
2-*'、*-c(r
16
)＝*'、*＝c(r
16
)-*'、*-c(r
16a
)＝c(r
16b
)-*'、*-c(＝s)-*'或*-c≡c-*'，并且r
16a
和r
16b
可以彼此结合以形成环，
[0202]
t3可以是单键、双键、*-n(r
17
)-*'、*-b(r
17
)-*'、*-p(r
17
)-*'、*-c(r
17a
)(r
17b
)-*'、*-si(r
17a
)(r
17b
)-*'、*-ge(r
17a
)(r
17b
)-*'、*-s-*'、*-se-*'、*-o-*'、*-c(＝o)-*'、*-s(＝o)-*'、*-s(＝o)
2-*'、*-c(r
17
)＝*'、*＝c(r
17
)-*'、*-c(r
17a
)＝c(r
17b
)-*'、*-c(＝s)-*'或*-c≡c-*'，
[0203]
环a1至环a4可以各自独立地是c
5-c
30
碳环基团或c
1-c
30
杂环基团，
[0204]
a11至a14可以各自独立地是0至20的整数，
[0205]r11
至r
17
、r
15a
、r
15b
、r
16a
、r
16b
、r
17a
、r
17b
、r'和r”可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0206]
其中q1至q3可以通过参考本文提供的q1至q3的描述来理解，以及
[0207]
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。
[0208]
磷光掺杂剂可以是，例如，化合物pd1至化合物pd28中的一种或其任意组合：
[0209][0210]
荧光掺杂剂
[0211]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
[0212]
在一些实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0213]
式501
[0214][0215]
其中，在式501中，
[0216]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0217]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0218]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0219]
在一些实施方案中，在式501中，ar
501
可以包括其中稠合至少三个单环基团的稠合的环基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。
[0220]
在一些实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0221]
在一些实施方案中，荧光掺杂剂可以包括化合物fd1至化合物fd36、dpvbi、dpavbi中的一种或其任意组合：
[0222]
[0223]
[0224][0225]
延迟荧光材料
[0226]
发射层可以包含延迟荧光材料。
[0227]
本文描述的延迟荧光材料可以是可以根据延迟荧光发射机理发射延迟荧光的任何适合的化合物。
[0228]
取决于包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。
[0229]
在一些实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以是约0ev以上且约0.5ev以下。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差在该范围内时，可以发生延迟荧光材料中的从三重态至单重态的向上转换，因此改善发光装置10的发光效率等。
[0230]
在一些实施方案中，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，例如咔唑基团等)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团、含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团等)的材料，ii)包含含有彼此稠合且共用硼(b)的至少两个环状基团的c
8-c
60
多环基团的材料，等。
[0231]
延迟荧光材料的实例可以包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0232][0233][0234]
量子点
[0235]
如本文使用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种长度的发射波长的任何适合的材料。
[0236]
量子点的直径可以是，例如，约1nm至约10nm。
[0237]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任何类似的工艺合成量子点。
[0238]
湿法化学工艺是通过将前体材料与有机溶剂混合来生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂可以自然地用作配位到量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长。因此，湿法化学工艺可以比气相沉积工艺(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe)工艺)更容易。此外，可以以较低的制造成本控制量子点颗粒的生长。
[0239]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；iv族元素或化合物；或其任意组合。
[0240]
ii-vi族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者其任意组合。
[0241]
iii-v族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或者其任意组合。在一些实施方案中，iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例可以包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0242]
iii-vi族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、in2s3、inse、in2se3、inte等；三元化合物，例如ingas3、ingase3等；或者其任意组合。
[0243]
i-iii-vi族半导体化合物的实例可以包括三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2或其任意组合。
[0244]
iv-vi族半导体化合物的实例可以包括二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete或snpbste；或者其任意组合。
[0245]
iv族元素或化合物可以是单一元素，例如si或ge；二元化合物，例如sic或sige；或者其任意组合。
[0246]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的各个元素可以以均匀的或非均匀的浓度存在于其颗粒中。
[0247]
量子点可以具有单一结构，其中包含在量子点中的每种元素的浓度是均匀的，或者可以具有核-壳双重结构。在一些实施方案中，包含在核中的材料可以不同于包含在壳中的材料。
[0248]
量子点的壳可以用作用于防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核减小的浓度梯度。
[0249]
量子点的壳的实例包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括：二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或其任意组合。半导体化合物的实例可以包括ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；或其任意组合。在一些实施方案中，半导体化合物可以是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0250]
量子点可以具有约45nm或小于45nm、约40nm或小于40nm或者约30nm或小于30nm的发射波长的光谱的半峰全宽(fwhm)。当量子点的fwhm在该范围内时，可以改善颜色纯度或颜色再现性。此外，由于由量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善光学视角。
[0251]
此外，量子点可以具体是球形、角锥形、多臂和/或立方体的纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维或纳米板颗粒。
[0252]
通过调节量子点的尺寸，也可以调节能带间隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。通过使用各种尺寸的量子点，可以实现可以发射各种波长的光的发光装置。在一些实施方案中，可以选择量子点的尺寸，使得量子点可以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，可以选择量子点的尺寸，使得量子点可以通过组合各种颜色光来发射白色光。
[0253]
中间层130中的电子传输区
[0254]
电子传输区可以具有i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)具有包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0255]
电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。
[0256]
在一些实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层的结构或者空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构，其中每种结构的层按规定的顺序依次堆叠在发射层之上。
[0257]
电子传输区(例如，在电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团的无金属化合物。
[0258]
在一些实施方案中，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：
[0259]
式601
[0260]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0261]
其中，在式601中，
[0262]
ar
601
和l
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0263]
xe11可以是1、2或3，
[0264]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0265]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，q
601
至q
603
可以各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0266]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0267]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团。
[0268]
在一些实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，至少两个ar
601
可以经由单键结合。
[0269]
在一些实施方案中，在式601中，ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0270]
在一些实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：
[0271]
式601-1
[0272][0273]
其中，在式601-1中，
[0274]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0275]
l
611
至l
613
可以各自通过参考本文提供的l
601
的描述来理解，
[0276]
xe611至xe613可以各自通过参考本文提供的xe1的描述来理解，
[0277]r611
至r
613
可以各自通过参考本文提供的r
601
的描述来理解，以及
[0278]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0279]
在一些实施方案中，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0280]
电子传输区可以包含化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz中的一种或其任意组合：
[0281]
[0282]
[0283]
[0284][0285]
电子传输区的厚度可以是约至约并且在一些实施方案中，约至约当电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其任意组合时，空穴阻挡层的厚度可以是约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可以获得优异的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0286]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0287]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是锂(li)离子、钠(na)离子、钾(k)离子、铷(rb)离子或铯(cs)离子。碱土金属络合物的金属离子可以是铍(be)离子、镁(mg)离子、钙(ca)离子、锶(sr)离子或钡(ba)离子。与碱金属络合物和碱土金属络合物的金属离子配位的每个配体可以独立地是羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0288]
例如，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括，例如，化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0289][0290]
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触。
[0291]
电子注入层可以具有i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)具有包含多种不同材料的多个层的多层结构。
[0292]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0293]
碱金属可以是li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以是mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以是sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0294]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以分别是碱金属、碱土金属和稀土金属中的每一种的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其任意组合。
[0295]
含碱金属的化合物可以是碱金属氧化物(例如li2o、cs2o或k2o)、碱金属卤化物(例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x是满足0《x《1的实数)或ba
x
ca
1-x
o(其中x是满足0《x《1的实数)。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在一些实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3、lu2te3等。
[0296]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含：i)以上描述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)结合至金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0297]
电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一些实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0298]
在一些实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在一些实施方案中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0299]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0300]
电子注入层的厚度可以是约至约并且在一些实施方案中，约至约当电子注入层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可以获得优异的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0301]
第二电极150
[0302]
第二电极150可以在中间层130上。在实施方案中，第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极。在该实施方案中，用于形成第二电极150的材料可以是具有低功函的材料，例如金属、合金、导电化合物或其任意组合。
[0303]
第二电极150可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150
可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
[0304]
第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。
[0305]
覆盖层
[0306]
第一覆盖层可以位于第一电极110的外表面上，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150的外表面上。在一些实施方案中，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按此规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序依次堆叠的结构。
[0307]
在发光装置10中，从中间层130中的发射层发射的光可以传递通过第一电极110(其可以是半透射电极或透射电极)并且通过第一覆盖层至外部。在发光装置10中，从中间层130中的发射层发射的光可以传递通过第二电极150(其可以是半透射电极或透射电极)并且通过第二覆盖层至外部。
[0308]
第一覆盖层和第二覆盖层可以基于相长干涉的原理来改善外部发光效率。因此，可以增加发光装置10的光学提取效率，因此改善发光装置10的发光效率。
[0309]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自包含具有1.6或大于1.6的折射率(在589nm处)的材料。
[0310]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。
[0311]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。在一些实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0312]
在一些实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0313]
在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β-npb或其任意组合。
[0314][0315]
电子设备
[0316]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。在一些实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备或验证设备。
[0317]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括i)滤色器、ii)颜色转换层、或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以设置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。可以通过参考本文提供的描述来理解发光装置。在一些实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是，例如，本文描述的量子点。
[0318]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0319]
像素限定膜可以位于多个子像素区域之间以限定每一个子像素区域。
[0320]
滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的光阻挡图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和在多个颜色转换区域之间的光阻挡图案。
[0321]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括：发射第一颜色光的第一区域；发射第二颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一颜色光可以
是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在一些实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以各自包含量子点。在一些实施方案中，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。可以通过参考本文提供的量子点的描述来理解量子点。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含发射体。
[0322]
在一些实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射1-1颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射2-1颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射3-1颜色光。在该实施方案中，1-1颜色光、2-1颜色光和3-1颜色光可以各自具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一光可以是蓝色光，1-1颜色光可以是红色光，2-1颜色光可以是绿色光，并且3-1颜色光可以是蓝色光。
[0323]
除了发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的一个。
[0324]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0325]
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体和氧化物半导体。
[0326]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的封装单元。封装单元可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。封装单元可以允许光从发光装置传递至外部，并且防止空气和湿气渗入发光装置。封装单元可以是包括透明玻璃或塑料衬底的密封衬底。封装单元可以是包括有机层和/或无机层中的至少一种的薄膜封装层。当封装单元是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0327]
除了滤色器和/或颜色转换层之外，取决于电子设备的用途，可以在封装单元上设置各种功能层。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是电阻触摸屏层、电容触摸屏层或红外光束触摸屏层。验证设备可以是，例如，根据生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)识别个体的生物测量验证设备。
[0328]
除了以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集单元。
[0329]
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、手机、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录仪、超声诊断装置、内窥镜显示装置)、探鱼仪、各种测量装置、仪表(例如，车辆、飞机、船舶的仪表)或投影仪。
[0330]
图2和图3的描述
[0331]
图2是根据示例性实施方案的发光设备的示意性横截面视图。
[0332]
图2中的发光设备可以包括衬底100、薄膜晶体管、发光装置和密封发光装置的封装单元300。
[0333]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以在衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透通过衬底100，并且在衬底100上提供平坦表面。
[0334]
薄膜晶体管可以在缓冲层210上。薄膜晶体管可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0335]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，
并且包括源区域、漏区域和沟道区域。
[0336]
用于绝缘有源层220和栅电极240的栅绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅电极240可以在栅绝缘膜230上。
[0337]
中间层绝缘膜250可以在栅电极240上。中间层绝缘膜250可以在栅电极240与源电极260之间以及在栅电极240与漏电极270之间以在其间提供绝缘。
[0338]
源电极260和漏电极270可以在中间层绝缘膜250上。可以形成中间层绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区域和漏区域，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的暴露的源区域和暴露的漏区域相邻。
[0339]
此类薄膜晶体管可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置可以在钝化层280上。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0340]
第一电极110可以在钝化层280上。钝化层280可以不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的特定区域，并且第一电极110可以设置成连接至暴露的漏电极270。
[0341]
像素限定膜290可以在第一电极110上。像素限定膜290可以暴露第一电极110的特定区域，并且中间层130可以形成在暴露的区域中。像素限定膜290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酰基有机膜。尽管图2中未示出，但中间层130的一些较高层可以延伸至像素限定膜290的上部，并且可以以公共层的形式设置。
[0342]
第二电极150可以在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0343]
封装单元300可以在覆盖层170上。封装单元300可以在发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装单元300可以包括：包含硅氮化物(sinx)、硅氧化物(siox)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合的无机膜；包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其任意组合的有机膜；或者无机膜和有机膜的组合。
[0344]
图3是根据示例性实施方案的另一个发光设备的示意性横截面视图。
[0345]
图3中示出的发光设备可以与图2中示出的发光设备基本上相同，但遮光图案500和功能区域400额外地位于封装单元300上。功能区域400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一些实施方案中，包括在发光设备中的图3中示出的发光装置可以是串联发光装置。
[0346]
制造方法
[0347]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可以通过使用一种或多于一种的适合的方法(例如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像)形成在特定的区中。
[0348]
当通过真空沉积各自形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在各个层中的材料以及待形成的各个层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、以约10-8
托至约10-3
托的真空压力和以约至约的沉积速率进行真空沉积。
[0349]
当通过旋涂各自形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在各个层中的材料以及待形成的各个层的结构，可以以约2,000转每分钟(rpm)至约5,000rpm的涂覆速率和以约80℃至约200℃的热处理温度进行旋涂。
[0350]
取代基的一般定义
[0351]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳原子和氢原子组成并且具有3个至60个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)的环状基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指除了除碳原子以外的杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)之外具有1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中稠合至少两个环的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团中的成环原子数可以是3至60。
[0352]
如本文使用的术语“环状基团”可以包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0353]
术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有3个至60个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)并且不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团。如本文使用的术语“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指具有1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)以及*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0354]
在一些实施方案中，
[0355]c3-c
60
碳环基团可以是i)t1基团或者ii)其中稠合至少两个t1基团的基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0356]c1-c
60
杂环基团可以是i)t2基团，ii)其中稠合至少两个t2基团的基团，或者iii)其中至少一个t2基团与至少一个t1基团稠合的基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0357]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是i)t1基团，ii)其中稠合至少两个t1基团的稠合基团，iii)t3基团，iv)其中稠合至少两个t3基团的稠合基团，或者v)其中至少一个t3基团
与至少一个t1基团稠合的稠合基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，以及
[0358]
含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团可以是i)t4基团，ii)其中稠合至少两个t4基团的基团，iii)其中至少一个t4基团与至少一个t1基团稠合的基团，iv)其中至少一个t4基团与至少一个t3基团稠合的基团，或者v)其中稠合至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团的基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团，苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0359]
其中t1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0360]
t2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，
[0361]
t3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0362]
t4基团可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0363]
取决于应用术语的式的结构，如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”可以是与任何适合的环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，并且取决于包括“苯基团”的式的结构，这可以被本领域普通技术人员理解。
[0364]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二
价c
1-c
60
杂环基团的实例可以包括c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0365]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”是指具有1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至20个或1个至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”是指具有与c
1-c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0366]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团(例如2个至30个、2个至20个或2个至10个碳原子)。其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”是指具有与c
2-c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0367]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团(例如2个至30个、2个至20个或2个至10个碳原子)。其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”是指具有与c
2-c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0368]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”是指由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团。其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
[0369]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”是指包含3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。如本文使用的c
3-c
10
环烷基基团的实例包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基(双环[2.2.1]庚基)基团、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团或双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”是指具有与c
3-c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0370]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”是指包含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团。其实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0371]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且非芳香性的单价环状基团。其实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”是指具有与c
3-c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0372]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”是指在其环中包含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基
基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0373]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子(例如6个至30个、6个至24个或6个至18个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子(例如6个至30个、6个至24个或6个至18个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自独立地包含两个或多于两个的环时，各自的环可以接合。
[0374]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”是指具有进一步包含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)和1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”是指具有进一步包含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)和1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自独立地包含两个或多于两个的环时，各自的环可以接合。
[0375]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有稠合的两个或多于两个的环并且仅具有碳原子作为成环原子(例如，8个至60个碳原子，如8个至30个、8个至24个或8个至18个碳原子)的单价基团，其中整个分子结构是非芳香性的。单价非芳香族稠合多环基团的实例包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。
[0376]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有两个或多于两个的稠合环并且具有除了碳原子(例如，1个至60个碳原子，如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子)作为成环原子的单价基团，其中整个分子结构是非芳香性的。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并
噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。
[0377]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”由-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)表示。如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”由-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)表示。
[0378]
如本文使用的术语“r
10a”可以是：
[0379]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0380]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0381]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0382]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0383]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团或联苯基基团取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0384]
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例可以包括o、s、n、p、si、b、ge、se、te或其任意组合。
[0385]
本文使用的“ph”表示苯基基团，本文使用的“me”表示甲基基团，本文使用的“et”表示乙基基团，本文使用的“tert-bu”或“bu
t”表示叔丁基基团，并且本文使用“ome”表示甲氧基基团。
[0386]
如本文使用的术语“联苯基基团”是指被至少一个苯基基团取代的苯基基团。“联苯基基团”属于具有“c
6-c
60
芳基基团”作为取代基的“取代的苯基基团”。
[0387]
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指被至少一个联苯基基团取代的苯基基团。“三联苯基基团”属于具有“被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团”作为取代基的“取代的苯基基团”。
[0388]
除非另外定义，如本文使用的符号*和*'是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
[0389]
在下文，将参考合成例和实施例更详细地描述根据一个或多于一个的实施方案的化合物和发光装置。用于描述合成例的措辞“使用b代替a”意指使用的b的量与使用的a的量在摩尔当量方面是相同的。
[0390]
实施例
[0391]
(1)磷光掺杂剂p26的合成
[0392]
1)合成方法1
[0393]
将0.84g(1.0mmol)的l1和0.5mmol的ag2o悬浮在1,2-二氯乙烷中。在室温下搅拌反应混合物20小时之后，从其中去除溶剂，并且将1.1mmol的pt(cod)cl2和1,2-二氯苯添加至其中，随后在190℃的温度下搅拌3天。一旦反应完成，允许混合物冷却至室温。然后，将100ml的蒸馏水添加至其中，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。将萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液洗涤，随后用硫酸钠干燥。将从其中去除溶剂的残余物通过柱色谱法分离，从而获得化合物pd26。(产率：12％)
[0394][0395]
磷光掺杂剂的纯化
[0396]
a)将pd26通过柱色谱法纯化并且经受升华。然后，通过电感耦合等离子体(icp-ms)分析，获得1.3ppm的f、42.9ppm的cl和0.0ppm的br的结果。(pd26-a)
[0397]
b)将1.0mmol的pd26-a、5.0当量的ag2o、5.0当量的etoh和10ml的1,2-二氯乙烷一起搅拌4小时，并且然后，在通过柱色谱法和升华而纯化之后，确定包含在掺杂剂中的杂质的量。作为icp-ms分析的结果，获得0.8ppm的f、25.1ppm的cl和0.0ppm的br的结果。(pd26-b)
[0398]
2)合成方法2
[0399]
以与合成方法1中基本上相同的方式获得所需化合物，但使用l2代替l1。(产率：17％)
[0400][0401]
磷光掺杂剂的纯化
[0402]
c)将通过柱色谱法分离的1.0mmol的pd26，5.0当量的ag2o、5.0当量的etoh和10ml的四氢呋喃(thf)一起搅拌4小时，并且然后，在通过柱色谱法和升华而纯化之后，确定包含
在掺杂剂中的杂质的量。作为icp-ms分析的结果，获得0.9ppm的f、9.8ppm的cl和0.0ppm的br的结果。(pd26-c)
[0403]
3)合成方法3
[0404]
将0.84g(1.0mmol)的l3、1.1mmol的pt(cod)cl2、2.0mmol的naoac和10ml的1,4-二氧六环一起添加，随后在120℃的温度下搅拌4天，从而制备化合物pd26。(产率：60％)
[0405][0406]
磷光掺杂剂的纯化
[0407]
a)将pd26通过柱色谱法和升华而纯化，并且作为icp-ms分析的结果，获得3.7ppm的f、15.7ppm的cl和0.0ppm的br。(pd26-d)
[0408]
d)将1.0mmol的pd26-d、5.0当量的ag2o、5.0当量的etoh和20ml的甲苯一起搅拌4小时，并且然后，在通过柱色谱法和升华而纯化之后，确定包含在掺杂剂中的杂质的量。作为icp-ms分析的结果，获得1.1ppm的f、6.1ppm的cl和0.0ppm的br的结果。(pd26-e)4)合成方法4
[0409]
以与合成方法1中基本上相同的方式获得所需化合物，但使用l3代替l1。(产率：27％)
[0410]
磷光掺杂剂的纯化
[0411]
d)将通过柱色谱法分离的1.0mmol的pd26、5.0当量的ag2o、5.0当量的etoh和20ml的甲苯一起搅拌4小时，并且然后，在通过柱色谱法和升华而纯化之后，确定包含在掺杂剂中的杂质的量。作为icp-ms分析的结果，获得2.1ppm的f、7.7ppm的cl和0.0ppm的br的结果。(pd26-f)。
[0412]
表1中显示对使用相关领域中的纯化方法(a)和根据一个或多于一个的实施方案的方法(b至d)纯化的磷光掺杂剂pd26的icp-ms分析结果。
[0413]
表1
[0414]
[0415]
参考表1中显示的结果，发现与根据相关领域中的纯化方法(a)纯化的磷光掺杂剂相比，根据根据一个或多于一个的实施方案的方法(b至d)纯化的磷光掺杂剂具有小于40ppm的低的总卤离子量。特别地，在方法(d)的情况下，总卤离子量小于10ppm，这得到显著改善。(2)磷光掺杂剂p27的合成
[0416]
以与合成方法3中基本上相同的方式获得所需化合物，但使用l4代替l3。(产率：32％)
[0417][0418]
磷光掺杂剂的纯化
[0419]
a)将pd27通过柱色谱法和升华分离，并且作为icp-ms分析的结果，获得2.3ppm的f、20.1ppm的cl和0.0ppm的br。(pd27-a)
[0420]
d)将1.0mmol的pd27-a、5.0当量的ag2o、5.0当量的etoh和20ml的甲苯一起搅拌4小时，并且然后，在使用通过柱色谱法和升华的纯化之后，确定包含在掺杂剂中的杂质的量。作为icp-ms分析的结果，获得1.3ppm的f、5.2ppm的cl和0.0ppm的br的结果。
[0421]
(pd27-b)
[0422]
(2)磷光掺杂剂pd28的合成
[0423]
以与合成方法3中基本上相同的方式获得所需化合物，但使用l5代替l3。(产率：28％)
[0424][0425]
磷光掺杂剂的纯化
[0426]
a)将pd28通过柱色谱法和升华分离，并且作为icp-ms分析的结果，获得2.7ppm的f、31.5ppm的cl和0.0ppm的br(pd28-a)。
[0427]
d)将1.0mmol的pd28-a、5.0当量的ag2o、5.0当量的etoh和20ml的甲苯一起搅拌4小时，并且然后，在通过柱色谱法和升华而纯化之后，确定包含在掺杂剂中的杂质的量。作为icp-ms分析的结果，获得1.9ppm的f、7.1ppm的cl和0.0ppm的br的结果(pd28-b)。
[0428]
表2中显示对使用相关领域中的纯化方法(a)和根据一个或多于一个的实施方案的方法(d)纯化的磷光掺杂剂pd27和pd28的icp-ms分析结果。
[0429]
表2
[0430][0431]
参考表2中显示的结果，发现与根据相关领域中的纯化方法(a)纯化的磷光掺杂剂相比，根据根据一个或多于一个的实施方案的方法(d)纯化的磷光掺杂剂具有显著低的总卤离子量。
[0432]
发光装置的制造
[0433]
比较例1
[0434]
将康宁(corning)15欧姆每平方厘米(ω/cm2)ito玻璃衬底切割成50毫米(mm)
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，在异丙醇和纯水中在每种溶剂中超声处理5分钟，并且通过暴露于具有臭氧的紫外线来清洁，以使用玻璃衬底作为阳极。然后，将玻璃衬底安装至真空沉积设备。
[0435]
将2-tnata真空沉积在玻璃衬底上以形成具有的厚度的空穴注入层。然后，将作为空穴传输化合物的4,4'-双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(在下文称为“npb”)真空沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层。
[0436]
将作为磷光掺杂剂(10％)的化合物pd26-a和以3:7的重量比的作为混合主体的eth66:hth29共沉积在空穴传输层上，以形成具有eth66:hth29共沉积在空穴传输层上，以形成具有的厚度的蓝色荧光发射层。
[0437]
随后，将eth2以的厚度真空沉积以形成空穴阻挡层。随后，将alq3沉积在空穴阻挡层上，以形成具有的厚度的电子传输层。随后，将作为卤代碱金属的lif沉积在电子传输层上，以形成具有的厚度的电子注入层。最后，将al真空沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，以形成lif/al电极，从而完成有机发光装置的制造。
[0438][0439]
实施例1
[0440]
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用pd26-b代替pd26-a作为形成发射层中的掺杂剂。
[0441]
实施例2
[0442]
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用pd26-c代替pd26-a作为形成发射层中的掺杂剂。
[0443]
实施例3
[0444]
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用pd26-e代替pd26-a作为形成发射层中的掺杂剂。
[0445]
比较例2
[0446]
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用pd27-a代替pd26-a作为形成发射层中的掺杂剂。
[0447]
实施例4
[0448]
以与比较例2中基本上相同的方式制造发光装置，但使用pd27-b代替pd27-a作为形成发射层中的掺杂剂。
[0449]
比较例3
[0450]
以与比较例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用pd28-a代替pd26-a作为形成发射层中的掺杂剂。
[0451]
实施例5
[0452]
以与比较例3中基本上相同的方式制造发光装置，但使用pd28-b代替pd28-a作为形成发射层中的掺杂剂。
[0453]
为了评估在比较例1、比较例2和比较例3以及实施例1至实施例5中制造的发光装置的特性，在10ma/cm2的电流密度下测量发光装置的驱动电压、效率和使用寿命。
[0454]
使用源表(吉时利仪器(keithley instrument)，2400系列)测量发光装置的驱动电压和电流密度。使用滨松绝对pl测量系统c9920-2-12测量发光装置的效率。
[0455]
表3
[0456][0457]
如表3中显示，与比较例1至比较例3的发光装置相比，发现实施例1至实施例5的发光装置具有显著改善的使用寿命。
[0458]
如根据上文描述显而易见的，通过根据本发明的纯化磷光掺杂剂的方法，可以将作为杂质保留在磷光掺杂剂中的卤离子减少至小于40ppm，例如小于10ppm，并且包含此类纯化的磷光掺杂剂的发光装置可以具有显著改善的使用寿命。
[0459]
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求限定的主旨和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节的各种改变。