一种铟箔片表面处理方法与流程

1.本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种铟箔片表面处理方法。


背景技术：

2.在半导体产业中，较为高端的处理器往往具有较大功耗，相对的对处理器的散热性能也提出了更高的要求。与传统硅脂材料相比较，金属铟因为其优良的导热能力及特殊的物理特性使其具有很好地散热性能，因此金属材料(铟、铟合金)是目前业界散热性能最好的材料。作为封装材料时，金属铟及铟合金常常以铟箔片的形式存在，现有技术大多只关注铟箔片的制作而忽视了铟箔片的维护，实际操作时需要对铟箔片的表面进行处理以使其具有良好的导热性能。


技术实现要素：

3.为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种铟箔片表面处理方法，其具有易于操作、工艺流程短、对封装材料的处理效果出色等优点。
4.基于此，本发明提供了一种铟箔片表面处理方法，其包括以下步骤：
5.步骤一：设置一个用于盛装稀硝酸溶液的盛酸容器和多个用于盛装纯水的盛水容器，向盛酸容器中倒入稀硝酸溶液，向称盛水容器中倒入纯水；
6.步骤二：夹持待处理的铟箔片，将铟箔片投入盛酸容器中酸洗；
7.步骤三：将铟箔片从稀硝酸溶液中取出并将其投入第一盛水容器中，对铟箔片进行一次水洗；
8.步骤四：将铟箔片从纯水中取出并将其投入第二盛水容器中，对铟箔片进行二次水洗；
9.步骤五：将铟箔片放置于无尘纸上，向铟箔片的表面滴洒异丙醇，擦拭铟箔片表面的生成物；
10.步骤六；将铟箔片投入第三盛水容器中，对铟箔片进行三次水洗；
11.步骤七：将铟箔片从纯水中取出，对铟箔片进行干燥去除铟箔片表面的水渍；
12.步骤八：将铟箔片放置于大理石平台上，剪切铟箔片；
13.步骤九：将剪切完成的铟箔片真空打包。
14.本技术的一些实施例中，所述步骤一中，所述稀硝酸溶液的浓度为3％-10％。
15.本技术的一些实施例中，所述步骤一中，铟箔片在稀硝酸溶液中的酸洗时间为5-30分钟。
16.本技术的一些实施例中，所述步骤一中，所述盛水容器设有三个以上。
17.本技术的一些实施例中，所述步骤二中，通过设置配重块将铟箔片压入稀硝酸溶液中。
18.本技术的一些实施例中，所述步骤三和所述步骤四中，还包括设置电导率测量仪测量清洗过铟箔片的所述盛水容器内的纯水的电导率。
19.本技术的一些实施例中，所述步骤七中，采用压缩空气吹干铟箔片。
20.本发明实施例提供了一种铟箔片表面处理方法，与现有技术相比，其有益效果在于：
21.本发明提供了一种铟箔片表面处理方法，通过稀硝酸溶液对铟箔片表面的污渍进行清洗，基于稀硝酸溶液的化学性质，其能够有效去除铟箔片表面的污渍且不与铟箔片发生较多的反应进而影响铟箔片本身的质量；为了避免铟箔片表面残留的酸液对封装造成影响，采用多个盛水容器盛装纯水等铟箔片进行清洗，确保没有酸液残留；同时稀硝酸溶液仍然会与暴露的铟箔片发生一定的反应，本技术通过滴洒异丙醇并慢慢擦拭铟箔片表面去除铟箔片与稀硝酸的反应生成物，还可以同时擦拭掉清洗过程中产生的微小褶皱，使其表面恢复光泽；随后的封装过程中使用表面清洗后的铟箔片可以避免因为铟箔片本身携带的杂质导致封装失效，能够提高封装效率，也保证了铟箔片的导热能力。
附图说明
22.图1为本发明实施例的铟箔片表面处理方法的操作步骤示意图。
23.具体实施方法
24.下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方法作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
25.应当理解的是，本发明中采用术语“前”、“后”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语，这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区别开。例如，在不脱离本发明范围的情况下“前”信息也可以被称为“后”信息，“后”信息也可以被称为“前”信息。
26.如图1所示，本发明实施例提供了一种铟箔片表面处理方法，其包括以下步骤：步骤一，设置一个用于盛装稀硝酸溶液的盛酸容器和多个用于盛装纯水的盛水容器，向盛酸容器中倒入稀硝酸溶液，向称盛水容器中倒入纯水；步骤二，夹持待处理的铟箔片，将铟箔片投入盛酸容器中酸洗；步骤三，将铟箔片从稀硝酸溶液中取出并将其投入第一盛水容器中，对铟箔片进行一次水洗；步骤四，将铟箔片从纯水中取出并将其投入第二盛水容器中，对铟箔片进行二次水洗；步骤五，将铟箔片放置于无尘纸上，向铟箔片的表面滴洒异丙醇，擦拭铟箔片表面的生成物；步骤六，将铟箔片投入第三盛水容器中，对铟箔片进行三次水洗；步骤七，将铟箔片从纯水中取出，对铟箔片进行干燥去除铟箔片表面的水渍；步骤八，将铟箔片放置于大理石平台上，剪切铟箔片；步骤九，将剪切完成的铟箔片真空打包。
27.基于上述技术特征，通过稀硝酸溶液对铟箔片表面的污渍进行清洗，基于稀硝酸溶液的化学性质，其能够有效去除铟箔片表面的污渍且不与铟箔片发生较多的反应进而影响铟箔片本身的质量；为了避免铟箔片表面残留的酸液对封装造成影响，采用多个盛水容器盛装纯水等铟箔片进行清洗，确保没有酸液残留；同时稀硝酸溶液仍然会与暴露的铟箔片发生一定的反应，本技术通过滴洒异丙醇并慢慢擦拭铟箔片表面去除铟箔片与稀硝酸的反应生成物，还可以同时擦拭掉清洗过程中产生的微小褶皱，使其表面恢复光泽；随后的封装过程中使用表面清洗后的铟箔片可以避免因为铟箔片本身携带的杂质导致封装失效，能够提高封装效率，也保证了铟箔片的导热能力。
28.具体的，为了保证对铟箔片表面污渍的去除效果，同时避免铟箔片与稀硝酸溶液发生过度反应，在步骤一中，稀硝酸溶液的浓度为3％-10％(质量比)，铟箔片在稀硝酸溶液
中的酸洗时间为5-30分钟。显然，稀硝酸的溶液浓度越低，铟箔片所需的酸洗时间则越久，铟箔片在稀硝酸溶液中的酸洗时间与稀硝酸溶液的浓度呈反比，具体的，在本技术其中一实施例中，配制3％的稀硝酸溶液对铟箔片进行酸洗，酸洗时间为30分钟，在本技术另外一实施例中，配制10％的稀硝酸溶液对铟箔片进行酸洗，酸洗时间为5分钟。
29.进一步的，对于本技术中的铟箔片而言，按上述步骤所言，盛水容器需设有三个，铟箔片在第一盛水容器和第二盛水容器中清洗表面残留的稀硝酸，在第三盛水容器中清洗表面残留的异丙醇。但是需要注意的是，在实际操作中，仅经过两次清洗并不能保证完全清除铟箔片表面残留的稀硝酸，同样的，仅经过单次清洗也无法保证完成清除铟箔片表面残留的异丙醇。因此，实际使用时盛水容器也可以设有三个以上，大量设置的盛水容器能够保证铟箔片完成多次清洗，确保铟箔片表面残留的稀硝酸及异丙醇满足检测要求，避免其对封装造成影响，保证封装效果。
30.进一步的，既然选择通过纯水对铟箔片进行清洗，那么必然需要设置相应的方法对铟箔片的清洁程度进行检测，避免因反复多次的清洗造成时间和材料的浪费，也不利于提升生产效率。因此，在步骤三和步骤四中，还包括设置电导率测量仪测量盛水容器内的纯水电导率。电导率测量仪能够对盛水容器内的纯水电导率进行测量，经过酸洗的纯水中溶解有硝酸，与不导电的纯水相比具有一定的导电能力，通过测量清洗过铟箔片的纯水的电导率变化即可得知纯水内的硝酸含量，进而确认铟箔片表面的硝酸残留情况，如果电导率变化大，则可以重新换取新鲜的纯水继续清洗铟箔片，如果电导率变化小，则可以确认铟箔片表面残留的硝酸已清洗的较为彻底。如此，电导率的数值变化能够更为快速直观的体现铟箔片表面的硝酸残留情况，测量效果出色，操作人员的使用体验好。
31.可选的，由于部分铟箔片的表面积较大，对这些铟箔片进行酸洗时很难使其完全浸润在硝酸溶液中，因此为了保证铟箔片的酸洗效果，在步骤二中，通过设置配重块将铟箔片压入稀硝酸溶液中，酸洗时首先选择用镊子将铟箔片放置于溶液表面再选择用专用的工具如配重块等将铟箔片压入至溶液中，保证酸洗效果，同时镊子的使用不会对铟箔片造成划伤，保证铟箔片的完整。
32.另外，对于步骤七中对铟箔片干燥去除铟箔片表面水渍部分，具体到实际操作时可以通过多种方法来实现对铟箔片的干燥，如加热等，具体到本实施例中，采用压缩空气吹干铟箔片，避免了高温对铟箔片的影响，干燥方法简单可靠、易于实施，操作效果好。
33.综上所述，本发明提供了一种铟箔片表面处理方法，其包括以下步骤，步骤一：设置一个盛酸容器和多个盛水容器；步骤二：将铟箔片投入盛酸容器中酸洗；步骤三：将铟箔片投入第一盛水容器中水洗；步骤四：将铟箔片投入第二盛水容器中水洗；步骤五：向铟箔片的表面滴洒异丙醇，擦拭铟箔片表面的生成物；步骤六；将铟箔片投入第三盛水容器中水洗；步骤七：对铟箔片进行干燥；步骤八：剪切铟箔片；步骤九：真空打包铟箔片。与现有技术相比，表面清洗后的铟箔片在封装过程中能够避免因铟箔片本身的杂质导致封装失效，提高封装效率，也保证了铟箔片的导热能力。该铟箔片表面处理方法简单可靠、清洗效果好。
34.以上所述仅是本发明的优选实施方法，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。