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一种铟箔片表面处理方法与流程

2022-02-20 00:35:30 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种铟箔片表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:设置一个用于盛装稀硝酸溶液的盛酸容器和多个用于盛装纯水的盛水容器,向盛酸容器中倒入稀硝酸溶液,向称盛水容器中倒入纯水;步骤二:夹持待处理的铟箔片,将铟箔片投入盛酸容器中酸洗;步骤三:将铟箔片从稀硝酸溶液中取出并将其投入第一盛水容器中,对铟箔片进行一次水洗;步骤四:将铟箔片从纯水中取出并将其投入第二盛水容器中,对铟箔片进行二次水洗;步骤五:将铟箔片放置于无尘纸上,向铟箔片的表面滴洒异丙醇,擦拭铟箔片表面的生成物;步骤六;将铟箔片投入第三盛水容器中,对铟箔片进行三次水洗;步骤七:将铟箔片从纯水中取出,对铟箔片进行干燥去除铟箔片表面的水渍;步骤八:将铟箔片放置于大理石平台上,剪切铟箔片;步骤九:将剪切完成的铟箔片真空打包。2.根据权利要求1所述的铟箔片表面处理方法,其特征在于,所述步骤一中,所述稀硝酸溶液的浓度为3%-10%。3.根据权利要求1所述的铟箔片表面处理方法,其特征在于,所述步骤一中,铟箔片在稀硝酸溶液中的酸洗时间为5-30分钟。4.根据权利要求1所述的铟箔片表面处理方法,其特征在于,所述步骤一中,所述盛水容器设有三个以上。5.根据权利要求1所述的铟箔片表面处理方法,其特征在于,所述步骤二中,通过设置配重块将铟箔片压入稀硝酸溶液中。6.根据权利要求1所述的铟箔片表面处理方法,其特征在于,所述步骤三和所述步骤四中,还包括设置电导率测量仪测量清洗过铟箔片的所述盛水容器内的纯水的电导率。7.根据权利要求1所述的铟箔片表面处理方法,其特征在于,所述步骤七中,采用压缩空气吹干铟箔片。

技术总结
本发明涉及半导体封装技术领域,公开了一种铟箔片表面处理方法,其包括以下步骤,步骤一:设置一个盛酸容器和多个盛水容器;步骤二:将铟箔片投入盛酸容器中酸洗;步骤三:将铟箔片投入第一盛水容器中水洗;步骤四:将铟箔片投入第二盛水容器中水洗;步骤五:向铟箔片的表面滴洒异丙醇,擦拭铟箔片表面的生成物;步骤六;将铟箔片投入第三盛水容器中水洗;步骤七:对铟箔片进行干燥;步骤八:剪切铟箔片;步骤九:真空打包铟箔片。与现有技术相比,表面清洗后的铟箔片在封装过程中能够避免因铟箔片本身的杂质导致封装失效,提高封装效率,也保证了铟箔片的导热能力。该铟箔片表面处理方法简单可靠、清洗效果好。清洗效果好。清洗效果好。


技术研发人员:岳晓聪 黄宇彬 许廷勇 梁振耀 童培云
受保护的技术使用者:先导薄膜材料有限公司
技术研发日:2021.09.14
技术公布日:2022/1/6
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