测量图案均匀性的装置和方法以及制造掩模的方法与流程

测量图案均匀性的装置和方法以及制造掩模的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月7日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0083673号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。
技术领域
3.本发明构思涉及测量装置和测量方法，具体地，涉及基于光瞳(pupil)图像的测量装置和测量方法。


背景技术：

4.最近，在半导体制造工艺中，设计规则不断缩小，因此图案的尺寸逐渐减小。此外，就用于测量晶片(wafer)或掩模(mask)的图案的测量装置而言，可能出现由减小的图案尺寸引起的分辨率问题，并且测量的准确度可能降低。为了解决这些问题，不断研究和开发提高光学分辨率的方法。增强光学分辨率的方法包括实现短波长的方法和实现高数值孔径(numerical aperture，na)的方法。因为光量可能不足，所以实现短波长的方法可能有局限性。此外，实现高na的方法在增加物镜(objective lens)尺寸方面可能具有物理限制。


技术实现要素：

5.本发明构思提供了测量图案均匀性(pattern uniformity)的装置和方法(该装置和方法可以准确地测量测量目标的阵列区域中的图案的均匀性)以及通过使用该测量方法制造掩模的方法。
6.根据本发明构思的方面，提供了用于基于光瞳图像来测量图案均匀性的装置，该装置包括被配置为生成并输出光的光源、被配置为支撑测量目标的平台、被配置为将从光源输出的光传送(transfer)到在平台上支撑的测量目标的光学系统、以及被配置为检测由测量目标反射并衍射的光或者检测通过穿过测量目标而衍射的光的第一检测器，其中第一检测器被配置为检测光瞳平面(pupil plane)的光瞳图像，并且基于光瞳图像的零阶(zero-order)光和一阶(1
st-order)光中的至少一个的强度来测量测量目标的阵列区域的图案均匀性。
7.根据本发明构思的另一方面，提供了用于基于光瞳图像来测量图案均匀性的装置，该装置包括被配置为生成并输出光的光源、被配置为支撑掩模的平台、包括被配置为将光分成第一光和第二光的分束器(beam splitter)的光学系统、被配置为检测在第一光被掩模反射并衍射之后的第一光或者检测在第一光通过穿过掩模而衍射之后的第一光的第一检测器、以及被配置为检测第二光的第二检测器，该光学系统被配置为将第一光传送到掩模，其中第一检测器和第二检测器中的每一个被配置为检测光瞳平面的光瞳图像，并且第一检测器被配置为基于光瞳图像的零阶光和一阶光中的至少一个的强度来测量掩模的阵列区域的图案均匀性。
8.根据本发明构思的另一方面，提供了基于光瞳图像来测量图案均匀性的方法，该
方法包括：通过使用光源生成并输出光，通过使用光学系统将来自光源的光传送到设置在平台上的测量目标，通过使用第一检测器检测由测量目标反射并衍射的光或通过穿过测量目标而衍射的光，以及基于由第一检测器检测到的光来测量测量目标的阵列区域的图案均匀性，其中对光的检测包括通过使用第一检测器来检测光瞳平面的光瞳图像，并且对图案均匀性的测量包括基于光瞳图像的零阶光和一阶光中的至少一个的强度来测量图案均匀性。
9.根据本发明构思的另一方面，提供了制造掩模的方法，该方法包括制备具有阵列区域的掩模，通过使用光源生成并输出光，通过使用光学系统将来自光源的光传送到设置在平台上的掩模，通过使用第一检测器检测由掩模反射并衍射的光或通过穿过掩模而衍射的光，以及基于由第一检测器检测到的光来测量阵列区域的图案均匀性，其中光的检测包括通过使用第一检测器来检测光瞳平面的光瞳图像，并且基于光瞳图像的零阶光和一阶光中的至少一个的强度来执行图案均匀性的测量。
附图说明
10.从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明构思的实施例，其中：
11.图1是根据实施例的用于基于光瞳图像来测量图案均匀性的测量装置的框图；
12.图2是更详细地示出图1的测量装置中的照明形成系统(illumination formation system，ifs)的框图；
13.图3a和图3b是用于描述图案的间距和图案中衍射光(diffracted light)的衍射角(diffraction angle)之间的关系的概念图；
14.图4a和图4b是示出第一检测器的单次拍摄(one shot)中包括的阵列区域的形状的概念图；
15.图5a是示出与图4a的阵列区域的形状相对应的光瞳平面的图像(即，光瞳图像)的照片，并且图5b是示出与图4b的阵列区域的形状相对应的光瞳平面的图像(即，光瞳图像)的照片；
16.图6a和图6b是分别示出图5a和5b的光瞳图像的强度的图；
17.图7是用于描述通过使用图1的测量装置来确定图案均匀性的方法的图；
18.图8a和图8b是用于描述通过使用图1的测量装置的第二检测器来校正/补偿光波动的方法的照片；
19.图9和图10是根据实施例的用于基于光瞳图像来测量图案均匀性的测量装置的框图；
20.图11a至图11d是简单示出根据实施例的基于光瞳图像来测量图案均匀性的测量方法的流程图；以及
21.图12是简单示出根据实施例的通过使用图11a的测量方法来制造掩模的方法的流程图。
具体实施方式
22.在下文中，将参考附图详细描述实施例。相同的附图标记指代相同的元件，并且省略了它们的重复描述。
23.图1是根据实施例的用于基于光瞳图像来测量图案均匀性的装置1000的框图。
24.参考图1，根据实施例的基于光瞳图像来测量图案均匀性的装置1000(下文称为测量装置)可以是用于测量测量目标2000的阵列区域中的图案的均匀性的装置。根据实施例的测量装置1000可以包括光源100、光学系统200、平台300、检测单元400和高级照明单元(advanced illumination unit，aiu)500。本公开中的光瞳图像可以是表示衍射光的图像，该衍射光包括衍射光的零阶光和一阶光的信息。光瞳图像可以指基于穿过光圈(aperture)、之后不穿过聚光透镜(例如，聚焦透镜或准直器)的光而形成的图像。
25.光源100可以是生成并输出光l的设备。光源100的光l可以包括激光或者可以是激光。从光源100输出的激光可以包括脉冲激光或者可以是脉冲激光，并且例如可以包括具有大约500赫兹到大约1khz的脉冲宽度的激光或者可以是具有大约500赫兹到大约1khz的脉冲宽度的激光。光源100的光l不限于脉冲激光。此外，脉冲激光的脉冲宽度不限于该数值。例如，根据实施例，光源100的光l可以包括连续波激光器或者可以是连续波激光器。
26.术语诸如“大约”或“近似”可以反映仅以相对小的方式和/或以不显著改变特定元素的操作、功能或结构的方式变化的数量、尺寸、方位或布局。例如，从“大约0.1到大约1”的范围可以包括诸如0.1附近的0％到5％偏差和1附近的0％到5％偏差的范围，特别是如果这种偏差保持与所列范围相同的效果。
27.光源100可以生成并输出具有各种波长的光。例如，光源100可以生成并输出具有大约200nm(诸如248nm(krf)、193nm(arf)或157nm(f2))的波长的光。例如，激光束可以具有150nm和250nm之间的波长。光源100的光l的波长不限于这些波长。例如，光源100可以生成并输出对应于几十纳米的极紫外光(extreme ultraviolet，euv)。
28.光学系统200可以将从光源100输出的光l传送到测量目标2000。光学系统200可以包括照明形成系统(ifs)210、分束器(bs)220、偏振控制模块(polarization control module，pcm)230和高数值孔径(numerical aperture，na)(high na，hna)聚光器240。
29.ifs 210可以包括各种元件，并且ifs 210可以将从光源100输出的光l成形为适当的形状，并且可以将成形的光l传送到分束器220。例如，基于测量目标2000的阵列区域中的图案的尺寸或形状，ifs 210可以将光成形为能够最优地测量图案均匀性的形状，并且可以将成形的光传送到分束器220。将参考图2更详细地描述ifs 210的元件。
30.分束器220可以将从ifs 210输出的光l分成两个光。例如，分束器220可以将从ifs 210输出的光l分成第一光l1和第二光l2。如图1所示，分束器220可以反射来自ifs 210的光l的一部分，以允许第一光l1照射到测量目标2000上，并且可以透射光l的另一部分，以允许第二光l2照射到第二检测器400-2上。
31.pcm 230可以通过使用偏振滤光器来控制第一光l1的偏振状态。例如，通过使用偏振滤光器，pcm 230可以对第一光l1执行偏振(诸如线偏振(linear polarization)、圆偏振(circular polarization)或椭圆偏振(elliptical polarization)来偏振第一光l1。例如，pcm 230可以将第一光l1偏振成具有偏振方向。在一些实施例中，pcm 230可以设置在ifs 210和分束器220之间。在特定实施例中，可以省略pcm 230。
32.hna聚光器240可以包括聚焦光的物镜，并且可以具有1或更高的高na。例如，hna聚光器240可以会聚第一光l1，并且可以将会聚的第一光l1照射到测量目标2000上。根据实施例，可以提供具有小于1的na的中等na(medium na，mna)聚光器。例如，在一些实施例中，测
量装置1000可以包括mna而不是图1的hna。在特定实施例中，hna聚光器240和mna聚光器可以一起提供(例如，沿着第一光l1的光路串联布置)。
33.测量目标2000可以设置在平台300上。平台300可以支撑和固定测量目标2000。根据实施例的测量装置1000可以包括例如透射测量装置或者可以是例如透射测量装置，该透射测量装置测量通过穿过测量目标2000而衍射的光。因此，平台300可以支撑和固定测量目标2000的侧表面和/或边缘部分。平台300可以包括可以三维移动的三维(3d)移动平台或者可以是可以三维移动的三维(3d)移动平台。随着平台300的移动，测量目标2000可以与其一起移动。例如，基于平台300的移动，可以对测量目标2000执行相对于z轴的聚焦或相对于x-y平面的扫描。例如，可以通过对测量目标2000的整个表面的全扫描来检测测量目标2000。这里，z轴可以对应于第一光l1的光轴，并且x-y平面可以对应于垂直于第一光l1的光轴的平面。
34.测量目标2000可以包括其中阵列区域中包括多个重复图案的器件，如掩模或晶片。例如，阵列区域可以包括重复图案的阵列。例如，在根据实施例的测量装置1000中，测量目标2000可以包括其中阵列区域中包括多个重复图案的掩模或者可以是其中阵列区域中包括多个重复图案的掩模。因此，根据实施例的测量装置1000可以包括测量掩模的阵列区域中的图案的均匀性的装置或者可以是测量掩模的阵列区域中的图案的均匀性的装置。
35.检测单元400可以包括第一检测器(dt1)400-1和第二检测器(dt2)400-2。根据实施例，检测单元400可以仅包括第一检测器400-1。
36.第一检测器400-1可以检测当第一光l1通过穿过测量目标2000而衍射时生成的光。例如，第一光l1可以在穿过测量目标2000之后被衍射，并且检测器400-1可以检测衍射光。在根据实施例的测量装置1000中，第一检测器400-1可以检测与衍射光相对应的光瞳平面pp1处的图像(即，光瞳图像)。在图1中，对应于衍射光的光瞳平面pp1由虚线示出。在根据实施例的测量装置1000中，第一检测器400-1可以直接检测光瞳图像，因此，可以不需要用于会聚衍射光的单独的聚光透镜。第一检测器400-1可以包括例如电荷耦合器件(charge-coupled device，ccd)或光电倍增管(photo-multiplier tube，pmt)，或者可以是例如电荷耦合器件(ccd)或光电倍增管(pmt)。第一检测器400-1不限于上述器件。本公开中的光瞳平面可以是对应于如图9和图10所示在其上检测到光强度的光检测器的入射表面的平面。光瞳平面可以指在其处接收光瞳图像的平面。例如，可以在光穿过hna聚光器240之后创建光瞳图像，其中该光可以通过穿过测量目标2000而被衍射。在光瞳平面处(例如，在布置在该平面上的检测器处)(诸如pp1)接收到的图像可以被描述为光瞳图像。
37.如图1所示，穿过测量目标2000的光可以基于测量目标2000的图案被衍射。穿过测量目标2000而衍射的光(即，衍射光dl)可以包括在外围的多个高阶(high-order)光以及在中心的零阶光。在图1中，为了方便，仅示出了零阶光和一阶光。在多个高阶光(例如，一阶光)中，基于测量目标2000的图案的尺寸或间距而衍射的角度(即，衍射角)可以变化(参见图3a的θd1)。下面将参考图3a和图3b更详细地描述一个示例，其中一阶光的衍射角基于图案的尺寸或间距而变化。
38.在根据实施例的测量装置1000中，第一检测器400-1可以在垂直于衍射光dl的光轴的水平面上移动。第一检测器400-1可以移动，因此，当一阶或更高阶光中的每一个的衍射角大时，第一检测器400-1可以移动以充分检测测量目标2000的阵列区域的光瞳图像。
39.在根据实施例的测量装置1000中，第一检测器400-1可以具有相对小的单次拍摄的尺寸。例如，第一检测器400-1可以具有大约40μm*40μm的单次拍摄的尺寸。然而，第一检测器400-1的单次拍摄的尺寸不限于40μm*40μm。例如，第一检测器400-1的单次拍摄的尺寸可以在1000μm2和2000μm2之间。如上所述，在根据实施例的测量装置1000中，第一检测器400-1的单次拍摄的尺寸可以减小到小尺寸，因此，可以提高测量图案均匀性的准确度。
40.为了提供用于减小第一检测器400-1的单次拍摄的尺寸的描述，在测量图案均匀性时，在基于对该拍摄的图像的分析来测量图案均匀性之前，必须确定该拍摄中仅包括阵列区域的信号还是该拍摄中包括阵列区域的信号和非阵列区域的信号。这里，阵列区域可以表示包括相同重复图案的区域，并且非阵列区域可以表示不包括图案的区域或者包括与阵列区域的图案不同的图案的区域，并且可以是与阵列区域相反的概念。例如，阵列区域可以是包括重复图案阵列的区域，非阵列区域可以是包括不规则图案和/或没有任何图案的空白的区域。
41.主要用于确定非阵列区域的信号是否包括在拍摄中的方法可以包括在相应拍摄成像之后，例如通过位置来过滤是否存在其中强度变化大(例如，大于预定值/差值)的部分的方法。例如，当单次拍摄中仅包括阵列区域的信号时，在对应于该单次拍摄的图像中强度变化不大(例如，它仅变化小于预定值/差值)，但是当单次拍摄中包括非阵列区域的信号时，在对应于该单次拍摄的图像中可能存在其中强度变化大(例如，它变化大于预定值/差值)的部分。然而，最近，随着图案的尺寸逐渐小型化，图案可能在阵列区域和非阵列区域之间细微地变化，因此，强度差异可能不够大，以至于不能在图像中区分。结果，在测量图案均匀性时，非阵列区域的信号可能不会被移除，并且可能充当噪声。例如，由于减小的图案尺寸，测量准确度可能会降低。
42.在相关领域的测量装置中，单次拍摄的尺寸是大约180μm*90μm，并且可能太大而不能测量图案均匀性，因此，在测量图案均匀性时包含噪声的可能性很高。例如，因为单次拍摄的尺寸大，所以非阵列区域的信号被包括在单次拍摄中的可能性很大，并且如上所述，随着图案逐渐小型化，包括非阵列区域的拍摄的图像可能不会被移除并且可能被用于测量图案均匀性，由此非阵列区域的信号可能充当噪声，例如，导致阵列图案的均匀性测量的错误结果。结果，在相关领域的测量装置中，由于单次拍摄的尺寸相对大，因此测量图案均匀性的准确度可能低。
43.另一方面，在根据本实施例的测量装置1000中，第一检测器400-1的单次拍摄的尺寸可以约为40μm*40μm，并且可以是相关领域的测量装置的单次拍摄的尺寸的1/10或更小。因此，在测量图案均匀性时包括噪声的可能性可以相对降低。结果，在根据本实施例的测量装置1000中，由于单次拍摄的小尺寸，测量图案均匀性的准确度可以相对高。
44.然而，随着第一检测器400-1的单次拍摄的尺寸减小，通过使用第一检测器400-1检测测量目标2000的阵列区域的所有区域的光瞳图像的时间可能增加。因此，用于减少时间的以下方法可以应用于根据本实施例的测量装置1000。第一种方法可以是构建聚焦图的方法。例如，可以构建聚焦图(focus map)，并且可以通过基于聚焦图自动调整焦点来检测光瞳图像，从而显著减少检测光瞳图像的时间。例如，聚焦图可以是包括在测量目标2000的相应位置处距第一检测器400-1的聚焦距离的信息的图。下面将参考图11d更详细地描述构建聚焦图的过程。第二种方法可以是通过采样来检测仅对应于测量目标2000的阵列区域的
预定位置的光瞳图像、而不是检测对应于测量目标2000的阵列区域的所有区域的光瞳图像的方法。考虑到为了获得对应于测量目标2000的阵列区域的所有区域的光瞳图像，拍摄被执行数万到数十万次，用于获得光瞳图像的位置可以被限制为仅通过采样设置的位置，因此，用于检测光瞳图像的时间可以显著减少。
45.根据本实施例的测量装置1000可以通过使用第一检测器400-1来检测光瞳图像，通过使用开关(on-off)选择方法来选择仅包括阵列区域的光瞳图像，并且在测量图案均匀性时使用所选择的光瞳图像，从而进一步提高测量图案均匀性的准确度。例如，开关选择方法可以是这样一种方法，该方法设置类别的参考边界，并且该边界的一侧在类别中(开)并且边界的另一侧在类别之外(关)。下面将参考图4a至图6b更详细地描述检测光瞳图像的操作和开关选择方法。
46.第二检测器400-2可以检测来自分束器220的第二光l2。第二检测器400-2可以检测对应于第二光l2的光瞳平面pp2的图像(即，光瞳图像)。在图1中，对应于第二光l2的光瞳平面pp2由虚线示出。例如，第二检测器400-2可以包括ccd或pmt。然而，第二检测器400-2不限于ccd或pmt。第二检测器400-2可以直接检测来自分束器220的第二光l2，以实时感测第二光l2的波动。例如，第二检测器400-2可以实时感测激光功率的变化。通过第二检测器400-2获得的关于(例如，从光源100发射的)光的波动信息可以用于校正/补偿图案均匀性和/或由第一检测器400-1获得的光瞳图像。下面将参考图8a和图8b更详细地描述通过使用第二检测器400-2检测光波动的操作和通过使用关于光的波动信息来校正/补偿图案均匀性和/或光瞳图像的操作。当从光源100发射的光是均匀的因此几乎不波动时，根据一些实施例，可以省略第二检测器400-2。
47.aiu 500可以设置在光源100和ifs 210之间。aiu 500可以延迟脉冲激光，以增加入射到ifs 210上的光的能量。结果，aiu 500可以增加照射到测量目标2000上的光的能量，从而实现高放大率测量。根据特定实施例，可以省略aiu 500。
48.根据本实施例的测量装置1000可以通过使用其中其单次拍摄的尺寸小(例如，具有上述尺寸)的第一检测器400-1来检测测量装置2000的阵列区域的图案的光瞳图像，并且可以基于光瞳图像的强度来确定图案均匀性，从而以高准确度来测量测量目标2000的阵列区域的图案均匀性。此外，基于开关选择方法，根据本实施例的测量装置1000可以选择仅包括阵列区域的光瞳图像，并且可以在测量图案均匀性或提取数据时使用所选择的光瞳图像，从而提高测量图案均匀性的准确度。此外，根据本实施例的测量装置1000可以通过使用第二检测器400-2获得关于光波动的信息，并且可以校正/补偿图案均匀性和/或通过第一检测器400-1获得的光瞳图像，从而提高测量图案均匀性的准确度。例如，开关选择方法可以由硬件/软件(例如，由包括处理器的计算机等)来执行。
49.图2是更详细地示出图1的测量装置1000中的ifs 210的框图。在下文中，将参考图1和图2描述ifs 210，并且将简要给出或省略以上参考图1给出的描述。
50.参考图2，ifs 210可以包括光束控制模块(beam steering module，bsm)211、衰减轮(attenuation wheel，aw)212、散斑减少模块(speckle reduction module，srm)213、光束均化器模块(beam homogenizer module，bhm)214、na&σ轮215以及变焦适配器(zoom adaptor，za)216。bsm 211可以执行调节光的焦点的功能。aw 212可以执行调节光的衰减的功能。srm 213可以执行去除光(例如，激光)的散斑(诸如干涉点)的功能。bhm 214可以执行
过滤功能，以仅保持具有相同波长的光。na&σ轮215可以执行调整孔径的形状和尺寸的功能。za 216可以调节光的焦点。
51.在根据本实施例的测量装置1000中，ifs 210可以包括上述所有元件。然而，根据一些实施例，ifs 210可以不包括上述元件中的一些元件。根据特定实施例，ifs 210还可以包括除上述元件之外的元件。
52.图3a和图3b是用于描述图案的间距和由图案衍射的衍射光的衍射角之间的关系的概念图，并且各自示出了测量目标的图案、入射光和透射后的衍射光的形状。
53.参考图3a和图3b，入射光li可以入射到测量目标2000上，并且可以通过穿过测量目标2000而被衍射。穿过测量目标2000而衍射的光(即，衍射光)可以包括在中心的零阶光和相对于零阶光在两侧的一阶光(-1， 1)。衍射光可以包括二阶光或更高阶光。然而，在根据本实施例的测量装置1000中，二阶光和更高阶光可以不用于测量图案均匀性，因此在图3a和图3b中被省略并且未示出。在下文中，例如将描述通过使用零阶光和一阶光(-1， 1)来测量图案均匀性的操作。
54.图3a的测量目标2000的图案可以具有第一间距p1，并且图3b的测量目标2000a的图案可以具有第二间距p2。第一间距p1可以大于第二间距p2。在图3a中，一阶光(-1， 1)的衍射角可以具有第一衍射角θd1，并且在图3b中，一阶光(-1， 1)的衍射角可以具有第二衍射角θd2。这里，一阶光的衍射角(-1， 1)可以定义为一阶光的前进方向(-1， 1)和光轴之间的角度。
55.通常，在由具有特定形状的图案(例如，具有线和空间形状的图案，例如，条纹图案)衍射的光中，随着图案的间距减小，一阶光(-1， 1)的衍射角会增大。因此，如图3a和图3b所示，包括第一间距p1的图案的测量目标2000中的一阶光(-1， 1)的第一衍射角θd1可以小于测量目标2000a中的一阶光(-1， 1)的第二衍射角θd2，因为第二间距p2小于第一间距p1。
56.因此，可以基于衍射光(例如，一阶光)的衍射角根据图案的尺寸或间距而变化来确定单次拍摄中仅包括阵列区域的信号，还是单次拍摄中包括阵列区域的信号和除了阵列区域之外的区域(即，非阵列区域)的信号。例如，在其中单次拍摄中包括均匀图案的阵列区域中，衍射光(例如，一阶光)可以仅包括特定的衍射角。另一方面，当单次拍摄中包括阵列区域和非阵列区域时，可以生成特定衍射角范围之外的一阶光。
57.将参考图4a至6b更详细地描述开关选择方法，该方法通过确定单次拍摄中仅包括阵列区域还是单次拍摄中包括阵列区域和非阵列区域来选择仅包括阵列区域的光瞳图像。
58.图4a和图4b是示出第一检测器的单次拍摄中包括的阵列区域的形状的概念图。图4a示出了其中单次拍摄中仅包括阵列区域的示例，并且图4b示出了单次拍摄中包括阵列区域和非阵列区域的示例。
59.参考图4a和图4b，在图4a中，单次拍摄中可以仅包括阵列区域aarr，并且例如，具有线和空间形状的均匀图案可以被包括在阵列区域aarr中。在图4b中，阵列区域aarr和非阵列区域(例如，外部区域aout)可以被包括在单次拍摄中。像图4a的阵列区域aarr一样，具有线和空间形状的均匀图案可以被包括在阵列区域aarr中。然而，如图4b所示，外部区域aout中不包括图案。
60.图5a是示出对应于图4a的阵列区域的形状的光瞳平面的图像(即，光瞳图像)的照
片，并且图5b是示出对应于图4b的阵列区域的形状的光瞳平面的图像(即，光瞳图像)的照片。在图5a和5b中，x轴和y轴表示位置，并且x轴和y轴的单位是任意单位(a.u.)。
61.参考图5a，图5a是对应于图4a的阵列区域的形状的光瞳图像，并且示出了零阶光(在中心的圆)和两个一阶光(都在外部的圆)是清楚的圆形。这可能是因为对应于图4a的单次拍摄仅包括阵列区域aarr，因此，衍射光(即，一阶光)仅具有特定的衍射角。
62.参考图5b，图5b是对应于图4b的阵列区域的形状的光瞳图像，并且示出了零阶光(其中心的圆)和两个一阶光(两个外部的圆)呈在x轴方向上扩展的模糊形状。这可能是因为对应于图4b的单次拍摄包括阵列区域aarr和外部区域aout，因此，衍射光(即，一阶光)还具有除特定衍射角之外的衍射角。例如，当拍摄中包括不规则图案时，一阶衍射光可以具有多个衍射角和/或可以具有模糊的边界。
63.图6a和图6b是分别示出图5a和图5b的光瞳图像的强度的图。在图6a和图6b中，x轴表示位置，y轴表示强度，并且x轴和y轴的单位是任意单位。
64.参考图6a，中心处的零阶光的强度可能最高，并且两侧的一阶光的强度可能低于零阶光的强度。此外，两侧的一阶光的强度可以基本相同。如图6a所示，零阶光可以与几个一阶光清楚地区分开。例如，衍射光的零阶光和一阶光的边界可以是清楚的。
65.当在本文中提及方位、布局、位置、形状、尺寸、组成、数量或其它度量时，本文使用的术语(诸如“相同”、“相等”、“平面”或“共面”)不一定意味着完全相同的方位、布局、位置、形状、尺寸、组成、数量或其它度量，而是旨在包括例如由于制造工艺而可能发生的可接受的变化内的几乎相同的方位、布局、位置、形状、尺寸、组成、数量或其它度量。除非上下文或其它陈述另有说明，术语“基本上”在本文中可用于强调该含义。例如，被描述为“基本相同”、“基本相等”或“基本平坦”的项目可以是完全相同的、相等的或平坦的，或者可以是在例如由于制造工艺而可能发生的可接受的变化内的相同的、相等的或平坦的。
66.参考图6b，类似于图6a，中心处的零阶光的强度可能最高，并且两侧的一阶光的强度可能低于零阶光的强度。如图6b所示，可以看出，零阶光与一阶光没有被清楚地区分开，此外，在零阶光和一阶光之间存在具有小幅度的强度的部分。具有小幅度的强度的部分可以对应于图5b中几个一阶光扩散的部分。例如，具有小幅度的强度的部分可以基于具有不同衍射角的一阶光。
67.根据本实施例的测量装置1000可以使用开关选择方法，该方法选择仅包括阵列区域的光瞳图像，在测量图案均匀性时使用所选择的光瞳图像，并且去除例如除了阵列区域之外还包括非阵列区域的光瞳图像。例如，根据本实施例的测量装置1000可以选择如图5a所示的其中零阶光与一阶光清楚地区分的光瞳图像，并且可以去除如图5b所示其中零阶光与一阶光没有清楚地区分的光瞳图像。如上所述，根据本实施例的测量装置1000可以通过使用仅包括阵列区域的光瞳图像来测量图案均匀性，从而显著提高测量图案均匀性的准确度。
68.开关选择方法不限于零阶光与一阶光清楚地区分。例如，可以仅基于零阶光或一阶光来选择光瞳图像。例如，在仅包括阵列区域的光瞳图像中，零阶光和一阶光中的每一个可以以清楚的圆形形状示出，并且在包括阵列区域和非阵列区域的光瞳图像中，零阶光和一阶光中的每一个可以以向两侧(例如，如图5b和6b所示的x方向)扩散的模糊形状示出。因此，可以基于零阶光和一阶光之一的清楚程度来选择光瞳图像。
69.此外，可以使用基于零阶光和一阶光之间的距离来选择光瞳图像的开关选择方法。例如，在仅包括阵列区域的光瞳图像中，零阶光和一阶光之间的距离可以被清楚地定义并且可以是恒定的。另一方面，在包括阵列区域和非阵列区域的光瞳图像中，零阶光和一阶光之间的距离可能没有被清楚地定义或者可能不是恒定的，例如，因为零阶光和一阶光的模糊的边界。这可以在图6a和6b的图中看到。例如，在图6a的图中，零阶光和一阶光可以彼此清楚地区分，因此，它们之间的距离可以被定义并且可以是恒定的，而不管强度的大小。另一方面，在图6b的图中，可以看出，零阶光和一阶光彼此之间没有清楚地区分，并且以组合的形状示出，因此，它们之间的距离难以定义并且基于强度的大小而变化。
70.图7是用于描述通过使用图1的测量装置来确定图案均匀性的方法的图。图7的x轴表示位置，x轴的单位是任意单位，图7的y轴表示灰度。
71.参考图7，光瞳图像的强度可以由灰度表示。例如，图6a的强度图中的零阶光的强度可以被转换成如图7所示的灰度，因此，零阶光的强度图可以由特定灰度值来表示。这里，灰度值可以在0到255的范围内。
72.可以获得对应于被确定为正常(例如，在可接受的范围内)的各种间距和各种图案的光瞳图像，可以对光瞳图像中的每一个执行强度计算和到灰度的转换，并且可以将计算的强度作为参考灰度值rg存储在例如测量装置1000的存储器(未示出)中。在图7的图中，参考灰度值rg的示例由实线示出。例如，参考灰度值rg可以用作确定阵列区域中图案均匀性的参考。
73.因此，根据本实施例的测量装置1000可以通过以下过程测量测量目标2000的阵列区域中的图案的均匀性。首先，可以获得对应于测量目标2000的阵列区域的光瞳图像，可以通过确定光瞳图像的开/关来仅提取具有相同图案的光瞳图像(不包括噪声——例如，非阵列区域噪声)，可以计算光瞳图像中的每一个的强度，并且可以将所计算的强度转换成测量灰度值。随后，可以通过将测量灰度值与相应的参考灰度值rg进行比较来计算均匀性。这里，参考灰度值rg可以是测量灰度值的平均值，并且可以基于参考灰度值rg计算偏差(σ)值。例如，可以通过将测量灰度值除以参考灰度值rg来计算偏差值。偏差值可以用％值表示，并且该％值可以称为图案均匀性。可以确定所计算的均匀性是否在允许范围内。当所计算的均匀性在允许范围内时，图案均匀性可以被确定为正常/可接受，并且当计算的均匀性在允许范围外时，图案均匀性可以被确定为异常/不可接受。这里，允许范围可以表示关于参考均匀性的特定范围，并且参考均匀性可以对应于例如100％。例如，这些过程可以由硬件/软件(例如，由包括处理器的计算机等)来执行。
74.如所公开技术领域中的传统，在说明书和附图中，按照功能块、单元和/或模块，描述和说明特征和实施例。本领域的技术人员将会理解，这些块、单元和/或模块是由电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立元件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等)来物理实现的，其中该电子(或光学)电路可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术来形成。在每个块、单元和/或模块由微处理器或类似物实现的情况下，可以使用软件(例如微码)来对它们进行编程以执行本文中讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件驱动。或者，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者作为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或多个已编程的微处理器和相关电路)的组合来实现。此外，实施例的每个块、单元和/或模块可以在物理上分离成两个或更多个相互作用且
分立的块、单元和/或模块，而不脱离本发明构思的范围。此外，实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块，而不脱离本发明构思的范围。
75.根据特定实施例，可以省略将强度转换成灰度的单独过程，并且可以基于将强度与预先存储的参考强度进行比较的方法来测量图案均匀性。
76.图8a和8b是用于描述通过使用图1的测量装置的第二检测器来校正/补偿光波动的方法的照片。图8a是通过第二检测器获得的裸强度图(bare intensity map)的照片，并且图8b是通过第一检测器获得的图案强度图的照片。例如，裸强度图可以是光源强度的图。例如，裸强度图可以是光源与光强度的感测区域之间没有障碍物的光分布的强度图。例如，图案强度图可以是测量目标的衍射光的图。在图8a的图/照片中，x轴表示拍摄数(shot number)，y轴表示拍摄数。例如，拍摄以矩阵状布置方式布置。在图8b的图/照片中，x轴表示位置(例如，在x方向上)，y轴表示位置(例如，在y方向上)，并且x轴和y轴的单位是任意单位。在下文中，将参考图1描述图8a和图8b的图，并且将简要给出或省略以上参考图1给出的描述。
77.参考图8a，第二检测器400-2可以直接检测来自分束器220的光l2，而不考虑/不管测量目标2000如何。因此，裸强度图(例如，来自光源的光的强度图)可以由基于拍摄数的强度来表示，而不管测量目标2000如何。如图8a所示，可以检查/检测基于拍摄(例如，通过拍摄)的光的波动。例如，由虚线示出的四边形部分可以对应于其中光波动主要地(largely)发生的部分。当在没有补偿光源的波动的情况下测量图案均匀性时，可能获得失真/不准确的均匀性值。
78.参考图8b，第一检测器400-1可以检测当来自分束器220的第一光l1通过穿过测量目标2000而被衍射时生成的光。例如，第一检测器400-1可以检测由测量目标2000衍射的衍射光。图案强度图可以与测量目标2000的图案相关联，因此可以由基于测量目标2000的位置的强度来表示。作为参考，第一光l1和第二光l2可以是从同一光源100输出的光l分离的多个光，因此可以具有基本相同的光波动。因此，裸强度图中的光波动可以与图案强度图中的光波动基本相同。裸强度图可以不受测量目标2000的图案的影响，因此，可以容易地/立即提取光波动。然而，在图案强度图中，测量目标2000的图案可能影响图案强度图，因此，它可能不能清楚地确定和提取光波动。因此，可以通过反射从裸强度图获得的光波动信息来校正/补偿图案强度图，因此，可以通过从其中去除光波动来获得更准确的图案强度图。
79.根据本实施例的测量装置1000通过使用第二检测器400-2，可以直接检测没有穿过测量目标2000(即，没有被衍射)的第二光l2，因此，可以实时获得关于光波动的信息。这里，实时可以表示与通过使用第一检测器400-1检测测量目标2000的光瞳图像的时间基本相同的时间。结果，根据本实施例的测量装置1000可以通过使用第二检测器400-2来实时获得关于光波动的信息，并且可以基于关于光源波动的信息来校正/补偿图案和/或由第一检测器400-1获得的光瞳图像的均匀性，从而显著提高测量图案均匀性的准确度。
80.图9和图10是根据示例实施例的用于基于光瞳图像来测量图案均匀性的测量装置的框图。在下文中，将结合图1参考图9和图10描述根据示例性实施例的测量装置，并且将简要给出或省略以上参考图2至图8b给出的描述。
81.参考图9，根据本实施例的测量装置1000a的光学系统200a的分束器220a的功能和配置可以不同于图1的测量装置1000的功能和配置。更具体地，根据本实施例的测量装置
1000a可以包括光源100、光学系统200a、平台300、检测单元400和aiu 500。光源100、平台300、检测单元400和aiu500可以与关于图1的测量装置1000描述的那些相同。
82.光学系统200a的ifs 210、pcm 230和hna 240可以与针对图1所示的测量装置1000的光学系统200描述的那些相同。分束器220a可以将从ifs210输出的光l分成两个光(例如，第一光l1和第二光l2)。如图9所示，分束器220a可以透射来自ifs 210的光l的一部分以允许第一光l1行进到测量目标2000，并且可以反射光l的另一部分以允许第二光l2行进到第二检测器400-2。
83.在根据本实施例的测量装置1000a中，分束器220a可以具有修改的功能(例如，与先前的分束器的功能不同的功能)。例如，光学元件和检测器的布置位置可以不同于分束器220a的前述实施例。例如，第二检测器400-2可以设置在其中来自光源100的光被分束器220a反射的方向和/或位置，并且pcm230、hna聚光器240、平台300和第一检测器400-1可以设置在来自光源100的光穿过分束器220a的方向和/或位置。
84.根据实施例，附加分束器还可以设置在分束器220a和pcm 230之间，第三检测器可以检测穿过附加分束器的光，并且第一检测器400-1可以检测由附加分束器反射的光。类似地，在图1的测量装置1000中，附加分束器还可以设置在ifs 210和分束器220之间，第三检测器可以检测由附加分束器反射的光，并且穿过该附加分束器的光可以入射到分束器220上。
85.参考图10，根据本实施例的测量装置1000b可以是反射测量装置，因此可以不同于图1的测量装置1000。更具体地，根据本实施例的测量装置1000b可以包括光源100、光学系统200b、平台300a、检测单元400和aiu 500。光源100、检测单元400和aiu 500可以与关于图1的测量装置1000描述的那些相同。
86.光学系统200b可以包括两个分束器(例如，第一分束器和第二分束器)220-1和220-2，因此，可以不同于图1的测量装置1000的光学系统200。ifs210、pcm 230和hna 240也可以包括在光学系统200b中，并且可以与针对图1所示的测量装置1000的光学系统200描述的部件相同。两个分束器(第一分束器220-1和第二分束器220-2)中的第一分束器200-1可以与图1的测量装置1000的分束器220基本相同。因此，第一分束器220-1可以将从光源100输出的光l分成两个光。例如，第一分束器220-1可以将从光源100输出的光l分成第一光l1和第二光l2。第一光l1可以照射到测量目标2000上，而第二光l2可以照射到第二检测器400-2上。
87.两个分束器(第一分束器220-1和第二分束器220-2)中的第二分束器220-2可以设置在pcm 230和hna聚光器240之间。第二分束器220-2可以透射第一光l1以允许第一光l1照射到测量目标2000上，并且可以反射从测量目标2000反射的光以允许反射光照射到第一检测器400-1上。根据实施例，第二分束器220-2可以反射第一光l1以允许反射的第一光l1照射到测量目标2000上，并且可以透射从测量目标2000反射的光以允许反射光照射到第一检测器400-1上，例如，不同于图10的图示。
88.测量目标2000可以设置在平台300a上，并且平台300a可以支撑和固定测量目标2000。因为根据本实施例的测量装置1000b是反射测量装置，所以平台300a可以支撑和固定测量目标2000的底面。平台300a可以是3d可移动的3d可移动平台，并且随着平台300a移动，测量目标2000可以与其一起移动。
89.第一光l1可以通过hna聚光器会聚，并且可以照射到测量目标2000上并被测量目标2000反射。由测量目标2000反射的光可以基于测量目标2000中包括的图案被衍射。例如，第一光l1可以被测量目标2000反射并衍射，因此可以被转换成衍射光dl。基于反射的衍射光dl可以包括二阶或更高阶的光。然而，为了方便起见，在图10中衍射光dl被示为包括零阶光和一阶光。例如，为了更简单的说明，图10中省略了二阶和更高阶的光衍射。此外，衍射光dl可以经由hna聚光器240和第二分束器220-2入射到第一检测器400-1上，但是为了方便起见，在hna聚光器240旁边的元件中，衍射光dl未被示出为被分成零阶光和一阶光，并且被示出为仅一个光(例如，被示出为一条光束线)。
90.在根据本实施例的测量装置1000b中，第一检测器400-1可以通过反射检测针对衍射光dl的、光瞳平面pp1的光瞳图像。此外，第二检测器400-2可以检测针对来自第一分束器220-1的第二光l2的、光瞳平面pp2的光瞳图像。
91.图11a至图11d是简单示出根据实施例的基于光瞳图像来测量图案均匀性的测量方法的流程图。在下文中，将结合图1参考图11a至图11d描述根据实施例的测量方法，并且将简要给出或省略以上参考图1至图10给出的描述。
92.参考图11a，在根据本实施例的基于光瞳图像来测量图案均匀性的方法(以下称为测量方法)中，首先，在操作s110中，光源100可以生成并输出光。光源100的光可以包括例如脉冲激光，并且可以具有大约500hz到大约1khz的脉冲频率，并且可以具有大约200nm的波长。例如，脉冲激光可以具有50％的占空比。光源100的光不限于脉冲激光。此外，脉冲激光的脉冲宽度或波长不限于上述数值。
93.随后，在操作s130中，可以通过使用光学系统200将光传送到测量目标2000。例如，来自光源100的光可以由ifs 210成形，并且可以由分束器220反射或透射，pcm 230可以控制偏振状态，并且hna聚光器240可以会聚光并可以将所会聚的光照射到测量目标2000上。例如，在其中光被分束器220反射并照射到测量目标2000上的情况下，可以使用图1的测量装置1000，并且在其中光穿过分束器220并被照射到测量目标2000的情况下，可以使用图9的测量装置1000a。
94.随后，在操作s150中，可以通过使用第一检测器400-1从光瞳平面检测由测量目标2000衍射的光。第一检测器400-1可以包括ccd或pmt，并且可以检测与衍射光相对应的光瞳平面的图像(即，光瞳图像)。衍射光可以是透过测量目标2000并被测量目标2000衍射的光，或者可以是被测量目标2000反射并衍射的光。在其中衍射光是透过测量目标2000并被测量目标2000衍射的光的情况下，可以使用图1的测量装置1000或图9的测量装置1000a，并且在其中衍射光被测量目标2000反射并衍射的情况下，可以使用图10的测量装置1000b。
95.在检测到光瞳图像之后，在操作s170中，可以测量测量目标200的阵列区域的图案均匀性。在测量阵列区域的图案均匀性时，如上所述，可以计算光瞳图像的强度并将其转换成测量灰度值，并且可以将测量灰度值与参考灰度值rg进行比较。通过像上述方法那样测量图案均匀性，根据本实施例的测量方法可以准确地测量测量目标2000的阵列区域的图案均匀性，因此可以准确地确定测量目标2000的阵列区域的图案均匀性是否正常/可接受。
96.参考图11b，根据本实施例的测量方法还可以包括选择光瞳图像的操作s160，因此可以不同于图11a的测量方法。例如，根据本实施例的测量方法可以顺序地执行生成并输出光的操作s110、将光传送到测量目标2000的操作s130、以及从光瞳平面检测光的操作s150，
并且操作可以与以上针对图11a的测量方法描述的操作相同。
97.随后，在操作s160中，可以从多个光瞳图像当中选择仅包括测量目标2000的阵列区域的光瞳图像。例如，如上参考图4a至图6b所述，通过使用开关选择方法，可以选择仅包括阵列区域的光瞳图像，并且可以去除包括非阵列区域和阵列区域的光瞳图像。例如，可以检查多个拍摄的多个光瞳图像，以选择哪些光瞳图像用于确定掩模的图案均匀性。
98.在选择光瞳图像之后，可以执行测量图案均匀性的操作s170。测量图案均匀性的操作s170可以与针对图11a的测量方法描述的操作s170相同。然而，在测量图案均匀性的操作s170中，可以使用仅包括由开关选择方法选择的阵列区域的光瞳图像来测量图案均匀性。
99.参考图11c，根据本实施例的测量方法可以通过使用第二检测器400-2来校正/补偿图案均匀性(例如，由第一检测器400-1测量的图案均匀性)，因此，可以不同于图11b的测量方法。例如，根据本实施例的测量方法可以执行生成并输出光的操作s110，然后，在操作s120中，可以通过使用分束器220将光分成第一光l1和第二光l2。随后，在操作s130a中，可以通过使用光学系统200将第一光l1传送到测量目标200，并且可以将第二光l2传送到第二检测器400-2。
100.随后，在操作s150a中，基于第一光l1，由测量目标2000衍射的光可以由第一检测器400-1从光瞳平面检测，并且在操作s160中，可以通过使用开关选择方法来选择光瞳图像。从光瞳平面检测光的操作s150a和选择光瞳图像的操作s160可以与上面参考图11a和图11b描述的相应操作相同。
101.在操作s155中，基于第二光l2，通过使用第二检测器400-2，可以从光瞳平面检测第二光l2，并且可以感测第二光l2的波动，并且在操作s157中，可以获得关于第二光l2的波动信息。
102.随后，在操作s170a中，可以测量和校正/补偿测量目标2000的阵列区域的图案均匀性。测量图案均匀性的操作可以与针对图11a的测量方法描述的操作相同。可以基于以下两种方法来执行校正图案均匀性的操作。第一种方法可以是基于关于第二光l2的波动信息来校正/补偿光瞳图像并且通过使用经校正/补偿的光瞳图像来测量测量目标2000的阵列区域的图案均匀性的方法。第二种方法可以是这样的方法，该方法通过使用预先存储在例如包括光波动和图案均匀性之间的相关性的数据库中的光瞳图像来测量测量目标2000的阵列区域的图案均匀性，并且通过使用关于光的波动信息基于所存储的数据来校正/补偿图案均匀性。
103.参考图11d，在操作s101中，根据本实施例的测量方法可以构建对应于测量目标2000的聚焦图，因此可以不同于图11c的测量方法。例如，在操作s101中，在生成并输出光之前，根据本实施例的测量方法可以构建对应于测量目标2000的聚焦图。通常，在聚焦对应区域中的每一个之后，可以执行通过使用检测器捕获图像的操作。然而，在其中由于测量目标2000的测量区域(即，阵列区域)宽而执行数万到数十万次拍摄(捕获图像)的情况下，每次执行单独调整焦点的操作可能花费很长时间来完成在测量目标2000的整个宽测量区域的捕获。因此，在根据本实施例的测量方法中，可以预先构建对应于测量目标2000的聚焦图，然后，在其中通过使用第一检测器400-1检测光瞳图像的情况下，可以基于聚焦图自动执行聚焦，由此可以省略单独的聚焦调整过程。因此，通过使用第一检测器400-1检测光瞳图像
的时间可以显著减少。根据实施例，聚焦图可以在测量和校正图案均匀性的操作s170a中被反映/使用。
104.为了减少用于通过使用第一检测器400-1检测光瞳图像的时间，在从光瞳平面检测光的操作s150a中，第一检测器400-1可以仅在通过采样设置的测量目标2000的位置处检测光瞳图像。例如，在构建聚焦图的操作s101之前，可以执行在测量目标2000中选择要从中检测/获得光瞳图像的位置的采样操作。随后，在构建聚焦图的操作s101中，聚焦图可以仅在通过采样操作选择的位置处构建。
105.在构建聚焦图的操作s101之后，从生成并输出光的操作s110到测量并校正图案均匀性的操作s170a的操作可以与针对图11c的测量方法描述的操作相同。
106.图12是简单示出根据实施例的通过使用图11a的测量方法制造掩模的方法的流程图。在下文中，将结合图1参考图12描述根据实施例的制造掩模的方法，并且将简要给出或省略以上参考图11a至图11d给出的描述。
107.参考图12，首先，在根据本实施例的制造掩模的方法中，在操作s201中，可以制备掩模。掩模可以是测量目标2000，并且可以包括阵列区域，并且多个重复图案可以设置在阵列区域中。制备掩模的操作s201可以包括在掩模的阵列区域中形成图案的工艺。例如，在制备掩模的操作s201中，可以通过工艺(诸如设计图案的工艺、光学邻近校正(optical proximity correction，opc)工艺、制备掩模数据的工艺和曝光工艺)在掩模的阵列区域中形成图案。
108.随后，可以顺序执行从生成并输出光的操作s210到测量图案均匀性的操作s270的操作。从生成并输出光的操作s210到测量图案均匀性的操作s270的操作可以与针对图11a的测量方法描述的操作相同。例如，从生成并输出光的操作s210到测量图案均匀性的操作s270的操作可以应用于掩模。
109.在测量图案均匀性的操作s270之后，在操作s280中，可以确定掩模的阵列区域的图案均匀性是否正常/可接受。如上所述，当所计算的均匀性在允许范围内时，图案的均匀性可以被确定为正常/合格，而当所计算的均匀性在允许范围外时，图案均匀性可以被确定为异常/不合格。
110.当图案均匀性正常/通过(是)时，在操作s290中，可以对掩模执行后续工艺。在掩模上执行的后续工艺可以包括在掩模上涂覆薄膜的工艺和在掩模上执行的完成(finishing)工艺。在掩模上执行的完成工艺可以包括例如装载和保持掩模的工艺或者记录完成日期的文档处理工艺。可以通过在掩模上执行的后续工艺来完成掩模。
111.当图案的一致性异常/失败(否)时，在操作s285中，可以分析其原因，并且可以改变工艺条件。这里，工艺条件可以表示在掩模的阵列区域中形成图案的工艺的工艺条件。在改变工艺条件之后，可以执行制备掩模的操作s201。在制备掩模的操作s201中，改变的工艺条件可以应用于在掩模的阵列区域中形成图案的工艺。
112.上面已经描述了基于图11a的测量方法制造掩模的方法，但是不限于此，并且可以基于图11b至图11d的测量方法之一来执行。此外，根据本实施例的制造掩模的方法可以应用于基于图11a至图11d的测量方法的所有种类的器件。例如，图11a至图11d的测量方法可以应用于测量晶片的阵列区域的图案均匀性的方法，因此，根据本实施例的制造掩模的方法可以应用于晶片中包括的半导体器件。
113.虽然已经参考本发明的实施例具体示出和描述了本发明构思，但是应当理解，可以在形式和细节上进行各种改变，而不脱离所附权利要求的精神和范围。