刻蚀机腔室内衬的制作方法

1.本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体为刻蚀机腔室内衬。


背景技术：

2.在半导体器件及芯片等的制造工艺中，刻蚀工艺是众多工艺中最频繁被采用和出现的。ic制造的刻蚀工艺中，会部分或者全部刻蚀或者去除掉芯片上的某些材料。在所有的刻蚀工艺中，等离子体刻蚀以及离子束刻蚀(ibe)工艺越来越重要，其工作原理是当给反应室外线圈加压时，反应室内产生交变的电磁场，当电场达到一定程度时，气体产生放电现象，进入等离子态，等离子体将刻蚀气体电离并形成带电离子、分子及反应性很强的原子团，它们通过反应室内电极提供的偏压，获得能量，垂直扩散到刻蚀薄膜表面，与刻蚀薄膜的表面原子反应生成具有挥发性的反应产物，并被真空设备抽离反应腔。尤其是随着芯片集成度提高，关键尺寸缩小，高选择比以及精确的图形转移等工艺需求的提高，更突显了等离子体刻蚀和离子束刻蚀的优点。
3.等离子体刻蚀机在进行刻蚀工艺的时候使用多种反应气体，会对反应腔体内部造成污染，最终造成设备的破坏。使用内衬结构可以有效的保护腔体内部不被污染与破坏，可随意拆卸之后进行清洗。
4.现有刻蚀机腔室内衬由于结构设计不合理，未能更好的保护腔室，在对腔室保养的时候，会对腔室造成微小的损伤(腔室分子泵抽气出口处)，长久会破坏机台腔室。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供刻蚀机腔室内衬，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为了解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：刻蚀机腔室内衬，包括与等离子体刻蚀机反应腔内壁相贴合的柱形中空的内衬本体，所述内衬本体的一侧开设有与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口，所述内衬本体于所述开口的相对一侧开设有t形开口，所述t形开口的两侧沿内衬本体周向开设有若干个与等离子体刻蚀机反应腔的分子泵抽气孔位置对应的匀流槽孔，在保护腔室内壁同时加快抽气速率。
7.进一步的，所述t形开口的两侧内壁上端一体连接有垂直于内衬本体外表面的悬挂片，所述悬挂片搭接于等离子体刻蚀机反应腔内壁，以配合安装于等离子体刻蚀机反应腔的内壁，便于安装。
8.进一步的，相邻两个所述匀流槽孔之间的距离相等，便于达到匀流的效果。
9.进一步的，所述开口的两侧对称设有与等离子体刻蚀机反应腔观察窗位置对应的观察孔，便于观察内衬本体的内部工作状况。
10.进一步的，所述观察孔与匀流槽孔之间设有安装孔，所述安装孔与等离子体刻蚀机反应腔内壁的凸台相适配，便于对内衬本体进行固定。
11.进一步的，所述开口的形状呈矩形，且沿水平方向延伸的长度大于沿垂直方向延
伸的长度，四边角通过圆弧过渡，以便与待待刻蚀晶片的形状相适配。
12.与现有技术相比，本实用新型所达到的有益效果是：
13.1、本实用新型通过设置匀流槽孔，能够在保护腔室内壁同时加快抽气速率，能够减少附着在腔室内壁上的刻蚀沉积物，使机台内部气体浓度增加，使机台在刻蚀中，增加刻蚀速率，减少刻蚀时间；通过设置安装孔，所述安装孔与等离子体刻蚀机反应腔内壁的凸台相适配，便于对内衬本体进行固定；
14.2、本实用新型通过设置与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口，通过设置观察孔，便于观察内衬本体的内部工作状况，通过设置呈矩形的开口，以便与待待刻蚀晶片的形状相适配。
附图说明
15.附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
16.图1是本实用新型的结构示意图；
17.图2是本实用新型的俯视示意图；
18.图3是本实用新型的主视图；
19.图4是本实用新型的背面示意图；
20.图中：1、内衬本体；2、开口；3、t形开口；4、匀流槽孔；5、悬挂片；6、观察孔；7、安装孔。
具体实施方式
21.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
22.请参阅图1
‑
4，本实用新型提供刻蚀机腔室内衬，包括与等离子体刻蚀机反应腔内壁相贴合的柱形中空的内衬本体1，所述内衬本体1的一侧开设有与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口2，所述内衬本体1于所述开口2的相对一侧开设有t形开口3，所述t形开口3的两侧沿内衬本体1周向开设有若干个与等离子体刻蚀机反应腔的分子泵抽气孔位置对应的匀流槽孔4，在保护腔室内壁同时加快抽气速率。
23.在一个优选的实施方式中，所述t形开口3的两侧内壁上端一体连接有垂直于内衬本体1外表面的悬挂片5，所述悬挂片5搭接于等离子体刻蚀机反应腔内壁，以配合安装于等离子体刻蚀机反应腔的内壁，便于安装。
24.在一个优选的实施方式中，相邻两个所述匀流槽孔4之间的距离相等，便于达到匀流的效果。
25.在一个优选的实施方式中，所述开口2的两侧对称设有与等离子体刻蚀机反应腔观察窗位置对应的观察孔6，便于观察内衬本体1的内部工作状况。
26.在一个优选的实施方式中，所述观察孔6与匀流槽孔4之间设有安装孔7，所述安装孔7与等离子体刻蚀机反应腔内壁的凸台相适配，便于对内衬本体1进行固定。
27.在一个优选的实施方式中，所述开口2的形状呈矩形，且沿水平方向延伸的长度大于沿垂直方向延伸的长度，四边角通过圆弧过渡，以便与待待刻蚀晶片的形状相适配。
28.本实用新型的工作原理：通过设置匀流槽孔4，能够在保护腔室内壁同时加快抽气速率，能够减少附着在腔室内壁上的刻蚀沉积物，使机台内部气体浓度增加，使机台在刻蚀中，增加刻蚀速率，减少刻蚀时间；通过设置安装孔7，所述安装孔7与等离子体刻蚀机反应腔内壁的凸台相适配，便于对内衬本体1进行固定；通过设置与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口2，通过设置观察孔6，便于观察内衬本体1的内部工作状况，通过设置呈矩形的开口2，以便与待待刻蚀晶片的形状相适配。
29.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
30.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。