一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

有机发光器件的制作方法

2022-02-19 13:16:11 来源:中国专利 TAG:


1.本说明书涉及有机发光器件。
2.本技术主张于2020年01月23日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10

2020

0009192号的优先权,其全部内容包含在本说明书中。


背景技术:

3.通常情况下,有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里,为了提高有机发光器件的效率和稳定性,有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成,例如,可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言,如果在两电极之间施加电压,则空穴从阳极注入有机物层,电子从阴极注入有机物层,当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton),该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
4.持续要求开发用于如上所述的有机发光器件的新的材料。
5.[现有技术文献](专利文献1)公开专利公报10

2015

0011347


技术实现要素:

[0006]
技术课题
[0007]
本说明书提供有机发光器件。
[0008]
课题的解决方法
[0009]
本说明书提供一种有机发光器件,其中,包括:阳极、阴极、设置在上述阳极与上述阴极之间的发光层、以及
[0010]
设置在上述发光层与上述阴极之间的包含第一有机物层的有机物层,
[0011]
上述发光层包含由下述化学式1表示的化合物,
[0012]
上述第一有机物层包含由下述化学式2表示的化合物。
[0013]
[化学式1]
[0014]
[0015]
在上述化学式1中,
[0016]
l为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
[0017]
d为氘,
[0018]
n1为1至8的整数,
[0019]
n2为0至7的整数,
[0020]
n3为0至7的整数,
[0021]
m为0或1,
[0022]
[化学式2]
[0023][0024]
在上述化学式2中,
[0025]
x1至x3中的一个以上为n,其余为ch,
[0026]
l1为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
[0027]
ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
[0028]
ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基,或者彼此结合而形成取代或未取代的环,
[0029]
r1和r2彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
[0030]
r1为0至4的整数,r2为0至3的整数,r1和r2各自为2以上时,括号内的取代基彼此相同或不同。
[0031]
发明效果
[0032]
本说明书中记载的有机发光器件通过在发光层中包含由化学式1表示的化合物,在第一有机物层中包含由化学式2表示的化合物,从而具有较低的驱动电压,具有优异的效率特性和/或优异的寿命。
附图说明
[0033]
图1和2图示了根据本说明书的一实施方式的有机发光器件。
[0034]
[符号的说明]
[0035]
1:基板
[0036]
2:阳极
[0037]
3:发光层
[0038]
4:阴极
[0039]
5:空穴注入层
[0040]
5a:第一空穴注入层
[0041]
5b:第二空穴注入层
[0042]
6:空穴传输层
[0043]
7:电子传输层
[0044]
7a:第一电子传输层
[0045]
7b:第二电子传输层
[0046]
8:电子阻挡层
[0047]
9:电子注入层
具体实施方式
[0048]
下面,对本说明书更详细地进行说明。
[0049]
本说明书提供在发光层中包含由化学式1表示的化合物,并包括包含由化学式2表示的化合物的第一有机物层的有机发光器件。第一有机物层作为电子传输区域,优选为空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或者电子注入和传输层。
[0050]
由上述化学式1表示的化合物是在中心蒽的9号和10号碳上各自连接有二苯并呋喃、以及苯基或萘基的氘取代体。二苯并呋喃连接在蒽上时,偶极矩(dipole moment)增加,从而改善空穴和电子的迁移和注入特性。因此,驱动电压稳定,将由上述化学式1表示的化合物用作有机发光器件的发光层的主体时,具有低电压和高效率的特性。
[0051]
另外,由上述化学式1表示的化合物包含氘。上述化学式1的化合物包含氘时,改善器件的寿命。具体而言,氢被氘取代时,化合物的化学性质几乎不变。但是,氘的原子量是氢的原子量的两倍,因此氘化的化合物的物理性质可能发生变化。作为一个例子,被氘取代的化合物的振动能级降低。通过量子计算可知根据化合物的氘取代率的震动能变化,每个氘取代个数固定减少约2kcal/mol的震动能量。因此,被氘取代的化合物可以防止分子间的范德华力的减少或者由于分子间的震动引起的碰撞导致的量子效率减少。此外,通过比c

h键强的c

d键,可以改善化合物的稳定性。
[0052]
由上述化学式2表示的化合物通过包含芴、以及含n的六元杂环基,从而可以改善电子的注入和迁移特性。
[0053]
将由上述化学式1表示的化合物包含在发光层中,将由上述化学式2表示的化合物包含在第一有机物层中,使电子快速迁移至发光层,在发光层内维持空穴

电子的均衡,复合区域(recombination zone)变窄而改善tta(triplet

triplet annihiliation:三重态

三重态湮灭)效果。因此,器件可以具有长寿命、高效率或低电压的特征。
[0054]
包含氘的化学式1的化合物可以通过公知的氘化反应而制造。根据本说明书的一实施方式,由化学式1表示的化合物将氘化的化合物用作前体而形成,或者也可以利用氘化的溶剂,在酸催化剂下,通过氢

氘交换反应,将氘导入化合物中。
[0055]
在本说明书中,n%氘化是指在该结构中能够利用的氢的n%被氘取代。例如,在二苯并呋喃中被氘取代25%是指二苯并呋喃的8个氢中的2个被氘取代。
[0056]
在本说明书中,氘化的程度可以通过核磁共振波谱法(1h nmr)或gc/ms等的公知的方法进行确认。
[0057]
在本说明书的化学式1和2中,取代的取代基在无明确表示的情况下也包含被氘取代的情况。
[0058]
在本说明书中,是指连接的部位。
[0059]
在本说明书中,*是指稠合或连接的部位。
[0060]
在本说明书中,cn是指碳原子数n个。
[0061]
在本说明书中,“cn

cm”是指“碳原子数n至m个”。
[0062]
在本说明书中,取代基的例示在下文中进行说明,但并不限定于此。
[0063]
上述“取代”这一用语是指结合在化合物的碳原子上的氢原子被替换成其它取代基,被取代的位置只要是氢原子可以被取代的位置、即取代基可以取代的位置就没有限定,当取代2个以上时,2个以上的取代基可以彼此相同或不同。
[0064]
在本说明书中,“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘、卤素基团、氰基(

cn)、甲硅烷基、烷基、烯基、环烷基、烷氧基、芳基、胺基和杂环基中的1个或2个以上的取代基取代,或被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代,或者不具有任何取代基。
[0065]
在本说明书中,2个以上的取代基连接是指任一个取代基的氢与其它取代基连接。例如,异丙基与苯基连接而可以成为这样的取代基。
[0066]
在本说明书中,3个取代基连接不仅包括(取代基1)

(取代基2)

(取代基3)连续地连接,还包括在(取代基1)中连接有(取代基2)和(取代基3)。例如,2个苯基和异丙基连接而可以成为这样的取代基。4以上的取代基连接的情况也适用与上述相同的定义。
[0067]
在本说明书中,烷基可以为直链或支链,碳原子数没有特别限定,但优选为1至20。具体而言,更优选为碳原子数1至10、或1至6。作为具体例,有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1

甲基丁基、1

乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1

甲基戊基、2

甲基戊基、4

甲基
‑2‑
戊基、3,3

二甲基丁基、2

乙基丁基、庚基、正庚基、1

甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1

甲基庚基、2

乙基己基、2

丙基戊基、正壬基、2,2

二甲基庚基、1

乙基丙基、1,1

二甲基丙基、异己基、2

甲基戊基、4

甲基己基、5

甲基己基等,但并不限定于此。
[0068]
在本说明书中,环烷基没有特别限定,但优选为碳原子数3至30的环烷基,更优选为碳原子数2至20的环烷基。环烷基不仅包括单环,还包括桥头(bridgehead)、稠环(fused ring)、螺环(spiro)等双环基团。具体而言,有环丙基、环丁基、环戊基、3

甲基环戊基、2,3

二甲基环戊基、环己基、3

甲基环己基、4

甲基环己基、2,3

二甲基环己基、3,4,5

三甲基环己基、4

叔丁基环己基、环庚基、环辛基、或金刚烷基(adamantly group)等,但并不限定于此。
[0069]
在本说明书中,胺基可以选自

nh2、烷基胺基、n

烷基芳基胺基、芳基胺基、n

芳基杂芳基胺基、n

烷基杂芳基胺基和杂芳基胺基。就烷基胺基而言,碳原子数没有特别限定,但优选为1至20的烷基胺基,更优选为1至10的烷基胺基。就芳基胺基而言,碳原子数没有特别限定,但优选为6至60的芳基胺基、更优选为6至30的芳基胺基。作为胺基的具体例,有甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、苯基胺基、萘基胺基、联苯基胺基、蒽基胺基、9

甲基蒽基胺基、二苯基胺基、n

苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、n

苯基甲苯基胺基、三苯基胺基、n

苯基联苯基胺基、n

苯基萘基胺基、n

联苯基萘基胺基、n

萘基芴基胺基、n

苯基菲基胺基、n

联苯基菲基胺基、n

苯基芴基胺基、n

苯基三联苯基胺基、n

菲基芴基胺基、n

联苯基芴基胺基等,但并不限定于此。
[0070]
在本说明书中,芳基没有特别限定,但优选为碳原子数6至30的芳基,更优选为碳原子数6至20的芳基。上述芳基可以为单环或多环。上述芳基为单环芳基时,碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为6至30。更具体而言,优选为碳原子数6至20。具体而言,单环芳基可以为苯基、联苯基、三联苯基等,但并不限定于此。上述芳基为多环芳基时,碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为10至30,更具体而言,优选为碳原子数10至20。具体而言,多环芳基可以为萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、萉基、苝基、基、芴基、茚基等,但并不限定于此。
[0071]
在本说明书中,作为芳基胺基的例子,有取代或未取代的单芳基胺基、取代或未取代的二芳基胺基、或者取代或未取代的三芳基胺基。上述芳基胺基中的芳基可以为单环芳基,也可以为多环芳基。包含2个以上的上述芳基的芳基胺基可以包含单环芳基、多环芳基,或者可以同时包含单环芳基和多环芳基。例如,上述芳基胺基中的芳基可以选自上述的芳基的例示。
[0072]
在本说明书中,杂环基包含1个以上的非碳原子,即杂原子,具体而言,上述杂原子可以包含1个以上的选自o、n和s等中的原子。碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为2至50、2至30、2至20、2至18、或2至13,上述杂环基可以为单环或多环。作为杂环基的例子,有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、噻唑基、异唑基、二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基、二氢吩噻嗪基、二氢苯并异喹啉基、色烯基和六氢咔唑基等,但并不限定于此。
[0073]
在本说明书中,杂环基可以为单环或多环,可以为芳香族、脂肪族、或芳香族与脂肪族的稠环,可以选自上述杂环基的例示。
[0074]
在本说明书中,杂芳基是指1价的芳香族杂环。在这里,芳香族杂环作为芳香族环或芳香族环的衍生物的1价的基团,是指在环中包含n、o和s中的1个以上作为杂原子的基团。上述芳香族环的衍生物将芳香族环上稠合有芳香族环或脂肪族环的结构全部包括在内。此外,在本说明书中,杂芳基包括两个以上的含有杂原子的芳香族环或者含有杂原子的芳香族环的衍生物彼此连接而成的1价基团。上述杂芳基的碳原子数优选为2至50、2至30、2至20、2至18、或2至13。
[0075]
在本说明书中,“相邻的”基团可以是指在与该取代基取代的原子直接连接的原子上取代的取代基,与该取代基在立体结构上最接近的取代基、或者在该取代基取代的原子上取代的其它取代基。例如,在苯环中以邻(ortho)位被取代的2个取代基和脂肪族环中同一碳上取代的2个取代基可以解释为彼此“相邻的”基团。
[0076]
在本说明书中,在彼此结合而形成的取代或未取代的环中,“环”是指烃环、或杂环。上述烃环可以为芳香族、脂肪族、或芳香族与脂肪族的稠环。上述杂环除了是2价以外,可以适用上述对于杂环基的说明
[0077]
在本说明书中,芳香族烃环是指π电子完全共轭的平面的环,除了是2价基团以外,可以适用上述关于芳基的说明。
[0078]
在本说明书中,脂肪族烃环是指除了芳香族烃环以外的所有烃环,可以包括环烷基环、环烯基环。环烷基环除了是2价基团以外,可以适用上述关于环烷基的说明,环烯基环除了是2价基团以外,可以适用上述关于环烯基的说明。此外,在取代的脂肪族烃环中,也包括稠合有芳香族环的脂肪族烃环。
[0079]
在本说明书中,亚芳基除了是2价基团以外,可以适用上述关于芳基的说明。
[0080]
下面,关于下述化学式1进行说明。
[0081]
[化学式1]
[0082][0083]
在上述化学式1中,
[0084]
l为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
[0085]
d为氘,
[0086]
n1为1至8的整数,n2为0至7的整数,n3为0至7的整数,m为0或1。
[0087]
在本说明书的一实施方式中,m为0时,n3为0至5的整数,m为1时,n3为0至7的整数。
[0088]
在本说明书的一实施方式中,l为直接键合、或者取代或未取代的c6

c60的亚芳基。
[0089]
在本说明是的一实施方式中,l为直接键合、或者取代或未取代的c6

c30的亚芳基。
[0090]
在本说明是的一实施方式中,l为直接键合、或者被氘取代或未取代的c6

c20的亚芳基。
[0091]
在本说明书的一实施方式中,l为直接键合、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、或者取代或未取代的亚萘基。
[0092]
在本说明书的一实施方式中,l为直接键合、被氘取代或未取代的亚苯基、或者被氘取代或未取代的亚萘基。
[0093]
在本说明书的一实施方式中,l为直接键合或选自下述结构中的任一个。
[0094][0095]
在上述结构中,d为氘,k1为0至4的整数,k2为0至6的整数。
[0096]
在本说明书的一实施方式中,k1为1至4的整数。
[0097]
在本说明书的一实施方式中,k2为1至6的整数。
[0098]
在本说明书的一实施方式中,k1为1以上。在另一实施方式中,k1为2以上。在另一实施方式中,k1为3以上。在另一实施方式中,k1为4。
[0099]
在本说明书的一实施方式中,k2为1以上。在另一实施方式中,k2为2以上。在另一实施方式中,k2为3以上。在另一实施方式中,k2为4以上。在另一实施方式中,k2为5以上。在另一实施方式中,k2为6。
[0100]
在本说明书的一实施方式中,m为0。
[0101]
在本说明书的一实施方式中,m为1。
[0102]
在本说明书的一实施方式中,m为0,n3为0至5的整数。
[0103]
在本说明书的一实施方式中,m为1,n3为0至7的整数。
[0104]
在本说明书的一实施方式中,n2为0,n1 n3为1以上。
[0105]
在本说明书的一实施方式中,n1为1以上。在另一实施方式中,n1为2以上。在另一实施方式中,n1为3以上。在另一实施方式中,n1为4以上。在另一实施方式中,n1为5以上。在另一实施方式中,n1为6以上。在另一实施方式中,n1为7以上。在另一实施方式中,n1为8。
[0106]
在本说明书的一实施方式中,n2为1以上。在另一实施方式中,n2为2以上。在另一实施方式中,n2为3以上。在另一实施方式中,n2为4以上。在另一实施方式中,n2为5以上。在另一实施方式中,n2为6以上。在另一实施方式中,n2为7。
[0107]
在另一实施方式中,n2为0。
[0108]
在本说明书的一实施方式中,n3为1以上。在另一实施方式中,n3为2以上。在另一实施方式中,n3为3以上。在另一实施方式中,n3为4以上。在另一实施方式中,n3为5以上。在另一实施方式中,n3为6以上。在另一实施方式中,n3为7。
[0109]
在本说明书的一实施方式中,n1 n2 n3为2以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为4以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为6以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为8以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为10以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为12以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为14以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为16以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为18以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为20以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3为22。
[0110]
在本说明书的一实施方式中,n1 n2 n3为21以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为19以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为17以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为15以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为14以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为12以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为10以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为8以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为6以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3为4以下。
[0111]
在本说明书的一实施方式中,n1 n2 n3 k1为2以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为4以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为6以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为8以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为10以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为12以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为14以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为16以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为18以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为20以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为22以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为24以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为26。
[0112]
在本说明书的一实施方式中,n1 n2 n3 k1为25以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为23以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为21以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为19以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为17以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为15以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为13以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为11以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为9以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为7以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为5以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k1为3以下。
[0113]
在本说明书的一实施方式中,n1 n2 n3 k2为2以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为4以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为6以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为8以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为10以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为12以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为14以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为16以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为18以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为20以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为22以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为24以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为26以上。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为28。
[0114]
在本说明书的一实施方式中,n1 n2 n3 k2为27以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为25以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为23以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3
k2为21以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为19以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为17以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为15以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为13以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为11以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为9以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为7以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k2为5以下。在另一实施方式中,n1 n2 n3 k23以下。
[0115]
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1的结构被氘取代30%以上。在另一实施方式中,上述化学式1的结构被氘取代40%以上。在另一实施方式中,上述化学式1的结构被氘取代60%以上。在另一实施方式中,上述化学式1的结构被氘取代80%以上。在另一实施方式中,上述化学式1的结构被氘取代100%。
[0116]
在上述化学式1中,氘取代率越高,器件的长寿命特征越突出。
[0117]
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1的二苯并呋喃通过1号碳与l连接。在另一实施方式中,上述化学式1的二苯并呋喃通过2号碳与l连接。在另一实施方式中,上述化学式1的二苯并呋喃通过3号碳与l连接。在另一实施方式中,上述化学式1的二苯并呋喃通过4号碳与l连接。
[0118][0119]
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1为选自下述化学式101至104中的任一个。
[0120]
[化学式101]
[0121][0122]
[化学式102]
[0123][0124]
[化学式103]
[0125][0126]
[化学式104]
[0127][0128]
在上述化学式101至104中,l、d、n1至n3和m的定义与化学式1中的定义相同。
[0129]
如上述化学式102所示,通过二苯并呋喃的2号碳原子与l连接时,有机发光器件的电压降低且效率升高。
[0130]
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1的m为1时,上述化学式1由下述化学式105或106表示。
[0131]
[化学式105]
[0132][0133]
[化学式106]
[0134][0135]
在上述化学式105和106中,l、d和n1至n3的定义与化学式1中的定义相同,n5为0至7的整数。
[0136]
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1的m为0时,上述化学式1由下述化学式107表示。
[0137]
[化学式107]
[0138][0139]
在上述化学式107中,l、d、n1和n2的定义与化学式1中的定义相同,n3为0至5的整数。
[0140]
在本说明书的一实施方式中,由上述化学式1表示的化合物为选自下述化合物中的任一个。
[0141]
[0142]
[0143]
[0144]
[0145]
[0146]
[0147]
[0148]
[0149]
[0150]
[0151]
[0152]
[0153]
[0154]
[0155]
[0156]
[0157]
[0158][0159]
下面,关于化学式2进行说明。
[0160]
本说明书提供由下述化学式2表示的化合物。
[0161]
[化学式2]
[0162][0163]
在上述化学式2中,
[0164]
x1至x3中的一个以上为n,其余为ch,
[0165]
l1为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
[0166]
ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
[0167]
ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基,或者彼此结合而形成取代或未取代的环,
[0168]
r1和r2彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
[0169]
r1为0至4的整数,r2为0至3的整数,r1和r2各自为2以上时,括号内的取代基彼此相同或不同。
[0170]
在本说明书的一实施方式中,x1至x3中的2个以上为n,其余为ch。
[0171]
在本说明书的一实施方式中,x1和x2为n,x3为ch。
[0172]
在本说明书的一实施方式中,x1和x3为n,x2为ch。
[0173]
在本说明书的一实施方式中,x2和x3为n,x2为ch。
[0174]
在本说明书的一实施方式中,x1至x3各自为n。
[0175]
在本说明书的一实施方式中,l1为直接键合、或者取代或未取代的c6

c60的亚芳基。
[0176]
在本说明书的一实施方式中,l1为直接键合、或者取代或未取代的c6

c30的亚芳基。
[0177]
在本说明书的一实施方式中,l1为取代或未取代的c10

c30的亚芳基。
[0178]
在本说明书的一实施方式中,l1包含一个以上的分离的芳香族环或杂环。
[0179]
在本说明书的一实施方式中,l1包含一个以上的分离的芳香族烃环。
[0180]
在本说明书的一实施方式中,l1包含2个以上的分离的芳香族烃环。
[0181]
这时,分离的芳香族环、杂环、或芳香族烃环是指由单键连接的环。具体而言,是指1个以上的单环用单键连接。
[0182]
在本说明书的一实施方式中,l1为直接键合、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基。
[0183]
在本说明书的一实施方式中,l1为取代或未取代的亚联苯基、或者取代或未取代的亚三联苯基。
[0184]
在本说明书的一实施方式中,l1选自下述结构。
[0185]
[0186][0187]
上述l1包含一个以上的分离的芳香族环或杂环时,器件的特性提高。具体而言,l1的亚苯基、亚联苯基或亚三联苯基等一个以上的环以对(para)位取向时,芴或含n杂环基由于旋转排列等使空间占有自由。因此,没有非必要的积聚,可以更稳定地传输电子。
[0188]
另外,l1的亚苯基、亚联苯基或亚三联苯基等一个以上的环以间(meta)位或邻(ortho)位取向时,电子注入层的单重态和三重态变大,从而防止空穴从发光层中迁移。结果提高器件的寿命。
[0189]
在本说明书的一实施方式中,l1选自下述结构。
[0190][0191]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的c6

c60的芳基、或者取代或未取代的c2

c60的杂环基。
[0192]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的c6

c30的芳基。
[0193]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为c6

c20的芳基。
[0194]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或为未取代的萘基、取代或未取代的菲基、或者取代或未取代的芴基。
[0195]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的苯基、或者取代或未取代的联苯基。
[0196]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为苯基或联苯基。
[0197]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为选自下述结构中的任一个。
[0198][0199]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同。
[0200]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此不同。
[0201]
在本说明书的一实施方式中,ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的c1

c20的烷基、或者取代或未取代的c6

c60的芳基,或者彼此结合而形成取代或未取代的c3

c60的烃环。
[0202]
在本说明书的一实施方式中,ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的c1

c10的烷基、或者取代或未取代的c6

c30的芳基,或者彼此结合而形成取代或未取代的c3

c30的脂肪族烃环、或者取代或未取代的c6

c30芳香族烃环。
[0203]
在本说明书的一实施方式中,ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的甲基、或者取代或未取代的苯基,或者为取代或未取代的苯基且彼此结合而形成取代或未取代的芴环。
[0204]
在本说明书的一实施方式中,ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为甲基或苯基,或者为苯基且彼此结合而形成芴环。
[0205]
在本说明书的一实施方式中,ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的甲基、或者取代或未取代的苯基。
[0206]
在本说明书的一实施方式中,ar3和ar4为甲基。ar3和ar4为甲基时,器件的低电压、高效率或/和长寿命的特征突出。
[0207]
在本说明书的一实施方式中,ar1和ar2彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的苯基、或者取代或未取代的联苯基,ar3和ar4彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的甲基、或者取代或未取代的苯基,或者彼此结合而形成取代或未取代的芴环。
[0208]
在本说明书的一实施方式中,r1和r2彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的c1

c10的烷基。
[0209]
在本说明书的一实施方式中,r1和r2彼此相同或不同,各自独立地为氢或氘。
[0210]
在本说明书的一实施方式中,r1和r2各自为氢。
[0211]
在本说明书的一实施方式中,r1为2以上时,复数个r1彼此相同或不同。在另一实施方式中,r2为2以上时,复数个r2彼此相同或不同。
[0212]
在本说明书的一实施方式中,r1为4。
[0213]
在本说明书的一实施方式中,r2为3。
[0214]
在本说明书的一实施方式中,r1为0。
[0215]
在本说明书的一实施方式中,r2为0。
[0216]
在本说明书的一实施方式中,上述化学式2由下述化学式201至204中的任一个表示。
[0217]
[化学式201]
[0218][0219]
[化学式202]
[0220][0221]
[化学式203]
[0222][0223]
[化学式204]
[0224]
[0225]
在上述化学式201至204中,
[0226]
x1至x3、l1、ar1至ar4、r1、r2、r1和r2的定义与化学式2中的定义相同。
[0227]
在本说明书的一实施方式中,由上述化学式2表示的化合物选自为下述化合物中的任一个。
[0228]
[0229]
[0230]
[0231]
[0232]
[0233]
[0234]
[0235]
[0236]
[0237]
[0238]
[0239]
[0240]
[0241]
[0242]
[0243]
[0244][0245]
根据本发明的一实施方式,上述化学式1的化合物可以如下述反应式1或2所示进行制造,上述化学式2的化合物可以如下述反应式3所示进行制造。下述反应式1至3记载了相当于本技术化学式1和2的部分化合物的合成过程,但利用如下述反应式1至3所示的合成过程而可以合成相当于本技术化学式1和2的各种化合物,取代基可以通过本技术领域中已知的方法而进行结合,取代基的种类、位置和个数可以根据该技术领域中已知的技术而进行变更。
[0246]
[反应式1]
[0247][0248]
[反应式2]
[0249][0250]
[反应式3]
[0251][0252]
本说明书的有机发光器件利用由上述的化学式1表示的化合物而形成发光层,利用由上述的化学式2表示的化合物而形成第一有机物层,除此以外,可以利用通常的有机发光器件的制造方法和材料而制造。
[0253]
包含由上述化学式1表示的化合物的发光层和包含由化学式2表示的化合物的第一有机物层不仅可以利用真空蒸镀法,还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里,所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等,但并不仅限于此。
[0254]
本说明书的有机发光器件的有机物层可以由包括上述发光层和第一有机物层的结构形成,也可以由还包括额外的有机物层的结构形成。作为上述额外的有机物层,可以是空穴注入层、空穴传输层、同时进行空穴传输和空穴注入的层、电子抑制层、发光层、电子传输层、电子注入层、同时进行电子传输和电子注入的层、空穴抑制层中的一层以上。但是,有机发光器件的结构并不限定于此,可以包含更少或更多数量的有机物层。
[0255]
在根据本说明书的一实施方式的有机发光器件中,上述第一有机物层被设置成与上述发光层相接。
[0256]
在根据本说明书的一实施方式的有机发光器件中,上述第一有机物层被设置成与上述阴极相接。
[0257]
在根据本说明书的一实施方式的有机发光器件中,上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物作为主体。
[0258]
在本说明书的一实施方式中,上述发光层包含与发光层的总重量100相比由上述化学式1表示的化合物70至99重量比。
[0259]
在本说明书的一实施方式中,上述发光层还包含掺杂剂。这时掺杂剂可以是芳基胺基化合物或含硼化合物。
[0260]
在本说明书的一实施方式中,包含由上述化学式1表示的化合物的发光层的最大发光峰为400nm至500nm。即,包含由上述化学式1表示的化合物的发光层发出蓝色的光。
[0261]
在本说明书的一实施方式中,有机发光器件除了包含由上述化学式1表示的化合
物的发光层以外,可以包括额外的发光层。这时,包含由上述化学式1表示的化合物的发光层与额外的发光层的最大发光峰可以彼此不同。
[0262]
在本说明书的一实施方式中,第一有机物层为电子传输区域。具体为空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或者电子注入和传输层,是与上述发光层相邻的层。
[0263]
在本说明书的一实施方式中,第一有机物层为空穴阻挡层。
[0264]
在本说明书的一实施方式中,第一有机物层为电子传输层。
[0265]
在本说明书的一实施方式中,第一有机物层为电子注入层。
[0266]
在本说明书的一实施方式中,第一有机物层为电子注入和传输层。
[0267]
在本说明书的一实施方式中,第一有机物层可以包含选自碱金属和碱土金属中的1种或2种以上、或其有机配合物的n型掺杂剂。
[0268]
在将有机碱金属化合物或有机碱土金属化合物用作n型掺杂剂的情况下,可以确保对于来自发光层的空穴的稳定性,可以提高有机发光器件的寿命。此外,通过有机碱金属化合物或有机碱土金属化合物的比率来调节电子传输层的电子迁移率,使发光层中的空穴和电子的平衡极大化,从而可以增加发光效率。
[0269]
在本说明书中,作为在电子传输层中使用的n型掺杂剂,更优选为liq。
[0270]
上述电子传输层可以以1:9至9:1的重量比包含由化学式2表示的化合物和上述n型掺杂剂。优选地,可以以2:8至8:2的重量比包含上述化学式2的化合物和上述n型掺杂剂,更优选地,可以包含3:7至7:3的重量比。
[0271]
本说明书的有机发光器件的结构可以具有如图1和2所示的结构,但不仅限于此。
[0272]
图1中例示了在基板1上依次层叠有阳极2、发光层3、电子传输层7和阴极4的有机发光器件的结构。由上述化学式1表示的化合物包含在上述发光层3中,由上述化学式2表示的化合物包含在上述电子传输层7中。
[0273]
图2中例示了在基板1上依次层叠有阳极2、第一空穴注入层5a、第二空穴注入层5b、空穴传输层6、电子阻挡层8、发光层3、第一电子传输层7a、第二电子传输层7b、电子注入层9和阴极4的有机发光器件的结构。由上述化学式1表示的化合物包含在上述发光层3中,由上述化学式2表示的化合物包含在上述第一电子传输层7a中。
[0274]
根据本说明书的有机发光器件可以如下制造:利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e

beam evaporation)之类的pvd(physical vapor deposition:物理气相沉积)方法,在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极,然后在该阳极上形成包括上述的发光层和第一有机物层的有机物层,之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外,也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件。
[0275]
上述有机发光器件的有机物层可以为还包括空穴注入层、空穴传输层、同时进行电子注入和电子传输的层、电子抑制层、发光层、电子传输层、电子注入层、同时进行电子注入和注传输的层、空穴抑制层等的多层结构。此外,上述有机物层可以使用各种高分子材料并通过不是蒸镀法的溶剂工序(solvent process),例如旋涂法、浸涂法、刮涂法、丝网印刷法、喷墨印刷法、或热转印法等方法来制造成更少数量的层。
[0276]
上述阳极是注入空穴的电极,作为阳极物质,通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入,优选为功函数大的物质。作为本发明中可以使用的阳极物质的具体例,有钒、铬、
铜、锌、金等金属或它们的合金;氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito,indium tin oxide)、氧化铟锌(izo,indium zinc oxide)等金属氧化物;zno:al或sno2:sb等金属与氧化物的组合;聚(3

甲基噻吩)、聚[3,4

(亚乙基

1,2

二氧)噻吩](pedot)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等,但并不仅限于此。
[0277]
上述阴极是注入电子的电极,作为阴极物质,通常为了使电子容易地向有机物层注入,优选为功函数小的物质。作为阴极物质的具体例,有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金;lif/al或lio2/al等多层结构物质等,但不仅限于此。
[0278]
上述空穴注入层是起到使从阳极到发光层的空穴的注入顺利的作用的层,空穴注入物质是可以在低电压下从阳极良好地接收空穴的物质,优选空穴注入物质的homo(最高占有分子轨道,highest occupied molecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的homo之间。作为空穴注入物质的具体例,有金属卟啉(porphyrine)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系的导电性高分子等,但并不仅限于此。
[0279]
上述空穴传输层可以起到使空穴的传输顺利的作用,空穴传输物质是能够从阳极或空穴注入层接收空穴并将其转移至发光层的物质,对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为具体例,有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等,但并不仅限于此。
[0280]
上述同时进行空穴传输和空穴注入的层可以使用该技术领域中已知的空穴传输层材料和/或空穴注入层材料。
[0281]
上述同时进行电子传输和电子注入的层可以使用该技术领域中已知的电子传输层材料和/或空穴注入层材料。
[0282]
在上述空穴传输层和发光层之间可以设置电子抑制层。上述电子抑制层可以使用该技术领域中已知的材料。
[0283]
上述发光层可以发出红色、绿色或蓝色的光,可以由磷光物质或荧光物质构成。上述发光物质是能够从空穴传输层和电子传输层分别接收空穴和电子并使它们结合而发出可见光区域的光的物质,优选为对于荧光或磷光的量子效率高的物质。作为具体例,有8

羟基喹啉铝配合物(alq3);咔唑系化合物;二聚苯乙烯基(dimerized styryl)化合物;balq;10

羟基苯并喹啉

金属化合物;苯并唑、苯并噻唑及苯并咪唑系化合物;聚(对亚苯基亚乙烯基)(ppv)系高分子;螺环(spiro)化合物;聚芴、红荧烯等,但不仅限于此。
[0284]
作为发光层的主体材料,有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言,作为芳香族稠环衍生物,有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等,作为含杂环化合物,有咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物、嘧啶衍生物等,但并不限定于此。
[0285]
当发光层发出红色光时,作为发光掺杂剂,可以使用piqir(acac)(bis(1

phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium,双(1

苯基异喹啉)乙酰丙酮合铱)、pqir(acac)(bis(1

phenylquinoline)acetylacetonate iridium,双(1

苯基喹啉)乙酰丙酮合铱)、pqir(tris(1

phenylquinoline)iridium,三(1

苯基喹啉)合铱)、ptoep(octaethylporphyrin platinum,铂八乙基卟啉)等磷光物质,或alq3(tris(8

hydroxyquinolino)aluminum,三(8

羟基喹啉)铝)等荧光物质,但并不仅限于此。当发光层
发出绿色光时,作为发光掺杂剂,可以使用ir(ppy)3(fac tris(2

phenylpyridine)iridium,面式三(2

苯基吡啶)合铱))等磷光物质、或alq3(三(8

羟基喹啉)铝)等荧光物质,但并不仅限于此。当发光层发出蓝色光时,作为发光掺杂剂,可以使用(4,6

f2ppy)2irpic等磷光物质,或螺

dpvbi(spiro

dpvbi)、螺

6p(spiro

6p)、二苯乙烯基苯(dsb)、二苯乙烯基亚芳基(dsa)、pfo系高分子、ppv系高分子等荧光物质,但并不仅限于此。
[0286]
在上述电子传输层与发光层之间可以设置空穴抑制层,可以使用该技术领域已知的材料。
[0287]
上述电子传输层可以起到使电子的传输顺利的作用。电子传输物质是能够从阴极良好地接收电子并将其转移至发光层的物质,对电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体例,有8

羟基喹啉的al配合物、包含alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮

金属配合物等,但不仅限于此。
[0288]
上述电子注入层起到使电子的注入顺利的作用。作为电子注入物质,优选为如下化合物:具有传输电子的能力,具有注入来自阴极的电子的效果,具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果,而且薄膜形成能力优异的化合物。具体而言,有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物、以及含氮五元环衍生物等,但并不限定于此。
[0289]
作为上述金属配位化合物,有8

羟基喹啉锂、双(8

羟基喹啉)锌、双(8

羟基喹啉)铜、双(8

羟基喹啉)锰、三(8

羟基喹啉)铝、三(2

甲基
‑8‑
羟基喹啉)铝、三(8

羟基喹啉)镓、双(10

羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10

羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2

甲基
‑8‑
喹啉)氯化镓、双(2

甲基
‑8‑
喹啉)(邻甲酚)镓、双(2

甲基
‑8‑
喹啉)(1

萘酚)铝、双(2

甲基
‑8‑
喹啉)(2

萘酚)镓等,但并不限定于此。
[0290]
根据所使用的材料,根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
[0291]
实施发明的方式
[0292]
下面,为了对本说明书具体地进行说明,将举出实施例和比较例等详细地进行说明。但是,根据本说明书的实施例和比较例可以变形为各种不同的形态,不解释为本说明书的范围限定于下文中详述的实施例和比较例。本说明书的实施例和比较例是为了向本领域技术人员更完整地说明本说明书而提供的。
[0293]
合成例1.bh

1的合成
[0294][0295]
<1

a>化合物bh
‑1‑
a的制造
[0296]
将9



10

苯基蒽(50g,150mmol)和二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸(31.8g,150mmol)溶解于thf(500ml)后,加入pd(pph3)4(8.7g,7.5mmol)和2m的k2co3的水溶液100ml,回流24小时。冷却反应溶液,用乙酸乙酯萃取有机物层后,用无水硫酸镁干燥。减压而去除有机溶剂,利用柱层析进行纯化,从而得到了化合物bh
‑1‑
a(39.1g,收率62%)。
[0297]
ms:[m h]

=421
[0298]
<1

b>化合物bh

1的制造
[0299]
将化合物bh
‑1‑
a(45g)和alcl3(9g)加入到c6d6(900ml)中,搅拌2小时。反应结束后,加入d2o(60ml),搅拌30分钟后,滴加三甲基胺(trimethylamine)(6ml)。将反应液移至分液漏斗中,用水和甲苯萃取。将萃取液用mgso4干燥后,用乙酸乙酯重结晶,从而以67%的收率获得了bh

1。
[0300]
ms:[m h]

=441
[0301]
合成例2.bh

2的合成
[0302][0303]
<2

a>化合物bh
‑2‑
a的制造
[0304]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑1‑
基)蒽,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑2‑
a。
[0305]
ms:[m h]

=471
[0306]
<2

b>化合物bh

2的制造
[0307]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh
‑2‑
a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

2。
[0308]
ms:[m h]

=493
[0309]
合成例3.bh

3的合成
[0310][0311]
<3

a>化合物bh
‑3‑
a的制造
[0312]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑2‑
基)蒽,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑3‑
a。
[0313]
ms:[m h]

=471
[0314]
<3

b>化合物bh

3的制造
[0315]
在合成例1

b中,除了将化合物bh
‑1‑
a换成bh
‑3‑
a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

3。
[0316]
ms:[m h]

=493
[0317]
合成例4.bh

4的合成
[0318][0319]
<4

a>化合物bh
‑4‑
a的制造
[0320]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成9

苯基蒽,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑4‑
a。
[0321]
ms:[m h]

=269
[0322]
<4

b>化合物bh
‑4‑
b的制造
[0323]
将化合物bh
‑4‑
a(50g,197mmol)分散到500ml的二甲基甲酰胺后,缓慢滴加溶解于50ml的二甲基甲酰胺的正溴琥珀酰亚胺(35g,197mmol)溶液。在常温反应2小时后,滴加1l的水。生成固体时,进行过滤后,溶解于乙酸乙酯中,加入到分液漏斗后,用蒸馏水多次洗涤。在ea中重结晶,从而得到了化合物bh
‑4‑
b(56g,收率85%)。
[0324]
ms:[m h]

=347
[0325]
<4

c>化合物bh

4的制造
[0326]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成bh
‑4‑
b,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

4。
[0327]
ms:[m h]

=434
[0328]
合成例5.bh

5的合成
[0329][0330]
<5

a>化合物bh
‑5‑
a的制造
[0331]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成9

(萘
‑1‑
基)蒽,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑5‑
a。
[0332]
ms:[m h]

=321
[0333]
<5

b>化合物bh
‑5‑
b的制造
[0334]
在合成例4

b中,将化合物bh
‑4‑
a换成bh
‑5‑
a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑5‑
b。
[0335]
ms:[m h]

=399
[0336]
<5

c>化合物bh

5的制造
[0337]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成bh
‑5‑
b,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

5。
[0338]
ms:[m h]

=486
[0339]
合成例6.bh

6的合成
[0340][0341]
<6

a>化合物bh
‑6‑
a的制造
[0342]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成9

(萘
‑2‑
基)蒽,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑6‑
a。
[0343]
ms:[m h]

=334
[0344]
<6

b>化合物bh
‑6‑
b的制造
[0345]
在合成例4

b中,将化合物bh
‑4‑
a换成bh
‑6‑
a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑6‑
b。
[0346]
ms:[m h]

=412
[0347]
<6

c>化合物bh

6的制造
[0348]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成bh
‑6‑
b,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

6。
[0349]
ms:[m h]

=486
[0350]
合成例7.bh

7的合成
[0351][0352]
<7

a>化合物bh
‑7‑
a的制造
[0353]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑1‑
基)蒽,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成(4

(二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基)苯基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑7‑
a。
[0354]
ms:[m h]

=547
[0355]
<7

b>化合物bh

7的制造
[0356]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh
‑7‑
a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

7。
[0357]
ms:[m h]

=573
[0358]
合成例8.bh

8的合成
[0359][0360]
<8

a>化合物bh
‑8‑
a的制造
[0361]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑2‑
基)蒽,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成(4

(二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基)苯基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑8‑
a。
[0362]
ms:[m h]

=547
[0363]
<8

b>化合物bh

8的制造
[0364]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh
‑8‑
a,除此以外,进行相同的合成及纯化,
从而得到了化合物bh

8。
[0365]
ms:[m h]

=573
[0366]
合成例9.bh

9的合成
[0367][0368]
<9

a>化合物bh
‑9‑
a的制造
[0369]
在合成例1

a中,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh
‑9‑
a。
[0370]
ms:[m h] =421
[0371]
<9

b>化合物bh

9的制造
[0372]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh
‑9‑
a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

9。
[0373]
ms:[m h]

=441
[0374]
合成例10.bh

10的合成
[0375][0376]
<10

a>化合物bh

10

a的制造
[0377]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑1‑
基)蒽,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

10

a。
[0378]
ms:[m h]

=471
[0379]
<10

b>化合物bh

10的制造
[0380]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh

10

a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

10。
[0381]
ms:[m h]

=493
[0382]
合成例11.bh

11的合成
[0383][0384]
<11

a>化合物bh

11

a的制造
[0385]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑2‑
基)蒽,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

11

a。
[0386]
ms:[m h]

=471
[0387]
<11

b>化合物bh

11的制造
[0388]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh

11

a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

11。
[0389]
ms:[m h]

=493
[0390]
合成例12.bh

12的合成
[0391][0392]
<12

a>化合物bh

12的制造
[0393]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成化合物bh
‑4‑
b,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

12。
[0394]
ms:[m h]

=434
[0395]
合成例13.bh

13的合成
[0396][0397]
<13

a>化合物bh

13的制造
[0398]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成化合物bh
‑5‑
b,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

13。
[0399]
ms:[m h]

=486
[0400]
合成例14.bh

14的合成
[0401][0402]
<14

a>化合物bh

14的制造
[0403]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成化合物bh
‑6‑
b,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

14。
[0404]
ms:[m h]

=486
[0405]
合成例15.bh

15的合成
[0406][0407]
<15

a>化合物bh

15

a的制造
[0408]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑1‑
基)蒽,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成(4

(二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基)苯硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

15

a。
[0409]
ms:[m h]

=547
[0410]
<15

b>化合物bh

15的制造
[0411]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh

15

a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

15。
[0412]
ms:[m h]

=573
[0413]
合成例16.bh

16的合成
[0414][0415]
<16

a>化合物bh

16

a的制造
[0416]
在合成例1

a中,将9



10

苯基蒽换成9



10

(萘
‑2‑
基)蒽,将二苯并[b,d]呋喃
‑2‑
基硼酸换成(4

(二苯并[b,d]呋喃
‑1‑
基)苯硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

16

a。
[0417]
ms:[m h]

=547
[0418]
<16

b>化合物bh

16的制造
[0419]
在合成例1

b中,将化合物bh
‑1‑
a换成bh

16

a,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物bh

16。
[0420]
ms:[m h]

=573
[0421]
合成例17.et

1的合成
[0422][0423]
<17

a>化合物et

1的制造
[0424]
将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸(20g,84.0mmol)和2

([1,1'

联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪(31.8g,49.8mmol)溶解于thf(300ml)中,将k2co3(34.8g,252mmol)溶解于水(150ml)而进行加入。向其中加入pd(pph3)4(3.88g,3.36mmol),在氩气氛回流条件下搅拌8小时。反应结束时,冷却至常温后,将反应液移至分液漏斗,用水和乙酸乙酯进行萃取。将萃取液用mgso4进行干燥后,过滤及浓缩后,将试料用硅胶柱层析进行纯化,从而获得了化合物et

1(38.9g,收率:71%)。
[0425]
ms:[m h] =654
[0426]
合成例18.et

2的合成
[0427][0428]
<18

a>化合物et

2的制造
[0429]
在合成例10

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成(9,9

二甲基

9h


‑2‑
基)硼酸,将2

([1,1'

联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪换成2

(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)

4,6

联苯基

1,3,5

三嗪,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

2。
[0430]
ms:[m h]

=578
[0431]
合成例19.et

3的合成
[0432][0433]
<19

a>化合物et

3的制造
[0434]
在合成例17

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成(9,9

二甲基

9h


‑3‑
基)硼酸,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

3。
[0435]
ms:[m h]

=654
[0436]
合成例20.et

4的合成
[0437][0438]
<20

a>化合物et

4的制造
[0439]
在合成例17

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成9,9

二苯基

9h


‑2‑
基)硼酸,将2

([1,1'

联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪换成2

(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)

4,6

联苯基

1,3,5

三嗪,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

4。
[0440]
ms:[m h]

=702
[0441]
合成例21.et

5的合成
[0442][0443]
<21

a>化合物et

5的制造
[0444]
在合成例17

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成(9,9

二甲基

9h


‑3‑
基)硼酸,将2

([1,1'

联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪换
成2

(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)

4,6

联苯基

1,3,5

三嗪,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

5。
[0445]
ms:[m h]

=578
[0446]
合成例22.et

6的合成
[0447][0448]
<22

a>化合物et

6的制造
[0449]
在合成例17

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成9,9

二苯基

9h


‑2‑
基)硼酸,将2

([1,1
’‑
联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3
’‑


[1,1
’‑
联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪换成2

([1,1'

联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3

溴苯基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

6。
[0450]
ms:[m h]

=702
[0451]
合成例23.et

7的合成
[0452][0453]
<23

a>化合物et

7的制造
[0454]
在合成例17

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成9,9

二苯基

9h


‑3‑
基)硼酸,将2

([1,1
’‑
联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3
’‑


[1,1
’‑
联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪换成2

(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)

4,6

联苯基

1,3,5

三嗪,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

7。
[0455]
ms:[m h]

=702
[0456]
合成例24.et

8的合成
[0457][0458]
<24

a>化合物et

8的制造
[0459]
在合成例17

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成9,9'

螺二[芴]
‑3‑
基硼酸,将2

([1,1
’‑
联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3
’‑


[1,1
’‑
联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪换成2

(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)

4,6

联苯基

1,3,5

三嗪,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

8。
[0460]
ms:[m h]

=700
[0461]
合成例25.et

9的合成
[0462][0463]
<25

a>化合物et

9的制造
[0464]
在合成例17

a中,将(9,9

二甲基

9h


‑1‑
基)硼酸换成9,9'

螺二[芴]
‑2‑
基硼酸,将2

([1,1
’‑
联苯]
‑4‑
基)
‑4‑
(3
’‑


[1,1
’‑
联苯]
‑3‑
基)
‑6‑
苯基

1,3,5

三嗪换成2

(3'



[1,1'

联苯]
‑3‑
基)

4,6

联苯基

1,3,5

三嗪,除此以外,进行相同的合成及纯化,从而得到了化合物et

9。
[0465]
ms:[m h]

=700
[0466]
<实验例1:器件例>
[0467]
实施例1.
[0468]
将ito(氧化铟锡,indium tin oxide)以的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中,利用超声波进行洗涤。这时,洗涤剂使用菲希尔公司(fischer co.)制品,蒸馏水使用了利用密理博公司(millipore co.)制造的过滤器(filter)过滤两次的蒸馏水。将ito洗涤30分钟后,用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后,用异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后,输送至等离子体清洗机。此外,利用氧等离子体,将上述基板清洗5分钟后,将基板输送至真空蒸镀机。
[0469]
在这样准备的ito透明电极上,将下述hi

a和hatcn分别以a和hatcn分别以的厚度进行热真空蒸镀而形成第一空穴注入层和第二空穴注入层。在上述空穴注入层上,将下述ht

a以的厚度进行真空蒸镀而形成空穴传输层。在上述空穴传输层上,将下述ht

b以的厚度进行真空蒸镀而形成电子阻挡层。
[0470]
接着,在上述电子阻挡层上,将作为蓝色发光掺杂剂的下述化合物bd

a以相对于发光层总重量为4wt%、将作为主体的下述bh

1以相对于发光层总重量为96wt%并以的厚度进行真空蒸镀而形成发光层。
[0471]
然后,在上述发光层上,作为第一电子传输层,将下述化合物et

2以进行真
空蒸镀,接着,将下述et

b和liq以1:1的重量比进行真空蒸镀,从而以的后度形成第二电子传输层。在上述第二电子传输层上,将liq进行真空蒸镀,并以的厚度进行真空蒸镀而形成电子注入层。在上述电子注入层上,以的厚度,将铝和银以10:1的重量比进行蒸镀,将其上将铝以的厚度进行蒸镀而形成阴极。
[0472]
在上述过程中,有机物的蒸镀速度维持阴极的铝维持的蒸镀速度,在蒸镀时,真空度维持1
×
10
‑7托~5
×
10
‑8托,从而制作了有机发光器件。
[0473][0474]
实施例2至实施例23
[0475]
在上述实施例1中,使用下述中记载的化合物替代上述化合物bh

1而作为发光层的主体,使用下述中记载的化合物替代et

2而作为第一电子传输层物质,除此以外,利用与实施例1相同的方法分别制作了实施例2至实施例23的有机发光器件。
[0476]
[0477][0478]
比较例1至7
[0479]
在上述实施例1中,使用下述中记载的化合物替代上述化合物bh

1而作为发光层的主体,使用下述中记载的化合物替代et

2而作为第一电子传输层,除此以外,利用与实施例1相同的方法分别制作了比较例1至7的有机发光器件。
[0480][0481]
测定了对上述实施例1至实施例23和比较例1至7的有机发光器件施加10ma/cm2的电流密度时的电压、效率(cd/a/y)和施加20ma/cm2的电流密度时的寿命(t
95
),将其结果示于下述表1。这时,t
95
是在将电流密度20ma/cm2时的初始亮度作为100%时,将亮度减少至95%所需的时间以比较例1为基准显示的比率。
[0482]
[表1]
[0483]
[表1]
[0484][0485]
通过上述表1可知,包含本发明的化学式1的化合物和化学式2的化合物的有机发光器件具有低电压、高效率和长寿命的特征。
[0486]
比较例1至4使用了et

a至et

d代替本发明的化学式2的化合物。et

a和et

c包括包含芴的螺骨架,et

c与本发明的化学式2相比芴的连接位置不同,et

d包含不是芴基的三亚苯基。可知实施例1至23与比较例1至4相比电压低且效率和寿命高。
[0487]
比较例5至7使用了bh

a至bh

c代替本发明的化学式1的化合物。bh

a在蒽中只连接有芳基,bh

b与本发明的化学式1的骨架相同,但氘的连接位置仅限于二苯并呋喃。bh

c与本发明的化学式1的骨架相同,但不包含氘。可知实施例1至23与比较例5至7相比电压低且效率和寿命高。
[0488]
另外,如化学式102所示,可知通过二苯并呋喃的2号碳连接在蒽上的结构(bh

1至bh

8),低电压和长寿命的特征更优异。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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