显示面板的像素单元、显示面板的下基板、及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板的像素单元、显示面板的下基板、及显示面板。


背景技术：

2.随着液晶显示面板技术的发展，显示面板上的像素的穿透率越来越接近极限。现有的显示面板的诸多像素设计都以简化走线为目标，增大开口区面积，进而增大开口率并提升穿透率。
3.例请参照图1，图1为现有液晶显示面板的像素单元的局部平面图。所述像素单元包括垂直交错的数据线dl'及扫描线sl'、位于所述数据线dl'及扫描线sl'交错处的像素电极元件p'。所述像素电极元件p'包括了主像素电极(main pixel electrode)m'以及子像素电极(sub
‑
pixel electrode)s'。为了增加显示面板的开口率，所述像素单元省略了数据线dl'上的黑色矩阵(data black matrix less,dbl)，省略了以公共电极c'做为屏蔽金属的设计，而改以子像素电极s'的走线作为屏蔽，降低主像素电极m'和数据线dl'之间的寄生电容。但是此种像素单元设计的问题是子像素电极s'在大部分时间下是浮动状态而未经电位控制，其起到的屏蔽作用极为有限，导致主像素电极m'和数据线dl'之间的寄生电容过大，进一步造成严重的色串扰(color cross talk)和垂直串扰(vertical cross talk)问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板的像素单元、显示面板的下基板、及显示面板以解决现有技术中的显示面板中的像素单元中的主像素电极和数据线之间的寄生电容过大，进一步造成严重的色串扰(color cross talk)和垂直串扰(vertical cross talk)的技术问题。
5.在一方面，本技术实施例提供所述显示面板的像素单元，包括：
6.扫描信号线；
7.数据信号线，垂直相交于所述扫描信号线，其中在所述扫描信号线与所述数据信号线的交会处形成一开口区；
8.公共信号线，与所述扫描信号线平行设置，在所述公共信号线上形成有公共电极；
9.像素电极，设置在所述开口区内；以及
10.透明屏蔽电极元件，连接所述公共信号线，自所述公共信号线延伸至所述开口区内，且所述透明屏蔽电极元件在所述公共信号线所在的平面的正交投影与所述公共信号线至少部分重叠。
11.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件为u形，包括第一屏蔽段以及二第二屏蔽段，所述二第二屏蔽段自所述公共信号线处延伸到所述开口区内，各所述第二屏蔽段一端连接所述公共信号线，且各所述第二屏蔽段的另一端连接所述第一屏蔽段的一端，且各所述第二屏蔽段在所述公共信号线所在的平面的正交投影与所述公共信号线极至
少部分重叠。
12.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件包括二屏蔽条，所述二屏蔽条相互间隔及分离，且自所述公共信号线处延伸到所述开口区内，且各所述屏蔽条一端连接所述公共信号线，且各所述屏蔽条在所述公共信号线所在的平面的正交投影与所述公共信号线至少部分重叠。此外，所述二屏蔽条可相互平行。
13.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件与所述公共信号线为彼此相互独立分离的元件，且彼此接触而相互连接。
14.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件的材料为氧化铟锡。
15.在另一方面，本技术实施例提供所述显示面板的下基板，包括玻璃基板，以及依次间接或直接层迭设置于所述玻璃基板上的第一金属层、第二金属层、以及第一透明导电层，其中所述下基板还包括：
16.扫描信号线，由所述第一金属层图案化而成；
17.数据信号线，由所述第二金属层图案化而成，垂直相交于所述扫描信号线，其中在所述扫描信号线与所述数据信号线的交会处形成一开口区；
18.公共信号线，与所述扫描信号线同层且平行设置，在所述公共信号线上形成有公共电极；
19.像素电极，由所述第一透明导电层图案化而成，且设置在所述开口区内；以及
20.透明屏蔽电极元件，连接所述公共信号线，自所述公共信号线延伸至所述开口区内，且所述透明屏蔽电极元件在所述公共信号线所在的平面的正交投影与所述公共信号线至少部分重叠。
21.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件包括第一屏蔽段以及二自所述第一屏蔽段延伸出且相间隔的第二屏蔽段，各所述第二屏蔽段以接触方式或是一体成形方式连接所述公共信号线，且各所述第二屏蔽段在所述公共信号线所在的平面的正交投影与所述公共信号线重叠以用于提供屏蔽效果并降低所述像素电极与所述数据信号线之间的寄生电容。
22.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件包括二相互间隔及分离的屏蔽条，且各所述屏蔽条以接触方式或是一体成形方式连接所述公共信号线，且各所述屏蔽条在所述公共信号线所在的平面的正交投影与所述公共信号线重叠。此外，所述二屏蔽条可相互平行。
23.在本技术的一些实施例中，所述下基板还包括第二透明导电层，所述第二透明导电层设置在所述玻璃基板及所述第一金属层之间，所述透明屏蔽电极元件由形成所述第二透明导电层图案化而成。
24.在又另一方面，本技术实施例提供所述显示面板，包括：上述实施例中的下基板、与所述下基板相对设置的上基板、以及设置在所述上基板与所述下基板之间的液晶层。
25.本技术至少具有下列优点：
26.本技术提供的显示面板的像素单元、显示面板的下基板、及显示面板，通过设置连接公共信号线并延伸至所述开口区内的透明屏蔽电极元件，并使所述透明屏蔽电极元件在所述公共信号线所在的平面的正交投影与所述公共信号线至少部分重叠，以延伸公共信号线提供屏蔽效果，从而降低了像素电极与数据线之间的寄生电容，以解决现有技术中的显
示面板中的像素单元中的主像素电极和数据线之间的寄生电容过大，进一步造成严重的色串扰(color cross talk)和垂直串扰(vertical cross talk)的技术问题。此外，由于本技术的所述透明屏蔽电极元件与所述像素电极均为透明导电电极，因此延伸至开口区内的所述透明屏蔽电极元件并不会减少像素单元的开口率及穿透率，从而避免了现有技术的像素单元的位于开口区内的屏蔽金属减少开口率及穿透率的技术问题。
附图说明
27.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1是现有技术的显示面板的像素单元的平面示意图；
29.图2是本技术实施例提供的显示面板的立体分解示意图；
30.图3a是本技术实施例提供的显示面板的像素单元的平面示意图；
31.图3b是本技术实施例提供的显示面板的像素单元的平面示意图，其中像素电极省略且标示出开口区；
32.图4是本技术实施例提供的显示面板的像素单元中的第一金属层中的公共信号线与透明屏蔽电极元件部分重叠的平面示意图；
33.图5是本技术另一实施例提供的显示面板的像素单元的平面示意图；及
34.图6是本技术另一实施例提供的显示面板的像素单元中的第一金属层中的公共信号线与透明屏蔽电极元件部分重叠的平面示意图。
具体实施方式
35.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
36.此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
37.本技术实施例提供一种显示面板的像素单元、显示面板的下基板、及显示面板以解决现有技术中的显示面板中的像素单元中的主像素电极和数据信号线之间的寄生电容过大，进一步造成严重的色串扰(color cross talk)和垂直串扰(vertical cross talk)的技术问题。
38.请参照图2及3a、3b，本技术实施例提供所述显示面板的像素单元3包括：扫描信号线sl、数据信号线dl、公共信号线cl、像素电极p、以及透明屏蔽电极元件20。
39.所述扫描信号线sl上形成有栅极g。
40.所述数据信号线dl垂直相交于所述扫描信号线sl，其中在所述扫描信号线sl与所
述数据信号线dl的交会处形成一开口区oa，如图3b所示。
41.所述公共信号线cl与所述扫描信号线sl平行设置，在所述公共信号线cl上形成有公共电极c。
42.所述像素电极p设置在所述开口区oa内，且可包括主像素电极部m以及子像素电极部s。
43.所述透明屏蔽电极元件20连接所述公共信号线cl，自所述公共信号线cl延伸至所述开口区oa内，且所述透明屏蔽电极元件20在所述公共信号线cl所在的平面的正交投影与所述公共信号线cl至少部分重叠。具体的，部分的所述公共信号线cl覆盖于部分的所述透明屏蔽电极元件20上，或是部分的所述透明屏蔽电极元件20覆盖于部分的所述公共信号线cl上。
44.详细而言，所述透明屏蔽电极元件20作为屏蔽电极以用于延伸所述公共信号线cl的屏蔽效果，进而降低主像素电极部m和数据信号线dl之间的寄生电容，并进一步避免色串扰(color cross talk)和垂直串扰(vertical cross talk)的问题。在本技术较佳实施例中，所述透明屏蔽电极元件20的材料可为氧化铟锡(indium tin oxide,ito)。
45.请参照图3a、图3b及图4，在本技术的一实施例中，所述透明屏蔽电极元件20为u形，包括第一屏蔽段21以及二第二屏蔽段22，所述二第二屏蔽段22自所述公共电极c处延伸到所述开口区oa内，各所述第二屏蔽段22一端连接所述公共信号线cl，且各所述第二屏蔽段22的另一端连接所述第一屏蔽段21的一端，且各所述第二屏蔽段22在所述公共信号线cl所在的平面的正交投影与所述公共信号线cl至少部分重叠。此外，所述二第二屏蔽段22分别邻近所述像素单元的所述数据信号线dl以及所述显示面板另包括的相邻像素单元的数据信号线dl，且所述二第二屏蔽段22可分别位于所述像素电极p的主像素电极部m的二侧，以进一步降低主像素电极部m和数据信号线dl之间的寄生电容。
46.请参照图5及图6，在本技术另一实施例中，所述透明屏蔽电极元件20a包括二屏蔽条23，所述二屏蔽条23相互间隔及分离，且自所述公共信号线cl处延伸到所述开口区oa内，且各所述屏蔽条23一端连接所述公共信号线cl，且各所述屏蔽条23在所述公共信号线cl所在的平面的正交投影与所述公共信号线cl至少部分重叠。此外，所述二屏蔽条23分别邻近所述像素单元的所述数据信号线dl以及所述显示面板另包括的相邻像素单元的数据信号线dl，且所述二屏蔽条23可分别位于所述像素电极p的主像素电极部m的二侧，以进一步降低主像素电极部m和数据信号线dl之间的寄生电容。
47.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件20与所述公共信号线cl位于不同材料层，为彼此相互独立分离的元件，且彼此接触而相互连接。或者，在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件20与所述公共信号线cl均设置于玻璃基板10表面，且部分的所述公共电极c覆盖部分的所述透明屏蔽电极元件20或是部分的所述透明屏蔽电极元件20覆盖部分的所述公共电极c。
48.请参照图2、图3a、及图3b，本技术实施例提供所述显示面板的下基板1，包括玻璃基板10,以及依次间接或直接层迭设置于玻璃基板10上的第一金属层m1、第二金属层m2、以及第一透明导电层30，其中所述下基板1还包括：扫描信号线sl、数据信号线dl、公共信号线cl、像素电极p、以及透明屏蔽电极元件20。
49.所述扫描信号线sl由所述第一金属层m1图案化而成，在所述扫描信号线sl上形成
有栅极g。
50.所述数据信号线dl由所述第二金属层m2图案化而成，垂直相交于所述扫描信号线sl，其中在所述扫描信号线sl与所述数据信号线dl的交会处形成一开口区oa。
51.所述公共信号线cl与所述扫描信号线sl同层且平行设置，在所述公共信号线cl上形成有公共电极c。
52.所述像素电极p由所述第一透明导电层30图案化而成，设置在所述开口区内，且可包括主像素电极部m以及子像素电极部s。
53.所述透明屏蔽电极元件20连接所述公共信号线cl，自所述公共信号线cl延伸至所述开口区内，且所述透明屏蔽电极元件20在所述公共信号线cl在的平面的正交投影与所述公共信号线cl至少部分重叠。
54.详细而言，所述透明屏蔽电极元件20作为屏蔽电极以用于屏蔽所述公共信号线cl，进而降低主像素电极部m和数据信号线dl之间的寄生电容，并进一步避免色串扰(color cross talk)和垂直串扰(vertical cross talk)的问题。在本技术较佳实施例中，所述透明屏蔽电极元件20的材料可为氧化铟锡(indium tin oxide,ito)。
55.请参照图3a、图3b及图4，在本技术的一实施例中，所述透明屏蔽电极元件20为u形，包括第一屏蔽段21以及二第二屏蔽段22，所述二第二屏蔽段22自所述公共信号线cl处延伸到所述开口区内，各所述第二屏蔽段22一端连接所述公共信号线cl，且各所述第二屏蔽段22的另一端连接所述第一屏蔽段21的一端，且各所述第二屏蔽段22在所述公共信号线cl所在的平面的正交投影与所述公共信号线cl至少部分重叠。此外，所述二第二屏蔽段22分别邻近所述像素单元的所述数据信号线dl以及所述显示面板另包括的相邻像素单元的数据信号线dl，且所述二第二屏蔽段22可分别位于所述像素电极p的主像素电极部m的二侧，以进一步增降低主像素电极部m和数据信号线dl之间的寄生电容。
56.详细而言，本技术实施例提供所述显示面板的下基板1还包括，绝缘层gi、半导体层(图中未示)、第一钝化层pv1、彩色光阻层cf、以及第二钝化层pv2。所述玻璃基板10、所述第一金属层m1、所述绝缘层gi、所述半导体层、所述第二金属层m2、所述第一钝化层pv1、所述彩色光阻层cf、所述第二钝化层pv2、以及所述第一透明导电层30依序迭设以构成所述下基板1。
57.请参照图5及图6，在本技术的另一实施例中，所述透明屏蔽电极元件20包括二屏蔽条23，所述二屏蔽条23相互间隔及分离，且自所述公共信号线cl处延伸到所述开口区内，且各所述屏蔽条23一端连接所述公共信号线cl，且各所述屏蔽条23在所述公共信号线cl所在的平面的正交投影与所述公共信号线cl至少部分重叠。此外，所述二屏蔽条23分别邻近所述像素单元的所述数据信号线dl以及所述显示面板另包括的相邻像素单元的数据信号线dl，且所述二屏蔽条23可分别位于所述像素电极p的主像素电极部m的二侧，以进一步增降低主像素电极部m和数据信号线dl之间的寄生电容。
58.在本技术的一些实施例中，所述透明屏蔽电极元件20由第二透明导电层图案化而成。具体的，所述第二透明导电层设置在所述玻璃基板10及所述第一金属层m1之间。所述透明屏蔽电极元件20由第二透明导电层以光刻法图案化而成。
59.在又另一方面，本技术实施例提供所述显示面板，包括：上述实施例中的下基板1、与所述下基板1相对设置的上基板2、以及设置在所述上基板2与所述下基板1之间的液晶层
lc。具体的，上基板2还包括黑矩阵(black matrix)bm，用以定义所述开口区oa。另外，上基板2还包括上基板公共电极cc及上盖cg，如图2所示。
60.下列比对表为上述像素单元在增加透明屏蔽电极元件20前和增加透明屏蔽电极元件20之后的寄生电容对比。由所述比对表可发现，增加u型透明电极后，主像素电极部m的寄生电容可减小至原来的12％，寄生电容/总电容从1.24％减小至0.15％，说明通过透明屏蔽电极元件20具有减小寄生电容的效果。
61.若是充分增加透明屏蔽电极元件20的面积，寄生电容/总电容将更小。
[0062][0063][0064]
本技术至少具有下列优点：
[0065]
本技术提供的显示面板的像素单元、显示面板的下基板1、及显示面板，通过设置连接公共电极c并延伸至所述开口区内的透明屏蔽电极元件20，并使所述透明屏蔽电极元件20在所述公共信号线cl所在的平面的正交投影与所述公共电极c至少部分重叠，以延伸公共信号线cl提供的屏蔽效果，从而降低了像素电极p与数据信号线dl之间的寄生电容，以解决现有技术中的显示面板中的像素单元中的主像素电极p和数据信号线dl之间的寄生电容过大，进一步造成严重的色串扰和垂直串扰的技术问题。此外，由于本技术的所述透明屏蔽电极元件20与所述像素电极p均为透明导电电极，因此延伸至开口区内的所述透明屏蔽电极元件20并不会减少像素单元的开口率及穿透率，从而避免了现有技术的像素单元的位于开口区内的屏蔽金属减少开口率及穿透率的技术问题。
[0066]
本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。