多输出的功率分配控制装置的制作方法

技术特征：
1.一种多输出的功率分配控制装置，其特征在于，包含有：一输入端口，供电连接至一电源，以接收一交流电；一整流单元，电连接所述输入端口，接收所述交流电，并将所述交流电转换成一直流电；一电源转换器，包含有：一一次侧单元，电连接所述整流单元，以接收所述直流电；一第一二次侧单元，耦合所述一次侧单元，以感应生成一第一直流电；一第二二次侧单元，耦合所述一次侧单元，以感应生成一第二直流电；一第一开关单元，电连接所述第一二次侧单元，接收所述第一直流电；一第二开关单元，电连接所述第二二次侧单元，接收所述第二直流电；一输出端口，电连接所述第一开关单元及所述第二开关单元，且供电连接至一受电装置；一控制单元，电连接所述输出端口、所述第一开关单元、所述第二开关单元、所述第一二次侧单元、所述第二二次侧单元及所述一次侧单元；其中所述控制单元通过所述输出端口接收所述受电装置传送的一充电控制信号；其中当所述充电控制信号为一高压充电信号时，所述控制单元控制所述第一开关单元导通，并控制所述第二开关单元不导通，使所述输出端口输出所述第一直流电，且所述控制单元根据所述第一直流电及所述高压充电信号控制所述一次侧单元；其中当所述充电控制信号为一低压充电信号时，所述控制单元控制所述第二开关单元导通，并控制所述第一开关单元不导通，使所述输出端口输出所述第二直流电，且所述控制单元根据所述第二直流电及所述低压充电信号控制所述一次侧单元。2.根据权利要求1所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，进一步包含有：一抗电磁干扰单元，电连接于所述输入端口与所述整流单元之间，且所述交流电通过所述抗电磁干扰单元后输出至所述整流单元。3.根据权利要求1所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，所述第一开关单元为一第一金属氧化物半导体场效晶体管，且所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的一源极及一漏极电连接于所述第一二次侧单元及所述输出端口之间，而所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极电连接至所述控制单元；其中所述第二开关单元为一第二金属氧化物半导体场效晶体管，且所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的一源极及一漏极电连接于所述第二二次侧单元及所述输出端口之间，而所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极电连接至所述控制单元。4.根据权利要求1所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，所述第一二次侧单元包含有：一第一二次侧模块，包含有一第一线圈，且所述第一线圈与所述一次侧单元耦合，以感应生成所述第一直流电；一第一同步整流控制模块，电连接所述第一二次侧模块及所述第一开关单元，以接收所述第一直流电，并输出同步整流后的所述第一直流电至所述第一开关单元；其中所述第二二次侧单元包含有：一第二二次侧模块，包含有一第二线圈，且所述第二线圈与所述一次侧单元耦合，以感
应生成所述第二直流电；一第二同步整流控制模块，电连接所述第二二次侧模块及所述第二开关单元，以接收所述第二直流电，并输出同步整流后的所述第二直流电至所述第二开关单元。5.根据权利要求1所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，所述一次侧单元包含有：一一次侧线圈，耦合所述第一二次侧单元及所述第二二次侧单元；一一次侧开关，与所述一次侧线圈串连后，连接于所述整流单元的一正输出端及一负输出端之间，且所述一次侧开关的一控制端连接至所述控制单元。6.根据权利要求1所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，所述控制单元包含有：一电路控制模块，电连接所述输出端口、所述第一开关单元、所述第二开关单元、所述第一二次侧单元及所述第二二次侧单元；其中所述电路控制模块通过所述输出端口接收所述受电装置传送的所述充电控制信号；其中当所述充电控制信号为所述高压充电信号时，所述电路控制模块控制所述第一开关单元导通，并控制所述第二开关单元不导通，使所述输出端口输出所述第一直流电；其中当所述充电控制信号为所述低压充电信号时，所述电路控制模块控制所述第二开关单元导通，并控制所述第一开关单元不导通，使所述输出端口输出所述第二直流电；一电源转换控制模块，耦合所述电路控制模块，并电连接所述一次侧单元，且所述电源转换控制模块根据所述电路控制模块产生的一回授控制信号控制所述一次侧单元；其中当所述第一开关单元导通时，所述电路控制模块根据所述第一直流电及所述高压充电信号产生所述回授控制信号；其中当所述第二开关单元导通时，所述电路控制模块根据所述第二直流电及所述低压充电信号产生所述回授控制信号。7.根据权利要求6所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，所述电路控制模块包含有：一充电控制器，电连接所述输出端口、所述第一开关单元及所述第二开关单元；其中所述充电控制器通过所述输出端口接收所述受电装置传送的所述充电控制信号；其中当所述充电控制信号为所述高压充电信号时，所述充电控制器控制所述第一开关单元导通，并控制所述第二开关单元不导通，使所述输出端口输出所述第一直流电；其中当所述充电控制信号为所述低压充电信号时，所述充电控制器控制所述第二开关单元导通，并控制所述第一开关单元不导通，使所述输出端口输出所述第二直流电；一控制电路，电连接所述第一二次侧单元、所述第二二次侧单元及所述充电控制器，且耦合所述电源转换控制模块；其中当所述第一开关单元导通时，所述控制电路根据所述第一直流电及所述高压充电信号产生所述回授控制信号；其中当所述第二开关单元导通时，所述控制电路根据所述第二直流电及所述低压充电信号产生所述回授控制信号。8.根据权利要求1所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，进一步包含有：一功率因数校正电路，电连接于所述整流单元与所述一次侧单元之间，且接收所述直流电，并输出校正后的所述直流电至所述一次侧单元；一功率因数控制器，电连接所述功率因数校正电路，且接收校正后的所述直流电，并根据校正后的所述直流电回授控制所述功率因数校正电路。
9.根据权利要求1所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，所述第一开关单元包含有：一第一开关，电连接于所述第一二次侧单元与所述输出端口之间，以接收所述第一直流电，且电连接至所述控制单元；一第一直流/直流转换器，电连接所述第一二次侧单元，以接收所述第一直流电，并转换成一第三直流电；一第三开关，电连接于所述第一直流/直流转换器与所述输出端口之间，以接收所述第三直流电，且电连接至所述控制单元；其中所述第二开关单元包含有：一第二开关，电连接于所述第二二次侧单元与所述输出端口之间，以接收所述第二直流电，且电连接至所述控制单元；一第二直流/直流转换器，电连接所述第二二次侧单元，以接收所述第二直流电，并转换成一第四直流电；一第四开关，电连接于所述第二直流/直流转换器与所述输出端口之间，以接收所述第四直流电，且电连接至所述控制单元；其中当所述充电控制信号为所述高压充电信号时，所述控制单元控制所述第一开关导通，并控制所述第二开关、所述第三开关及所述第四开关不导通，使所述输出端口输出所述第一直流电；其中当所述充电控制信号为一次高压充电信号时，所述控制单元控制所述第三开关导通，并控制所述第一开关、所述第二开关及所述第四开关不导通，使所述输出端口输出所述第三直流电；其中当所述充电控制信号为所述低压充电信号时，所述控制单元控制所述第二开关导通，并控制所述第一开关、所述第三开关及所述第四开关不导通，使所述输出端口输出所述第二直流电；其中当所述充电控制信号为一次低压充电信号时，所述控制单元控制所述第四开关导通，并控制所述第一开关、所述第二开关及所述第三开关不导通，使所述输出端口输出所述第四直流电。10.根据权利要求9所述的多输出的功率分配控制装置，其特征在于，所述第一开关为一第一金属氧化物半导体场效晶体管，且所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的一源极及一漏极电连接于所述第一二次侧单元及所述输出端口之间，而所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极电连接至所述控制单元；其中所述第三开关为一第三金属氧化物半导体场效晶体管，且所述第三金属氧化物半导体场效晶体管的一源极及一漏极电连接于所述第一直流/直流转换器及所述输出端口之间，而所述第三金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极电连接至所述控制单元；其中所述第二开关为一第二金属氧化物半导体场效晶体管，且所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的一源极及一漏极电连接于所述第二二次侧单元及所述输出端口之间，而所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极电连接至所述控制单元；其中所述第四开关为一第四金属氧化物半导体场效晶体管，且所述第四金属氧化物半导体场效晶体管的一源极及一漏极电连接于所述第二直流/直流转换器及所述输出端口之
间，而所述第四金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极电连接至所述控制单元。

技术总结
本发明提供一种多输出的功率分配控制装置，通过一电源转换器的一第一二次侧单元耦合一次侧单元感应生成一第一直流电，且通过一第二二次侧单元耦合该一次侧单元感应生成一第二直流电。并由一第一开关单元接收该第一直流电，且由一第二开关单元接收该第二直流电。最后，由一控制单元通过一输出端口接收一受电装置传送的一充电控制信号，根据该充电控制信号控制该第一开关单元或该第二开关单元其中之一导通，并控制其中另一不导通，使该输出端口输出该第一直流电或该第二直流电。由于本发明仅有一组电源转换器，因此不需要多组的电源转换器，能够节省一整组电源转换器所需的空间，故能够提高空间应用效率以及能够符合宽电压调整幅度的应用。调整幅度的应用。调整幅度的应用。


技术研发人员：叶家安 邓羽强
受保护的技术使用者：康舒科技股份有限公司
技术研发日：2021.09.30
技术公布日：2022/1/3