一种摄像头强化玻璃及其镀膜方法与流程

1.本发明涉及摄像头玻璃技术领域，特别涉及一种摄像头强化玻璃及其镀膜方法。


背景技术：

2.由于市场及产品功能的需求，摄像头镜片(或称摄像头玻璃、镜头保护玻璃)，不仅要注备保护镜头的特性，要拥有抗摔抗冲击的能力，还需要拥有高的透光率性能，不能影响相机的成相效果。
3.目前在摄像头玻璃上的镀膜技术方案为：在镀膜前先用氧气(或氩气)离子源对玻璃表面蚀刻，增加玻璃表面微观粗糙度，增加玻璃表面微观面积，以增加镀膜和玻璃接合面积，提高钢化玻璃和镀膜层之间结合力，然后用硬质二氧化硅(或硅)作为镀膜基底，再通过镀氧化钛或氧化镁等镀层来增加玻璃的透光率，此方法需要用到的离子源功率较强，用此方式时，高频电子粒会撞击钢化玻璃表面，造成钢化玻璃表面应力不均，引起钢化玻璃破裂或自爆。另外，由于采用氧化钛或氧化镁等物质作为镀层，因其物理特性硬度较高，柔韧性差等特点，当摄像头玻璃受到外在冲击时，镀膜及摄像头玻璃会同时破裂。
4.上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。


技术实现要素：

5.本发明的主要目的是提出一种摄像头强化玻璃及其镀膜方法，旨在提高摄像头玻璃的抗冲击性能。
6.为实现上述目的，本发明提出的一种摄像头强化玻璃，包括：
7.玻璃本体；
8.复合膜层，盖设于所述玻璃本体上，所述复合膜层至少包括两个膜层单元，每个所述膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体设置；以及
9.保护膜层，盖设于所述复合膜层上。
10.在一些实施例中，所述复合膜层包括第一膜层单元和第二膜层单元，所述第二膜层单元相比所述第一膜层单元远离所述玻璃本体设置；所述第一膜层单元包括第一基底膜层和第一强化膜层，所述第一强化膜层相比所述第一基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第二膜层单元包括第二基底膜层和第二强化膜层，所述第二强化膜层相比所述第二基底膜层远离所述玻璃本体设置；
11.所述第二强化膜层的厚度大于所述第一强化膜层的厚度；所述第二基底膜层的厚度大于所述第一基底膜层的厚度。
12.在一些实施例中，所述第一基底膜层、所述第二基底膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述第一强化膜层、所述第二强化膜层采用五氧化二铌膜层。
13.在一些实施例中，所述第一基底膜层的厚度为100
‑
150埃；所述第一强化膜层的厚
度为100
‑
150埃；所述第二基底膜层的厚度为300
‑
350埃；所述第二强化膜层的厚度为1000
‑
1300埃。
14.在一些实施例中，所述复合膜层包括第一膜层单元、第二膜层单元和第三膜层单元；所述第一膜层单元、所述第二膜层单元和所述第三膜层单元距离所述玻璃本体的距离依次变远。
15.在一些实施例中，所述保护膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述保护膜层厚度为800
‑
1000埃。
16.本技术还提出一种摄像头强化玻璃的镀膜方法，方法包括：
17.对所述玻璃本体表面进行离子源蚀刻处理；
18.在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行复合膜层镀膜；所述复合膜层至少包括两个膜层单元，每个所述膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体设置；
19.在所述复合膜层表面进行保护层镀膜。
20.在一些实施例中，所述复合膜层包括第一膜层单元和第二膜层单元，所述第一膜层单元包括第一基底膜层和第一强化膜层，所述第一强化膜层相比所述第一基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第二膜层单元包括第二基底膜层和第二强化膜层，所述第二强化膜层相比所述第二基底膜层远离所述玻璃本体设置；
21.所述在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行复合膜层镀膜的步骤，包括：
22.在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行第一基底膜层镀膜；
23.在预设比例的氧气与惰性气体的第一混合离子源下，在所述第一基底膜层上进行第一强化膜层镀膜；
24.在所述第一强化膜层上进行第二基底膜层镀膜；
25.在预设比例的氧气与惰性气体的第二混合离子源下，在所述第二基底膜层上进行第二强化膜层镀膜。
26.在一些实施例中，所述第一基底膜层、所述第二基底膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述第一强化膜层、所述第二强化膜层采用五氧化二铌膜层；
27.所述第一基底膜层的厚度为100
‑
150埃；所述第一强化膜层的厚度为100
‑
150埃；所述第二基底膜层的厚度为300
‑
350埃；所述第二强化膜层的厚度为1000
‑
1300埃；所述保护膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述保护膜层厚度为800
‑
1000埃。
28.在一些实施例中，所述复合膜层包括第一膜层单元、第二膜层单元和第三膜层单元；所述第一膜层单元包括第一基底膜层和第一强化膜层，所述第一强化膜层相比所述第一基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第二膜层单元包括第二基底膜层和第二强化膜层，所述第二强化膜层相比所述第二基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第三膜层单元包括第三基底膜层和第三强化膜层；所述第三强化膜层相比所述第三基底膜层远离所述玻璃本体设置；
29.所述在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行复合膜层镀膜的步骤，包括：
30.在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行第一基底膜层镀膜；
31.在预设比例的氧气与惰性气体的第一混合离子源下，在所述第一基底膜层上进行第一强化膜层镀膜；
32.在所述第一强化膜层上进行第二基底膜层镀膜；
33.在预设比例的氧气与惰性气体的第二混合离子源下，在所述第二基底膜层上进行第二强化膜层镀膜；
34.在所述第二强化膜层上进行第三基底膜层镀膜；
35.在预设比例的氧气与惰性气体的第三混合离子源下，在所述第三基底膜层上进行第三强化膜层镀膜。
36.本发明技术方案的实施例通过在玻璃本体上依次设置复合膜层和保护膜层，而复合膜层至少包括两个膜层单元，每个膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体设置。从而，本技术中玻璃本体表面形成多层软硬不同的膜层，增加玻璃透光率，同时增加玻璃的抗冲击强度。
附图说明
37.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
38.图1为本发明摄像头强化玻璃一实施例的结构示意图；
39.图2为本发明摄像头强化玻璃又一实施例的结构示意图；
40.图3为本发明摄像头强化玻璃的镀膜方法一实施例的流程框图；
41.图4为图3中步骤s200的一实施例的流程框图；
42.图5为图3中步骤s200的又一实施例的流程框图；
43.附图标号说明：
[0044][0045][0046]
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0047]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0048]
在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
[0049]
现有技术中的摄像头玻璃镀膜方式会破坏玻璃的表面物理性状，引起玻璃应力层的破裂，引起应力不均，造成玻璃抗冲击性能严重下降，使摄像头镜片(镜头保护玻璃)的保护性能减少，造成摄像头功能缺失。
[0050]
现有的氧化钛或氧化镁镀层技术，虽然可以增加玻璃透光率，但由于其本身物理硬度较高，柔韧性差的特点，当外到外力冲击时，镀膜起不到任何缓冲或保护作用，此时玻璃极容易破裂
[0051]
鉴于此，本技术提出一种摄像头强化玻璃及其镀膜方法，旨在提高摄像头玻璃的抗冲击性能。
[0052]
为实现上述目的，请参照图1，本发明提出的一种摄像头强化玻璃100，包括：玻璃本体10、复合膜层20以及保护膜层30。
[0053]
玻璃本体10可以是各种摄像头专用的玻璃，如钢化玻璃等。
[0054]
复合膜层20，盖设于所述玻璃本体10上，所述复合膜层20至少包括两个膜层单元，每个所述膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体10设置。
[0055]
需要说明的是，所述复合膜层20至少包括两个膜层单元。当复合膜层20中膜层单元越多时，玻璃本体10表面的膜层越好，抗冲击性能越强。
[0056]
4、在一些可行的实施例中，所述复合膜层20包括第一膜层单元21和第二膜层单元22，所述第二膜层单元22相比所述第一膜层单元21远离所述玻璃本体10设置；所述第一膜层单元21包括第一基底膜层211和第一强化膜层212；所述第二膜层单元22包括第二基底膜层221和第二强化膜层222。所述第一强化膜层212相比所述第一基底膜层211远离所述玻璃本体10设置；所述第二强化膜层222相比所述第二基底膜层221远离所述玻璃本体10设置；此时，玻璃本体10表面包括五层膜层结构。
[0057]
请参照图1，在玻璃本体10的表面上由近及远依次设置有第一基底膜层211、第一强化膜层212、第二基底膜层221和第二强化膜层222。其中，所述第一基底膜层211可采用硅膜层或二氧化硅膜层。由于玻璃本身材质中主要成份为二氧化硅，硅膜层或二氧化硅膜层与玻璃本体10两者在化学及化学键结构上相同，是原子晶体，所有的原子靠共价键相连，因此两者间的附着力会极佳。
[0058]
进一步地，所述第一基底膜层211的厚度可设置为100
‑
150埃。
[0059]
所述第一强化膜层212采用五氧化二铌膜层，第一强化膜层212可在氧气与惰性气体组成的混合离子源条件下生成，由于五氧化二铌膜层形成的膜层致密，提高摄像头强化
玻璃100的抗冲击性能。进一步地，所述第一强化膜层212的厚度可设置为100
‑
150埃。
[0060]
所述第二基底膜层221可采用硅膜层或二氧化硅膜层。所述第二基底膜层221的厚度大于所述第一基底膜层211的厚度。第二基底膜层221作用是创造干涉相消和干涉相长的条件，增高玻璃透光率。进一步地，所述第二基底膜层221的厚度可设置为300
‑
350埃。
[0061]
所述第二强化膜层222采用五氧化二铌膜层。同样地，第二强化膜层222可在氧气与惰性气体组成的混合离子源条件下生成，由于五氧化二铌膜层形成的膜层致密，提高摄像头强化玻璃100的抗冲击性能。进一步地，由于第二强化膜层222相比第一强化膜层212更靠近外界，为了提高抗冲击性能，所述第二强化膜层222的厚度大于所述第一强化膜层212的厚度，具体地，可设置所述第二强化膜层222的厚度为1000
‑
1300埃。
[0062]
保护膜层30，盖设于所述复合膜层20上。所述保护膜层30采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述保护膜层30厚度为800
‑
1000埃。由于二氧化硅化学性质稳定，硬度高，此层起到增透和保护复合膜层20的作用。
[0063]
本实施例通过在玻璃本体10上依次设置复合膜层20和保护膜层30，而复合膜层20至少包括两个膜层单元，每个膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体10设置。从而，本实施例中玻璃本体10表面形成多层软硬不同的膜层，增加玻璃透光率，同时增加玻璃的抗冲击强度。
[0064]
在本实施例的其他方面，请参照图2，所述复合膜层20还可以包括两个以上的膜层单元。例如，在一些实施例中，复合膜层20包括第一膜层单元21、第二膜层单元22和第三膜层单元23；所述第一膜层单元21、所述第二膜层单元22和所述第三膜层单元23距离所述玻璃本体10的距离依次变远。第一膜层单元21包括第一基底膜层211和第一强化膜层212；所述第二膜层单元22包括第二基底膜层221和第二强化膜层222；所述第三膜层单元23包括第三基底膜层231和第三强化膜层232。所述第一强化膜层212相比所述第一基底膜层211远离所述玻璃本体10设置；所述第二强化膜层222相比所述第二基底膜层221远离所述玻璃本体10设置；所述第三强化膜层232相比所述第三基底膜层231远离所述玻璃本体10设置；此时，玻璃本体10表面包括七层膜层结构。
[0065]
可以理解的，在其他实施例中，复合膜层20还可以包括四层、五层膜层单元等，复合膜层20中膜层单元越多，摄像头强化玻璃100的抗冲击性能越强。但值得注意的是，复合膜层20中膜层单元变多也会带来摄像头强化玻璃100的整体厚度变厚，以及整体成本增加的问题。
[0066]
请参照图3，本技术还提出一种摄像头强化玻璃100的镀膜方法，方法包括：
[0067]
s010、将玻璃本体10表面进行清洗；
[0068]
具体地，可通过超声对玻璃本体10表面进行清洗，去除玻璃本体10表面的脏污或尘埃。
[0069]
s100、对所述玻璃本体10表面进行离子源蚀刻处理；
[0070]
具体地，在一些实施例中，可将玻璃本体10放入真空镀膜机中进行镀膜，对玻璃本体10进行低功率离子源蚀刻处理，控制功率120v/6a以内，控制时间1分钟以内。需要说明的是，本实施例中可在玻璃本体10表面的单面或双面进行镀膜。
[0071]
通过离子源对玻璃本体10表面进行蚀刻，增加玻璃本体10表面微观粗糙度，增加
玻璃本体10表面微观面积，以增加膜层和玻璃本体10的接合面积，提高玻璃本体10和膜层之间的结合力。
[0072]
s200、在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体10表面上进行复合膜层20镀膜；所述复合膜层20至少包括两个膜层单元，每个所述膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体10设置；
[0073]
在一些可行的实施例中，所述复合膜层20包括第一膜层单元21和第二膜层单元22组成的两层膜层单元，所述第一膜层单元21包括第一基底膜层211和第一强化膜层212；所述第二膜层单元22包括第二基底膜层221和第二强化膜层222。所述第一强化膜层212相比所述第一基底膜层211远离所述玻璃本体10设置；所述第二强化膜层222相比所述第二基底膜层221远离所述玻璃本体10设置。此时，玻璃本体10表面包括五层膜层结构。
[0074]
请参照图4，s200、所述在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体10表面上进行复合膜层20镀膜的步骤，包括：
[0075]
s210、在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体10表面上进行第一基底膜层211镀膜；
[0076]
所述第一基底膜层211可采用硅膜层或二氧化硅膜层。由于玻璃本身材质中主要成份为二氧化硅，硅膜层或二氧化硅膜层与玻璃本体10两者在化学及化学键结构上相同，是原子晶体，所有的原子靠共价键相连，因此两者间的附着力会极佳。进一步地，所述第一基底膜层211的厚度可设置为100
‑
150埃。
[0077]
s220、在预设比例的氧气与惰性气体的第一混合离子源下，在所述第一基底膜层211上进行第一强化膜层212镀膜；
[0078]
预设比例的氧气与惰性气体的第一混合离子源可根据实际情况设置，例如在一些实施例中，设置氧气和氩气比为4：1，控制功率120v/6a，在第一基底膜层211(即二氧化硅基底)后再镀一层第一强化膜层212，第一强化膜层212可选用五氧化二铌(nb2o5)。增加氧气是为了防止在成膜过程中五氧化二铌因高温失氧会发黄，氩气为惰性保护气体，防止五氧化二铌起其它的化学反应，由于五氧化二铌质地软，离子源辅助镀膜可以使膜层更加致密，此层五氧化二铌成膜厚度可设置为100
‑
150埃。
[0079]
惰性气体还可以是氦气(he)、氩气(ar)、氪气(kr)、氙气(xe)、氡气(rn，放射性)等。
[0080]
s230、在所述第一强化膜层212上进行第二基底膜层221镀膜；
[0081]
所述第二基底膜层221可采用硅膜层或二氧化硅膜层。所述第二基底膜层221的厚度大于所述第一基底膜层211的厚度。第二基底膜层221作用是创造干涉相消和干涉相长的条件，增高玻璃透光率。进一步地，所述第二基底膜层221的厚度可设置为300
‑
350埃。
[0082]
s240、在预设比例的氧气与惰性气体的第二混合离子源下，在所述第二基底膜层221上进行第二强化膜层222镀膜。
[0083]
同样地，第二强化膜层222可在氧气与惰性气体组成的混合离子源条件下生成。设置氧气和氩气比为4：1，控制功率120v/6a，在第二基底膜层221(即二氧化硅基底)后再镀一层第二强化膜层222，所述第二强化膜层222采用五氧化二铌膜层。由于五氧化二铌膜层形成的膜层致密，提高摄像头强化玻璃100的抗冲击性能。进一步地，由于第二强化膜层222相比第一强化膜层212更靠近外界，为了提高抗冲击性能，所述第二强化膜层222的厚度大于
所述第一强化膜层212的厚度，具体地，可设置所述第二强化膜层222的厚度为1000
‑
1300埃。
[0084]
s300、在所述复合膜层20表面进行保护层镀膜。
[0085]
所述保护膜层30采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述保护膜层30厚度为800
‑
1000埃。由于二氧化硅化学性质稳定，硬度高，此层起到增透和保护复合膜层20的作用。
[0086]
本实施例的摄像头强化玻璃100的镀膜方法通过在玻璃本体10上依次镀上复合膜层20和保护膜层30，而复合膜层20至少包括两个膜层单元，每个膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体10设置。从而，本实施例中玻璃本体10表面形成多层软硬不同的膜层，增加玻璃透光率，同时增加玻璃的抗冲击强度。
[0087]
在其他一些实施例中，所述复合膜层20包括第一膜层单元21、第二膜层单元22和第三膜层单元23；所述第一膜层单元21包括第一基底膜层211和第一强化膜层212；所述第二膜层单元22包括第二基底膜层221和第二强化膜层222；所述第三膜层单元23包括第三基底膜层231和第三强化膜层232；所述第一强化膜层212相比所述第一基底膜层211远离所述玻璃本体10设置；所述第二强化膜层222相比所述第二基底膜层221远离所述玻璃本体10设置；所述第三强化膜层232相比所述第三基底膜层231远离所述玻璃本体10设置；此时，玻璃本体10表面包括七层膜层结构。
[0088]
请参照图5，s200、所述在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体10表面上进行复合膜层20镀膜的步骤，包括：
[0089]
s210a、在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体10表面上进行第一基底膜层211镀膜；
[0090]
s220a、在预设比例的氧气与惰性气体的第一混合离子源下，在所述第一基底膜层211上进行第一强化膜层212镀膜；
[0091]
s230a、在所述第一强化膜层212上进行第二基底膜层221镀膜；
[0092]
s240a、在预设比例的氧气与惰性气体的第二混合离子源下，在所述第二基底膜层221上进行第二强化膜层222镀膜；
[0093]
s250a、在所述第二强化膜层222上进行第三基底膜层231镀膜；
[0094]
s260a、在预设比例的氧气与惰性气体的第三混合离子源下，在所述第三基底膜层231上进行第三强化膜层232镀膜。
[0095]
其中，步骤s210a可参照步骤s210的描述，步骤s220a可参照步骤s220的描述，步骤s230a可参照步骤s230的描述，步骤s240a可参照步骤s240的描述，在此不赘述。步骤s250a中的第三基底膜层231镀膜可采用硅膜层或二氧化硅膜层，所述第三基底膜层231的厚度可设置为300
‑
350埃。步骤s260a可参照步骤s240a的描述，所述第三强化膜层232采用五氧化二铌膜层，所述第三强化膜层232的厚度为1000
‑
1300埃。
[0096]
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。