图案化的方法与流程

技术特征：
1.一种图案化的方法，包括：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层；图案化所述未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案；以所述多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分所述核心层并形成核心图案；进行第二刻蚀工艺，以移除所述多晶硅图案；进行原子层沉积(ald)工艺，以于所述核心图案与所述经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料；移除部分所述间隙壁材料，以于所述核心图案的侧壁上形成间隙壁；以及移除部分所述核心图案及其下方的所述经掺杂多晶硅层。2.根据权利要求1所述的图案化的方法，其中形成所述经掺杂多晶硅层包括使用掺质进行离子注入工艺，其中所述掺质包括bf
2
、b

、f

、p

或其组合。3.根据权利要求1所述的图案化的方法，其中所述经掺杂多晶硅层的掺杂浓度大于所述未掺杂多晶硅层的掺杂浓度。4.根据权利要求1所述的图案化的方法，其中进行所述第一刻蚀工艺包括：进行干式刻蚀步骤，以于所述核心层中形成开口；以及进行湿式刻蚀步骤，以修整所述核心层，以扩大所述开口并使得所述核心图案的侧壁内凹于所述多晶硅图案的侧壁。5.根据权利要求1所述的图案化的方法，其中所述核心层的材料包括低压正硅酸乙酯、氧化硅或其组合。6.根据权利要求1所述的图案化的方法，其中在所述第二刻蚀工艺中，所述多晶硅图案的刻蚀速率大于所述经掺杂多晶硅层的刻蚀速率。7.根据权利要求1所述的图案化的方法，其中所述第二刻蚀工艺包括使用nh4oh、tmah或其组合的刻蚀溶液。8.根据权利要求1所述的图案化的方法，其中所述间隙壁材料包括ald氮化硅或cvd氮化硅。9.根据权利要求1所述的图案化的方法，还包括：以所述间隙壁及其下方的所述经掺杂多晶硅层为掩膜，移除部分目标层，以形成目标图案。10.根据权利要求9所述的图案化的方法，其中所述目标图案的图案密度大于所述核心图案的图案密度。

技术总结
本发明提供一种图案化的方法，包括以下步骤：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。


技术研发人员：谢竺君 吴庭玮 倪志荣
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2020.07.01
技术公布日：2022/1/3