完全对准消去处理及来自此处理的电子装置的制作方法

技术特征：
1.一种形成多个完全对准的过孔的方法，所述方法包括以下步骤：图案化在第二金属层的顶部上的第三金属层，所述第二金属层与第一金属层电接触，图案化的第三金属层与所述第二金属层未对准，使得暴露所述第二金属层的所述顶部的一部分；和使所述第二金属层的所述顶部凹陷以暴露与所述图案化的第三金属层对准的所述第二金属层的多个侧面并使所述第二金属层的顶部从所述第三金属层的底部凹陷一定距离。2.如权利要求1所述的方法，其中可选的金属衬垫位于所述第二金属层的所述顶部与所述第三金属层的所述底部之间，且使所述第二金属层的所述顶部凹陷在所述第二金属层的所述顶部和所述可选的金属衬垫的底部之间产生一距离。3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述第二金属层的凹陷的顶部和所述第三金属层上沉积介电层。4.如权利要求3所述的方法，其中所述介电层包括高k介电材料。5.如权利要求3所述的方法，其中所述介电层覆盖在所述第三金属层上的第四金属层的顶部。6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在所述第二金属层与所述第三金属层之间的接触具有小于或等于约20μω
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cm的有效电阻率。7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在所述第二金属层与所述第三金属层之间的接触具有小于或等于约20nm的电子平均自由路径。8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中图案化的第四金属层和图案化的第四蚀刻终止层用作用于图案化所述第三金属层的掩模。9.一种形成多个完全对准的过孔的方法，所述方法包括以下步骤：在第二金属层上的图案化的金属衬垫的顶部上形成图案化的第三金属层，所述第二金属层与第一金属层电接触，所述图案化的第三金属层和所述图案化的金属衬垫与所述第二金属层未对准，使得所述第二金属层的顶部的一部分经由在所述图案化的第三金属层和所述图案化的金属衬垫中的所述开口暴露；和使所述第二金属层穿过所述图案化的第三金属层和所述图案化的金属衬垫中的所述开口而凹陷，以降低所述第二金属层的所述顶部并暴露与所述图案化的第三金属层的多个侧面对准的所述第二金属层的多个侧面及与所述金属衬垫的底表面间隔一段距离的所述第二金属层的顶表面，所述第二金属层的所述顶表面与所述金属衬垫的所述底表面间隔开约至约的范围内的距离。10.如权利要求9所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述第二金属层的凹陷的顶部、所述图案化的元线和所述图案化的第三金属层上沉积介电层。11.如权利要求10所述的方法，其中所述介电层包括高k介电材料。12.如权利要求9所述的方法，其中在所述第二金属层与所述第三金属层之间的接触具有小于或等于约20μω
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cm的有效电阻率。13.如权利要求9所述的方法，其中在所述第二金属层与所述第三金属层之间的接触具有小于或等于约20nm的电子平均自由路径。14.如权利要求9所述的方法，其中图案化的第四金属层和图案化的第四蚀刻终止层用作用于图案化所述第三金属层的掩模。
15.一种电子装置，包括：第二金属层，所述第二金属层经由第一蚀刻终止层与第一金属层接触，所述第二金属层具有顶部部分，所述顶部部分具有多个暴露的侧面和凹陷的顶表面，所述暴露的侧面具有一长度；介电层，所述介电层具有顶表面，所述顶表面与所述第二金属层的所述凹陷的顶表面实质上齐平；图案化的金属衬垫，所述图案化的金属衬垫位于所述第二金属层和所述介电层上，所述图案化的金属衬垫具有暴露所述电介质的顶表面和所述第二金属层的凹陷的顶表面的多个开口，所述图案化的金属衬垫与所述第二金属层的所述凹陷的顶表面和所述介电层的所述顶表面间隔开一定距离，从而形成间隙，所述间隙实质上等于所述第二金属层的所述暴露的侧面的所述长度，所述间隙的长度在约至约的范围内；和图案化的第三金属层，所述图案化的第三金属层在所述图案化的金属衬垫上，所述图案化的第三金属层具有暴露所述电介质的所述终止表面和所述第二金属层的凹陷的顶表面的多个开口。

技术总结
描述了形成连接在两个方向上延伸的两条金属线的完全对准的过孔的方法。完全对准的过孔沿着两个方向与第一金属线和第二金属线对准。在与第一金属层电接触的第二金属层的顶部上图案化第三金属层。图案化的第三金属层与第二金属层的顶部未对准。使第二金属层凹陷以暴露第二金属层的侧面并移除未对准第三金属层的侧面的部分。的侧面的部分。的侧面的部分。


技术研发人员：任河 姜浩 梅裕尔
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.05.01
技术公布日：2021/12/17