光刻胶和方法与流程

技术特征：
1.一种光刻胶，包括：聚合物主链；在光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下会分解的第一基团，所述会分解的第一基团具有第一数量的碳原子；在所述光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下会分解的第二基团，所述会分解的第二基团具有第二数量的碳原子，所述第二数量的碳原子小于所述第一数量的碳原子，并且所述第二数量的碳原子小于9个碳原子，其中，所述会分解的第一基团和所述会分解的第二基团是单个聚合物的部分，其中，所述会分解的第二基团具有以下结构：其中ra，rb和rc的每个均独立地表示环烷基、乙酰基或乙酰基烷基；以及在所述光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下不会分解的第一大基团，其中，整个所述不会分解的第一大基团为键合到所述聚合物主链的碳氢主链的环结构，其中，所述会分解的第二基团键合到所述不会分解的第一大基团，并且其中，所述不会分解的第一大基团的环结构与所述与所述聚合物主链的碳氢主链共用一个碳原子。2.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，所述光刻胶还包括附接至聚合物主链的内酯基团。3.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，所述不会分解的第一大基团包括9个至30个之间的碳原子。4.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，所述光刻胶是负性光刻胶。5.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，所述第二数量的碳原子多于4个碳原子。6.根据权利要求1所述的光刻胶，其中，包括所述会分解的第二基团的单体多于所述光刻胶内的单体的5％。7.根据权利要求6所述的光刻胶，其中，所述会分解的第一基团具有大于30％的装载。8.一种光刻胶，包括：溶剂；光活性化合物；以及聚合物树脂，其中所述聚合物树脂还包括：聚合物主链；在光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下会裂解的第一基团，具有多于9个的碳原子；在所述光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下会裂解的第二基团，具有不多于9个的碳原子，其中，所述会裂解的第一基团和所述会裂解的第二基团是单个聚合物的部分，其中，所述会裂解的第二基团具有以下结构：
其中ra，rb和rc的每个均独立地表示环烷基、乙酰基或乙酰基烷基；以及在所述光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下不会裂解的第一大基团，其中，整个所述不会裂解的第一大基团为键合到所述聚合物主链的碳氢主链的环结构，并且所述不会裂解的第一大基团的环结构与所述聚合物主链的碳氢主链共用一个碳原子，其中，所述会裂解的第一基团在所述聚合物主链的碳氢主链上具有大于45％的装载。9.根据权利要求8所述的光刻胶，其中，包括所述会裂解的第二基团的单体多于所述光刻胶内的单体的5％。10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：对将被图案化的层施加光刻胶，其中，所述光刻胶包括：碳氢主链；第一酸不稳定基团，其中，所述第一酸不稳定基团包括少于9个碳原子并且在光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下会分解，其中，所述第一酸不稳定基团具有以下结构：其中，ra，rb和rc的每个均独立地表示环烷基、乙酰基或乙酰基烷基；第二酸不稳定基团，其中，所述第二酸不稳定基团包括多于9个碳原子并且在所述光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下会分解，其中，所述第一酸不稳定基团和所述第二酸不稳定基团是单个聚合物的部分；和在所述光活性化合物产生的酸、碱或自由基的作用下不会分解的大基团，其中，整个所述不会分解的大基团为键合到所述碳氢主链的环结构，并且所述不会分解的大基团的环结构与所述碳氢主链共用一个碳原子；在所述光刻胶上方形成保护层；将所述光刻胶曝光于图案化的光源，在光刻胶内生成h

原子，其中，所述h

原子使第二酸不稳定基团裂解；以及在曝光所光刻胶之后显影所述光刻胶。

技术总结
通过利用会分解的小基团在光刻胶曝光和后曝光烘烤中降低了收缩和质量损失。可选地，可以利用不会分解的大基团或者会分解的小基团和不会分解的大基团的组合。另外，可以利用极性官能团以便降低反应物穿过光刻胶的扩散。本发明还涉及光刻胶和方法。本发明还涉及光刻胶和方法。本发明还涉及光刻胶和方法。


技术研发人员：赖韦翰 张庆裕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2014.12.05
技术公布日：2021/12/16