1.本实用新型属于半导体清洗设备技术领域，特别是涉及一种用于清洗半导体圆晶的清洗槽。
背景技术：
2.在随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路圆晶制造工艺中所要求的圆晶表面的洁净度越来越苛刻，为了保证圆晶材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的20％。
3.传统对圆晶表面清洗采用产出比较高的槽式清洗设备，清洗设备的主要清洗步骤一般先进行化学液清洗浸泡，然后进行清水洗净工序。圆晶在化学液清洗浸泡后，圆晶表面依旧会残留一些副产物和化学液，所以后续的清水洗净工艺尤为重要，若清洗不干净会在圆晶表面产生如化学液残留或圆晶表面存在颗粒物之类的缺陷。
技术实现要素：
4.本实用新型主要解决的技术问题是提供一种用于清洗半导体圆晶的清洗槽，清洗液由下至上清洗圆晶的表面，提高圆晶表面的洁净度。
5.为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：一种用于清洗半导体圆晶的清洗槽，包括清洗槽本体，所述清洗槽本体的内部由矩形溢流板分隔成内清洗槽和外清洗槽；
6.所述外清洗槽设有循环水出水口，所述循环水出水口与所述循环管连通；
7.所述内清洗槽设有循环水进水口、废液排出口以及喷淋管，所述喷淋管的一端封闭，且另一端穿过所述循环水进水口后与所述循环管连通，所述循环管上安装有循环泵，所述废液排出口与所述废液管连通；
8.沿所述喷淋管的轴向分布有多个喷淋口，所述喷淋口的喷淋方向与所述喷淋管的纵向形成的夹角为120
°
；
9.所述溢流板的上端设有多个v型溢流口。
10.本实用新型为解决其技术问题所采用的进一步技术方案是：
11.进一步地说，所述内清洗槽设有两个循环水进水口和两个喷淋管，每一所述喷淋管的一端封闭，且另一端穿过所述循环水进水口后通过三通与所述循环管连通。
12.进一步地说，所述外清洗槽的底壁包括第一水平段、中间倾斜段和第二水平段，所述中间倾斜段的倾斜方向为由第一水平段向第二水平段方向倾斜，所述循环水出水口位于所述第二水平段。
13.进一步地说，所述废液排出口安装有过滤网板。
14.进一步地说，所述溢流口的开口为70
‑
85
°
。
15.进一步地说，所述内清洗槽的侧壁设有固定板，所述固定板上具有安装进液管的安装口。
16.本实用新型的有益效果至少具有以下几点：
17.1、本实用新型喷淋管上的喷淋口与喷淋管的纵向形成的夹角为120
°
，清洗水从喷淋口喷出后先与内槽的底壁撞击再向上流动进而由下至上冲洗圆晶的表面，提高圆晶表面清洗的洁净度；
18.2、本实用新型溢流板的上端设有v型溢流口，v型溢流口可破坏废液的表面张力，利于将废液表面的废渣排至外清洗槽。
附图说明
19.图1是本实用新型的整体结构示意图之一；
20.图2是本实用新型的整体结构示意图之二；
21.图3是本实用新型的剖面结构示意图之一；
22.图4是本实用新型的剖面结构示意图之二；
23.图5是图4的a部放大图；
24.图6是本实用新型的剖面结构示意图之三；
25.图7是图6的b部放大图；
26.附图中各部分标记如下：
27.内清洗槽1、外清洗槽2、第一水平段21、中间倾斜段22、第二水平段23、溢流板3、溢流口31、循环管4、喷淋管5、喷淋口51、废液管6、过滤网板7、固定板8、安装口81、夹角α和开口β。
具体实施方式
28.下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
29.实施例：一种用于清洗半导体圆晶的清洗槽，如图1
‑
图7所示，包括清洗槽本体，所述清洗槽本体的内部由矩形溢流板3分隔成内清洗槽1和外清洗槽2；
30.所述外清洗槽设有循环水出水口，所述循环水出水口与所述循环管4连通；
31.所述内清洗槽设有循环水进水口、废液排出口以及喷淋管5，所述喷淋管的一端封闭，且另一端穿过所述循环水进水口后与所述循环管连通，所述循环管上安装有循环泵，所述废液排出口与所述废液管6连通；
32.沿所述喷淋管的轴向分布有多个喷淋口51，所述喷淋口的喷淋方向与所述喷淋管的纵向形成的夹角α为120
°
；
33.所述溢流板的上端设有多个v型溢流口31。
34.所述内清洗槽设有两个循环水进水口和两个喷淋管，每一所述喷淋管的一端封闭，且另一端穿过所述循环水进水口后通过三通与所述循环管连通。
35.所述外清洗槽的底壁包括第一水平段21、中间倾斜段22和第二水平段23，所述中间倾斜段的倾斜方向为由第一水平段向第二水平段方向倾斜，所述循环水出水口位于所述第二水平段。
36.所述废液排出口安装有过滤网板7。
37.所述溢流口的开口β为70
‑
85
°
。
38.所述内清洗槽的侧壁设有固定板8，所述固定板上具有安装进液管的安装口81。
39.本实用新型的工作原理如下：
40.首先将清洗液从进液管排至内清洗槽内，启动循环泵，清洗液从喷淋口喷出后清洗圆晶表面，进而从溢流板溢流至外清洗槽，以此循环，待清洗工作完成后，将废液从废液管排出。
41.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
技术特征：
1.一种用于清洗半导体圆晶的清洗槽，其特征在于：包括清洗槽本体，所述清洗槽本体的内部由矩形溢流板(3)分隔成内清洗槽(1)和外清洗槽(2)；所述外清洗槽设有循环水出水口，所述循环水出水口与循环管(4)连通；所述内清洗槽设有循环水进水口、废液排出口以及喷淋管(5)，所述喷淋管的一端封闭，且另一端穿过所述循环水进水口后与所述循环管连通，所述循环管上安装有循环泵，所述废液排出口与废液管(6)连通；沿所述喷淋管的轴向分布有多个喷淋口(51)，所述喷淋口的喷淋方向与所述喷淋管的纵向形成的夹角为120
°
；所述溢流板的上端设有多个v型溢流口(31)。2.根据权利要求1所述的用于清洗半导体圆晶的清洗槽，其特征在于：所述内清洗槽设有两个循环水进水口和两个喷淋管，每一所述喷淋管的一端封闭，且另一端穿过所述循环水进水口后通过三通与所述循环管连通。3.根据权利要求1所述的用于清洗半导体圆晶的清洗槽，其特征在于：所述外清洗槽的底壁包括第一水平段(21)、中间倾斜段(22)和第二水平段(23)，所述中间倾斜段的倾斜方向为由第一水平段向第二水平段方向倾斜，所述循环水出水口位于所述第二水平段。4.根据权利要求1所述的用于清洗半导体圆晶的清洗槽，其特征在于：所述废液排出口安装有过滤网板(7)。5.根据权利要求1所述的用于清洗半导体圆晶的清洗槽，其特征在于：所述溢流口的开口为70
‑
85
°
。6.根据权利要求1所述的用于清洗半导体圆晶的清洗槽，其特征在于：所述内清洗槽的侧壁设有固定板(8)，所述固定板上具有安装进液管的安装口(81)。
技术总结
本实用新型公开了一种用于清洗半导体圆晶的清洗槽，包括清洗槽本体，所述清洗槽本体的内部由矩形溢流板分隔成内清洗槽和外清洗槽；所述外清洗槽设有循环水出水口，所述循环水出水口与所述循环管连通；所述内清洗槽设有循环水进水口、废液排出口以及喷淋管，所述喷淋管的一端封闭，且另一端穿过所述循环水进水口后与所述循环管连通，所述循环管上安装有循环泵，所述废液排出口与所述废液管连通；沿所述喷淋管的轴向分布有多个喷淋口，所述喷淋口的喷淋方向与所述喷淋管的纵向形成的夹角为120
技术研发人员：陈铁龙 林智颖 陈坤 张振 孙东初
受保护的技术使用者：苏州睿智源自动化科技有限公司
技术研发日：2020.12.22
技术公布日：2021/12/16
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
