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一种量子点膜的制作方法及量子点基板与流程

2021-12-17 21:11:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种量子点膜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供量子点胶体和极性溶剂,所述量子点胶体中具有量子点,将所述量子点胶体和所述极性溶剂混合改性,得到量子点溶液;提供电极基片,将所述电极基片浸入到所述量子点溶液中;通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片,以在所述电极基片上形成量子点膜。2.根据权利要求1所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述量子点胶体和所述极性溶剂的体积比为1:1

1:30。3.根据权利要求1所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述量子点溶液中的所述量子点的浓度为1mg/ml

200mg/ml。4.根据权利要求1所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述量子点胶体包括含量为0.01wt%

80wt%的量子点组合物和含量为20wt%

99.9wt%胶体溶剂,其中,所述量子点组合物包括所述量子点和配体。5.根据权利要求4所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述极性溶剂的极性大于所述胶体溶剂的极性。6.根据权利要求1

5任一项所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述电极基片包括第一电极基片和第二电极基片;所述通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片,以在所述电极基片上形成量子点膜的步骤包括:对所述第一电极基片施加第一电压,对所述第二电极基片施加第二电压,所述第一电压和所述第二电压的极性相反,从而使得将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述第一电极基片和所述第二电极基片。7.根据权利要求6所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片的步骤还包括:周期性改变所述第一电压的极性和所述第二电压的极性,直至在所述第一电极基片和所述第二电极基片上形成所述量子点膜。8.根据权利要求7所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述周期性改变所述第一电压的极性和所述第二电压的极性的步骤的周期为0.1秒

300秒。9.根据权利要求7所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述第一电极基片和所述第二电极基片之间的电场强度为5
×
105伏/米
‑4×
107伏/米。10.一种量子点基板,其特征在于,包括电极基片以及设于所述电极基片上的量子点膜,所述量子点膜采用如权利要求1

9任一项所述的量子点膜的制作方法制得。

技术总结
本申请实施例公开了一种量子点膜的制作方法及量子点基板,量子点膜的制作方法包括以下步骤:提供量子点胶体和极性溶剂,量子点胶体中具有量子点,将量子点胶体和极性溶剂混合改性,得到量子点溶液;提供电极基片,将电极基片浸入到量子点溶液中;通过电泳沉积的方式将量子点溶液中的量子点沉积于电极基片,以在电极基片上形成量子点膜。本申请可以解决量子点材料难以呈现单一电荷的特性而导致难以通过电泳沉积的方式制作形貌良好和厚度均匀的量子点膜的技术问题。子点膜的技术问题。子点膜的技术问题。


技术研发人员:石志清
受保护的技术使用者:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日:2021.08.25
技术公布日:2021/12/16
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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