半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域表面形成第一栅介质材料层；在所述第二区域表面选择性外延生长衬底材料以形成外延层，使得所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第一目标阈值；以及在所述外延层表面形成第二栅介质材料层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一目标阈值为至3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一目标阈值为至4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部齐平。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅介质材料层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第二目标阈值。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二目标阈值为至7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二目标阈值为至8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二栅介质材料层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部齐平。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述外延层表面形成第二栅介质材料层的工艺方法包括：对所述外延层表面进行氧化处理。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述外延层表面进行氧化处理的工艺方法包括：原位水汽生成工艺。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述第一栅介质材料层表面和所述第二栅介质材料层表面形成第一栅极材料层；刻蚀所述第一栅极材料层以形成第一栅极和第二栅极；分别刻蚀所述第一栅介质材料层和所述第二栅介质材料层以形成第一栅介质层和第二栅介质层；以及在所述第一区域内形成第一源极和第一漏极并在所述第二区域内形成第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别位于所述第一栅介质层两侧，所述第二源极和所述第二漏极分别位于所述第二栅介质层两侧。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：通过第三栅极和第四栅极替换所述第一栅极和所述第二栅极。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，通过第三栅极和第四栅极替换所述第一栅极和所述第二栅极包括：形成层间介电层，所述层间介电层顶部高于所述第一栅极顶部和第二栅极顶部；对所述层间介电层进行平坦化处理，使得所述层间介电层的顶部、所述第一栅极的顶部和所述第二栅极的顶部齐平；去除所述第一栅极和所述第二栅极，以暴露所述第一栅介质层的顶部、所述第二栅介质层的顶部及所述层间介质层的侧壁；
在所述第一栅介质层的顶部、所述第二栅介质层的顶部、所述层间介质层的侧壁和顶部形成第二栅极材料层；以及对所述第二栅极材料层进行平坦化处理，以形成第三栅极和第四栅极，并使得所述第三栅极的顶部、所述第四栅极的顶部与所述层间介质层的顶部齐平。14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极的材料为硅，所述第三栅极和所述第四栅极的材料为金属。15.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第二区域的顶部高于所述第一区域的顶部；第一栅介质层，位于所述第一区域表面；以及第二栅介质层，位于所述第二区域表面，所述第二栅介质层的顶部与所述第一栅介质层的顶部的高度差的绝对值小于第二目标阈值。16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述第二目标阈值为至17.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述第二目标阈值为至18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅介质材料层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部齐平。19.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三栅极，位于所述第一栅介质层表面；第四栅极，位于所述第二栅介质层表面；第一源极和第一漏极，位于所述第一区域内并分别位于所述第一栅介质层两侧；以及第二源极和第二漏极，位于所述第二区域内并分别位于所述第二栅介质层两侧。

技术总结
本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域表面形成第一栅介质材料层；在所述第二区域表面形成外延层，使得所述外延层的顶部与所述第一栅介质材料层的顶部之间的高度差的绝对值小于第一目标阈值；以及在所述外延层表面形成第二栅介质材料层。本申请所公开的半导体结构及其形成方法提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。


技术研发人员：杨列勇 蔡巧明 马丽莎 李洋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2020.06.12
技术公布日：2021/12/16